发射电磁辐射的光电子器件以及用于制造光电子器件的方法

专利名称：发射电磁辐射的光电子器件以及用于制造光电子器件的方法
发射电磁辐射的光电子器件以及用于制造光电子器件的方法
本申请要求德国专利申请102007015474.9的优先权，其公开内容通 过引用结合于此。
本发明的主题是根据权利要求1的前序部分的光电子器件以及用于 制造这种光电子器件的方法。
在US 5,040,868中公开了 一种发射光的光电子器件。该器件具有带有 包封的壳体基本体，该包封将引线^f医架的两个电印制导线成型并且具有凹 处，发射电磁辐射的发光二极管芯片导电地并且机械地安装在该凹处中。 该凹处用透射辐射的浇铸料来浇铸，通过该洗铸料改进了电磁辐射从发光 二极管芯片的耦合输出并且保护发光二极管芯片免受外部影响。根据一个 公开的实施形式，壳体基本体的包封由高>^射性的塑料形成。
本发明的任务是，提供一种开头所提及类型的、可替选地构建的光电 子器件，该器件针对特定的应用相对于传统的器件具有优点。此外，要提 出一种用于制造这种光电子器件的方法。
该任务通过根据独立权利要求的光电子器件或者方法来解决。该器件 和方法的有利的实施形式和优选的改进方案是从属权利要求的主题。
提出了一种光电子器件，其发射有用辐射。该器件包括壳体，该壳 体具有带有壳体腔的壳体基本体；以及设置在壳体腔中的发光二极管芯
片。壳体M体的至少二种基本体材料为了降低其反射性而被有目的地掺 以吸收辐射的颗粒。
在一些应用中，外来光在光电子器件的壳体上的反射可能是干扰性 的。这种反射的强度可以通过将吸收辐射的颗粒混合到基本体材料中来显 著地降低。通it^基本体材料中引入吸收辐射的颗粒，可以实现特别好的 吸收作用。
原则上，例如可以实现比在仅仅在外表面设置有辐射吸收层例如黑色 层的、透射辐射的和/或强烈反射的壳体基本体情况下更好的效果。特别 地，可以省去这种施加在基本体上的吸收辐射的层。然而可替选地也可能 的是，将基本体附加地至少在器件的外表面的部分上设置有吸收辐射的 层。才艮据该器件的另一实施形式，该壳体附加地或者可替选地具有对于有用辐射透射的壳体材料，该壳体材料为了降低其反射性而被有目的地掺以
吸收辐射的颗粒。在其中壳体材料以^Li^体材料都掺以吸收辐射的颗粒的情况中，对于这些材料可以使用相同的以及彼此不同的吸收辐射的颗粒。
术语"吸收辐射的颗粒"结合本申请不应理解为如下的荧光材料这些材料对于发光二极管芯片发射的第 一波长范围的辐射是吸收性的并且通过该辐射被H以发射第二波长范围的电磁辐射，该第二波长范围不同于第一波长范围。换言之，当颗粒吸收了器件的电磁有用辐射时，吸收辐射的颗粒并未再发射出光学辐射。而可能的是，吸收辐射的颗粒并不仅仅吸收有用辐射，而是部分地也进^t射。
对于在壳体材料以a本体材料中都包含吸收辐射的颗粒的情况，根据一个实施形式，吸收辐射的颗粒在基本体材料中的浓度大于在透射辐射的基本体材料中的浓度。在一个扩展方案中，该浓度至少为两倍大，根据另一扩展方案，在基本体材料中的浓度至少是壳体材料中的五倍。
根据另 一 实施形式，在壳体腔中设置有至少 一个另外的发光二极管芯片或者至少两个另外的发光二极管芯片。设置于壳体腔中的发光二极管芯片可以是相同类型的芯片，它们都发射基本上相同波长镨的电磁辐射。可替选地，发光二极管芯片的至少一个是不同类型的，并且在其工作中发射与其余发光二极管芯片的发射镨不同的波长谱的电磁辐射。也可能的是，所有发光二极管芯片具有彼此不同的发射谱。在器件的一个扩展方案中，所有发光二极管芯片在其工作中发射电磁辐射，该电磁辐射至少部分对于人眼是可见的。
在根据另一实施形式的器件中，在壳体腔中设置有散射颗粒用于散射有用辐射。附加地或者可替选地，散射颗粒为了散射有用辐射而包含在对于有用辐射可透射的壳体材料中。散射颗粒在本领域中也称为漫射颗粒。通过这种散射颗粒，可以实现光电子器件的均匀的发射特性。特别可能的是，借助散射颗粒来实现如下效果使得光电子器件具有比没有散射颗粒的器件更大的有^L射面。
