专利名称：酸槽温度控制系统的制作方法
技术领域：
酸槽温度控制系统
技术领域：
本实用新型涉及一种酸槽温度控制系统。
背景技术：
现有的酸槽没有设计冷却装置，当晶片放入酸槽中清洗时，酸液腐蚀会产 生大量的热量并释放到酸液中，酸液温度过高，无法准确的反应进行控制，影 响其反应效果，同时酸液温度升高，酸液挥发过快，造成浪费，严重的还会产 生酸液飞'减，影响安全，也造成环境污染。
发明内容
本实用新型提供一种酸槽温度控制系统，该冷却装置可对酸槽进行冷却， 以降低其中酸液的温度，避免造成浪费及环境污染。
本实用新型的方案是
一种酸槽温度控制系统，包括耐腐蚀的反应槽，在反应槽上设有换热水管， 该酸槽温度控制系统还包括由水侧换热器、冷凝器、节流器以及压缩机，水侧 换热器的制冷剂侧、冷凝器、节流器以及压缩机通过连接管连接形成制冷剂循 环通路；在水侧换热器的水侧连接有进水管、出水管；换热水管的两端为水管 入口、水管出口，水管入口、水管出口分别与出水管、进水管连通。
当晶片在酸液中清洗时，产生大量的热量使酸液温度升高，当酸液升高达 到设定温度，此时可以开启压缩机，制冷剂在压缩机作用下在冷凝器中冷凝而 释放热量，制冷剂进入水侧换热器(相当于蒸发器)后，在水侧换热器的制冷 剂侧蒸发而吸收热量，使水侧换热器水侧的水温度降低，冷却水输入换热水管 中并使反应槽中酸液的温度降低，避免酸液温度过高而大量挥发，也避免高温 的酸液向外濺出而对环境造成污染。所述换热水管为耐腐蚀管，设于所述反应槽之内。换热水管设于反应槽内 壁，冷却效果好，此时的换热水管可用耐腐蚀性的铁氟龙管等材料。 该酸槽温度控制系统还包括有加热水箱，所述换热水管的两端还与该加热水箱 连通。在酸槽的水温过低时，该加热水箱中的热水通入换热水管中，用于对酸 槽加热，采用该结构后，当酸槽的温度过冷或过热均可进行调节控制，恒温效 果好，在具体设计时，加热水箱可为独立的加热水箱，也可将所述冷凝器置于 加热水箱内，加热水箱中的水吸收冷凝器的冷凝热而使水温升高。
图l是本实用新型实施例一的结构1、反应槽，2、换热水管，3、水侧换热器，4、冷凝器，5、节流器，6、 压缩机，7、进水管，8、出水管，9、水管入口， 10、水管出口。
具体实施方式
实施例一
请参见图1， 一种酸槽温度控制系统，包括耐腐蚀的反应槽l，在反应槽1 之内设有耐腐蚀的换热水管2，该酸槽温度控制系统还包括由水侧换热器3、冷 凝器4节流器5以及压缩机6，水侧换热器3的制冷剂侧、冷凝器4、节流器5 以及压缩机6通过连接管连接形成制冷剂循环通路；在水侧换热器3的水侧连 接有进水管7、出水管8;换热水管2的两端为水管入口 9、水管出口IO，水管 入口 9、水管出口 10分别与出水管8、进水管7连通。
当晶片在酸液中清洗时，产生大量的热量使酸液温度升高，当酸液升高达 到设定温度，此时可以开启压缩机6，制冷剂在压缩机6作用下在冷凝器4中冷 凝而释放热量，制冷剂进入水侧换热器3 (相当于蒸发器)后，在水侧换热器3 的制冷剂侧蒸发而吸收热量，使水侧换热器3水侧的水温度降低，冷却水输入换热水管2中并使反应槽1中酸液的温度降低，避免酸液温度过高而大量挥发， 也避免高温的酸液向外溅出而对环境造成污染；将换热水管2设于反应槽1内， 其冷却效果好，此时换热水管2是铁氟龙管，铁氟龙管是一种的耐腐蚀性的材料。
实施例二
该实施例中，可直接用酸泵将冷却后的酸液抽至酸槽里，更方便准确控制 酸，酸泵、酸槽、冷却酸箱以及各支管和气动阀门形成一个冷却循环装置。成 本和材料要求高。
权利要求1、一种酸槽温度控制系统，包括耐腐蚀的反应槽，其特征在于，在反应槽上设有换热水管，该酸槽温度控制系统还包括由水侧换热器、冷凝器、节流器以及压缩机，水侧换热器的制冷剂侧、冷凝器、节流器以及压缩机通过连接管连接形成制冷剂循环通路；在水侧换热器的水侧连接有进水管、出水管；换热水管的两端为水管入口、水管出口，水管入口、水管出口分别与出水管、进水管连通。
2、 如权利要求1所述酸槽温度控制系统，其特征在于，所述换热水管为耐 腐蚀管，设于所述反应槽之内。
3、 如权利要求1所述酸槽温度控制系统，其特征在于，该酸槽温度控制系 统还包括有加热水箱，所述换热水管的两端还与该加热水箱连通。
专利摘要本实用新型一种酸槽温度控制系统，包括耐腐蚀的反应槽，在反应槽上设有换热水管，该酸槽温度控制系统还包括由水侧换热器、冷凝器、节流器以及压缩机，水侧换热器的制冷剂侧、冷凝器、节流器以及压缩机通过连接管连接形成制冷剂循环通路；在水侧换热器的水侧连接有进水管、出水管；换热水管的两端为水管入口、水管出口，水管入口、水管出口分别与出水管、进水管连通。在反应过程中，酸液温度过高时，可开启压缩机，通过冷却水对酸液进行冷却，以减少酸液的挥发浪费，也避免高温的酸液对环境的污染。
文档编号H01L21/306GK201219103SQ20082009425
公开日2009年4月8日 申请日期2008年5月30日 优先权日2008年5月30日
发明者邹建和 申请人:深圳深爱半导体有限公司