专利名称：在基材上形成穿导孔的方法及具有穿导孔的基材的制作方法
技术领域：
本发明关于一种在基材上形成穿导孔的方法及具有穿导孔的基材，详言之，关于 一种利用聚合物在基材上穿导孔的侧壁形成绝缘层的方法及具有该穿导孔的基材。
背景技术：
参考图1至图3，显示已知在基材上形成穿导孔的方法的示意图。首先，参考图1， 提供一基材1，该基材1具有一第一表面11及一第二表面12。接着，于该基材1的第一表 面11上形成数个沟槽13。接着，利用化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition, CVD) 形成一绝缘层14于该等沟槽13的侧壁，且形成数个容置空间15。该绝缘层14的材质通常
为二氧化硅。接着，参考图2，填入一导电金属16于该等容置空间15内。该导电金属的材质通 常为铜。最后，研磨或蚀刻该基材1的第一表面11及第二表面12，以显露该导电金属16， 如图3所示。在该已知的方法中，由于该绝缘层14利用化学气相沉积法所形成，因此该绝缘层 14在该等沟槽13的侧壁的厚度会有先天上的限制，通常小于0. 5 μ m。此外，该绝缘层14 在该等沟槽13的侧壁的厚度会有不均勻的问题，亦即，位于该等沟槽13上方侧壁上的绝缘 层14的厚度与位于该等沟槽13下方侧壁上的绝缘层14的厚度并不会完全一致。因而造 成电容不一致的情况。因此，有必要提供一种创新且具进步性的在基材上形成穿导孔的方法，以解决上 述问题。
发明内容
本发明关于一种在基材上形成穿导孔的方法，其包括以下步骤(a)提供一基材， 该基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一开槽于该基板的第一表面，该开槽具有 一侧壁及一底面；(c)形成一第一导电金属于该开槽的该侧壁与该底面，而形成一中心槽； (d)形成一中心绝缘材料于该中心槽；(e)形成一环槽于该基材，该环槽围绕该第一导电金 属·’ (f)形成一第一绝缘材料于该环槽内；及(g)去除部分该基材的第二表面，以显露该第 一导电金属、该中心绝缘材料及该第一绝缘材料。本发明另外关于一种在基材上形成穿导孔的方法，其包括以下步骤(a)提供一 基材，该基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一环槽及一柱体于该基材的第一表 面，该环槽围绕该柱体；(C)形成一第一绝缘材料于该环槽；(d)移除该基材的柱体，以形成 一开槽于该基材，该开槽具有一侧壁及一底面；(e)填入一第一导电金属于该开槽的该侧 壁与该底面，而形成一中心槽；(f)形成一中心绝缘材料于该中心槽内；及(g)去除部分该 基材的第二表面，以显露该第一导电金属、该第一绝缘材料及该中心绝缘材料。本发明另外关于一种具有穿导孔的基材，其包括一基材、一第一绝缘材料、一中心 绝缘材料及一第一导电金属。该基材具有一第一表面、一第二表面及一穿导孔。该穿导孔贯穿该基材，且该穿导孔具有一内侧壁。该第一绝缘材料位于该穿导孔的内侧壁上，该第一 绝缘材料为一中空柱状体。该中心绝缘材料位于该穿导孔内中央位置，该中心绝缘材料为 一实心柱状体，且与该第一绝缘材料间隔一间距。该第一导电金属位于该第一绝缘材料及 该中心绝缘材料之间，且围绕该中心绝缘材料，而形成一中空柱状体。本发明另外关于一种具有穿导孔的基材，其包括一基材、一第一绝缘材料及数个 开槽。该基材具有一第一表面、一第一表面及一穿导孔。该穿导孔贯穿该基材，且该穿导孔 具有一内侧壁。该第一绝缘材料位于该穿导孔之内，且附着至该穿导孔的内侧壁上。该等 开槽位于该第一绝缘材料之内，每一开槽贯穿该第一绝缘材料，每一开槽包括一第三绝缘 材料及一第三导电金属。该第三绝缘材料为一实心柱状体且位于该开槽内中央位置，该第 三导电金属围绕该第三绝缘材料。在本发明中，可以在该穿导孔内形成较厚的绝缘材料。再者，该绝缘材料在该穿导 孔内并不会有厚度不均勻的问题。此外，本发明可以利用聚合物作为绝缘材料，因而可以针 对特定的工艺选用不同的聚合物材质。
