集成薄膜太阳能电池及其制造方法

专利名称：集成薄膜太阳能电池及其制造方法
技术领域：
本发明涉及集成薄膜太阳能电池及其制作方法。
背景技术：
太阳能电池作为将太阳光能直接转换为电力的半导体元件，根据其使用的材质分 为硅系、化合物系和有机物系。而且，硅系太阳能电池根据半导体相(phase)细分为单晶硅(singlecrystalline silicon ；c_Si)、多晶娃(polycrystalline silicon ；poly-Si)禾口 非晶娃(amorphous silicon ；a-Si:H)太阳能电池。另外，太阳能电池根据半导体厚度分为块(基板)型太阳能电池和薄膜型太阳能 电池，其中，薄膜型太阳能电池是半导体层厚度为数10 μ m 数μ m的太阳能电池。硅系太阳能电池中，单晶硅和多晶硅太阳能电池属于块型太阳能电池，非晶硅太 阳能电池属于薄膜型太阳能电池。另一方面，化合物系太阳能电池分为块型(例如，III- V族的GaAS(Gallium Arsenide)和 InP(Indium Phosphide)等)和薄膜型(例如，II - VI族的 CdTe (Cadmium Telluride)和 I - III - VI族的 CulnSe2 (CIS ；CopperIndium Diselenide)等)，有机物系太 阳能电池大体上分为有机分子型和有机无机复合型。除此之外还有染料敏化太阳能电池， 这些均属于薄膜型太阳能电池。在如上所述的多种太阳能电池中，能量转换效率高且制造费用相对低廉的块型硅 太阳能电池作为主要的地上电力而被广泛应用。然而，最近块型硅太阳能电池随着其需求的急剧增加，出现因缺乏原料而导致价 格上升的趋势。而且，为了开发出针对大规模地用于地上电力的太阳能电池的低价化和 批量化技术，迫切需要开发出将硅原料节省至目前使用量的数百分之一的薄膜型太阳能电 池。图Ia 图If表示目前常用的a_Si:H薄膜太阳能电池的集成化方法。首先，在玻 璃基板1上形成透明电极层2 ；将基板1翻过来并对透明电极层2进行激光刻槽；刻槽后将 基板再次翻过来对残留物进行洗净和干燥并沉积薄膜太阳能电池层3 ；为了刻槽薄膜太阳 能电池，再次将基板1翻过来并对薄膜太阳能电池层3进行刻槽；之后可再次洗净基板1 ； 然后形成内电极层4 ；最后，再将基板1翻过来并对内电极层4进行刻槽，然后可以再次洗 净已刻槽的基板1。目前常用的集成化技术中，为了对透明电极层2、薄膜太阳能电池层3 和内电极层4进行刻槽，至少需要3次的激光刻槽。由于在每次刻槽中会损失面积且通过 各刻槽之间的工序差异而在单元电池间产生约250 μ m 300um的无效间隔，因此导致相当 于单元电池面积的3 4%的无效面积。另外，由于激光刻槽必须在大气中完成，因此存在 因暴露于大气中而导致薄膜太阳能电池的性能降低、因真空状态和大气状态之间的重复工 序而导致生产性低下且在整个工序中必须设有洁净室(clean room)等的问题。根据现有的集成化技术而集成的薄膜太阳能电池中，由于导线厚度为3mm 5mm，因此接出+端和-端的母线区必须具有比所述厚度还厚的厚度。为了对太阳能电池层和内 面电极层进行3mm 5mm以上宽度的刻槽，需要进行好几次的激光刻槽。然而，这种激光刻 槽工序的增加是非常低效的。

发明内容
本发明的集成薄膜太阳能电池的制作方法包括以下步骤准备沟槽按照间隔有一 定距离的方式形成的基板；通过第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上 形成第一电极层；在没有形成所述第一电极层的沟槽的一部分和所述第一电极层上形成太 阳能电池层；倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电 极层；对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻，以使所述第一电极层暴露；通过倾 斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层，以使所述暴 露的第一电极层和所述第二电极层电连接。本发明的集成薄膜太阳能电池包括基板，其中形成有以一定距离间隔开的沟槽； 第一电极层，形成在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上；太阳能电池层，形成在所述基 板和所述第一电极层上以使部分所述第一电极层暴露；第二电极层，形成在所述太阳能电 池层上；导电层，形成在所述第二电极层上以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层 电连接。


图Ia 图If为根据现有技术的集成薄膜太阳能电池的制造方法；图2a 图2k为根据本发明实施例1的集成薄膜太阳能电池的制造方法；图3a 图3g为根据本发明实施例2的集成薄膜太阳能电池的制造方法；图4a 图4h为根据本发明实施例3的集成薄膜太阳能电池的制造方法；图5a 图5g为根据本发明实施例4的集成薄膜太阳能电池的制造方法。