通过将散射颗粒和吸收辐射的颗粒结合， 一方面可以降低在外部的外来辐射方面的^Jt性，并且另一方面实现了对于一些应用有利的、有用辐射的发射特性。在这种组合中，嘲匸射颗粒和吸收辐射的颗粒共同作用。根据该器件的另 一扩展方案，基本体材料的吸收辐射的颗粒对于有用 辐射的波长镨的一部分或者4^P是吸收性的。在一个实施形式中，有用辐 射的波长镨包括对于人眼可见的范围。附加地或者可替选地，基本体材料 的吸收辐射的颗粒对于发光二极管芯片在工作中发射的辐射的波长谱的 一部分或者4^P是吸收性的。
根据另一实施形式，壳体材料的吸收辐射的颗粒也具有对于有用辐射 和/或发光二极管芯片的波长谱的一部分或者全部范围的吸收性。
在器件的一个扩展方案中，基本体材料和/或壳体材料的吸收辐射的 颗粒的吸收系数在有用辐射的整个光谱中变化小于10%。特别地，该颗 粒在吸收中在重要的波长范围中具有可忽略的波W目关性。
在器件的另一个实施形式中，壳体材料和/或基本体材料的吸收辐射 的颗粒具有炭黑。炭黑通常作为燃烧过程中的副产品而已知。此外，其以 工业方式生产并且用作颜料、特别是用作汽车轮胎中的强化的填充材料。 炭黑在其吸收特性中通常具有比较强的波W目关性，这特别是适用于可见 光。然而已确定的是，炭黑的某些形状在可见的波长范围中在吸收特性中
具有非常小的波"M目关性。
工业炭黑以不同的限定的技术特性而被生产。炭黑以聚集体的形式而 存在，该聚集体由多个原始颗粒组成。对于作为吸收辐射的颗粒的使用， 具有特别小的原始颗粒大小的炭黑是特别适合的。此外可以是有利的是， 使用具有紧密的聚集结构的工业炭黑。对于这种炭黑类型，在业内使用英
文表述"low structure carbon black (低结构炭黑)"(LSCB)。在该器件 的一个扩展方案中，该聚集体具有小于或等于lpm的平均尺寸。
根据器件的另一实施形式，壳体材料和/或基本体材料的吸收辐射的 颗粒是电绝缘的。由此可能的是，对于有用辐射可透射的壳体材料直接地 与发光二极管芯片邻接，而不存在由于导电的颗粒而形成短路的危险。可 替选地也可能的是使用导电颗粒。当该颗粒在壳体材料中的浓度足够小 时，同样至少在很大程度上可以避免形成短路的风险。在此，最大浓度取 决于聚集体大小。借助LSCB可以在对于形成短路的相同风险情况下使用 较高的浓度，其中该LSCB具有与通常的炭黑颗粒相比小的聚集体大小。
通常，壳体材料和/或基本体材料的吸收辐射的颗粒有利地具有小于 或等于100nm的平均颗粒直径(微粒平均值(Teilchenmittel))。这种小 的颗粒可以特别好地^t在壳体材料中。在炭黑的情况中，凝聚物的原始颗粒在器件的一个扩展方案中具有这样小的平均颗粒直径。
根据另一实施形式，对于有用辐射可透射的壳体材料和/或基本体材料具有浇铸料或者压制材料。借助这种材料可以制造良好限定的形状和大小的壳体部分。浇铸料可以被浇铸或者例如以注塑方法成形。压制材料可以以压铸方法来处理。
在一个合乎目的的实施形式中，对于有用辐射可透射的壳体材料具有
至少一种如下材料环氧树脂、丙烯酸酯、硅树脂、热塑性塑料以及具有这些材料至少之一的混合材料。原则上也可以使用其他类型的混合材料，即并不包含环氧树脂、丙烯酸酯、硅树脂和热塑性塑料这些材料的混合材料。
在另 一 实施形式中，发光二极管芯片借助对于有用辐射可透射的壳体材料来封装或者成型。特别地可能的是，壳体材料直接与发光二极管芯片邻接。
在器件的一个扩展方案中，壳体腔至少部分以对于有用辐射可透射的壳体材料来填充。壳体腔的填充优选地通过用对于有用辐射可透射的物质浇铸来进行。
器件的另一实施形式设计了，该器件具有带有外表面的壳体本体。对于有用辐射可透射的壳体材料至少施加到该壳体本体的外表面上。
