专利名称：微波薄膜电阻器、微波薄膜电阻网络模块及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种电路元件，尤其是涉及一种微波薄膜电阻器和一种由数个 微波薄膜电阻器在一个模块上集成，使之形成的微波薄膜电阻器网络模块。
同时，本发明还涉及上述微波薄膜电阻器的制造方法及上述微波薄膜电阻 器网络模块的制造方法。
背鱟技术
电阻器是电路中应用最为广泛的无源元件之一，在电路中主要起电源去耦、 晶体管工作点偏置、网络匹配以及间级耦合等作用。随着电子产品不断向高频
化和小型化方向的发展，要求电阻元件尺寸越来越小、使用频率越来越高(20GHz 以上)、电阻精度和可靠性越来越高、电阻温度变化率为ppm/。C级。
传统的薄膜电阻器采用端电极的形式，即电阻器的两端被龟极所包裹，如 图1所示，例如公开号为CN1507635A、 CN1822251A、 CN1525498A、 CN19歸5A、 CN1977347A、 CN1524275A和CN101203922A等专利公开的电阻器的电极形式均 为端电极这种电阻器采用导电胶贴装或者合金焊膏在有保护气体的条件下贴 装，虽然装配自动化程度比较高，但工艺繁琐，装配带来的串联电阻增大，影 响电阻器的阻抗频率特性。而且，由于存在端电极，使得电阻电极长度变长， 电阻微波损耗增大，影响微波性能；由于存在端电极，使得电极之间相对面积 加大，同时端电极之间含有较高介电常数的陶瓷介质，导致电阻器寄生电容变 大，影响器件微波性能。针对端电极薄膜电阻器的这一缺点，出现了表面电极 电阻器。现有的表面电极电阻器，如公开号为CN1323044A的专利，虽然可以形成表 面电极。但是，该专利的制造方法是先形成导体层图案，然后在导体层间隙形 成电阻层，导体层下并无电阻层，导体层与电阻层之间只是通过边缘接触部分 相连，导体层与电阻层之间很容易开路，这种连接方式可靠性差，不能满足高 可靠性的要求。
公开号为CN101295569A的专利，虽然表面有电极，但又通过金属化孔与内 部电阻层相连，即整个电阻器不但有表面电极，而且还有内电极，这样不但增 加了金属的长度，从而增大了寄生电感，而且内电极是通过通孔实现，工艺繁 杂，并导致电阻可靠性下降。
公开号为CN101253631A的专利所述的电阻器从形式上看虽然是表面电极， 如图2所示，该电阻材料虽然方阻可达900Q/口，但是并不具备优良的微波特 性，而且制备过程中需要在衬底与电阻层之间有绝缘层，工艺繁杂。
此外，现有利用有源器件(如Pin管等)构成的衰减器，频率特性差、温 度稳定性差，尺寸难以小型化。传统的分布元件(如微带线、波导等)构成的 衰减器工艺繁琐，尺寸庞大，频率使用范围狭窄。采用厚膜工艺制作的衰减器 由于其图形精度差，使用频率低，目前只能达到几GHz，而且很难满足高稳定性、 微型化的要求，端电极形式的电阻网络衰减器微波性能不良。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是一种提供可靠高、工艺简单的表面电极微波 薄膜电阻器及制造方法。该电阻器精度高、使用频率高、电阻稳定性高。
本发明所要解决的另外一个技术问题是提供一种由上述多个电阻器构成的 表面电极微波薄膜电阻器网络模块及其制造方法。该微波薄膜电阻器网络模块 图形精度高、材料稳定性好、寄生参数小，电极结构合理，使用频率宽,温度稳定性优异，可靠性优异，同时能够满足小型化的要求。