具体实施例方式下面，参照附图，对本发明的优选实施例进行详细说明。以下说明的本发明的实施例中，集成薄膜太阳能电池通过下述方法制造准备基板200，300，400，500，其中，沟槽 205a, 205b, 305a, 305c, 305e,405,406, 505a，505b按照间隔有一定距离的方式形成在基板200，300，400，500上；利用第一导电性物质在沟槽205a, 205b, 305a, 305c, 305e，405，406，505a, 505b 的 各个部分底面和一个侧面上形成第一电极层210a，210b，310a，310b，310b’，310c，310c’， 310d，410a，410b，410c，510a，510b，510c。太阳能电池层230，320，420，520形成在没有形成第一电极层210a，210b，310a， 310b，310b，，310c，310c，，310d，410a，410b，410c，510a，510b，510c 的沟槽 205a,205b, 305a, 305c, 305e，405，406，505a, 505b 的一部分和第一电极层 210a, 210b, 310a, 310b, 310b，，310c，310c，，310d，410a，410b，410c，510a，510b，510c 上。倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在太阳能电池层230，320，420，520上以 形成第二电极层 240a, 240b, 240c, 330a, 330b, 330b，，330c, 330c，，330d, 430a, 430a，，430b,430b，，430c,530a,530b,530c。对形成在沟槽205a, 205b, 305a, 305c, 305e，405，406，505a, 505b 上的太阳能电池 层 230，320，420，520 进行蚀刻，以使所述第一电极层 210a，210b，310a，310b，310b，，310c， 310c，，310d，410a，410b，410c，510a，510b，510c 暴露。通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层240a，240b, 240c, 330a, 330b, 330b，，330c, 330c，，330d, 430a, 430a，，430b，430b，，430c, 530a, 530b, 530c 上的 方式形成导电层 250a, 250b, 250c, 340a, 340b, 340b，，340c, 340c，，340d, 450a, 450b, 450c, 540a, 540b, 540c,以使所述暴露的第一电极层 210a, 210b, 310a, 310b, 310b，，310c, 310c，， 310d, 410a, 410b, 410c, 510a, 510b, 510c 和所述第二 电极层 240a, 240b, 240c, 330a, 330b, 330b，，330c, 330c，，330d, 430a, 430a，，430b，430b，，430c, 530a, 530b, 530c 电连接。另外，根据本发明实施例的集成薄膜太阳能电池包括基板200，300，400，500 ；第 一电极层 210a，210b，310a，310b，310b，，310c，310c，，310d，410a，410b，410c，510a，510b， 510c ；太阳能电池层 230，320，420，520 ；第二 电极层 240a, 240b, 240c, 330a, 330b, 330b', 330c, 330c，，330d, 430a, 430a，，430b，430b’，430c, 530a, 530b, 530c 和导电层 250a, 250b, 250c, 340a, 340b, 340b，，340c,340c，，340d,450a,450b,450c,540a,540b,540c。在基板200，300，400，500上形成按照一定距离相间隔的沟槽205a，205b，305a， 305c,305e，405，406，505a,505b。第一电极层210a，210b，310a，310b，310b，，310c，310c，，310d，410a，410b，410c， 510a, 510b, 510c 形成在沟槽 205a, 205b, 305a, 305c, 305e，405，406，505a, 505b 的各个部分 底面和一个侧面上。太阳能电池层230，320，420，520形成在基板200，300，400，500和第一电极层 210a，210b，310a，310b，310b，，310c，310c，，310d，410a，410b，410c，510a，510b，510c 上， 以使第一电极层 10a，210b，310a，310b，310b，，310c，310c，，310d，410a，410b，410c，510a， 510b, 510c的一部分暴露。第二电极层 240a, 240b, 240c, 330a, 330b, 330b，，330c, 330c，，330d, 430a, 430a，， 430b，430b，，430c，530a，530b，530c 形成在太阳能电池层 230，320，420，520 上。