专利名称：增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法，尤其涉及一种增加发光效率
的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法。
背景技术：
请参阅图1所示，其为公知发光二极管封装结构的结构示意图。由上述图中可知， 公知发光二极管封装结构包括一发光本体l，两个分别设置于该发光本体1上的正极导电 层P及负极导电层N、一设置于该正极导电层P及该负极导电层N之间的介电层R、一设置 于该发光本体1的底部的反射层2、及一用于包覆该发光本体1的透明封装胶体3。
再者，该发光二极管封装结构设置于一电路板PCB上，并且通过两条导电w以分别 将该正极导电层P及该负极导电层N电性连接于该电路板PCB。此外，该发光本体l产生的 一部分光束直接产生向上投射的效果，并且该发光本体1所产生的另一部分光束L通过该 反射层2的反射以产生向上投射的效果。 此外，在正常的情况下，氮化镓正电极层GaN-P的电流会直接往下端跑(如向下的 箭头所示)，因此氮化镓正电极层GaN-P与氮化镓负电极层GaN-N的接触面上即可产生所需 的光束。然而，由于上述公知发光二极管封装结构的介电层R的厚度过于薄，因此造成该氮 化镓正电极层GaN-P的侧边容易与该氮化镓负电极层GaN-N之间产生短路的现象(如斜下 的箭头所示)，因而使得公知发光二极管封装结构无法产生发光效果。 因此，本发明人有感上述技术缺陷的可改善，且依据多年来从事此方面的相关经 验，悉心观察且研究之，并配合学理的运用，而提出一种设计合理且有效改善上述技术缺陷 的本发明。
发明内容
本发明所要解决的技术问题，在于提供一种增加发光效率的晶片级发光二极管封 装结构及其制作方法，其通过该绝缘单元的使用，以增加该反射绝缘层的厚度，而使得该氮 化镓正电极层及该氮化镓负电极层之间不会像公知一样产生短路现象。 为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种增加发光效率的
晶片级发光二极管封装结构，其包括一发光单元、一绝缘单元、至少两个第一导电单元及
至少两个第二导电单元。其中，该发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极
导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之
间的反射绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该发光本体具有一底部材料
层及一成形在该底部材料层上的顶部材料层。该绝缘单元成形于该底部材料层上表面的周
围区域上及位于该反射绝缘层的上方。其中一个第一导电单元成形于部分的正极导电层上
及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于部分的负极导电层上及部分绝缘单
元上。上述至少两个第二导电单元，其分别成形于上述两个第一导电单元上。 为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种增加发光效率的
5晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤首先，提供一具有多个发光单元 的晶片，其中每一个发光单元具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成 形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的反射绝缘 层、及一成形于该发光本体内的发光区域，并且该发光本体具有一底部材料层及一成形在 该底部材料层上的顶部材料层；接着，移除该顶部材料层的周围部分，以露出该底部材料层 上表面的周围区域；然后，形成一绝缘层于所述多个发光单元上。 接下来，移除一部分的绝缘层，以形成一绝缘单元，其中该绝缘单元具有至少两个 分别露出部分的正极导电层及部分的负极导电层的第一开口，并且该绝缘单元成形于该底 部材料层上表面的周围区域上及位于该反射绝缘层的上方；然后，形成一第一导电层，以填 充上述至少两个第一开口并覆盖该绝缘单元；紧接着，形成一光致抗蚀剂材料于该第一导 电层上；接续，移除一部分的光致抗蚀剂材料，以形成至少两个分别位于该正极导电层及该 负极导电层上方的第二开口 ；然后，分别填充至少两个第二导电层于上述至少两个第二开 口内，以形成至少两个第二导电单元；最后，移除其余的光致抗蚀剂，并且移除位于其余光 致抗蚀剂下方的一部分第一导电层，以形成两个第一导电单元。
因此，本发明的有益效果在于通过该绝缘单元的使用来避免该氮化镓正电极层
及该氮化镓负电极层之间产生短路现象，进而使得本发明能够增加发光效率。 为了能更进一步了解本发明为达成预定目的所采取的技术、手段及功效，请参阅
以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得一深入且