211第— 表面
212第二.表面
221第— 绝缘材料
222第一 导电金属
223中心绝缘材料
231开權
232侧壁
233底面
234中心槽
235环權
237第— 排气孔
238第二.排气孔
241第— 光阻层
242第—.开口
243第二.光阻层
244第二.开口
261聚合物
263聚合物
311第— 表面
312第二.表面
321第— 绝缘材料
322第一 导电金属
323中心绝缘材料
331开權
332侧壁
333底面
334中心槽
335环權
336柱体
337第— 排气孔
338第二.排气孔
341第— 光阻层
342第—.开口
343第二.光阻层
344第二.开口
361聚合物
363聚合物
411第— 表面
412第二.表面
接着，参考图6，根据该第一开口 242，以蚀刻方式于该基材21上形成一开槽231。 该开槽231位于该基材21的第一表面211，且具有一侧壁232及一底面233。之后，移除该 第一光阻层241。接着，参考图7，利用电镀方式，形成一第一导电金属222于该开槽231的该侧壁 232、该底面233及该第一表面211，而形成一中心槽234。在本实施例中，该第一导电金属 222的材质为铜。接着，参考图8至图12，形成一中心绝缘材料223于该中心槽234。在本实施例 中，该中心绝缘材料223的材质为一聚合物263。在本发明中，该中心绝缘材料223形成于 该中心槽234的方法包含但不限于以下三种。第一种方式，如图8所示，先均布该聚合物263于该基材21的第一表面211上，且 于该中心槽234的相对位置。或可局部涂布于该中心槽234的相对位置。接着，再以真空 吸附方式将该聚合物263吸入该中心槽234内，以形成该中心绝缘材料223，如图9所示。第二种方法，如图10及图11所示，其中图10为基材的俯视图，图11为图10中沿 着线11-11的剖面图，本方法先形成数个第一排气孔237，以连通该中心槽234至该基材21 的第二表面212。接着，均布该聚合物263于该基材21的第一表面211上，且于该中心槽 234的相对位置，或可局部涂布于该中心槽234的相对位置。接着，填入该聚合物263至该 中心槽234及该等第一排气孔237内，以形成该中心绝缘材料223。第三种方式，如图12所示，以喷涂方式(Spray coat)使该聚合物263雾化且沉积 于该中心槽234内，以形成该中心绝缘材料223。接着，参考图13，以蚀刻或研磨的方式，去除位于该基材21的第一表面211的第一 导电金属222及中心绝缘材料223。接着，参考图14及15，形成一环槽235于该基材21的第一表面211，该环槽235 围绕该第一导电金属222。参考图14，在本实施例中形成一第二光阻层243于该基材21的 第一表面211，且于该第二光阻层243上形成一第二开口 244。该第二开口 244的位置相对 于该开槽231的位置，且该第二开口 244大于该开槽231。接着，参考图15，根据该第二开 口 244，以蚀刻方式于该基材21上形成一环槽235，该环槽235围绕该第一导电金属222，且 并未贯穿该基材21。之后，移除该第二光阻层243。接着，参考图16至图20，形成一第一绝缘材料221于该环槽235内。在本实施例 中，该第一绝缘材料221的材质为一聚合物261。在本发明中，该第一绝缘材料221形成于 该环槽235的方法包含但不限于以下三种。第一种方式，如图16所示，先均布该聚合物261于该基材21的第一表面211上， 且于该环槽235的相对位置。或可局部涂布于该环槽235的相对位置。