导电层250a，250b，250c，340a，340b，340b，，340c，340c，，340d，450a，450b，450c， 540a, 540b, 540c 形成在第二 电极层 240a，240b，240c，330a，330b，330b，，330c，330c，， 330d，430a，430a，，430b，430b，，430c，530a，530b，530c 上，以使暴露的第一电极层 210a, 210b，310a，310b，310b，，310c，310c，，310d，410a，410b，410c，510a，510b，510c 和第 二电极 层 240a,240b,240c,330a,330b，330b，，330c,330c，，330d,430a,430a，，430b，430b，，430c, 530a, 530b, 530c 电连接。以下参照附图，对如上所述的、根据本发明实施例的集成薄膜太阳能电池及其制 造方法进行详细说明。实施例1图2a 图2k为根据本发明实施例1的集成薄膜太阳能电池的制造方法。参照图2a 2k，基板200的沟槽205a，205b之间的区域是单元电池区201a，201b， 201c。另外，在基板200上形成有第一电极层210a，210b、其它电极层220a，220b，220c、太 阳能电池层230a, 230b, 230c、第二电极层240a, 240b, 240c和导电层250a, 250b, 250c,且形
7成有母线区的导电膏260。参照图2a，准备沟槽205a，205b按照间隔有一定距离的方式而形成的基板200，并 以此来定义单元电池区201a，201b，201c。基板200是构成集成薄膜太阳能电池的主体。基 板200作为光一次性入射到的部分，使用光透射率良好的透明绝缘性材质为宜。例如，可选 自钠钙玻璃、普通玻璃或钢化玻璃中的一种。除此之外，也可以是聚合物材质的聚合物基板 或纳米复合体(nano composit)基板。纳米复合体是纳米离子以分散相的方式分散在分散 介质(matrix，连续相)中的一个体系。分散介质可以是聚合物、金属或陶瓷，纳米粒子可以 是聚合物、金属或陶瓷。在基板200上形成沟槽205a，205b。通过沟槽205a，205b来定义单元电池区201a， 201b，201c。通过以后工序在单元电池区201a，201b，201c上形成单元电池。在熔融玻璃基 板、聚合物基板或纳米复合体基板等的状态下，在玻璃基板、聚合物基板或纳米复合体基板 等变硬之前通过压印加工(embossing)形成条形沟槽(stripe trench)结构。而且也可以 利用热压印(hot-embossing)法在没有熔融的所述基板上形成沟槽205a，205b。另外，基板200可以包括被覆在所述玻璃上的聚合物、或者玻璃和被覆在玻璃上 的纳米复合体材质的薄膜。此时，通过热压印法能够在聚合物或纳米复合体材质的薄膜上 形成沟槽。而且，在玻璃上被覆聚合物或纳米复合体材质的薄膜的过程中，也可以通过压印 加工使沟槽形成在聚合物或纳米复合体材质的薄膜上。此时，聚合物或纳米复合体材质可 以包括热固性材质或UV固化性材质。于被覆在玻璃上的聚合物或纳米复合体材质的薄膜上形成沟槽，因此与直接在玻 璃上形成沟槽的情况相比易于形成沟槽。另外，除了压印或热压印法，沟槽205a，205b也可以通过湿式蚀刻、干式蚀刻、机 械加工或激光等光学加工中的一种方法来形成。关于基板材质和沟槽形成方法的上述说明，均适用于后述的实施例2 实施例4。参照图2a，利用第一导电性物质在沟槽205a，205b的各个特定区域和与沟槽 205a, 205b相邻的单元电池区201a，201b，201c的各个特定区域形成第一电极层210a， 210b。如图2a所示，沟槽205a，205b的各个特定区域是由各沟槽的底面和一个侧面构成的 区域。在实施例1中，第一电极层210a，210b是为了与相邻的单元电池区以串联连接的 方式电连接而形成的，而且能够使产生自单元电池的电流有效地传送至相邻的其它单元电 池。在用于之后形成的其它电极层的透明电极物质的情况下，其电阻比金属物质大。通过 这样的透明电极物质无法有效传送产生自单元电池的电流，因此有可能降低薄膜太阳能电 池的整个效率。为了防止这种薄膜太阳能电池的效率降低，第一电极层可由电阻小于构成 其它电极层的透明电极物质的金属物质来构成。由此，对于本发明实施例1中用于形成第一电极层210a，210b的第一导电性物质， 可以包括铝(Al)、银(Ag)、锌(Zn)或铬(Cr)中的至少一种。第一电极层210a，210b可通 过利用金属掩膜(metal mask)的沉积法、喷墨(ink jet)、喷雾(jet spray)、丝网印刷 (screen printing)、纳米压印(nano imprint)或冲压(stamping)中的一种方法来形成。参照图2b，在单元电池区201a，201b, 201c上形成有第一电极层210a，210b和其它 电极层 220a，220b，220c。