具体的了解，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
图1为公知发光二极管封装结构的结构示意图； 图2为本发明增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第一实 施例的流程图； 图2A至图2K分别为本发明增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方 法的第一实施例的制作流程示意图； 图2L为本发明第一实施例的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构通过锡 膏的方式电性连接于一电路板上； 图3为本发明增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法的第二实 施例的部分流程图； 图3A至图3C分别为本发明增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方 法的第二实施例的部分制作流程示意图；以及 图3D为本发明第二实施例的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构通过锡
膏的方式电性连接于一 电路板上。 其中，附图标记说明如下 (公知) 1 发光本体 P 正极导电层 N 负极导电层
R介电层2反射层3透明封装胶体w导电光束PCB电路板GaN-P 氮化镓正电极层
GaN-N 氮化镓负电极层
(第--实施例)W曰t±"la发光单元100a氧化铝基板101a氮化镓负电极层102a氮化镓正电极层Aa发光区域Pa正极导电层Pla正极导电区域Na负极导电层Nla负极导电区域11a反射绝缘层110a介电层Ilia反射层Dei底部材料层Dla周围区域Ua顶部材料层la'发光单元101a'' 氮化镓负电极层102a'' 氮化镓正电极层Aa'发光区域Pa'正极导电层Pla'正极导电区域Na'负极导电层Nla'负极导电区域Ua'顶部材料层2a绝缘层2a'绝缘单元3a第一导电层3a'第一导电单元Ra光致抗蚀剂材料
Za 发光二极管封装结构 10a 发光本体
10a'发光本体
20a'第一开口
Ra'光致抗蚀剂材料4a第二导电层5a荧光层5a'荧光层S高分子基板PCB电路板Bei锡球Ba'锡膏La光束[第-二实施例]W曰t±"lb发光单元Ab发光区域C凹槽5b荧光层5b'荧光层S高分子基板PCB电路板Bb锡球Bb'锡膏Lb光束
Rla'第二开
Zb 发光二极管封装结构
具体实施例方式
请参阅图2、及图2A至图2K所示，本发明第一实施例提供一种增加发光效率的晶 片级发光二极管封装结构的制作方法，其包括下列步骤 步骤S100为请配合图2及图2A所示，提供一具有多个发光单元la的的晶片 W(图式中只显示出该晶片W上的其中一个发光单元la)，其中每一个发光单元la具有一发 光本体10a、一成形于该发光本体10a上的正极导电层Pa(例如P型半导体材料层)、一成 形于该发光本体10a上的负极导电层Na(例如N型半导体材料层)、一成形于该正极导电 层Pa及该负极导电层Na之间的反射绝缘层lla、及一成形于该发光本体10a内的发光区域 Aa，并且该发光本体10a具有一底部材料层Da及一成形在该底部材料层Da上的顶部材料 层Ua。 此外，该发光本体10a具有一氧化铝基板100a、一成形于该氧化铝基板100a上的 氮化镓负电极层101a、及一成形于该氮化镓负电极层101a上的氮化镓正电极层102a，此外 该正极导电层Pa成形于该氮化镓正电极层102a上，该负极导电层Na成形于该氮化镓负电 极层101a上，另外该反射绝缘层lla成形于该氮化镓负电极层101a上并且位于该正极导 电层Pa、该负极导电层Na及该氮化镓正电极层102a之间。其中，该底部材料层Da为该氧 化铝基板100a，并且该顶部材料层Ua由该氮化镓负电极层101a与该氮化镓正电极层102a 所组成。
另外，该正极导电层Pa的上表面具有一正极导电区域Pla，该负极导电层Na的上 表面具有一负极导电区域Nla，并且该反射绝缘层1 la覆盖于该正极导电层Pa的一部分正 极导电区域Pla上及覆盖于该负极导电层Na的一部分负极导电区域Nla上。此外，该反射 绝缘层11a由一介电层110a及一形成于该介电层110a上的反射层111a所组成。
其中，该介电层110a成形于该氮化镓负电极层101a上并且位于该正极导电层Pa、 该负极导电层Na及该氮化镓正电极层102a之间，并且该介电层llOa覆盖于该正极导电层 Pa的一部分正极导电区域Pla上及覆盖于该负极导电层Na的一部分负极导电区域Nla上。 此外，以本发明所揭示的第一实施例而言，该反射层llla只成形于位于该氮化镓正电极层 102a上方的部分介电层110a的上表面。 步骤S102为请配合图2及图2B所示，移除该顶部材料层Ua的周围部分(被移 除的顶部材料层Ua上方的一部分正极导电层Pa及一部分负极导电层Na也同时被移除)， 以露出该底部材料层Da上表面的周围区域Dla。其中，该顶部材料层Ua的周围部分被移除 后则变成一顶部材料层Ua'，其由一氮化镓负电极层101a'及一氮化镓正电极层102a' 所组成。 一部分正极导电层Pa及一部分负极导电层Na被移除后，则形成一具有一正极导 电区域Pla'的正极导电层Pa'及一具有一负极导电区域Nla'的负极导电层Na'，并且 该发光区域Aa被切割成发光区域Aa'。 步骤S104为请配合图2及图2C所示，形成一绝缘层2a于所述多个发光单元 la'上，其中该绝缘层2a可为一聚酰亚胺(Polylmide，PI)层或压克力。