合乎目的的是，在壳体本体的外表面上施加的壳体材料可以以膜的形式存在。该膜例如通过层压或者借助粘合剂来固定在壳体本体的外表面上。该膜有利地具有恒定的厚度。该膜合乎目的地柔性地实施。可替选地也可能的是，膜的厚度变化。这例如可以通过将具有恒定厚度的膜有目的地结构化来完成。
附加地或者可替选地也可能的是，将膜用作壳体材料，该膜被掺以吸收辐射的颗粒。
提出了一种用于制itiL射有用辐射的光电子器件的方法。在该方法中，提供或者制造了具有壳体腔和基本体材料的壳体基本体，其中该基本体材料有目的地掺以吸收辐射的颗粒。此外提供了 一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片安**壳体腔中。
在该方法的一个实施形式中，此外提供了对于有用辐射可透射的材料，其中该材料有目的地掺以吸收辐射的颗粒。随后将对于有用辐射可透射的材料设置在要由发光二极管芯片在其工作中发射的电磁辐射的光路中。
根据另一实施形式,对于有用辐射可透射的材料的至少一部分i殳置在壳体腔中。根据一个扩展方案，发光二极管芯片被以对于有用辐射可透射的材料封装或者成型。
该方法的另一实施形式设计提供了一种器件，其中该器件包含发光二极管芯片和壳体基本体。对于有用辐射可透射的物质的至少 一部分被施加到壳体本体的外表面上。
根据另一实施形式，对于有用辐射可透射的材料的至少一部分在施加到壳体本体的外表面上之前以预制的材料层的形式来提供。附加地或者可替选地，设计了对于有用辐射可透射的材料的至少一部分在施加在壳体的外表面上之前以膜的形式来提供。
该器件和方法的其他优点、优选的实施形式和改进方案由下面结合附图所阐述的实施例中得到。其中
图l示出了光电子器件的第一实施例的示意性截面图2示出了光电子器件的第二实施例的示意性截面图3示出了光电子器件的第三实施例的示意性截面图4示出了一个图表，其中绘出了与吸收辐射的颗粒在透射辐射的壳体材料中的浓度相关的不同光电子器件的相对辐射强度；以及
图5示出了光电子器件的第四实施例的示意性俯视图。
在实施例和附图中，相同或者作用相同的组成部分分别设置有相同的附图标记。所示的组成部分以及组成部分彼此间的大小关系并不一定要视为合乎比例。更确切地i兌，附图的一些细节为了更好的理解而被夸大地示出。
在

图1中所示的光电子器件中，发光二极管芯片l借助导电的连接装置、例如金属焊料或者粘合剂以背面接触部11固定在引线框架的第一电连接部2上。在背离背面接触部11的侧上，发光二极管芯片1具有正面接触部12，其借助掩^线14与引线框架的第二电端子3导电相连。
发光二极管芯片1和掩^线14的棵露表面直接地被壳体材料5包围，该壳体材料对于发光二极管芯片1在其工作中发射的电磁辐射是可透射的。该壳体材料5例如是一种浇铸料，其具有超过70 % (重量)的环氧浇铸树脂。此外，浇铸料还可以具有添加物例如二乙二醇单甲醚(Diethylenglykolmonomethylether )、 Tegopren 6875-45以及Aerosil 200。
替选地或者可附加地，壳体材料5例如具有至少一种混合材料，借助 混合材料可能将不同材料的有利特性彼此结合。通过这种方法，例如可以 减弱或者消除材料的不利特性。例如使用聚合物混合材料。作为混合材料 例如考虑硅树脂改进的环氧树脂，其在紫外光的作用下比传统的环氧树脂 更弱地老化，然而此外基本上具有传统环氧树脂的有利物理特性。也可能 的是，将至少一种环氧树脂和至少一种硅树脂彼此混合。这种合适的混合 材料的例子例如在US 2002/0192477 Al或者在US 2005/0129957 Al中进 行了说明，其公开内容就此而言通过引用结合于此。
此外可能的是,将硅树脂与丙烯酸酯组合或者将>^树脂与丙烯酸酯和 环氧树脂组合。当然也可能的是，并不使用混合材料而例如将丙烯酸酯、 硅树脂或者热塑性塑料用作壳体材料5的组成部分。