其它电极层220a，220b，220c可通过透明导电性物质来形成，以使太阳光通过基 板200能够入射至太阳能电池层。由此，其它电极层220a，220b，220c可由氧化锌(Zinc Oxide ；ZnO)、氧化锡(Tin Oxide ；SnO2)或氧化铟锡(Indium TinOxide ；ΙΤ0)中的至少一种 来构成。其它电极层220a，220b，220c通过下述方法形成通过将含有用于形成其它 电极层220a，220b，220c的物质的溶胶-凝胶(sol-gel)溶液作为油墨来使用的印刷 (printing)法，此时，即使不使用利用掩膜的光致抗蚀剂法或者聚合物图案，也可以通过将 所述溶胶-凝胶溶液直接涂布在单元电池区201a，201b，201c上而形成其它电极层220a， 220b，220c。此时，虽然能够通过使用辊子等将所述溶胶-凝胶溶液直接涂布在单元电池区 201a, 201b, 201c上，但并不限定于此。另一方面，对于通过印刷法而形成的其它电极层，由 于该电极层的电阻有可能较高，因此能够在大气或氮气等环境下进行热处理。在这样的方法中，不经过通过掩膜作业来完成的蚀刻工序就能够直接形成带状图 案的其它电极层220a，220b, 220c。如此地，当利用印刷法形成其它电极层220a，220b, 220c 时，其工序比较简单，且不需要如现有工序的、用于激光刻槽的高价设备，因此能够节省制 造成本。参照图2c，在沟槽205a，205b中没有形成第一电极层210a，2IOb的部分、第一电极 层210a，210b和其它电极层220a，220b，220c上，形成太阳能电池层230。太阳能电池层230由光电物质构成。太阳能电池层230由太阳光入射时能够产 生电流的任一种物质来形成。例如，太阳光电池层230可由硅系列、化合物系列、有机物 系列和干式染料敏化系列的光电物质中的一种物质形成。其中，硅系列太阳能电池可使 用单结非晶娃太阳能电池(amorphous silicon (a-Si :H) single junction solar cell)、 多结非晶硅太阳能电池(a-Si:H/a-Si:H, a-Si :H/a_Si :H/a_Si :H multi-junction solar cell)、非晶娃错单结太阳能电池(amorphous si 1 icon-germanium(a-SiGe:H) single junction solar cell)非晶硅/非晶硅锗双结太阳能电池(a-Si :H/a_SiGe :H double junction solar cell)、非晶硅/非晶硅锗/非晶硅锗三结太阳能电池(a_Si :H/a-SiGe:H/ a-SiGe:H triple junction solarcell)和非晶硅/微晶硅(多晶硅)双结太阳能电池 (amorphoussilicon/microcrystalline(poly)silicon double junction solar cell)中 的一种。如上所述的实施例1的太阳能电池层均适用于实施例2 实施例4。参照图2d，第二导电性物质被倾斜释放且沉积在太阳能电池层230上(ODl)，由此 形成第二电极层240a，240b，240c。如图2d所示，在形成有沟槽205a，205b和太阳能电池层230的基板200上，第二 导电性物质以θ 1的角度被倾斜释放(ODl)。当第二导电性物质以θ 1的角度被倾斜释放 时，根据沉积的平直性第二导电性物质沉积在太阳能电池层230上。在形成于基板200上 的沟槽205a，205b上和以θ 1的角度形成在沟槽205a，205b上的、部分太阳能电池层230 上不沉积第二导电性物质。此时，虽然利用电子束或热蒸镀等的沉积法，但并不限定于此。根据上述方法，利用第二导电性物质形成自对准(self-alignment)的第二电极 层240a，240b，240c。第二导电性物质可包括透明导电性物质、铝(Al)、银(Ag)、锌(Zn)或 铬(Cr)中的至少一种。此时，透明导电性物质可包括2110、51102或1110。该第二导电性物质
9的成分均适用于实施例2 实施例4。参照图2e，对形成在沟槽205a，205b上的太阳能电池层230进行蚀刻，以使第一电 极层210a，210b暴露。此时，由于将第二电极层240a，240b，240c作为掩膜来使用，因此太阳能电子层 230实质上被垂直蚀刻。在此，被蚀刻的部分是没有形成第二电极层240a，240b，240c的 太阳能电池层230的部分区域e。蚀刻方法优选利用如反应性离子蚀刻法(Reactive Ion Etching ；RIE)等干式蚀刻工序，但并不限定于此。如此地，由于通过自对准的第二电极层240a，240b，240c无需掩膜就能够进行太 阳能电池层230的微蚀刻，因此能够使单元电池间的绝缘距离在数10 μ m 数μ m左右。这 样的绝缘间隔与现有的、利用等离子体的化学气相处理方法和利用激光束的激光刻槽形成 的单位电池之间的绝缘间隔相比能够减少数十 数百倍以上，由此能够使薄膜太阳能电池 的有效面积极大化。另一方面，通过上述方法等蚀刻太阳能电池层230，由此在单元电池区 上形成太阳能电池层图案230a，230b，230c。如此地，通过蚀刻太阳能电池层230的工序以 使形成在沟槽205a，205b的第一电极层210a，210b暴露。如上所述的蚀刻方法均适用于实施例2 实施例4。参照图2f，导电层250a通过将第三导电性物质倾斜沉积在第二电极层240a上的 方式形成(0D2)，以使与形成在一个单元电池区(例如，201b)的其它电极层220b相连接 的第一电极层210a与形成在与上述一个单元电池区201b相邻的其它单元电池区(例如， 201a)上的第二电极层240a电连接。由此，沟槽内部的第一电极层210a和导电层250a相连接。通过蚀刻工序，在单元电池之间形成规定的绝缘间隔的状态下，利用与沉积第二 导电性物质相同的方法沉积第三导电性物质。即，当利用电子束或热蒸镀器以θ 2的角度 倾斜释放出第三导电性物质(0D2)时，根据沉积的平直性，第三导电性物质沉积在除了通 过蚀刻而被暴露的第一电极层210a的部分区域f之外的剩余部分上。