专利名称：发光二极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种高亮度的发光二极管。
背景技术：
一种发光二极管，其包括N型的第一半导体层、P型的第二半导体层、位于该第一 半导体层与第二半导体层之间的活性层、设置在第一半导体层表面上并远离活性层的电 极、设置在第二半导体层表面上并远离活性层的欧姆接触层及涂覆在该欧姆接触层表面上 并远离第二半导体层的反射层。上述发光二极管的电极及欧姆接触层分别与外接电源负极 与正极相连时，活性层即可发光，活性层发出的光线可从第一半导体层直接射出，或由反射 层反射后再经第一半导体层射出。上述发光二极管发光时，正对电极的活性层部分电流最大，为发光亮度最高的区 域，而负接触电极通常设置有金线或电极图案而形成不透明或部分不透明电极，导致发光 二极管亮度最高区域的光线被阻挡，降低发光二极管的整体出光亮度。
发明内容
鉴于上述内容，有必要提供一种亮度较高的发光二极管。一种发光二极管，其包括N型的第一半导体层、P型的第二半导体层、位于该第一 半导体层及第二半导体层之间的活性层、设置于第一半导体层上并远离该活性层的电极及 设置于第二半导体层上并远离该活性层的欧姆接触层。欧姆接触层具有与该电极正对的高 阻区，高阻区的电阻大于欧姆接触层围绕高阻区的周围区域的电阻。上述发光二极管的欧姆接触层上具有与电极正对的高阻区，使发光二极管的正对 电极部分发光较弱，而位于电极两侧部分发光较强，减少电极所阻挡的光强，增加发光二极 管整体出光亮度。
图1是本发明实施方式的发光二极管的剖面示意图。图2至图5是图1所示发光二极管在制备过程中各步骤的剖面示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管，其包括N型的第一半导体层、P型的第二半导体层、位于该第一半 导体层及第二半导体层之间的活性层、设置于该第一半导体层上并远离该活性层的电极及 设置于该第二半导体层上并远离该活性层的欧姆接触层，其特征在于该欧姆接触层具有 与该电极正对的高阻区，该高阻区的电阻大于该欧姆接触层围绕该高阻区的周围区域的电 阻。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该发光二极管为氮化镓发光二极管， 该第一半导体层为N型氮化镓层，第二半导体层为P型氮化镓层。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于该欧姆接触层为M或Au材料制作。
4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于该电极上设置有金线。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于该高阻区为绝缘材料制作。
全文摘要
一种发光二极管，其包括N型的第一半导体层、P型的第二半导体层、位于该第一半导体层及第二半导体层之间的活性层、设置于第一半导体层上并远离该活性层的电极，及设置于第二半导体层上并远离该活性层的欧姆接触层。欧姆接触层具有与该电极正对的高阻区，高阻区的电阻大于欧姆接触层围绕高阻区的周围区域的电阻。上述发光二极管的欧姆接触层上具有与该电极正对的高阻区，使发光二极管的正对电极部分发光较弱，而位于电极两侧部分发光较强，减少电极所阻挡的光强，增加发光二极管整体出光亮度。
文档编号H01L33/44GK102110755SQ20091031224
公开日2011年6月29日 申请日期2009年12月25日 优先权日2009年12月25日
发明者赖志成 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司