步骤S106为请配合图2及图2D图所示，移除一部分的绝缘层2a，以形成一绝缘 单元2a'，其中该绝缘单元2a'具有至少两个分别露出部分的正极导电层Pa'及部分的 负极导电层Na'的第一开口20a'，并且该绝缘单元2a'成形于该底部材料层Da上表面的 周围区域Dla上及位于该反射绝缘层lla的上方。 步骤S108为请配合图2及图2E所示，形成一第一导电层3a，以填充上述至少两 个第一开口20a'并覆盖该绝缘单元2a'，其中该第一导电层3a可为钛、钨、铜或其合金。
步骤S110为请配合图2及图2F所示，形成一光致抗蚀剂材料Ra于该第一导电 层3a上。 步骤S112为请配合图2及图2G所示，移除一部分的光致抗蚀剂材料Ra，以形成 至少两个分别位于该正极导电层Pa'及该负极导电层Na'上方的第二开Rla'。其中，上 述一部分被移除的光致抗蚀剂材料Ra形成一光致抗蚀剂材料Ra'。 步骤S114为请配合图2及图2H所示，分别填充至少两个第二导电层4a于上述 至少两个第二开口 Rla'内，以形成至少两个第二导电单元。另外，以第一实施例而言，每一 个第二导电单元由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少两 层导电金属层为一镍层(Ni)及一金层(Au)或锡层(Sn)，并且该金层或锡层成形于该镍层 上。 另外，依据不同的设计设求，每一个第二导电单元由至少三层导电金属层通过电 镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少三层导电金属层为一铜层(Cu)、一镍层(Ni)及一 金层(Au)或锡层(Sn)，该镍层成形于该铜层上，并且该金层或锡层成形于该镍层上。换言 之，只要是由两层以上的导电金属层相互堆叠的第二导电单元皆为本发明所保护的范围。
步骤S116为请配合图2及图21所示，移除其余的光致抗蚀剂Ra'，并且移除位于其余光致抗蚀剂下方的一部分第一导电层3a，以形成两个第一导电单元3a'。 步骤S118为请配合图2及图2J所示，将该晶片W翻转，并置于一耐热的高分子
基板S上。 步骤S120为请配合图2及图2J所示，成形一荧光层5a于每一个发光单元la' 的底端。换言之，通过将该晶片W翻转的方式，以将该荧光层5a成形于该氧化铝基板100a 的底面。此外，上述的荧光层5a可依据不同的使用需求，而选择为由一硅胶(silicon)与 一荧光粉(fluorescentpowder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)、或由一环 氧树脂(印oxy)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)。 步骤S122为请配合图2及图2K所示，沿着图2J的X_X线以进行切割过程，以将 该晶片W切割成多个覆盖有荧光层5a'的发光二极管封装结构Za，并且通过至少两个锡球 Ba以将每一个发光二极管封装结构Za电性连接于一电路板PCB上，其中每一个发光二极管 封装结构Za从该发光区域Aa'产生通过该荧光层5a'的光束La，以进行照明的需求。此 外，有一部分从该发光区域Aa'所产生的光束(图未示)投向下方，并且所述多个投向下方 的光束受到该正极导电层Pa'、该负极导电层Na'及该反射层llla的反射而产生向上投 光效果。 借此，由上述图2K可知，本发明第一实施例提供一种增加发光效率的晶片级发光 二极管封装结构，其包括一发光单元la'、一绝缘单元2a'、至少两个第一导电单元3a' 及至少两个第二导电单元(至少两个第二导电层4a)。 其中，该发光单元la'具有一发光本体10a'、一成形于该发光本体10a'上的正 极导电层Pa'、一成形于该发光本体10a'上的负极导电层Na'、一成形于该正极导电层 Pa'及该负极导电层Na'之间的反射绝缘层lla、及一成形于该发光本体10a'内的发光 区域Aa'，并且该发光本体10a'具有一底部材料层Da及一成形在该底部材料层Da上的 顶部材料层Ua'。 再者，该发光本体10a'具有一氧化铝基板100a、一成形于该氧化铝基板100a 上的氮化镓负电极层101a'、及一成形于该氮化镓负电极层101a'上的氮化镓正电极层 102a'，此外该正极导电层Pa'成形于该氮化镓正电极层102a'上，该负极导电层Na'成 形于该氮化镓负电极层101a'上，另外该反射绝缘层lla成形于该氮化镓负电极层101a' 上并且位于该正极导电层Pa'、该负极导电层Na'及该氮化镓正电极层102a'之间。