由此形成导电层 250a，250b，250c。此时，第三导电性物质可包括透明导电性物质、铝(Al)、银(Ag)、锌(Zn) 或铬(Cr)中的至少一种。透明导电性物质可包括2110、51102或1110。该第三导电性物质的 成分均适用于实施例2 实施例4。通过导电层250a，250b，250c的形成，以使与形成在一个单元电池区(例如，201b) 的其它电极层220b相连接的第一电极层210a与形成在与上述一个单元电池区201b相邻 的其它单元电池区(例如，201a)上的第二电极层240a电连接。由此，单元电池201a，201b 能够以串联连接的方式电连接。参照图2g和图2h，在集成化的薄膜太阳能电池的基板的特定区域的一个以上的 沟槽内填埋有导电膏260，由此形成母线区。此时，如图2h所示，当多个沟槽被导电膏填埋 时，填埋有导电膏的沟槽之间的间隔可以小于相当于非母线区的太阳能电池区的沟槽之间 的间隔。即，由于母线区不产生电流，因此母线区的各个沟槽之间的间隔有可能比产生电流 的太阳能电池区的沟槽之间的间隔小。该母线区特征均适用于后述的实施例2 实施例4。在本发明的实施例1中，基板最外围的沟槽与其相邻接的沟槽之间的区域可以为 母线区，且母线区可以为3mm 5mm。在该母线区的沟槽上进行上述的如图2a 图2f的工 序。
采用导电膏260填埋相当于母线区的沟槽后，在导电膏260上粘结有如导电带等 的母线(未图示)，因此形成自太阳能电池层230c'的电流通过母线而流向外部。该母线将产生自集成化的薄膜太阳能电池的电流有效供给到外部。另外，根据不 同的沟槽数量母线区有可能发生变化，因此能够对应多样的母线宽度且能够增加母线与导 电膏的粘结力。导电膏260可包括铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)，锌(Zn)、镍(Ni)或铬(Cr) 中的至少一种。作为采用导电膏260进行填埋的方法使用印刷法、喷墨、喷雾、丝网印刷、纳 米压印或冲压等方法。在上述方法中，不需要通过掩膜作业完成的蚀刻工序，就可以通过低温工序直接 形成图案化的母线区。另外，工序比较简单且无需高价设备，因此能够节省制造成本。通过 本实施例形成母线区时，不需要用于形成母线的激光刻槽工序，因此能够快速简便地形成 母线区。另一方面，通过图2d所示的过程形成第二电极层240a，240b，240c，然后在蚀刻太 阳能电池层230之前形成短路防止层以防止电极层之间的短路。S卩，如图2d和图2e所示， 通过自对准的第二电极层240a，240b，240c进行蚀刻后，有可能在第二电极层240a，240b， 240c的末端与第一电极层210a，210b之间、第二电极层240a，240b, 240c的末端与其它电极 层220a，220b, 220c之间发生短路。为了防止发生这样的短路现象，如图2i所示，从释放出图2d的第二导电性物质的 一侧相对而置的侧面开始，短路防止物质以θ 3的角度被倾斜释放且沉积在太阳能电池层 230和第二电极层240a，240b, 240c上。然后，如图2 j所示，通过自对准的第二电极层240a， 240b，240c和短路防止层260，对太阳能电池层230进行蚀刻，由此使第一电极层210a，210b暴露。此时的蚀刻区域e'小于图2d中的蚀刻区域e，而且短路防止层260覆盖了第二 电极层240a，240b，240c的末端，由此能够防止第二电极层240a，240b，240c的末端与第一 电极层210a，210b之间、第二电极层240a，240b, 240c的末端与其它电极层220a，220b, 220c 之间发生短路。短路防止层260可由与第二电极层240a，240b，240c相同的物质构成。之后，如图2k所示，第三导电性物质被倾斜释放后被沉积，由此形成导电层250a， 250b，250c。对于图2j的导电层250a，250b，250c及其形成过程，已通过图2f进行了说明， 因此省略。该短路防止层260均适用于后述的实施例2 实施例4。实施例2图3a 3g为根据本发明实施例2的集成薄膜太阳能电池的制作方法。参照图3a 图3g，基板300的沟槽305a，305c，305e之间的区域是单元电池区 301a，301b, 301c。另外，在基板 300 上形成有槽 305b, 305d、第一电极层 310a, 310b, 310c， 310d、太阳能电池层320、第二电极层330a，330b, 330c和导电层340a，340b, 340c、母线区的 导电膏350。虽然没有图示，但在单元电池区301a，301b，301c的各个规定区域形成有多个 槽 305b,305do参照图3a，准备沟槽305a，305c，305e按照间隔有一定距离的方式而形成的、且在 相邻的沟槽305a和305c、305c和305e之间形成有槽305b和305d的基板300。
