专利名称：控片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造领域，特别涉及一种控片。
背景技术：
随着电子设备的广泛应用，半导体的制造工艺得到了飞速的发展，在半导体的制 造流程中，为了防止晶圆边缘的光阻掉落在机台上而对机台造成污染，需要采用边缘光阻 去除工艺，例如晶圆边缘曝光处理(WEE)或边缘导角去除(EBR)，去除晶圆边缘的光阻。在 实际应用中，为了对边缘光阻去除工艺进行优化，通常需要在当前的WEE或EBR参数下去除 控片边缘的光阻，当控片边缘的光阻被去除后，测量控片上保留的光阻与控片边沿的距离， 如果控片上保留的光阻与控片边沿的距离达不到工艺标准，则调整当前的WEE或EBR参数 以达到优化边缘光阻去除工艺的目的，用于优化边缘光阻去除工艺的控片也称光片，光面 表面不具有半导体结构，只具有硅衬底。在现有技术中，可采用光学显微镜(OM)来测量控 片上保留的光阻与控片边沿的距离，具体来说，将去除边缘光阻的控片放置于OM之下，OM 将视野中的图像传送至电脑(PC)，这样，PC上就可呈现出OM的视野中的图像即去除边缘光 阻后的控片的图像，然后操作人员采用相关的软件对图像进行处理，从而可获取控片上保 留的光阻与控片边沿的距离。可见，在现有技术中，当测量控片上保留的光阻与控片边沿的距离时，首先需要获 取去除边缘光阻后的控片的图像，然后对图像进行处理才能获取控片上保留的光阻与控片 边沿的距离，操作比较复杂。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型提供一种控片，能够降低边缘光阻去除工艺的优化流程的 复杂性。为达到上述目的，本实用新型的技术方案具体是这样实现的一种控片，自所述控片边缘，沿所述控片径向方向开设有一个以上组凹槽；其中，每组凹槽中的各凹槽以预设标尺的单位刻度为间距排列、且每组凹槽的总 长度为预设标尺的最大测量长度，以使每组凹槽可作为所述预设标尺测量经边缘光阻去除 工艺后在控片上保留的光阻与控片边缘的距离。所述预设标尺的最大测量长度为4毫米至10毫米中的任一尺寸。一个以上组凹槽等角度分布于所述控片表面。有4组凹槽、以90度为间隔等角度分布于所述控片表面。可见，本实用新型提供了一种控片，自控片边缘，沿控片径向方向开设有若干组凹槽，每组凹槽中的各凹槽以预设标尺的单位刻度为间距排列、且每组凹槽的总长度为预设 标尺的最大测量长度，以使每组凹槽可作为所述预设标尺测量经边缘光阻去除工艺后在控 片上保留的光阻与控片边缘的距离，这样，可根据控片上的预设标尺的读数直接测量出控 片上保留的光阻与控片边沿的距离，如果控片上保留的光阻与控片边沿的距离不满足工艺标准，则调整当前的边缘光阻去除工艺的参数，例如WEE或EBR的参数，从而简化了边缘光 阻去除工艺的优化流程，降低了边缘光阻去除工艺的优化流程的复杂性。
图1为本实用新型所提供的一种控片的实施例的结构图。图2为采用本实用新型所提供的控片的边缘光阻去除工艺的优化方法的实施例 的流程图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施 例，对本实用新型进一步详细说明。图1为本实用新型所提供的一种控片的实施例的结构图，如图1所示，自控片101 边缘，沿控片101径向方向开设有若干组凹槽，每组凹槽中的各凹槽以预设标尺102的单位 刻度为间距排列、且每组凹槽的总长度为预设标尺102的最大测量长度，以使每组凹槽可 作为所述预设标尺102测量经边缘光阻去除工艺后在控片101上保留的光阻与控片101边 缘的距离。需要说明的是，预先采用光刻和蚀刻的方法在控片101边缘形成若干组凹槽，每 组凹槽中的各凹槽以预设标尺102的单位刻度为间距排列、且每组凹槽的总长度为预设标 尺102的最大测量长度，其中，光刻和蚀刻的具体方法为预先形成包括若干组凹槽图案的 掩膜，然后在旋涂有光阻的控片上施加掩膜，并进行曝光、显影，从而在控片101上形成若 干组凹槽的光阻图案，按照若干组凹槽的光阻图案进行干法蚀刻，最终在控片101上形成 若干组凹槽，其中，干法蚀刻的气体主要为溴化氢(HBr)气体。