例如将吸收辐射的颗粒61混合到洗铸料5中。
在图1中示出的光电子器件的实施例具有带有凹处9的壳体基>^体 8。该发光二极管芯片l在该凹处中施加在引线框架的第一电端子2上。 凹处9以壳体材料5填充，该壳体材料对于该器件所发射的有用辐射是可 透射的。
壳体基本体8例如借助注塑来构建，这可以在安^J1光二极管芯片1 之前进行。基本体材料例如具有聚邻苯二曱酰胺(PPA)，在一个扩展方 案中其可以用玻璃纤维和/矿物质填充。其被掺以吸收辐射的颗粒62。
透射辐射的壳体材料5和/或基本体8的基本体材料的吸收辐射的颗 粒61、 62例如是工业上制造的具有限定的技术特性的炭黑。炭黑颗粒由 多个原始颗粒组成，它们一同形成聚集结构。该聚集结构优选尽可能地紧 密。
炭黑颗粒的原始颗粒具有小于或等于100nm的平均直径。例如，平 均直径为50nm到60nm。平均直径应理解为所测量的直径的微粒平均值。 聚集体具有小于或等于ipm的平均直径。合适的工业炭黑例如是市面上
可获得的"Printex25"，其由Degussa公司制造。在此涉及具有紧密的聚 集结构的所谓"低结构炭黑"(LSCB)。 原始颗粒和聚集体的颗粒大小可以用不同的方法来确定。两种大小例 如可以借助透射电子显微镜(TEM)来确定。聚集体大小例如也可以借 助"ft射光强度测量来确定。为了确定原始,大小，例如微分移动性分析仪(DMA)也是合适的，这些分析仪通常用于确定纳米尺度的气溶胶的 电移动性直径。这种以及其他可能的用于确定相关的颗粒直径的测量方法 对于本领域技术人员而言是已知的。
不同于例如长地延伸的聚集体结构，紧密的聚集体结构具有的优点 是，这些结构在较小的程度上影响其混合到其中的材料的导电能力。有研 究表明，LSCB颗粒在四倍于所谓的"高结构炭黑"(HSCB)的体积浓度 的情况下才导致^^体材料从不导电状态过渡到导电状态。在LSCB颗粒的 情况下，该过渡例如从大约40% (体积)开始，而在HSCB颗粒的情况 下在10%的体积百分比浓度时才会是这种情况。盐的存在可以将该过渡 向更低的浓度推移。
通常，由炭黑聚集体形成凝聚物，其可以具有数微米或者数十微米的 量级中的大小。这种凝聚物应当被尽可能避免。在将炭黑颗粒混合到未被 硬化的洗铸料中时，这些炭黑颗粒借助旋转混合器被均匀地混入，其中这 些旋转混合器在非常高的iUL情况下工作。在这种混入工艺中，出现大的 剪切力，这些剪切力使得可能的凝聚物至少大部分断裂。
吸收辐射的颗粒61例如以大于0.01% (重量)以及包含0.06 % (重 量)在内的浓度混合到壳体材料5中。特别地，该浓度可以小于或者等于 0.04% (重量)。
在基本体8的基本体材料中，吸收辐射的颗粒62的浓度例如大于吸 收辐射的颗粒61在壳体材料5中的浓度。在基本体材料中的浓度例如在 0.1 % (重量)到20% (重量)之间(包括端点)，优选在0.2 % (重量) 到10 % (重量)之间。
附加于或者替代炭黑颗粒，壳体材料5和/或基本体的吸收辐射的颗 粒例如也可以具有石墨颗粒。
在壳体材料5中附加地混入散射颗粒16。散射颗粒16的浓度例如最 大在10 % (重量)左右。有利的是，该浓度在0.1 % (重量)到5 % (重 量)之间(包括端点)，特别是在0.75 % (重量)到4 % (重量)之间。 例如^t射颗粒的浓度在大约1.25 % (重量)左右或者在3 % (重量)左 右。
lt射颗粒例如具有CaF颗粒和/或TK)2颗粒，或者由这种颗粒构成。 这当然不是唯一可能的用于散射颗粒的颗粒。光电子学或者光学领域的技 术人员会毫无问题地找出对于其目的合适的^t射颗粒，这些颗粒的大小和材料组分尤其是可以取决于要散射的辐射的波长。合适的漫射颗粒的选择 特别是取决于发光二极管芯片1所发射的或者要接收的电磁辐射的波长。