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在单元电池区301a，301b，301c的各个规定区域形成有槽305b，305d。槽305b， 305d通过以后的工序而成为透射太阳光的区域。另一方面，槽305b，305d通过与前述的实 施例1中的沟槽形成方法相同的方法形成。本发明实施例2中，其可以使用预先形成有沟槽305a，305c，305e和槽305b，305d 的基板300，也可以包括在基板300上形成沟槽305a，305c，305e和槽305b，305d的步骤。 另外，也可以同时形成沟槽305a，305c, 305e和槽305b，305d。如图3a所示，槽305b，305d可以按照宽度小于沟槽305a，305c，305e的宽度且深 度与沟槽305a，305c, 305e的深度相同的方式形成。或者，虽然没有图示，但槽305b，305d可 按照深度比沟槽305a，305c, 305e的深度深且宽度与沟槽305a，305c, 305e的宽度相同的方 式形成。如此形成的理由是通过以后倾斜沉积第一、第二和第三导电性物质的工序，使得第 一、第二和第三导电性物质不沉积在槽305b，305d的底面上的缘故。由此，无需对槽305b， 305d的底面进行去除第一、第二和第三导电性物质的蚀刻工序。由此，只要在以后的工序中 对形成在槽305b，305d的底面的太阳能电池层进行蚀刻工序，就可以通过槽305b，305d的 底面透射太阳光。参照图3a，第一导电性物质从一侧被倾斜释放出来(ODl)，并沉积在形成有单元 电池区301a，301b，301c的基板300上的沟槽305a，305c，305e的部分底面和一个侧面上， 由此形成第一导电层310a，310b，310b‘，310c，310c‘，310d。实施例2的第一导电层310a， 310b，310b'，310c，310c'，310d与实施例1的第一导电层210a，210b不同的是，在与沟槽 相邻接的基板表面上也形成第一导电层。由此，可以不形成实施例1的其它电极层220a， 220b，220c。当第一导电性物质以θ 1的角度被倾斜释放(ODl)时，根据沉积的平直性第一导 电性物质沉积在基板300上，由此形成第一导电层310a，310b，310b ‘，310c，310c ‘，310d。 由于与形成在基板300上的沟槽305a，305c, 305e和槽305b，305d呈θ 1的角度，因此在沟 槽305￡1，305(，3056的部分区域(1和槽30513，305(1的底面(1'，上不沉积第一导电性物质。 此时，利用电子束或热蒸镀等沉积法，但并不限定于此。形成在单元电池区301b的槽305b，305d可以为圆形或多角形或椭圆形且均勻分 布在单元电池区上。在此，第一导电性物质可包括氧化锌(Zinc Oxide ;ZnO)、氧化锡(Tin Oxide ； SnO2)、氧化铟锡(Indium Tin Oxide ； I TO)中的至少一种。参照图3b，在没有形成第一电极层310a，310b，310c，310d的沟槽305a，305c， 305e、槽 305b，305d 的部分区域和第一电极层 310a, 310b, 310b‘，310c，310c'，310d 上形 成太阳能电池层320。太阳能电池层320由光电物质构成。太阳能电池层320可以由太阳光入射时能够 产生电流的任一种物质来形成。参照图3c，第二导电性物质按照与上述侧面的相对侧的其他侧面呈θ 2的角度 的方式被倾斜释放且沉积在太阳能电池层320上(0D2)，由此形成第二电极层330a，330b， 330c。由于与形成在基板300上的沟槽305a，305c, 305e呈θ 2的角度，因此在形成于沟 槽305a，305c, 305e上的太阳能电池层320的部分区域e上并不形成第二导电性物质。此
12时，利用电子束或热蒸镀等沉积法，但并不限定于此。另一方面，没有形成第二导电性物质 的部分区域e是在以后的工序中被蚀刻的部分。在形成于槽305b，305d的底面上的太阳能 电池层320的e"部分，不沉积第二导电性物质。参照图3d，对形成在上述沟槽305a，305c，305e上的太阳能电池层320进行蚀刻以 使第一电极层 310a，310b，310b'，310c，310c'，310d 暴露。另外，对形成于槽 305b，305d 的太阳能电池层320也进行蚀刻，以使太阳光通过槽305b，305d而透射进来。S卩，由于槽 305b, 305d的底面e〃被暴露，因此太阳光能够通过槽305b，305d的底面e〃而透射进来。此时，第二电极层330a，330b，330c作为掩膜来使用，因此太阳能电池层320实质 上被垂直蚀刻。被蚀刻的部分是没有形成第二导电性物质的太阳能电池层320的部分区域 e和形成在没有沉积第二导电性物质的槽305b，305d的底面e〃上的太阳能电池层320。如 此地，由于形成了自对准的第二电极层330a，330b，330c，且该第二电极层330a，330b，330c 作为掩膜来使用，因此不需要其它的掩膜。另一方面，太阳能电池层320通过上述方法等而被蚀刻，因此在单元电池区上形 成太阳能电池层图案320a，320b，320c。通过这种蚀刻太阳能电池层320的工序，形成在沟 槽 305a, 305c, 305e 上的第一电极层 310a, 310b, 310c, 310d 被暴露。另外，槽 305b, 305d 的 底面e〃被暴露。对于形成在沟槽305a，305c，305e和槽305b，305d上的太阳能电池层的蚀 刻，实质上可以同时进行。参照图3e，导电层340a，340b，340b，，340c，340d通过倾斜释放出第三导电性物质 并将其沉积在第二电极层(例如，330a)上的方式形成(0D3)，以使第一电极层310a与第二 电极层330a在相邻单元电池区(例如，301b和301a)之间的沟槽处(例如，305a)电连接， 其中，第一电极层310b形成在一个单元电池区(例如，301b)上，第二电极层330a形成在与 上述一个单元电池区301b相邻接的其它单元电池区(例如，301a)上。