另外，该正极导电层Pa'的上表面具有一正极导电区域Pla'，该负极导电层 Na'的上表面具有一负极导电区域Nla'，并且该反射绝缘层lla覆盖于该正极导电层 Pa'的一部分正极导电区域Pla'上及该负极导电层Na'的一部分负极导电区域Nla' 上。此外，该反射绝缘层lla由一介电层110a及一形成于该介电层110a上的反射层llla 所组成。此外，该顶部材料层Ua'由一氮化镓负电极层101a'及一氮化镓正电极层102a' 所组成。 其中，该介电层110a成形于该氮化镓负电极层101a'上并且位于该正极导电层 Pa'、该负极导电层Na'及该氮化镓正电极层102a'之间，并且该介电层110a覆盖于该正 极导电层Pa'的一部分正极导电区域Pla'上及覆盖于该负极导电层Na'的一部分负极 导电区域Nla'上。此外，以本发明所揭示的第一实施例而言，该反射层llla只成形于位于该氮化镓正电极层102a'上方的部分介电层110a的上表面。 此外，该绝缘单元2a'成形于该底部材料层Da上表面的周围区域Dla上及位于该
反射绝缘层lla的上方。其中一个第一导电单元3a'成形于部分的正极导电层Pa'上及
部分绝缘单元2a'上，并且另外一个第一导电单元3a'成形于部分的负极导电层Na'上
及部分绝缘单元2a'上。上述至少两个第二导电单元(上述至少两个第二导电层4a)分别
成形于上述两个第一导电单元3a'上。此外，该荧光层5a'成形于该发光单元la'的氧化
铝基板100a的底部，以配合该发光区域Aa'所产生的光束La来提供白色光源。 请参阅图2L所示，其为本发明第一实施例的增加发光效率的晶片级发光二极管
封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。由上述图中可知，通过至少两层锡膏
Ba'的涂布以将每一个发光二极管封装结构Za电性连接于一电路板PCB上。 请参阅图3、及图3A至图3C所示，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在
于在第二实施例中，于将该晶片W翻转，并置于一耐热的高分子基板S上的步骤后，更进一
步包括 步骤S200为请配合图3及图3A所示，进行第一次切割过程，以将该晶片W切割 成多个形成于多个发光单元lb之间的凹槽C。 步骤S202为请配合图3及图3B所示，填充荧光材料(图未示)于所述多个凹 槽C内。此外，上述的荧光材料可依据不同的使用需求，而选择为由一硅胶(silicon)与 一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)、或由一环 氧树脂(印oxy)与一荧光粉(fluorescent powder)所混合形成的荧光胶体(fluorescent resin)。 步骤S204为请配合图3及图3B所示，固化该荧光材料，以形成一荧光层5b于每 一个发光单元lb的底端及周围。 步骤S206为请配合图3及图3C所示，沿着图3B的Y_Y线以进行第二次切割过 程，以将该晶片W切割成多个覆盖有荧光层5b'的发光二极管封装结构Zb，并且通过至少 两个锡球Bb以将每一个发光二极管封装结构Zb电性连接于一电路板PCB上，其中每一个 发光二极管封装结构Zb从该发光区域Ab产生通过该荧光层5b'的光束Lb，以进行照明的需求。 借此，由上述图3C可知，本发明第二实施例提供一种增加发光效率的晶片级发光 二极管封装结构，并且本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于该荧光层5b'成 形于该发光单元lb的底部及周围，以配合该发光区域Ab所产生的光束Lb来提供白色光 源。 请参阅图3D所示，其为本发明第二实施例的增加发光效率的晶片级发光二极管 封装结构通过锡膏的方式电性连接于一电路板上。由上述图中可知，通过至少两层锡膏 Bb'的涂布以将每一个发光二极管封装结构Zb电性连接于一电路板PCB上。
综上所述，本发明增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法的特 点在于 1、以第一实施例而言，该荧光层5a'可成形于该发光单元la'的氧化铝基板 100a的底部，以配合该发光区域Aa'所产生的光束La来提供白色光源。以第二实施例而 言，该荧光层5b'成形于该发光单元lb的底部及周围，以配合该发光区域Ab所产生的光束Lb来提供白色光源。 2、本发明不需使用像上述公知一样的导线、反射层及封装胶体，因此本发明增加
发光效率的晶片级发光二极管封装结构在制作时可大大降低制作时间及成本。 3、本发明通过该绝缘单元的使用，以增加该反射绝缘层的厚度，而使得该氮化镓
正电极层及该氮化镓负电极层之间不会像公知一样产生短路现象。 但是，本发明的所有范围应以下述的权利要求为准，凡合于本发明权利要求的精 神与其类似变化的实施例，皆应包含于本发明的范围中，任何本领域普通技术人员在本发 明的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在以下本发明的保护范围中。
权利要求