为了解决第一个技术问题，本发明提供一种微波薄膜电阻器，所述微波薄 膜电阻器包括陶瓷基板、附着于陶瓷基板上表面的薄膜电阻层以及附着于薄膜 电阻层上的电极层。
其中，所述的电极层被分成两个或两个以上的电极块，附着于电阻层之上， 所有的电极块之间通过电阻层相连接在同一个表面上，起键合作用和导电作用。 陶瓷基板为电阻器的载体，提供整个元件的结构强度以及散热作用。
所述的电阻层为TaN薄膜或NiCr薄膜。
所述的陶瓷基板为三氧化二铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板以及氧化铍陶瓷 基板或玻璃陶瓷基板。
优选地所述陶瓷基板下表面有背面金属化层1，金属化层用于焊接。背面 金属化层的存在，可以保证元件更加牢固的焊接。
优选地所述的背面金属化层或电阻层或电极层有留边5，可以减少装配时 导电胶对电极或电阻的影响。
为了解决第一个技术问题，本发明还提供一种微波薄膜电阻器的制造方法， 包括如下步骤
(1) 根据产品要求，制作若干光刻掩膜。若为不留边产品，则只需要一块掩 膜；若电极和电阻层不留边，背面金属化层有留边，则需要两块掩膜；若电极 层和或电阻层有留边，背面不留边或无背面金属化层，需要两块掩膜；若电极 层和或电阻层有留边，金属化层也有留边，需要三块掩膜。
(2) 在对电极进行图形化的掩膜上预先形成表面电极图案，这是保证电阻器 的电极为表面电极的关键。
(3) 通过反应溅射的方法在陶瓷基板的上表面生成TaN薄膜或溅射的方法生成NiCr薄膜；
(4) 在TaN薄膜或NiCr薄膜表面通过溅射的方法形成一层或多层金属，形 成电级层。
(5) 若产品需要背面金属化层，则在陶瓷基板的下表面溅射一层或多层金 属；若产品不需要背面金属化，则此步骤不需要。
(6) 将步骤(4)或步骤(4)和步骤(5)得到的陶瓷基板的上表面金属层进行 图形化处理。
(7) 若背面金属化层有留边，则将背面金属化层也进行图形化处理。
(8) 将图形化处理后的基片表面金属层电镀加厚到3 u m—5 li m。
(9) 将电镀后的陶瓷基板上表面刻蚀出TaN薄膜或NiCr薄膜层。
(10) 若产品背面金属化层留边，则将基片下表面蚀刻出留边部位；若背面 不留边，则此不需要。
(11) 若电极层或电阻层有留边，则TaN薄膜或NiCr薄膜层进行图形化处理；
若电极层和电阻层均不留边，则此不需要。
(12) 对陶瓷基板按形成的图形进行划切，得到多个薄膜电阻器，薄膜电阻 器的电极是共表面的；
(13) 将划切后的产品用丙酮清洗、烘干，进行热处理或激光蚀刻处理，得 到最终产品。.
为解决本发明的第二个技术问题，本发明提供一种微波薄膜电阻器网络模 块，即将上述的三个或三个以上的微波薄膜电阻器通过共电极的方式在一个模
块上集成，形成"t"形网络或"n"形网络，或"t"形网络和"n"形网络
组成的复合网络，使之形成表面电极微波薄膜电阻器网络模块。所述的微波薄 膜电阻器网络模块应用于微波电路中起衰减器的作用。为了获得一定大小的衰减值，各电阻器的阻值应满足一定的关系如下:
公式(一)
—1()必/20 +1 八l _厶0 10必/20 一i
1 G必/20 7 ^必/10 —，
八2 —厶厶o io"fi/io 一i — 2 10"万/20
("t"形网络) ("n"形网络)
说明
1) Z。为端口输入输出阻抗，举例，如果产品运用在50欧姆系统中，则Z。二:50欧姆。
2) 符号dB表示所要设计的衰减器衰减中心值。 为解决本发明的第二个技术问题，本发明还提供了一种微波薄膜电阻器网