由此，沟槽(例如， 305a)内部的第一电极层(例如，310b)和导电层(例如，340a)相连接。通过蚀刻工序，在单元电池之间形成规定的绝缘间隔的状态下，利用与沉积第二 导电性物质相同的方法沉积第三导电性物质。即，当利用电子束或热蒸镀器以θ 3的角度 倾斜释放出第三导电性物质(0D3)时，根据沉积的平直性，第三导电性物质沉积在除了通 过蚀刻而暴露的第一电极层310a，310b，310c，310d的部分区域f之外的剩余部分上，由此 形成导电层 340a, 340b, 340b，，340c, 340c, 340c，，340d。此时，如上所述，在槽 305b, 305d 的 底面e〃上不沉积第三导电性物质。通过导电层340a，340b, 340b，，340c, 340c, 340c，，3340d 的形成，形成在一个单元 电池区(例如，301b)的第一电极层310b与形成在与相同单元电池区301b相邻的其它单元 电池区(例如，301a)上的第二电极层330a电连接，而且各个单元电池区之间以串联连接的 方式电连接。参照图3f和图3g，采用导电膏350填埋分别形成在集成薄膜太阳能电池的基板的 两侧外围的沟槽和与其相邻的其它沟槽，由此形成母线。对于母线区和导电膏，已在上述实 施例1中进行了说明，因此省略其详细说明。在实施例2的各个步骤中，无需位置控制装置就可以通过自对准来完成，因此通 过比较简单的工序就可以制造出集成薄膜太阳能电池。根据本实施例，可制造出透光型 (see-through type)集成薄膜太阳能电池。本实施例中，作为基板300使用透明聚合物或
13透明纳米复合体物质时，能够制造出附着在住宅或汽车玻璃上的柔软的集成薄膜太阳能电 池。实施例3图4a 图4h为根据本发明实施例3的集成薄膜太阳能电池的制造方法。参照图4a 图4h，在基板400上形成沟槽405，406，并通过沟槽405，406中的沟 槽405来定义单元电池区401a，401b，401c。沟槽405虽然起到与实施例1，2中的沟槽相 同的功能，但沟槽406是形成在单元电池区401a，401b，401c的各个规定区域上的沟槽。另 外，在基板400上形成有第一电极层410a，410a'，410b，410b'，410c、太阳能电池层420、 太阳能电池层内的中间层425、第二电极层430a, 430a‘，430b，430b ‘，430c、绝缘物质440 和导电层 450a，450a' ,450b,450b‘，450c。参照图4a，准备沟槽405，406，按照间隔有一定距离的方式而形成的基板400。多 个沟槽405形成在基板400上，用作定义单元电池区401a，401b，401c。通过以后工序在单 元电池区401a，401b，401c上形成单元电池。在单元电池区401a，401b，401c的各个规定区 域上形成沟槽406，该沟槽406在以后的工序中被绝缘物质填埋。参照图4a，第一导电性物质被倾斜释放(ODl)且沉积在基板400的各个沟槽405， 406的部分底面和一个侧面上。由此形成第一电极层410a，410a'，410b，410b'，410c。如图4a所示，在形成有沟槽405，406的基板400上，以θ 1的角度倾斜释放出第 一导电性物质(ODl)。由此，根据沉积的平直性，在沟槽405，406的部分区域d不沉积第一 导电性物质。第一导电性物质的沉积可通过电子束或热蒸镀等的沉积方法来进行，但并不 限定于此。通过上述方法，第一电极层410a，410a'，410b，410b'，410c通过第一导电性物 质的沉积而形成。在一个单元电池区中，第一电极层通过沟槽406而被分成两部分(410a 和410a'，或者410b和410b，)。在此，第一导电性物质可包括氧化锌(Zinc Oxide ；ZnO)、 氧化锡(Tin Oxide ； SnO2)、氧化铟锡(Indium Tin Oxide ； I TO)中的至少一种。参照图4b，在没有形成第一电极层410a，410a'，410b，410b'，410c的沟槽405， 406的部分区域和第一电极层410a，410a'，410b，410b'，410c上形成太阳能电池层420。 太阳能电池层420由光电物质构成。太阳能电池层420可以由太阳光入射时能够产生电流 的任一种物质形成。另一方面，当薄膜太阳能电池为多结电池时，为了提高薄膜太阳能电池的效率可 在构成多结电池的每个电池的界限上形成中间层425。中间层425可由导电性物质形成。例 如，中间层425可包括金属氧化物、氮化硅、硅化物、碳化硅、透明导电性氧化物中的一种。 透明导电性氧化物可包括氧化锌(ZincOxide ；ZnO)、氧化锡(Tin Oxide ；SnO2)、氧化铟锡 (Indium Tin Oxide ；IT0)中的至少一种。参照图4c，第二导电性物质以θ 2的角度被倾斜释放(0D2)且沉积在太阳能电池 层420上，由此形成第二电极层430a，430a' ,430b,430b‘，430c。在形成有沟槽405，406 和太阳能电池层420的基板400上，以θ 2的角度倾斜沉积第二导电性物质。当第二导电 性物质被倾斜沉积时，根据沉积的平直性，形成在沟槽405，406上的太阳能电池层420的部 分区域e上不沉积第二导电性物质。