专利名称：超浅结结构的形成方法与pmos晶体管的形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及超浅结结构的形成方法与PMOS晶体管形 成方法。
背景技术：
离子注入技术是一种广泛应用于各种半导体器件及集成电路形成的杂质掺杂技 术。通过控制注入离子束的电流量及电压，可以精确调整杂质在半导体衬底中的含量及分 布情况。众所周知，半导体器件的特征尺寸随着工艺技术的革新而越来越小。按照等比例 缩小的要求，器件的横向尺寸(即特征尺寸表征的线宽)不断缩小的同时，器件的纵向尺寸 (即器件的深度)也要求等比例缩小。因此，离子注入技术的一个重要发展方向就是如何形 成浅结及超浅结，比如形成金属氧化物半导体MOS晶体管的轻掺杂源区与轻掺杂漏区。阈值电压是MOS晶体管的重要性能参数之一，可以通过提高衬底偏置效应来提 尚ο衬底偏置效应又称体效应，定义如下对于PMOS晶体管，当衬底与源处于反偏时 (P衬底接负电压)，衬底中的耗尽区变厚，使得耗尽层中的固定电荷数增加。由于栅电容两 边电荷守衡，所以，在栅上电荷没有改变的情况下，耗尽层电荷的增加，必然导致沟道中可 动电荷的减少，从而导致导电水平下降。若要维持原有的导电水平，必须增加栅压，即增加 栅上的电荷数。对器件而言，衬底偏置电压的存在，将使PMOS晶体管的阈值电压的数值提 尚ο若以体效应值Y衡量体效应，则体效应值越高，体效应越明显，阈值电压的数值 越高。其中，体效应值、的表达公式如下
权利要求
1.一种超浅结的形成方法，包括 提供半导体衬底；在所述半导体衬底中进行第一离子注入，形成第一注入区； 对所述第一注入区进行第二离子注入，对所述第一注入区进行非晶化； 对非晶化后的第一注入区进行第三离子注入，形成超浅结结构。
2.如权利要求1所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述第一离子为氟化亚硼离子。
3.如权利要求2所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述第一离子的注入能量范 围为10 30Kev，剂量范围为1E15 3E15/cm2。
4.如权利要求1所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述的第二离子是四价离子。
5.如权利要求4所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述第二离子的注入能量范 围为30 60Kev，剂量范围为1E15 9E15/cm2。
6.如权利要求1所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述第三离子为硼离子。
7.如权利要求6所述的超浅结的形成方法，其特征在于，所述硼离子的注入能量为注 入能量范围为0. 5 12Kev，剂量范围为1E13 lE14/cm2。
8.—种PMOS晶体管的形成方法，包括 提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，其中，位于所述栅极结构的两侧的衬底为源区和 漏区；以所述栅极结构为掩膜，对所述源区和漏区进行第一离子注入，形成第一注入区； 以所述栅极结构为掩膜，对所述第一注入区进行第二离子注入，对所述第一注入区进 行非晶化；以所述栅极结构为掩膜，对非晶化后的第一注入区进行第三离子注入，形成超浅结结构。
9.如权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一离子为氟化亚 硼离子。
10.如权利要求9所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一离子的注入能 量范围为10 30Kev，剂量范围为1E15 3E15/cm2。
11.如权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述的第二离子是四价1 子。
12.如权利要求11所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二离子的注入 能量范围为30 60Kev，剂量范围为1E15 9E15/cm2。
13.如权利要求8所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第三离子为硼离子。
14.如权利要求13所述的PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述第三离子的注入 能量为0. 5 12Kev，剂量范围为1E13 lE14/cm2。
全文摘要
一种超浅结的形成方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中进行第一离子注入，形成第一注入区；对所述第一注入区进行第二离子注入，对所述第一注入区进行非晶化；对非晶化后的第一注入区进行第三离子注入，至此，形成超浅结结构。其中，所述第一离子为氟化亚硼离子，所述第二离子是为四价离子，所述第三离子为硼离子。本发明还提供一种PMOS晶体管的形成方法。
文档编号H01L21/336GK102082085SQ20091024610
公开日2011年6月1日 申请日期2009年12月1日 优先权日2009年12月1日
发明者张克云, 方浩, 李佳佳, 杜建, 王德进, 菜建瓴 申请人:无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司