络模块的制造方法，步骤如下
(1) 根据微波薄膜电阻器网络模块的输出要求，先设计电路图形。由三个
或三个以上的电阻器通过共电极的方式形成"t"形网络，或"n"形网络，或 "t"形网络和"n"形网络组成的复合网络，而且各电阻器的阻值应符合公式 (一)。
(2) 根据设计的电路图形，制作若干光刻掩膜；若为不留边产品，则只需 要一块掩膜；若电极和电阻层不留边，背面金属化层有留边，则需要两块掩膜; 若电极层和/或电阻层有留边，背面不留边或无背面金属化层，需要两块掩膜； 若电极层和或电阻层有留边，金属化层也有留边，需要三块掩膜。
(3) 在对电极进行图形化的掩膜上预先形成表面电极图案，这是保证电阻器的电极为表面电极的关键。
(4) 通过反应溅射的方法在陶瓷基板的上表面生成TaN薄膜或溅射的方法 生成NiCr薄膜；
(5) 在TaN薄膜或NiCr薄膜表面通过溅射的方法形成一层或多层金属。
(6) 若产品需要背面金属化层，则在陶瓷基板的下表面溅射一层或多层金 属；若产品不需要背面金属化，则此步骤不需要。
(7) 将步骤(4)或歩骤(4)和步骤(5)得到的陶瓷基板的上表面金属层进行 图形化处理。
(8) 若背面金属化层有留边，则将背面金属化层也进行图形化处理。
(9) 将图形化处理后的基片表面金属层电镀加厚3 ii m—5 li m厚度。
(10) 将电镀后的陶瓷基板上表面刻蚀出TaN薄膜或NiCr薄膜层。
(11) 若产品背面金属化层留边，则将基片下表面蚀刻出留边部位；若背面 不留边，则此不需要。
(12) 若电极层或电阻层有留边，则TaN薄膜或MCr薄膜层进行图形化处理； 若电极层和电阻层均不留边，则此不需要。
(13) 对陶瓷基板按形成的图形进行划切，得到多个微波薄膜电阻器网络模 块，此模块的电极是共表面的。
(14) 将划切后的产品用丙酮清洗、烘干，而后进行热处理或激光蚀刻处理， 得到最终产品。
本发明技术方案的微波薄膜电阻器及其网络模块电阻器优点如下 (1)由于电阻器的两个电极块或两个以上的电极块在同一个上表面上，采 用金丝键合工艺进行电气互连，降低电阻器微波损耗，装配工艺简单且成本比 较适中。同时，由于采用的是表面电极的形式，电极相对面积很小，且介质是介电常数小的空气，因此而产生的寄生电容可以忽略不计；金丝与电极利用超 声波等工艺共融后完成键合，此种工艺带来的接触电阻也可以忽略不计，降低 了电阻器微波损耗；
(2) 电极平面式电阻器背面不是电极，故装配时可以采用廉价的粘结剂， 可以利用装配机快速完成装配，降低了装配工艺的成本以及简化了装配工艺。
(3) 由于电极下面为电阻层，电极附于电阻层之上，电极与电阻之间不会 有断开的现象发生，因此，可靠性高。
(4) 该薄膜电阻器网络模块在电路中可起到衰减器的作用，采用薄膜工艺 制作，图形精度高、材料稳定性好、寄生参数小，电极结构合理，使用频率超 宽(DC-20GHz)，温度稳定性优异，可靠性优异，同时能够满足小型化的要求。 最小尺寸可达EIA 0402尺寸标准，精度值在部分频段可高达土O. ldB。
(5) 电阻精度可高达±5%。电阻具有良好的高频特性，使用频率高达20GHz。 电阻具有高的稳定性，使用温度范围-55"C +15(TC，电阻温度变化系数不超过 士125卯m/。C。