散射颗粒16的这种应用的一个优点是，它们不仅可以作用到发光二 极管芯片发射的辐射上，而且也可以作用到从外部入射的外来辐射上。与 没有散射颗粒16的清透的浇铸料不同，外来辐射因此不被向回反射，而 是被漫射地反射。由此，不仅可以通过吸收辐射的颗粒而且附加地或者可 替选地也借助^t射颗粒16来实现器件的改进的对比度。
通过降低壳体反射性，例如可以降低阳光在器件上的干扰性反射。
发光二极管芯片例如具有半导体层序列7，其基于氮化物-化合物半 导体材料。氮化物-化合物半导体材料是包含氮的化合物半导体材料，如 来自InxAlyGaLx-yN体系的材料，其中0《x《l， 0《y《l并且x+y《1。在此， 特别是如下的发光二极管芯片属于基于氮化物—化合物半导体材料的发 射辐射的发光二极管芯片的族其中半导体层序列7包含至少一个单个的 层，该层具有来自氮化物-化合物半导体材料-材料系的材料。
可替选地，半导体层序列7例如基于磷化物-化合物半导体材料或者 基于砷化物—化合物半导体材料。其中包括来自InxAlyGai_x_yP体系的材 料，其中0"《1, O^y^l并且x+y《1或者来自InxAlyGa^-yAs体系的材料， 其中0&《1, O^y^l并且x+y《l。
半导体层序列7例如可以具有传统的pn结、双异质结构、单量子阱 结构(SQW结构)或者多量子阱结构(MQW结构)。这些结构对于本领 域技术人员是已知的并且因此在此不再进一 步阐述。
在图2和3中示出的器件的实施例与前面借助图1所阐述的实施例不 同在于，壳体基本体8的凹处9分别以填充材料15填充，该填充材料没 有吸收辐射的颗粒。凹处9例如以填充材料15填充，使得安装在凹处9 中的发光二极管芯片1被壳体材料15封装。
内部的填充材料15例如由发光二极管技术中传统使用的环氧树脂、 硅树脂或者丙烯酸酯构成，或者由其他合适的透射辐射的材料例如无M 璃构成。填充材料15例如包含散射颗粒16,参见图2。
壳体材料5施加到该填充材料15上，该壳体材料掺以吸收辐射的颗 粒61。壳体材料5和吸收辐射的颗粒可以如前面结合图1中所示的实施 例所阐述的那样来实现。同样地也适用于壳体基本体8和其中包含的吸收 辐射的颗粒62。壳体基本体8例如也可以在电端子的背离发光二极管芯片1的侧上没有吸收辐射的颗粒61，参见图2或图3。
替代图2或3中所示的实施例，也可以将壳体的直接封装发光二极管 芯片1的部分掺以吸收辐射的颗粒61，其上又可以施加透明的填充材料， 该填充材料没有吸收辐射的颗粒。
在图2和3中所示的器件中，壳体M体8和填充材料15形成壳体 本体。在该壳体本体的外表面上施加有另外的壳体材料5。
在图2中所示的器件中，包含吸收辐射的颗粒6的壳体材料5层状地 施加在壳体本体8、 15的外表面上。在制造器件时，在将壳体材料施加到 壳体本体8、 15的外表面上之前，壳体材料5可以以预制的、具有例如恒 定厚度的层的形式来提供。该施加例如借助粘合或者层压来进行。特别地 可能的是，将层状的壳体材料5作为膜来提供，该膜是柔性的并且由此也 可以施加到壳体本体的不平坦的外表面上。在施加之后，膜例如可以被硬 化并且失去其柔性。
例如在图3中示出了带有不平坦的外表面的壳体本体8、 15。例如作 为膜提供的、带有吸收辐射的颗粒6的壳体材料可以施加到该壳体本体 上。然而，在图3中并未示出这种可能性。在所示的实施例中，凹处9 仅仅部分地以壳体材料15填充。该壳体材料15的外表面具有凹形弯曲部， 并且由此形成池状的或者盆状的凹陷。壳体材料5填充到该凹陷中，该壳 体材料具有吸收辐射的颗粒6。凹陷的填充例如通过提供未硬化的物质形 式的壳体材料5、用该物质浇铸通过填充材料15的外表面形成的凹陷以 及通过随后将壳体材料5硬化来进行。