接着，再以真空吸 附方式将该聚合物261吸入该环槽235内，以形成该第一绝缘材料221，如图17所示。第二种方法，如图18及图19所示，其中图18为基材的俯视图，图19为图18中沿 着线19-19的剖面图，本方法先形成数个第二排气孔238，以连通该环槽235至该基材21的 第二表面212。接着，均布该聚合物261于该基材21的第一表面211上，且于该环槽235的 相对位置，或可局部涂布于该环槽235的相对位置。接着，填入该聚合物261至该环槽235 及该等第二排气孔238内，以形成该第一绝缘材料221。第三种方式，如图20所示，以喷涂方式(Spray coat)使该聚合物261雾化且沉积于该环槽235内，以形成该第一绝缘材料221。接着，参考图21，以蚀刻或研磨的方式，去除部分该基材21的第一表面211及第二 表面212，以显露该第一导电金属222、该中心绝缘材料223及该第一绝缘材料221，以制得 本发明第一实施例的具有穿导孔的基材2。在本实施例中，该中心绝缘材料223、该第一导 电金属221及该第一绝缘材料222形成一穿导孔。在本发明中，可以在该穿导孔之中心槽 234及环槽235内形成较厚的绝缘材料(中心绝缘材料223及第一绝缘材料221)。再者， 该绝缘材料在该穿导孔之中心槽234及环槽235内并不会有厚度不均勻的问题。此外，本 发明可以利用聚合物作为绝缘材料，因而可以针对特定的工艺选用不同的聚合物材质。参考图22至图39，显示本发明在基材上形成穿导孔的方法的第二实施例的示意 图。首先，参考图22及图23，其中图22为基材的俯视图，图23为图22中沿着线23-23的 剖面图。提供一基材31，该基材31具有一第一表面311及一第二表面312。该基材31可 为一硅基材或一晶圆。接着，参考图24。形成一环槽335及一柱体336于该基材31的第一 表面311，该环槽335围绕该柱体336。在本实施例中，如图22及图23所示，形成一第一光阻层341于该基材31的第一 表面311，且于该第一光阻层341上形成一第一图案342，该第一图案342为环状开口。接 着，参考图24，根据该第一图案342，以蚀刻方式于该基材31上形成一环槽335及一柱体 336。该环槽335围绕该柱体336，且该环槽335并未贯穿该基材31。之后，移除该第一光 阻层341。接着，参考图25至图29，形成一第一绝缘材料321于该环槽335内。在本实施例 中，该第一绝缘材料321的材质为一聚合物361。在本发明中，该第一绝缘材料321形成于 该环槽335的方法包含但不限于以下三种。第一种方式，如图25所示，先均布该聚合物361于该基材31的第一表面311上， 且于该环槽335的相对位置。或可局部涂布于该环槽335的相对位置。接着，再以真空吸 附方式将该聚合物361吸入该环槽335内，以形成该第一绝缘材料321，如图26所示。最 后，再移除位于该环槽335之外的该聚合物361。第二种方法，如图27及图28所示，其中图27为基材的俯视图，图28为图27中沿 着线28-28的剖面图，本方法先形成数个第二排气孔338，以连通该环槽335至该基材31的 第二表面312。接着，均布该聚合物361于该基材31的第一表面311上，且于该环槽335的 相对位置，或可局部涂布于该环槽335的相对位置。接着，填入该聚合物361至该环槽335 及该等第二排气孔338内，以形成该第一绝缘材料321。最后，再移除位于该环槽335及该 等第二排气孔338之外的该聚合物361。第三种方式，如图29所示，以喷涂方式(Spray coat)使该聚合物361雾化且沉积 于该环槽335内，以形成该第一绝缘材料321。接着，参考图30，移除位于该环槽335之外 的该聚合物361。