图l一现有端电级电阻器示意图；(含主视图和俯视图，下同。) 图2 —现有表面电极电阻器示意图3 —本发明实施例1电极层、电阻层和背面金属化层均不留边的微波薄 膜电阻器示意图4-本发明实施例1电极层和电阻层不留边，背面金属化层留边的微波薄 膜电阻器示意图5-本发明实施例2电极层、电阻层和背面金属化层均留边的微波薄膜电 阻器示意图；图6—本发明实施例2电极层和背面金属化层不留边、电阻层留边的微波 薄膜电阻器示意图7—本发明实施例2电极层和背面金属化层不留边、电阻层留边的微波 薄膜电阻器示意图8—本发明实施例2电极层和电阻层不留边、背面金属化层有留边微波 薄膜电阻器示意图9一本发明实施例3电极层、电阻层以及背面金属化层均有留边的微波 薄膜电阻器示意图10—本发明实施例4电极层和电阻层均未留边、有背面金属化层的微波 薄膜电阻器示意图ll一本发明实施例4电极层和电阻层均有留边、无背面金属化层的微波 薄膜电阻器示意图12—本发明实施例5电极层和电阻层均有留边，有背面金属化层的微波 薄膜电阻器示意图13 —本发明实施例6电极层和电阻层均有留边，背面金属化层不留边 的微波薄膜电阻网络模块示意图14 一本发明实施例电极层和电阻层有留边，背面金属化层不留边微波 薄膜电阻网络模块示意图15 —本发明实施例7电极层、电阻层以及背面金属化层均留边的微波 薄膜电阻网络模块示意图16—本发明实施例8电极层和电阻层有留边，无金属化层的微波薄膜电 阻网络模块示意图17 —本发明实施例9电极和电阻层有留边，背面金属化层不留边的微波薄膜电阻网络模块示意图18— "T"形电阻网络和"n"形电阻网络电路示意图。
具体实施例方式
实施例l
在厚度为0. 381mm、纯度为99. 6%的三氧化二铝基板的上表面通过反应溅射 的方法生成一层TaN薄膜，然后在TaN薄膜表面以及陶瓷基板的下表面溅射上 Au，然后对TaN/ Au表面进行图形化(选用0201尺寸的掩膜1)，再通过电镀将 Au层加厚到3um，蚀刻露出TaN层，最后根据得到的图形尺寸进行划切、清洗 得到尺寸规格为0201的均不留边的薄膜电阻器产品，如附图3所示。或根据得 到的图形尺寸进行划切、清洗得到电极层和电阻层不留边，背面金属化层留边 的尺寸规格为0201薄膜电阻器，如图4所示。将产品在40(TC热处理10分钟后 测试，98%的产品电阻值介于48. 5 52.0Q之间，按50Q标值计算，其精度可 达±5%。在-55。C +15(TC温度范围内对电阻温度变化系数进行测量，电阻温度 变化系数为85ppm/。C。在网络分析仪进行测量，其使用频率可以达到21.5GHz。
实施例2
在厚度为0. 508mm、纯度为99. 6%的三氧化二铝基板上表面通过反应溅射的 方法生成一层NiCr薄膜，然后在NiCr层以及陶瓷基板的下表面溅射上TiW合 金、Ni及Au，然后对NiCr/TiW/Ni/Au表面图形化(选用0402尺寸的掩膜2)， 再通过电镀将Au层加厚到4um，腐蚀到NiCr层，然后对NiCr层图形化(0402 尺寸掩膜3，电阻长宽比2.0: 1)，腐蚀到留边部位露出陶瓷基板，最后根据得 到的图形尺寸进行划切、清洗得到尺寸规格为0402的电极层、电阻层和背面金 属化层均留边的薄膜电阻器产品，如图5所示。或根据得到的图形尺寸进行划 切、清洗得到尺寸规格为0402的电极层和电阻层留边，背面金属化层不留边的薄膜电阻器产品，如图6所示。或根据得到的图形尺寸进行划切、清洗得到尺 寸规格为0402的电极层和背面金属化层不留边、电阻层留边的薄膜电阻器产品， 如图7所示。或根据得到的图形尺寸进行划切、清洗得到尺寸规格为0402电 极层和电阻层不留边、背面金属化层有留边的薄膜电阻器产品，如附图8所示。 将产品在40(TC热处理10分钟，94. 3%的产品电阻值介于96. 6 104. 3 Q之间， 按100Q标值计算，其精度可达±5%。 实施例3
