专利名称：发光二极管的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管的制造方法。
背景技术：
发光二极管光源作为一种新兴的第三代光源，因其具有工作寿命长、节能、环保等 优点，而普遍被市场看好。而且，目前由发光二极管组成的发光模组能产生大功率、高亮度 的光源。因此将广泛地、革命性地取代传统的白织灯等现有的光源，成为符合节能环保主题 的主要光源。然而，在制造发光二极管时，大多是先将发光二极管晶片切割为若干发光二极 管晶片单体，然后将该若干发光二极管晶片单体逐一放置于一底板上，再采用单个封装的 方式将发光二极管晶片单体封装成发光二极管，但这种封装方法生产效率低，很难实现大 规模的自动化生产，不利于降低成本，很大程度上阻碍了发光二极管的普及。随着技术的发展，目前逐渐开始出现采用一次性将所有发光二极管晶片连接于底 板上的阵列封装方式，即将多个阵列排布的发光二极管晶片同时压入涂布有导电胶的一底 板上，从而使所有发光二极管晶片同时完成与底板的电连接。然而，由于发光二极管晶片为 采用较为密集的阵列排布方式，当将所述发光二极管晶片压入至导电胶时，所述导电胶中 的导电粒子会因受挤压而跑至相邻的发光二极管晶片之间的间隙中，使得该相邻的发光二 极管晶片之间会因为导电粒子相互接触而导通，存在短路的风险。随着发光二极管封装朝 向体积缩小的趋势发展，阵列封装中的相邻的发光二极管晶片靠的越来越近，相邻的发光 二极管晶片之间的间隙也越来越小，使得发光二极管晶片之间出现短路的风险提高。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种在阵列封装方式中可防止发光二极管晶片之间相互导 通的发光二极管的制造方法。一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤提供一发光二极管晶片，该发光二极 管晶片包括一基板及自该基板生长的一外延层；将所述发光二极管晶片的外延层切割成若 干相互分离的发光二极管芯片，相邻的发光二极管芯片之间形成一间隙；于相邻的发光二 极管芯片之间的间隙内设置一绝缘层；提供一底板，该底板上涂布有导电胶，将所述基板与 发光二极管芯片倒置，使每一发光二极管芯片与所述底板的导电胶连接，所述绝缘层隔断 相邻的发光二极管芯片之间的导电胶；及利用透光材料包覆所述发光二极管晶片从而得到 发光二极管。与传统的制造方法相比，上述发光二极管的制造方法中，在相邻的发光二极管芯 片的间隙中设置有绝缘层，该绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电胶，从而避免 了相邻的发光二极管芯片在与底板连接时通过导电胶导通而造成短路的危险。
图1为本发明发光二极管的制造方法较佳实施方式的流程图。
图2为图1所示步骤一中所提供的发光二极管晶片。图3为将图2所示发光二极管晶片的外延层切割成若干发光二极管芯片的示意 图。图4为将图3所示发光二极管芯片排成的阵列的间隙中填充一绝缘层的示意图。图5为在图4所示的发光二极管芯片上设置锡球的示意图。图6为将图5所示的所述发光二极管芯片阵列倒置并粘接至底板上的示意图。图7为将图6所示的所述发光二极管芯片阵列固定于底板后的示意图。图为利用透光材料将图7所示的发光二极管芯片进行单个封装的示意图。图8b为利用透光材料将图7所示的发光二极管芯片进行一体封装的示意图。图8c为将图7所示的发光二极管芯片上的基板去除后再利用透光材料进行封装 的示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片包括一基板及自该基板生长的一外延层；将所述发光二极管晶片的外延层切割成若干相互分离的发光二极管芯片，相邻的发光 二极管芯片之间形成一间隙；于相邻的发光二极管芯片之间的间隙内设置一绝缘层；提供一底板，该底板上涂布有导电胶，将所述基板与发光二极管芯片倒置，使每一发光 二极管芯片与所述底板的导电胶连接，所述绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电 胶；及利用透光材料包覆所述发光二极管晶片从而得到发光二极管。
2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于该绝缘层由光致抗蚀剂 在光照的作用下固化而成。
3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于该绝缘层的高度高于所 述发光二极管芯片的顶面，该绝缘层穿入导电胶中。
4.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于所述底板上设有电路，所 述发光二极管芯片的顶面上设有锡球，该发光二极管芯片通过锡球与该底板的导电胶电连 接。
5.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于所述导电胶为异方性导 电胶。
6.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于所述导电胶受热后固化 将所述发光二极管芯片与底板连接于一体。
7.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于所述透光材料一体包覆 所有发光二极管芯片，使所有发光二极管芯片一体封装在一起。
8.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法，其特征在于所述透光材料分别包覆 每一发光二极管芯片，使各发光二极管芯片成为独立的封装体。
9.如权利要求1至8任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于该透光材 料将所述基板与发光二极管芯片一起包覆。
10.如权利要求1至8任意一项所述的发光二极管的制造方法，其特征在于于利用透 光材料包覆所述发光二极管晶片之前先去除基板。
全文摘要
一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片包括一基板及自该基板生长的一外延层；将所述发光二极管晶片的外延层切割成若干相互分离的发光二极管芯片，相邻的发光二极管芯片之间形成一间隙；于相邻的发光二极管芯片之间的间隙内设置一绝缘层；提供一底板，该底板上涂布有导电胶，将所述基板与发光二极管芯片倒置，使每一发光二极管芯片与所述底板的导电胶连接，所述绝缘层隔断相邻的发光二极管芯片之间的导电胶；及利用透光材料包覆所述发光二极管晶片从而得到发光二极管。
文档编号H01L25/075GK102104012SQ20091031187
公开日2011年6月22日 申请日期2009年12月21日 优先权日2009年12月21日
发明者赖志成 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司