接着，参考图31及图32，移除该基材31的柱体336，以形成一开槽331于该基材 31，该开槽331具有一侧壁332及一底面333。在本实施例中，参考图31，形成一第二光阻层 343于该基材31的第一表面311，并于该第二光阻层343上形成一第二开口 344，该第二开 口 344的位置相对于该柱体336的位置。接着，参考图32，根据该第二开口 344，以干蚀刻 或湿蚀刻方式移除该柱体336，于该基材31上形成一开槽331，该开槽331具有一侧壁332及一底面333。之后，可直接移除该第二光阻层343，或是于稍后的步骤再予以移除。接着，参考图33，利用电镀方式，形成一第一导电金属322于该开槽331的该侧壁 332及该底面333，而形成一中心槽334。在本实施例中，该第一导电金属322的材质为铜。 之后，可直接移除位于该开槽331之外的第一导电金属322，或是于稍后步骤再予以移除。接着，参考图34至图38，形成一中心绝缘材料323于该中心槽334。在本实施例 中，该中心绝缘材料323的材质为一聚合物363。在本发明中，该中心绝缘材料323形成于 该中心槽334的方法包含但不限于以下三种。第一种方式，如图34所示，先均布该聚合物363于该基材31的第一表面311上， 且于该中心槽334的相对位置。或可局部涂布于该中心槽334的相对位置。接着，再以真 空吸附方式将该聚合物363吸入该中心槽334内，以形成该中心绝缘材料323，如图35所
7J\ ο第二种方法，如图36及图37所示，其中图36为基材的俯视图，图37为图36中沿 着线37-37的剖面图，本方法先形成数个第一排气孔337，以连通该中心槽334至该基材31 的第二表面312。接着，均布该聚合物363于该基材31的第一表面311上，且于该中心槽 334的相对位置，或可局部涂布于该中心槽334的相对位置。接着，填入该聚合物363至该 中心槽334及该等第一排气孔337内，以形成该中心绝缘材料323。第三种方式，如图38所示，以喷涂方式(Spray coat)使该聚合物363雾化且沉积 于该中心槽334内，以形成该中心绝缘材料323。接着，参考图39，以蚀刻或研磨的方式，去除部分该基材31的第一表面311及第二 表面312，以显露该第一导电金属322、该中心绝缘材料323及该第一绝缘材料321，以制得 本发明第二实施例的具有穿导孔的基材3。参考图40，显示本发明具有穿导孔的基材的第三实施例的示意图。该具有穿导孔 的基材4包括一基材41、一第一绝缘材料421、一中心绝缘材料423及一第一导电金属422。该基材41具有一第一表面411、一第二表面412及一穿导孔413，该穿导孔413贯 穿该基材41，且该穿导孔413具有一内侧壁414。该第一绝缘材料421位于该穿导孔413 的内侧壁414上，该第一绝缘材料421为一中空柱状体。该中心绝缘材料423位于该穿导 孔413内中央位置，该中心绝缘材料423为一实心柱状体，且与该第一绝缘材料421间隔一 间距。该第一导电金属422位于该第一绝缘材料421及该中心绝缘材料423之间，且围绕 该中心绝缘材料423，而形成一中空柱状体。在本实施例中，该第一绝缘材料421接触该第 一导电金属422，且该中心绝缘材料423接触第一导电金属422，换言之，该穿导孔413内形 成一个绝缘材料与导电材料相间隔排列的三层结构，由内而外依序为中心绝缘材料423、第 一导电金属422及第一绝缘材料421。其中，该中心绝缘材料423与该第一绝缘材料421可 为相同材料，亦可为不同材料。该具有穿导孔的基材4更包括一保护层(passivation/isolation) 451及一导电 层(conducting layer) 4530该保护层451位于该基材41的第一表面411或第二表面412。 在本实施例中，该保护层451位于该基材41的第一表面411。该保护层451具有一开口 452， 使得该保护层451覆盖部分该第一绝缘材料421且显露出部分该第一绝缘材料421。该导 电层453位于该保护层451上，且该导电层453覆盖部分该第一绝缘材料421、第一导电金 属422及该中心绝缘材料423。