在厚度为0. 381mm、纯度为99. 6%的氮化铝基板的上表面通过反应溅射的方 法生成一层TaN薄膜，然后在TaN薄膜以及陶瓷基板的下表面上溅射TiW合金 及Au，然后对T認/TiW/Au和TiW/Au表面进行图形化处理(选用0201尺寸的掩 膜4和5)，再通过电镀将Au层加厚到5um，蚀刻直到上表面露出TaN层，下 表面留边部位露出陶瓷层，然后对TaN层进行图形化(0201尺寸掩膜6，电阻长 宽比1.5: l)及蚀刻直到留边部位露出陶瓷基板，最后根据得到的图形尺寸进行 划切、清洗得到尺寸规格为0201的薄膜电阻器产品，该产品电极层、电阻层以 及背面金属化层均有留边，如图9所示。将产品在40(TC热处理10分钟，95.2% 的产品电阻值能够达到75 Q ±2%。
实施例4
在厚度为0. 508,的玻璃陶瓷基板上表面通过反应溅射的方法生成一层TaN 薄膜，然后在TaN层以及陶瓷基板的下表面溅射上TiW合金、Ni及Au，然后对 TaN/TiW/Ni/Au表面图形化(选用0402尺寸的掩膜7)，再通过电镀将Au层加厚 到3um，腐蚀至露出TaN层，然后对TaN层进行图形化(0402尺寸掩膜8，电阻 长宽比2.0: 1)，最后根据得到的图形尺寸进行划切、清洗得到尺寸规格为0402 的电极层、电阻层均未留边的薄膜电阻器产品，如附图10所示。或根据得到的图形尺寸进行划切、清洗得到尺寸规格为0402的电极层有留边、电阻层有留边 的薄膜电阻器产品，如附图ll所示。将产品在40CTC热处理10分钟，95.6%的 产品电阻值介于97.6 102.3Q之间，按100Q标值计算，其精度可达±5%。对 电阻值不在100Q ±5%以内的产品进行激光蚀刻调阻处理，可以将电阻值全部调 整到100Q土5y。以内。 实施例5
在厚度为0. 381mm、纯度为99. 6%的氧化铍陶瓷基板的上表面通过反应溅射 的方法生成一层TaN薄膜，然后在T認薄膜表面溅射上TiW/Au，然后对TaN/TiW/ Au表面进行图形化处理(选用0201尺寸的掩膜9)，再将Au电镀加厚到3 u m， 蚀刻直到上表面露出TaN层，然后对TaN图形化(0201尺寸掩膜10，电阻长宽 比1.5: 1)，并蚀刻到留边部位露出陶瓷基板，最后根据得到的图形尺寸进行划 切、清洗得到尺寸规格为0201的电阻器产品，该产品的陶瓷基板下面无金属化 层，电极层与电阻层均有留边，如附图12所示。将产品在40(TC热处理IO分钟， 96.5%的产品电阻值介于7L85 78.35Q之间，按75Q标值计算，其精度可达 ±5%。
实施例6
根据产品要求，将三个薄膜电阻设计成共电极"n"形连接形式，且"n"
形两个脚的电阻值与第三个电阻的电阻值为h 1: 2.917，并根据该设计制作出 光刻掩膜11和光刻掩膜12。
在厚度为0. 508咖、纯度为99. 6%的三氧化二铝基板的上表面通过反应溅射 的方法生成一层TaN薄膜，然后在TaN层以及陶瓷基板的下表面溅射上TiW合 金、Ni及Au，然后对TaN/TiW/Ni/Au图形化(选用0805尺寸的掩膜11)，再通 过电镀将Au层加厚4pm，再腐蚀至露出TaN层，然后对TaN层图形化(0805尺寸掩膜12)，并腐蚀到留边部位露出陶瓷。最后根据得到的图形尺寸进行划切、 清洗得到尺寸规格为0805的电阻器网络模块，该产品电极层和电阻层均有留边， 背面金属化层不留边，如图13所示。将产品在40(TC热处理IO分钟，92.7%的 产品的衰减值介于6. 98 7. 08dB之间，按7. OdB标值计算，其精度可达士O. ldB。 实施例7