一种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，包括一发光单元，其具有一发光本体、一成形于该发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的反射绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，其中该发光本体具有一底部材料层及一成形在该底部材料层上的顶部材料层；一绝缘单元，其成形于该底部材料层上表面的周围区域上及位于该反射绝缘层的上方；至少两个第一导电单元，其中一个第一导电单元成形于部分的正极导电层上及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于部分的负极导电层上及部分绝缘单元上；以及至少两个第二导电单元，其分别成形于上述两个第一导电单元上。
2. 如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于该 发光本体具有一氧化铝基板、一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层、及一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电层成形于该氮化镓正电极层上，该 负极导电层成形于该氮化镓负电极层上，另外该反射绝缘层成形于该氮化镓负电极层上并 且位于该正极导电层、该负极导电层及该氮化镓正电极层之间；该底部材料层为该氧化铝 基板，并且该顶部材料层由该氮化镓负电极层及该氮化镓正电极层所组成。
3. 如权利要求2所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于该 反射绝缘层由一介电层及一形成于该介电层上的反射层所组成，该介电层成形于该氮化镓 负电极层上并且位于该正极导电层、该负极导电层及该氮化镓正电极层之间，并且该介电 层覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及覆盖于该负极导电层的一部分负极导 电区域上，并且该反射层只成形于位于该氮化镓正电极层上方的部分介电层的上表面。
4. 如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于该 反射绝缘层由一介电层及一形成于该介电层上的反射层所组成。
5. 如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于该 绝缘层为一聚酰亚胺层或压克力。
6. 如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于该 正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负极导电区域， 并且该反射绝缘层覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部 分负极导电区域上。
7. 如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于每 一个第二导电单元由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少 两层导电金属层为一镍层及一金层或锡层，并且该金层或锡层成形于该镍层上。
8. 如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于每 一个第二导电单元由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成；其中上述至少 三层导电金属层为一铜层、一镍层及一金层或锡层，该镍层成形于该铜层上，并且该金层或 锡层成形于该镍层上。
9. 如权利要求1所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构，其特征在于，更 进一步包括一成形于该发光单元底部的荧光层或一成形于该发光单元底部及周围的荧光层。
10. —种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于，包括下 列步骤提供一具有多个发光单元的晶片，其中每一个发光单元具有一发光本体、一成形于该 发光本体上的正极导电层、一成形于该发光本体上的负极导电层、一成形于该正极导电层及该负极导电层之间的反射绝缘层、及一成形于该发光本体内的发光区域，并且该发光本 体具有一底部材料层及一成形在该底部材料层上的顶部材料层；移除该顶部材料层的周围部分，以露出该底部材料层上表面的周围区域；形成一绝缘层于所述多个发光单元上；移除一部分的绝缘层，以形成一绝缘单元，其中该绝缘单元具有至少两个分别露出部 分的正极导电层及部分的负极导电层的第一开口 ，并且该绝缘单元成形于该底部材料层上 表面的周围区域上及位于该反射绝缘层的上方；形成一第一导电层，以填充上述至少两个第一开口并覆盖该绝缘单元；形成一光致抗蚀剂材料于该第一导电层上；移除一部分的光致抗蚀剂材料，以形成至少两个分别位于该正极导电层及该负极导电 层上方的第二开口；分别填充至少两个第二导电层于上述至少两个第二开口内，以形成至少两个第二导电 单元；以及移除其余的光致抗蚀剂，并且移除位于其余光致抗蚀剂下方的一部分第一导电层，以 形成两个第一导电单元。