在图3所示的器件中，壳体材料5具有层状的形状，然而其并不具有 恒定的厚度。在该器件的光轴的区域中，壳体材料5例如具有最大的厚度， 该厚度随着距器件的光轴增大的距离而越来越小。通过这种具有变化的厚 度的壳体材料层5，不仅可以有目的地调节器件所发射的光强度或者辐射 强度，而且也可以调节器件的发射特性。壳体材料5的厚度的变化当然原 则上可以是任意的，并且与具体情况中存在的器件和要实现的发射特性相 协调。
替代图3中所示的例子也可能的是，壳体材料层5在外部区域中具有 比中部更大的厚度。
在所有实施例中，例如除了使用掺以吸收辐射的颗粒61 壳体材料 之外或者替代使用掺以吸收辐射的颗粒61的壳体材料，也可能的是，发光二极管芯片设置有膜，该膜掺以吸收辐射的颗粒。该膜例如具有硅树脂 或者带有环氧树脂的混合材料。吸收辐射的颗粒可以如前面已经描述的那
样来实现。
图4中示出的测量结果借助按照前面参照图1所描述的方式实施的光 电子器件来得到。针对不同器件测量了相对辐射强度(相对亮度)Iv/Iv0。 在图4中与吸收辐射的颗粒在壳体材料5中的浓度conc相关地绘出了测 量结果，其中浓度用重量百分比给出。
进行了三种不同的测量系列，其中分别在壳体材料5中包含基本上恒 定的散射颗粒16的浓度。在第一测量系列中，在壳体材料5中不包a 射颗粒。在第二测量系列中，在壳体材料5中包含大约5 %(重量)的散 射颗粒，而在第三测量系列中，在壳体材料5中包含大约10 % (重量) 的散射颗粒。
可以看出的是，辐射强度对于相同成分的吸收辐射的颗粒随着增大的 散射颗粒的成分而降低。同样，辐射强度对于相同成分的散射颗粒随着增 大的吸收辐射的颗粒的成分而降低。
在该器件中，以所发射的辐射强度为代价，由于散射颗粒而实现了更 均匀的发射特性以及由于吸收辐射的颗粒实现了在来自外部的外来辐射 方面明显小的《Jt性。这种器件对于如下应用可以是有利的其中不仅取 决于绝对的辐射强度，而且其中特别是在器件的工作和非工作中感知的对 比M重要的。
在图5中示出了器件的俯视图，其中三个发光二极管芯片l设置在凹 处9中。相应地，壳体一共具有六个电端子2、 3，即三个第一电端子2 和三个第二电端子3。借助凹处中的嘲:射颗粒可以防止发光二极管芯片1 的发射面本身被感知为是分离的。发光二极管芯片可以类似地或者彼此不 同地构建。
本发明并未通过借助实施例对本发明的描述而局限于此。更确切地 说，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，特别是包含权利要求 中的特征的任意组合，即使该特征或者组合本身并未明确地在权利要求或 者实施例中说明。除了炭黑之外还有许多其他材料，它们原则上都适于用 作器件中的吸收辐射的颗粒。
1权利要求
1.一种光电子器件，其发射有用辐射，该器件包括壳体，其中该壳体具有带有基本体材料和壳体腔的壳体基本体以及对于有用辐射能够透射的壳体材料；以及设置在壳体腔中的发光二极管芯片，其中壳体材料以及基本体材料被有目的地掺以吸收辐射的颗粒以降低基本体材料的反射性。
2. 根据权利要求1所述的光电子器件，其特征在于，在壳体腔中设 置有至少一个另外的发光二极管芯片。
3. 根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 在壳体腔中设置有散射颗粒用于散射有用辐射。
4. 根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 在对于有用辐射能够透射的壳体材料中包^Ht射颗粒以散射有用辐射，
5. 根据上a利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 壳体材料和/或基本体材料的吸收辐射的颗粒对于有用辐射的整个波长语或者该波长镨的一部分是吸收性的。