根据产品要求，将三个薄膜电阻设计成共电极"n"形连接形式，且"n"
形两个脚的电阻值与第三个电阻的电阻值为1: 1: 2.917，产品的尺寸为1206， 根据该设计制作出光刻掩膜15和光刻掩膜16和17，其中光刻掩膜15和16分 别用于对陶瓷基板上下两个表面进行光刻。
在厚度为0. 635ram、的玻璃陶瓷基板的上表面通过溅射的方法生成一层NiCr 薄膜，然后在MCr层以及陶瓷基板的下表面溅射上TiW合金、Ni及Au，然后 对NiCr/TiW/Ni/Au和/TiW/Ni/Au表面层分别图形化(选用1206尺寸的掩膜15 和16)，再通过电镀将Au层加厚m，再将上表面蚀刻到NiCr层下表面留边 部位蚀刻到玻璃陶瓷层，然后对NiCr层图形化(1206尺寸掩膜17)，并蚀刻到 陶瓷层，最后根据得到的图形尺寸进行划切、清洗得到电极层和电阻层有留边， 背面金属化层不留边，尺寸规格为1206的电阻器网络模块，如图14所示。或 根据得到的图形尺寸进行划切、清洗得到电极层、电阻层以及背面金属化层均 留边尺寸规格为1206电阻器网络模块，如图15所示。将产品在40(TC热处理 IO分钟，92.7Q/。的产品的衰减值介于4.98 5.08dB之间，按5. OdB标值计算， 其精度可达士O. ldB。
实施例8
根据产品要求，将三个薄膜电阻设计成共电极"T"形连接形式，且"T" 形两个臂的电阻值与第三个电阻的电阻值为l: 1: 5.871，产品的尺寸为1206，根据该设计制作出光刻掩膜13和14。
在厚度为0. 635mm、纯度为99. 6%的三氧化二铝陶瓷基板的上表面通过反应 溅射的方法生成一层TaN薄膜，然后在TaN薄膜上溅射上TiW合金及Au，然后 对TaN/TiW/Au表面图形化(选用1206尺寸的掩膜13)，再通过电镀将Au层加厚 到4um，再腐蚀至露出TaN层，然后对TaN层图形化(1206尺寸掩膜14)并腐 蚀至露出陶瓷，最后根据得到的图形尺寸进行划切、清洗得到电极层和电阻层 有留边，无金属化层尺寸规格为1206的电阻器网络模块，如图16所示。将产 品在400。C热处理10分钟，9L6y。的产品的衰减值介于4.98 5.08dB之间，按 5. OdB标值计算，其精度可达士O. ldB。
实施例9
根据产品要求，将四个薄膜电阻设计成共电极"n"形和"t"形组成的复 合网络图形。当其中三个电阻连接为"n"形时，两个脚的电阻值与第三个电
阻的电阻值为1: 1: 2.917;当其中的三个电阻连接为"T"形时，"T"形两个 臂的电阻值与第三个电阻的电阻值为1: 1: 5.871。根据该设计制作出光刻掩膜
18和光刻掩膜19。
在厚度为1. Omm、纯度为99. 6%的氮化铝基板的上表面通过反应溅射的方法 生成一层TaN薄膜，然后在TaN层以及陶瓷基板下表面溅射上TiW合金、Ni及 Au，然后对TaN/TiW/Ni/Au表面层进行图形化(选用1206尺寸的掩膜18)，再通 过电镀将Au层加厚5iim，腐蚀至露出TaN层，然后对TaN层进行图形化(1206 尺寸掩膜19)，并腐蚀到留边部位露出陶瓷，最后根据得到的图形尺寸进行划切、 清洗得到尺寸规格为1206的电阻器复合网络模块，该网络模块电极和电阻层有 留边，背面金属化层不留边，如图17所示。将产品在40(TC热处理10分钟，当 该电阻器网络按"n"连接测量时，92.7%的产品的衰减值介于6.98 7.08dB之间，其精度可达7.0士0. ldB;当按"T"形连接时，91.26%的产品衰减值介于 4.91 5.08 dB之间，其精度可达5.0士0. 10. 1。