11. 如权利要求io所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于该发光本体具有一氧化铝基板、一成形于该氧化铝基板上的氮化镓负电极层、及 一成形于该氮化镓负电极层上的氮化镓正电极层，此外该正极导电层成形于该氮化镓正电 极层上，该负极导电层成形于该氮化镓负电极层上，另外该反射绝缘层成形于该氮化镓负 电极层上并且位于该正极导电层、该负极导电层及该氮化镓正电极层之间；该底部材料层 为该氧化铝基板，并且该顶部材料层由该氮化镓负电极层及该氮化镓正电极层所组成。
12. 如权利要求11所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法， 其特征在于该反射绝缘层由一介电层及一形成于该介电层上的反射层所组成，该介电层 成形于该氮化镓负电极层上并且位于该正极导电层、该负极导电层及该氮化镓正电极层之 间，并且该介电层覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及覆盖于该负极导电层的 一部分负极导电区域上，并且该反射层只成形于位于该氮化镓正电极层上方的部分介电层 的上表面。
13. 如权利要求IO所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其 特征在于该反射绝缘层由一介电层及一形成于该介电层上的反射层所组成。
14. 如权利要求IO所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其 特征在于该绝缘层为一聚酰亚胺层或压克力。
15. 如权利要求IO所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其 特征在于该正极导电层的上表面具有一正极导电区域，该负极导电层的上表面具有一负 极导电区域，并且该反射绝缘层覆盖于该正极导电层的一部分正极导电区域上及该负极导电层的一部分负极导电区域上。
16. 如权利要求IO所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其 特征在于每一个第二导电单元由至少两层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成； 其中上述至少两层导电金属层为一镍层及一金层或锡层，并且该金层或锡层成形于该镍层 上。
17. 如权利要求IO所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其 特征在于每一个第二导电单元由至少三层导电金属层通过电镀的方式相互堆叠所组成； 其中上述至少三层导电金属层为一铜层、一镍层及一金层或锡层，该镍层成形于该铜层上， 并且该金层或锡层成形于该镍层上。
18. 如权利要求IO所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其 特征在于，上述形成两个第一导电单元的步骤后，更进一步包括如下步骤将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上； 成形一荧光层于每一个发光单元的底端；以及 进行切割过程，以将该晶片切割成多个发光二极管封装结构。
19. 如权利要求IO所述的增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构的制作方法，其 特征在于，上述形成两个第一导电单元的步骤后，更进一步包括如下步骤将该晶片翻转，并置于一耐热的高分子基板上；进行第一次切割过程，以将该晶片切割成多个形成于所述多个发光单元之间的凹槽； 填充荧光材料于所述多个凹槽内；固化该荧光材料，以形成一荧光层于每一个发光单元的底端及周围；以及 进行第二次切割过程，以将该晶片切割成多个发光二极管封装结构。
全文摘要
一种增加发光效率的晶片级发光二极管封装结构及其制作方法，该结构包括发光单元、绝缘单元、两个第一导电单元及两个第二导电单元。发光单元具有发光本体、正极导电层、负极导电层、成形于正、负极导电层之间的反射绝缘层，发光本体具有底部材料层及顶部材料层。绝缘单元成形于底部材料层上表面的周围区域上及位于反射绝缘层的上方。其中一个第一导电单元成形于部分的正极导电层上及部分绝缘单元上，并且另外一个第一导电单元成形于部分的负极导电层上及部分绝缘单元上。上述至少两个第二导电单元，其分别成形于上述两个第一导电单元上。本发明通过绝缘单元的使用来避免氮化镓正电极层该氮化镓负电极层之间产生短路现象，进而能够增加发光效率。
文档编号H01L33/00GK101771112SQ20091000170
公开日2010年7月7日 申请日期2009年1月6日 优先权日2009年1月6日
发明者汪秉龙, 萧松益, 陈政吉 申请人:宏齐科技股份有限公司