然后在控片101的整个表面涂覆光阻，并按照当前的WEE或EBR参数去除控片101 边缘的光阻，最后可根据控片101上预设标尺102的读数直接测量出控片101上保留的光 阻与控片边沿的距离，如果控片101上保留的光阻与控片101边沿的距离不满足工艺标准， 则调整当前的边缘光阻去除工艺的参数，例如WEE或EBR参数，以对边缘光阻去除工艺进行 优化。在实际应用中，若干组凹槽等角度分布于所述控片101表面，当进行TOE或EBR 时，控片101处于旋转状态，控片101上保留的光阻的形状近似为圆形，所以在控片101的 边缘无需设置过多组凹槽，在本实用新型中，有4组凹槽、以90度为间隔等角度分布于控片 101表面。优选地，预设标尺102的最大测量长度为4毫米至10毫米中的任一尺寸。采用本实用新型所提供控片能够简化边缘光阻去除工艺的优化流程，图2为采用 本实用新型所提供的控片的边缘光阻去除工艺的优化方法的实施例的流程图，如图2所 示，该方法包括步骤201，提供一控片，自控片边缘，沿控片径向方向开设有四组凹槽，每组凹槽中 的各凹槽以预设标尺的单位刻度为间距排列，且四组凹槽以90度为间隔等角度分布于控 片表面。步骤202，在控片的整个表面涂覆光阻，并按照当前的WEE或EBR参数去除控片边缘的光阻。步骤203，根据预设标尺的读数来读取控片上保留的光阻与控片边沿的距离，如果控片上保留的光阻与控片边沿的距离不满足工艺标准，则调整当前的WEE或EBR参数，并执 行步骤202 ；如果控片上保留的光阻与控片边沿的距离满足工艺标准，则结束流程。预先采用光刻和蚀刻的方法在控片边缘形成若干组凹槽，每组凹槽中的各凹槽以 预设标尺的单位刻度为间距排列。这样，就能够根据预设标尺的读数来读取控片上保留的 光阻与控片边沿的距离，并判断该距离是否满足工艺标准，以此来调整工艺参数以达到优 化工艺的目的，整个操作流程比较简单。至此，本流程结束。可见，本实用新型所提供的控片包括沿控片径向方向开设的若干组凹槽，每组凹 槽中的各凹槽以预设标尺的单位刻度为间距排列、且每组凹槽的总长度为预设标尺的最大 测量长度，这样，可根据控片上预设标尺的读数直接测量出控片上保留的光阻与控片边沿 的距离，如果控片上保留的光阻与控片边沿的距离不满足工艺标准，则调整当前的边缘光 阻去除工艺的参数，例如WEE或EBR的参数，从而降低了边缘光阻去除工艺的优化流程的复 杂性。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范 围。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换以及改进等，均应包含 在本实用新型的保护范围之内。
权利要求一种控片，其特征在于，自所述控片边缘，沿所述控片径向方向开设有一个以上组凹槽；其中，每组凹槽中的各凹槽以预设标尺的单位刻度为间距排列、且每组凹槽的总长度为预设标尺的最大测量长度，以使每组凹槽可作为所述预设标尺测量经边缘光阻去除工艺后在控片上保留的光阻与控片边缘的距离。
2.根据权利要求1所述的控片，其特征在于，所述预设标尺的最大测量长度为4毫米至 10毫米中的任一尺寸。
3.根据权利要求1或2所述的控片，其特征在于，一个以上组凹槽等角度分布于所述控 片表面。
4.根据权利要求3所述的控片，其特征在于，有4组凹槽、以90度为间隔等角度分布于 所述控片表面。
专利摘要本实用新型公开了一种控片，自所述控片边缘，沿所述控片径向方向开设有一个以上组凹槽；其中，每组凹槽中的各凹槽以预设标尺的单位刻度为间距排列、且每组凹槽的总长度为预设标尺的最大测量长度，以使每组凹槽可作为所述预设标尺测量经边缘光阻去除工艺后在控片上保留的光阻与控片边缘的距离。采用该控片能够降低边缘光阻去除工艺的优化流程的复杂性。
文档编号H01L21/00GK201570490SQ20092021017
公开日2010年9月1日 申请日期2009年9月25日 优先权日2009年9月25日
发明者吴逸丰, 肖楠 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司