改良型发光二极管的制作方法

文档序号:7193574阅读:273来源:国知局
专利名称:改良型发光二极管的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种改良型发光二极管,特别是指一种PLCC以 及SMD型式的发光二极管,且改良其光学透镜与封装体之间的结合方 式。
背景技术
关于PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier,塑料有引线芯片封装)型 式且为SMD (Surface Mount Device,表面接着零件)Type的发光二极 管,有着如下所述的缺陷。
请参阅图1所示,为现有发光二极管1的剖面示意图,其包括一 封装体11、 一对与封装体结合在一起的导电脚12以及一形成于该封装 体上的光学透镜13,封装体11具有一端面14、 一自该端面延伸的周 缘112以及一用以容置发光芯片15的凹杯111,如图所示,现有的光 学透镜13仅与端面14的近中央部位结合在一起,因此该光学透镜13 与封装体11之间的结合强度明显不足;再者,亦因为光学透镜13仅 与端面14的近中央部位结合在一起,因此光学透镜13的直径明显小 于封装体11,导致现有发光二极管1的光学效益不佳;三者,由于光 学透镜13的直径不够大,因此在欲利用光学透镜13来调整出所需的 角度时,有较为不易的缺陷;四者,现有在将光学透镜13与封装体11 结合在一起时,若其光学透镜13的直径稍大一些,则光学透镜13与 封装体11之间的结合胶将因为溢胶现象,而让溢出的结合胶顺着封装 体11的周缘U2而沾黏于导电脚12,导电脚12若沾黏到结合胶时, 将因为不易于上锡而有不利于SMT (Surface Mount Technology,表面接 着技术)的进行的缺陷。因此,如何设计出一种能改善现有发光二极管的上述缺陷的本实 用新型,为本设计人所欲解决的一大课题。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺陷,提出一种改 良型发光二极管,通过光学透镜与封装体之间的结合,扩及于封装体 的周缘,从而具有较佳的结合强度、较佳的光学效益、易于利用光学 透镜来调整出所需的角度、以及改善现有溢胶情况等功效。
本实用新型的另一目的在于,提出一种改良型发光二极管,通过 在封装体的周缘以及光学透镜的相对应位置分别设有第一、二干涉体, 从而具有更佳的结合强度的功效。
为达上述目的,本实用新型提供一种改良型发光二极管,包括 一封装体,具有一端面、 一自该端面延伸的周缘、和一用以容置发光 芯片的凹杯;至少一对导电脚,该对导电脚与该封装体结合在一起; 以及一光学透镜,罩覆于该封装体的端面,且还扩及于该封装体的周 缘。
由此,本实用新型的改良型发光二极管的有益技术效果在于,具 有较佳的光学透镜与封装体的结合强度、较佳的光学效益、易于利用 光学透镜来调整出所需的光学角度、以及改善现有溢胶情况等功效。
较佳者,该封装体的周缘进一步环设有至少一第一干涉体,该光 学透镜与该周缘的邻接处则进一步环设有至少一第二干涉体,该第二 干涉体与该第一干涉体相对应,该第一、二干涉体彼此干涉在一起, 从而具有更佳的结合强度。
为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容,请 参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图,只是所附图式仅提供参
4考与说明用,非用以限制本实用新型。

图1为现有发光二极管的剖面示意图2为本实用新型发光二极管第一实施例的剖面示意图; 图3为本实用新型发光二极管第二实施例的剖面示意图; 图4为本实用新型发光二极管第三实施例的剖面示意图。
图中符号说明
1发光二极管
11封装体111凹杯112周缘
12导电脚
13光学透镜
14端面
15发光芯片
2发光二极管
21封装体211凹杯212周缘
213端面
215第一干涉体216第一干涉体
22导电脚
23光学透镜231第二干涉体232第二干涉体
24发光芯片
具体实施方式
本实用新型提供一种改良型发光二极管,其为PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier,塑料有引线芯片封装)以及SMD (Surface Mount Device,表面接着零件)型式的发光二极管,请参阅图2 4所示,本 实用新型发光二极管2包括一封装体21、至少一对导电脚22以及一光 学透镜23,其中图2揭示本实用新型的第一实施例,图3揭示本实用 新型的第二实施例,图4则揭示本实用新型的第三实施例。请参阅图2所示的本实用新型第一实施例,该封装体21具有一端 面213、 一自该端面213垂向或概略垂向地延伸的周缘212、以及一用 以容置发光芯片24的凹杯211,而该对导电脚22与封装体21结合在 一起。至于该光学透镜23罩覆于封装体21的端面213,且其罩覆范围 扩及于封装体21的周缘212,但并不及于该对导电脚22的任一边缘, 如图所示的该光学透镜23的罩覆范围不及于导电脚22的上缘,以让 光学透镜23的直径明显大于封装体21。该光学透镜23可通过灌胶成 型方式或封胶成型方式来与封装体21结合在一起。