参考图41及图42，显示本发明具有穿导孔的基材的第四实施例的示意图，其中图 41为基材的俯视图，图42为图41中沿着线42-42的剖面图。该具有穿导孔的基材5包括 一基材51、一第一绝缘材料521、一中心绝缘材料523、一第一导电金属522、一第二绝缘材 料525及一第二导电金属524。该基材51具有一第一表面511、一第二表面512及一穿导孔513，该穿导孔513贯 穿该基材51，且该穿导孔513具有一内侧壁514。该第一绝缘材料521位于该穿导孔513 的内侧壁514上，该第一绝缘材料521为一中空柱状体。该中心绝缘材料523位于该穿导 孔513内中央位置，该中心绝缘材料523为一实心柱状体，且与该第一绝缘材料521间隔一 间距。该第一导电金属522位于该中心绝缘材料523及该第二绝缘材料525之间，且围绕 该中心绝缘材料523，而形成一中空柱状体。该第二绝缘材料525位于该第一导电金属522 及该第二导电金属524之间，且围绕该第一导电金属522，而形成一中空柱状体。该第二导 电金属524位于该第二绝缘材料525及该第一绝缘材料521之间，且围绕该第二绝缘材料 525，而形成一中空柱状体。在本实施例中，该第二绝缘材料525接触该第一导电金属522， 该第二导电金属524接触该第二绝缘材料525，且该第二导电金属524接触该第一绝缘材料 521。换言之，该穿导孔513内形成一个绝缘材料与导电材料相间隔排列的五层结构，由内 而外依序为中心绝缘材料523、第一导电金属522、第二绝缘材料525、第二导电金属524及 第一绝缘材料521。其中，该中心绝缘材料523、该第一绝缘材料521及该第二绝缘材料525 可为相同材料，亦可为不同材料。该第一导电金属522及该第二导电金属524可为相同材 料，亦可为不同材料。根据一优选实施例，该第一绝缘材521的厚度约为3-10 μ m。根据另一优选实施 例，该第一绝缘材521的厚度可大于该保护层551的厚度。另一方面，该穿导孔513具有一 孔径，该保护层551的开口小于该穿导孔513的孔径。此外，该第一导电金属522及该第二 导电金属524的厚度可以大于或等于6 μ m。此外，可以理解的是，在该具有穿导孔的基材5中，可于该中心绝缘材料523及该 第一绝缘材料521之间，填入数个层绝缘材料及数个层导电金属，以形成一个绝缘材料与 导电材料相间隔排列的多层结构。参考图43及图44，显示本发明具有穿导孔的基材的第五实施例的示意图，其中图 43为基材的俯视图，图44为图43中沿着线44-44的剖面图。该具有穿导孔的基材6包括 一基材61、一第一绝缘材料621及数个开槽629。该基材61具有一第一表面611、一第二表面612及一穿导孔613，该穿导孔613贯 穿该基材61，且该穿导孔613具有一内侧壁614。该第一绝缘材料621位于该穿导孔613 之内，且附着至该穿导孔613的内侧壁614上。该等开槽629位于该第一绝缘材料621之 内，每一开槽629贯穿该第一绝缘材料621，每一开槽629包括一第三绝缘材料627及一第 三导电金属626，该第三绝缘材料627为一实心柱状体且位于该开槽629内中央位置。该第 三导电金属626围绕并接触该第三绝缘材料627，且该第三导电金属626接触该第一绝缘 材料621。其中，该第一绝缘材料621及该第三绝缘材料627可为相同材料，亦可为不同材 料。