权利要求
1、一种微波薄膜电阻器，其特征在于包括陶瓷基板、附着于陶瓷基板上表面的薄膜电阻层以及附着于薄膜电阻层上的电极层，所述的电极层被分成两个或两个以上的电极块，附着于电阻层之上，电极块之间通过电阻层相连接在同一个表面上。
2、 根据权利要求1所述的微波薄膜电阻器，其特征在于所述的电阻层为TaN薄膜或NiCr薄膜。
3、 根据权利要求2所述的微波薄膜电阻器，其特征在于所述的陶瓷基板 为三氧化二铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、氧化铍陶瓷基板或玻璃陶瓷基板。
4、 根据权利要求l一3任一所述的微波薄膜电阻器，其特征在于所述的 电极层或电阻层至少一层留边。
5、 根据权利要求4所述的微波薄膜电阻器，其特征在于所述陶瓷基板下表面有背面金属化层。
6、 根据权利要求5所述的微波薄膜电阻器，其特征在于所述背面金属化层留边。
7、 一种微波薄膜电阻器的制造方法，其特征在于包括如下步骤(1) 根据产品要求，制作一块以上光刻掩膜；(2) 在对电极进行图形化的掩膜上预先形成表面电极图案；(3) 通过反应溅射的方法在陶瓷基板的上表面生成TaN薄膜或溅射的方法 生成NiCr薄膜；(4) 在TaN薄膜或NiCr薄膜表面通过溅射的方法形成一层或多层金属，形 成电极层；(5) 将步骤(4)得到的陶瓷基板的上表面金属层进行图形化处理；(6) 将图形化处理后的基片表面金属层电镀加厚到3 ii m—5 U m;(7) 将电镀后的陶瓷基板上表面刻蚀出TaN薄膜或NiCr薄膜层；(8) 对陶瓷基板按形成的图形进行划切，得到多个薄膜电阻器，薄膜电阻器 的电极是共表面的；(9) 将划切后的产品用丙酮清洗、烘干，进行热处理或激光蚀刻处理，得到 微波薄膜电阻器。
8、 根据权利要求7所述的一种微波薄膜电阻器的制造方法，其特征在于 在步骤(4) 一步骤(5)之间，还包括步骤在陶瓷基板的下表面溅射一层或 多层金属并进行图形化处理。
9、 一种微波薄膜电阻器网络模块，其特征在于三个或三个以上的如权利 要求1—5任一所述的微波薄膜电阻器通过共电极的方式在一个模块上集成，形成"t"形网络或"n"形网络，或"t"形网络和"n"形网络组成的复合网络。
10、 一种微波薄膜电阻器网络模块的制造方法，其特征在于如权利要求7—8任一所述的微波薄膜电阻器的制造方法，在第一步骤之前，根据微波薄膜电阻器网络模块的输出要求，先设计电路图形"t"形网络，或"n"形网络，或 "t"形网络和"n"形网络组成的复合网络。
全文摘要
本发明公开了一种微波薄膜电阻器及其制造方法，属于电路元件领域。该微波薄膜电阻器包括陶瓷基板、附着于陶瓷基板上表面的薄膜电阻层以及附着于薄膜电阻层上的电极层组成。该薄膜电阻器精度高、使用频率高、电阻稳定性高。此外，本发明还公开了一种由三个或三个以上微波薄膜电阻器在一个模块上集成，使之形成的微波薄膜电阻器网络模块及其制造方法。
文档编号H01C17/28GK101533693SQ200910037910
公开日2009年9月16日 申请日期2009年3月16日 优先权日2009年3月16日
发明者严 庄, 超 程 申请人:广州翔宇微电子有限公司