请参阅图3所示的本实用新型第二实施例,其与第一实施例的不 同处在于进一步增加了加强结合强度的构造,包括环设于封装体21的 周缘212的至少一第一干涉体215,以及环设于该光学透镜23与该周 缘212的邻接处的至少一第二干涉体231,该第二干涉体231与第一干 涉体215相对应而得能彼此干涉在一起,达到定位或/及固定的效果, 从而加强了光学透镜23与封装体21之间的结合强度。该第一、二干 涉体215、 231可为任何能够彼此干涉、彼此定位、彼此卡合或彼此固 定在一起的型式,如图3所示的本实用新型第二实施例中,第一干涉 体215为一凹部,而第二干涉体231则为与该凹部相对应的凸体,该 凹部与凸体彼此干涉在一起,达到定位或/及固定的效果。
请参阅图4所示的本实用新型第三实施例,其与第二实施例的不 同处在于该第一、二干涉体的凹、凸型式为相反,如图,本实用新型 第三实施例的第一干涉体216为一凸体,而第二干涉体232则为与该 凸体相对应的凹部,该凸体与凹部彼此干涉在一起,达到定位或/及 固定的效果。
本实用新型发光二极管2除了可为如图所示结合有一对导电脚22 之外,当然亦能结合有第二对甚至第二对以上的导电脚(图未示)。 再者,本实用新型发光二极管2的第一、二干涉体215 (216) 、 231(232),除了可为如图所示的圆弧状之外,当然亦可为任意可行的形 状,例如倒勾状凸体与倒勾状凹部(图未示)等等。本实用新型的技 术手段非仅应用于如图所示的发光二极管,举凡具有"须彼此结合在 一起的光学透镜和封装体"的发光二极管均可应用。
本实用新型改良型发光二极管2的特点在于通过光学透镜23完 全地结合于封装体21的端面213,甚至于还扩及于封装体21的周缘 212,从而提升光学透镜23与封装体21之间的结合强度,甚至于若再 进一步增设第一、二干涉体215 (216) 、 231 (232),光学透镜23与 封装体21之间的结合强度将更大幅提升;通过光学透镜23完全地结 合于封装体21的端面213,甚至于还扩及于封装体21的周缘212,从 而让光学透镜23的直径明显大于封装体21,大幅提升本实用新型发光 二极管2的光学效益,甚至于还能利用该直径够大的光学透镜23而有 着利于调整出所需光学角度的功效;通过光学透镜23完全结合于封装 体21的端面213,且还扩及于封装体21的周缘212,因此,在结合光 学透镜23时,即使出现溢胶现象而使结合胶溢出到封装体21的周缘 212,该些所溢出的胶液亦仍在本实用新型光学透镜23的罩覆范围内, 完全改善了现有技术会因为溢胶、而使溢出的结合胶会沾黏于导电脚、 甚至于导电脚还会因为沾黏到结合胶而不易于上锡等不利于SMT (Surface Mount Technology,表面接着技术)进行的缺陷。
以上所述,仅为本实用新型的较佳可行实施例,非因此即局限本 实用新型的专利范围,举凡运用本实用新型说明书及附图内容所为之 等效结构变化,均理同包含于本实用新型的权利范围内。
权利要求1.一种改良型发光二极管,其特征在于,包括一封装体,具有一端面、一自该端面延伸的周缘、和一用以容置发光芯片的凹杯;至少一对导电脚,该对导电脚与该封装体结合在一起;以及一光学透镜,罩覆于该封装体的端面,且还扩及于该封装体的周缘。
2. 如权利要求l所述的改良型发光二极管,其特征在于,该封装 体的周缘进一步环设有至少一第一干涉体,该光学透镜与该周缘的邻 接处则进一步环设有至少一第二干涉体,该第二干涉体与该第一干涉 体相对应,该第一、二干涉体彼此干涉在一起。
3. 如权利要求2所述的改良型发光二极管,其特征在于,该封装体的第一干涉体为一凹部,该光学透镜的第二干涉体则为与该凹部相 对应的凸体。
4. 如权利要求2所述的改良型发光二极管,其特征在于,该封装 体的第一干涉体为一凸体,该光学透镜的第二干涉体则为与该凸体相 对应的凹部。
5. 如权利要求l所述的改良型发光二极管,其特征在于,该光学 透镜以灌胶或封胶成型方式来与该封装体结合在一起。
6. 如权利要求l所述的改良型发光二极管,其特征在于,进一步 包括多对其它导电脚。
专利摘要本实用新型涉及一种改良型发光二极管,为PLCC以及SMD型式的发光二极管。该发光二极管包括一封装体、至少一对导电脚以及一光学透镜,该封装体具有一端面、一自该端面延伸的周缘、和一用以容置发光芯片的凹杯;该对导电脚与该封装体结合在一起;该光学透镜罩覆于封装体的端面,且还扩及于该封装体的周缘。从而具有较佳的结合强度、较佳的光学效益、易于利用光学透镜来调整出所需的角度、以及改善现有溢胶情况等功效。
文档编号H01L33/00GK201421848SQ20092014728
公开日2010年3月10日 申请日期2009年4月16日 优先权日2009年4月16日
发明者暐 张, 沈士超 申请人:东贝光电科技股份有限公司
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