此外，可以理解的是，在该具有穿导孔的基材6中，可于每一开槽629的该第三绝 缘材料627及该第三导电金属626之间或于每一开槽629的该第三导电金属626及该第一绝缘材料621之间，填入数个层绝缘材料及数个层导电金属，以形成一个绝缘材料与导电 材料相间隔排列的多层结构。该具有穿导孔的基材6更包括一保护层(passivation/isolation)(未示于图 中)及一导电层(conducting layer)(未示于图中)，该保护层位于该基材61的第一表面 611或第二表面612，该保护层具有数个开口，每一该保护层的开口对应每一开槽629，每一 该保护层的开口的外径大于每一开槽629的外径，使得该保护层覆盖部分该第一绝缘材料 621且显露出部分该第一绝缘材料621，该导电层位于该保护层上，且该导电层覆盖部分该 第一绝缘材料621、第三导电金属626及该第三绝缘材料627。此外，根据一优选实施例，该第一绝缘材621的厚度约为3-10 μ m。根据另一优选 实施例，该第一绝缘材621的厚度大于该保护层651的厚度。此外，该第三导电金属626的 厚度优选大于或等于6 μ m。惟上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效，而非用以限制本发明。因此，习于 此技术的人士对上述实施例进行修改及变化仍不脱本发明的精神。本发明的权利范围应如 后述的权利要求书所列。
权利要求
一种在硅基材上形成穿导孔的方法，包括(a)提供一硅基材，该硅基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一开槽于该硅基材的第一表面，该开槽具有一侧壁及一底面；(c)形成一第一导电金属于该开槽的该侧壁与该底面，而形成一中心槽；(d)形成一中心绝缘材料于该中心槽；(e)形成一环槽于该硅基材的第一表面，该环槽围绕该第一导电金属；(f)形成一第一绝缘材料于该环槽内；及(g)去除部分该硅基材的第二表面，以显露该第一导电金属、该中心绝缘材料及该第一绝缘材料。
2.如权利要求1的方法，其中该步骤(b)包括 (bl)形成一第一光阻层于该硅基材的第一表面； (b2)于该第一光阻层上形成一第一开口 ；及 (b3)根据该第一开口于该硅基材上形成该开槽。
3.如权利要求2的方法，其中该步骤(b3)之后更包括一移除该第一光阻层的步骤。
4.如权利要求1的方法，其中该步骤(d)包括 (dl)均布一聚合物于该中心槽的相对位置；及(d2)以真空吸附方式将该聚合物吸入该中心槽内，以形成该中心绝缘材料。
5.如权利要求1的方法，其中该步骤(d)包括(dl)形成数个第一排气孔，以连通该中心槽至该硅基材的第二表面； (d2)均布一聚合物于该中心槽的相对位置；及(d3)填入该聚合物至该中心槽及该等第一排气孔内，以形成该中心绝缘材料。
6.如权利要求1的方法，其中该步骤(d)以喷涂方式(Spraycoat)使一聚合物雾化且 沉积于该中心槽内，以形成该中心绝缘材料。
7.如权利要求1的方法，其中该步骤(d)之后更包括一去除位于该硅基材的第一表面 的第一导电金属及中心绝缘材料的步骤。
8.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)包括 (el)形成一第二光阻层于该硅基材的第一表面；(e2)于该第二光阻层上形成一第二开口，该第二开口的位置相对于该开槽的位置，且 该第二开口大于该开槽；及(e3)根据该第二开口于该硅基材上形成该环槽。
9.如权利要求8的方法，其中该步骤(e3)之后更包括一移除该第二光阻层的步骤。
10.如权利要求1的方法，其中该步骤(e)中，该环槽并未贯穿该硅基材。
11.如权利要求1的方法，其中该步骤(f)包括 (fl)均布一聚合物于该环槽的相对位置；及(f2)以真空吸附方式将该聚合物吸入该环槽内，以形成该第一绝缘材料。