6. 根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 壳体材料和/或基本体材料的吸收辐射的颗粒对于发光二极管芯片在工作中发射的辐射的波长谱的全部或者该波长谱的一部分是吸收性的。
7. 根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 对于有用辐射能够透射的壳体材料和/或基本体材料具有浇铸料或者压制 材料。
8. 根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 对于有用辐射能够透射的壳体材料具有至少一种如下材料环氧树脂、丙 烯酸酯、硅树脂、热塑性塑料以及具有这些材料至少之一的混合材料。
9. 根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 壳体材料和/或基本体材料的吸收辐射的颗粒具有炭黑和石墨中的至少一种要素。
10. 根据权利要求7所述的光电子器件，其特征在于，炭黑是具有紧 密的聚集体结构的工业炭黑(LSCB，"低结构炭黑")。
11. 根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 壳体材料和/或基本体材料的吸收辐射的颗粒具有小于或等于100nm的平均颗粒直径。
12. 根据上ii^利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于，个光谱中变化小于10%。
13. 根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 壳体腔至少部分地以对于有用辐射能够透射的壳体材料来填充。
14. 根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 发光二极管芯片借助对于有用辐射能够透射的壳体材料来封装或者成型。
15. 根据上a利要求中的任一项所述的光电子器件，其特征在于， 对于有用辐射能够透射的壳体材料至少部分地施加在壳体基本体的外表 面上。
16. —种用于制itiC射有用辐射的光电子器件的方法，包括以下步骤—制造或者提供带有壳体腔和M体材料的壳体基本体，该基本体材 料被有目的地掺以吸收辐射的颗粒，—提供至少一个发光二极管芯片，—提供对于有用辐射能够透射的材料，该材料被有目的地掺以吸收辐 射的颗粒，-将发光二极管芯片安*4壳体腔中，以及—将对于有用辐射能够透射的材料设置在发光二极管芯片在其工作 中要发射的电磁辐射的光路中。
17. 根据权利要求16所述的方法，其中将对于有用辐射能够透射的 材料的至少一部分设置在壳体腔中。
18. 根据权利要求17所述的方法，其中以对于有用辐射能够透射的 材料将发光二极管芯片封装或者成型。
19. 根据权利要求16至18中的任一项所述的方法，其中提供一种器 件，该器件包含发光二极管芯片和壳体基本体，并且将对于有用辐射能够 透射的材料的至少一部分施加到壳体的外表面上。
20. 根据权利要求19所述的方法，其中对于有用辐射能够透射的材 料的至少一部分在施加到外表面上之前以预制的材料层的形式来提供。
全文摘要
提出了一种光电子器件，其发射有用辐射。该器件包括壳体，该壳体具有带有壳体腔的壳体基本体；以及设置在壳体腔中的发光二极管芯片。壳体基本体的至少一种基本体材料被有目的地掺以吸收辐射的颗粒以降低其反射性。根据该器件的一个实施形式，壳体附加地或者可替代地具有对于有用辐射可透射的材料，其被有目的地掺以吸收辐射的颗粒用于降低其反射性。此外提出了一种用于制造这种器件的方法。
文档编号H01L25/075GK101675535SQ200880010481
公开日2010年3月17日 申请日期2008年3月26日 优先权日2007年3月30日
发明者卡尔海因茨·阿恩特, 基尔斯廷·彼得森 申请人:欧司朗光电半导体有限公司