12.如权利要求1的方法，其中该步骤(f)包括(fl)形成数个第二排气孔，以连通该环槽至该硅基材的第二表面； (f2)均布一聚合物于该环槽的相对位置；及(f3)填入该聚合物至该环槽及该等第二排气孔内，以形成该第一绝缘材料。
13.如权利要求1的方法，其中该步骤(f)以喷涂方式(Spraycoat)使一聚合物雾化 且沉积于该环槽内，以形成该第一绝缘材料。
14.如权利要求1的方法，其中该步骤(g)更包括去除部分该硅基材的第一表面。
15.一种在硅基材上形成穿导孔的方法，包括(a)提供一硅基材，该硅基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一环槽及一柱体于该硅基材的第一表面，该环槽围绕该柱体；(c)形成一第一绝缘材料于该环槽；(d)移除该硅基材的柱体，以形成一开槽于该硅基材，该开槽具有一侧壁及一底面；(e)填入一第一导电金属于该开槽的该侧壁与该底面，而形成一中心槽；(f)形成一中心绝缘材料于该中心槽内；及(g)去除部分该硅基材的第二表面，以显露该第一导电金属、该第一绝缘材料及该中心 绝缘材料。
16.如权利要求15的方法，其中该步骤(b)包括 (bl)形成一第一光阻层于该硅基材的第一表面； (b2)于该第一光阻层上形成一第一图案；及(b3)根据该第一图案于该硅基材上形成该环槽及该柱体。
17.如权利要求16的方法，其中该步骤(b3)之后更包括一移除该第一光阻层的步骤。
18.如权利要求16的方法，其中该步骤(b2)中，该第一图案为环状开口。
19.如权利要求15的方法，其中该步骤(c)包括 (cl)均布一聚合物于该环槽的相对位置；(c2)以真空吸附方式将该聚合物吸入该环槽内，以形成该第一绝缘材料；及 (c3)移除位于该环槽之外的该聚合物。
20.如权利要求15的方法，其中该步骤(c)包括(cl)形成数个第一排气孔，以连通该环槽至该硅基材的第二表面； (c2)均布一聚合物于该环槽的相对位置；(c3)填入该聚合物至该环槽及该等第一排气孔内，以形成该第一绝缘材料；及 (c4)移除位于该环槽及该等第一排气孔之外的该聚合物。
21.如权利要求15的方法，其中该步骤(c)包括(cl)以喷涂方式(Spray coat)使一聚合物雾化且沉积于该环槽内，以形成该第一绝 缘材料；及(c2)移除位于该环槽之外的该聚合物。
22.如权利要求15的方法，其中该步骤(d)包括 (dl)形成一第二光阻层于该硅基材的第一表面；(d2)于该第二光阻层上形成一第二开口，该第二开口的位置相对于该柱体的位置；及 (d3)根据该第二开口移除该柱体，以形成该开槽。
23.如权利要求22的方法，其中该步骤(d3)之后更包括一移除该第二光阻层的步骤。
24.如权利要求15的方法，其中该步骤(e)之后更包括一移除位于该开槽之外的第一 导电金属的步骤。
25.如权利要求15的方法，其中该步骤(f)包括(fl)均布一聚合物于该中心槽的相对位置；及(f2)以真空吸附方式将该聚合物吸入该中心槽内，以形成该中心绝缘材料。
26.如权利要求15的方法，其中该步骤(f)包括(fl)形成数个第二排气孔，以连通该中心槽至该硅基材的第二表面；(f2)均布一聚合物于该中心槽的相对位置；及(f3)填入该聚合物至该中心槽及该等第二排气孔内，以形成该中心绝缘材料。
27.如权利要求15的方法，其中该步骤(f)以喷涂方式(Spraycoat)使一聚合物雾化 且沉积于该中心槽内，以形成该中心绝缘材料。
28.如权利要求15的方法，其中该步骤(g)更包括去除部分该硅基材的第一表面。
29.一种具有穿导孔的基材，包括一基材，具有一第一表面、一第二表面及一穿导孔，该穿导孔贯穿该硅基材，且该穿导 孔具有一内侧壁；一第一绝缘材料，位于该穿导孔的内侧壁上，该第一绝缘材料为一中空柱状体；一中心绝缘材料，位于该穿导孔内中央位置，该中心绝缘材料为一实心柱状体，且与该 第一绝缘材料间隔一间距；及一第一导电金属，位于该第一绝缘材料及该中心绝缘材料之间，且围绕该中心绝缘材 料，而形成一中空柱状体中空柱状体。
30.如权利要求29的基材，其中该第一绝缘材料接触该第一导电金属，且该中心绝缘 材料接触第一导电金属。
31.如权利要求29的基材，更包括一第二绝缘材料及一第二导电金属，位于该第一导 电金属及该第一绝缘材料之间，该第二绝缘材料围绕该第一导电金属，该第二导电金属围 绕该第二绝缘材料。
32.如权利要求31的基材，其中该第二绝缘材料接触该第一导电金属，该第二导电金 属接触该第二绝缘材料，且该第二导电金属接触该第一绝缘材料。
33.如权利要求29的基材，更包括一保护层(passivation/isolation)及一导电层 (conducting layer)，该保护层位于该硅基材的第一表面或第二表面，该保护层具有一开 口，使得该保护层覆盖部分该第一绝缘材料且显露出部分该第一绝缘材料，该导电层位于 该保护层上，且该导电层覆盖部分该第一绝缘材料、第一导电金属及该中心绝缘材料。
34.如权利要求29的基材，其中该第一绝缘材的厚度为3-10μ m。
35.如权利要求29的基材，其中该第一绝缘材的厚度大于该保护层的厚度。
36.如权利要求29的基材，其中该穿导孔具有一孔径，该保护层的该开口小于该穿导 孔的孔径。
37.如权利要求29的基材，该第一导电金属及该第二导电金属的厚度大于或等于 6 μ m0
38.一种具有穿导孔的基材，包括一基材，具有一第一表面、一第二表面及一穿导孔，该穿导孔贯穿该硅基材，且该穿导 孔具有一内侧壁；一第一绝缘材料，位于该穿导孔之内，且附着至该穿导孔的内侧壁上；及数个开槽，位于该第一绝缘材料之内，每一开槽贯穿该第一绝缘材料，每一开槽包括一第三绝缘材料及一第三导电金属，该第三绝缘材料为一实心柱状体且位于该开槽内中央位 置，该第三导电金属围绕该第三绝缘材料。
39.如权利要求38的基材，其中该第三导电金属接触该第三绝缘材料，该第三导电金 属接触该第一绝缘材料。
40.如权利要求38的基材，更包括一保护层(passivation/isolation)及一导电层 (conducting layer)，该保护层位于该硅基材的第一表面或第二表面，该保护层具有数个 开口，每一该保护层的开口对应每一开槽，每一该保护层的开口的外径大于每一开槽的外 径，使得该保护层覆盖部分该第一绝缘材料且显露出部分该第一绝缘材料，该导电层位于 该保护层上，且该导电层覆盖部分该第一绝缘材料、第三导电金属及该第三绝缘材料。
41.如权利要求38的基材，其中该第一绝缘材的厚度为3-10μ m。
42.如权利要求38的基材，其中该第一绝缘材的厚度大于该保护层的厚度。
43.如权利要求38的基材，其中该第三导电金属的厚度大于或等于6μπι。
全文摘要
本发明关于在基材上形成穿导孔的方法及具有穿导孔的基材。该在基材上形成穿导孔的方法包括(a)提供一基材，该基材具有一第一表面及一第二表面；(b)形成一开槽于该基板的第一表面，该开槽具有一侧壁及一底面；(c)形成一第一导电金属于该开槽的该侧壁与该底面，而形成一中心槽；(d)形成一中心绝缘材料于该中心槽；(e)形成一环槽于该基材，该环槽围绕该第一导电金属；(f)形成一第一绝缘材料于该环槽内；及(g)去除部分该基材的第二表面，以显露该第一导电金属、该中心绝缘材料及该第一绝缘材料。藉此，可以在穿导孔内形成较厚的绝缘材料，而且该绝缘材料在该穿导孔内并不会有厚度不均匀的问题。
文档编号H01L23/498GK101887859SQ20091014160
公开日2010年11月17日 申请日期2009年5月15日 优先权日2009年5月15日
发明者王盟仁 申请人:日月光半导体制造股份有限公司