此时，虽然利用电子束或热蒸镀等的沉积法，但并不限 于此。通过上述方法，利用第二导电性物质形成自对准的第二电极层430a，430a'，430b，430b‘，430c。另一方面，太阳能电池层420的部分区域e在以后的工序中被蚀刻掉。参照图4d，对形成在沟槽405，406的太阳能电池层420进行蚀刻，以使第一电极 层 410a，410a'，410b，410b'，410c 暴露。此时，第二电极层 430a，430a'，430b 作为掩膜 来使用，因此太阳能电池层420实质上被垂直蚀刻。被蚀刻的部分是没有形成第二导电性 物质的太阳能电池层420的部分区域e。另一方面，通过上述方法等对太阳能电池层420进行蚀刻，由此在单元电池区上 形成太阳能电池层图案。如此地，通过蚀刻太阳能电池层420的蚀刻工序，形成在沟槽405， 406 的第一电极层 410a，410a' ,410b,410b'，410c 被暴露。参照图4e，采用绝缘物质440填埋与沟槽405相邻的沟槽406。在此，绝缘物质 440可包括铝氧化物、硅氧化物、瓷漆或它们的混合物，而且通过印刷法、喷墨法、喷雾法、丝 网印刷、纳米压印或冲压的方法填埋沟槽406。在后述中将详细说明在沟槽406上填埋绝缘 物质440的理由。参照图4f，第三导电性物质被倾斜释放出且沉积在第二电极层430a， 430a‘ 430b,430b‘ 430c (0D3)上，由此形成导电层 450a，450b，450c。由此，沟槽(例如， 405)内部的第一电极层(例如，410b)与导电层(例如，450a)相连接。由于第一电极层(例 如，410b)与导电层(例如，450a)相连接，因此一个单元电池区(例如，401b)的第一电极层 (例如，410b)和形成在与上述单元电池区相邻的其它单元电池区(例如，401a)上的第二电 极层(例如，430a)电连接。此时，采用绝缘物质440a，440b填埋的沟槽406与没有用绝缘 物质440a，440b填埋的沟槽(例如，405)之间的距离越短，不产生电流的无效面积就越小。通过蚀刻工序，在单元电池之间形成规定的绝缘间隔的状态下，利用与沉积第二 导电性物质相同的方法沉积第三导电性物质。即，当利用电子束或热蒸镀器以θ 3的角度 倾斜释放出第三导电性物质(0D3)时，根据沉积的平直性，第三导电性物质被沉积在除通 过蚀刻而暴露的第一电极层410a，410b，410c的部分区域f之外的剩余部分上。由此，通过 第三导电性物质的沉积形成导电层450a，450b，450c。通过导电层450a，450b，450c的形成，形成在一个单元电池区(例如，401b)上的 第一电极层(例如，410b)与形成在上述一个单元电池区401b相邻的其它单元电池区(例 如，401a)上的第二电极层430a'电连接，由此各个单元电池区之间以串联连接的方式电 连接。与图4f不同，如果绝缘物质440a，440b没有填埋沟槽406，则形成在沟槽406内的 第一电极层410a'和第二电极层430a通过导电层450a而电连接。此时，若区域R2与区域 Rl 一样也起到太阳能电池的功能，则区域R2的太阳能电池与区域Rl的太阳能电池串联连接。此时，由于区域R2小于区域R1，因此产生自区域R2的太阳能电池的电流小于产生 自区域Rl的太阳能电池的电流。由此，被串联连接的区域R2和区域Rl的太阳能电池中的 电流大小由产生自区域R2的太阳能电池的电流来决定。由此，因区域R2的太阳能电池而 导致整个太阳能电池的效率降低。然而，如本发明的实施例3，采用绝缘物质440a，440b进行填埋时，由于区域R2起 不到太阳能电池的作用，因此不会降低整个太阳能电池的效率。另一方面，如图4g和图4h所示，通过导电膏460填埋一个以上的沟槽，由此形成母线区。关于这种母线区的说明，已在实施例1中进行了详细说明，因此省略。实施例4图5a 图5f为根据本发明实施例4的集成薄膜太阳能电池的制造方法。参照图5a 图5f，基板500的沟槽505a，505b之间的区域是单元电池区501a， 501b，501c。另外，基板500上形成有第一电极层510a，510b，510c、太阳能电池层520、第二 电极层530a，530b，530c和导电层540a，540b，540c、母线区的导电膏550。参照图5a，准备沟槽505a，505b按照间隔有一定距离的方式而形成的基板500，并 以此来定义单元电池区501a，501b，501c。此时，沟槽505a，505b可以朝一个方向倾斜Z α 度。即，在本实施例4中，沟槽505a，505b按照沟槽505a，505b的侧面相对于基板500的水 平方向朝一个方向倾斜Z α度的方式形成。由此，虽然在实施例2和实施例3中为了形成 第一电极层而进行倾斜沉积工序，但在实施例4中无需进行倾斜沉积工序，而是通过溅射 法、电子束或热蒸镀等方法形成第一电极层510a，510b，510c。在单元电池区501a，501b， 501c上通过以后的工序形成单元电池。参照图5a，利用第一导电性物质在基板500的各个沟槽505a，505b的部分底面和 一个侧面上形成第一电极层510a，510b, 510c。如上所述，无需进行倾斜沉积工序，而是通过 溅射法、电子束或热蒸镀等多种沉积法能够将第一导电性物质沉积在基板500上。将第一 导电性物质按照垂直于基板500的方向沉积在基板500上时，由于沟槽505a，505b朝一个 方向倾斜，因此在沟槽505a，505b的部分区域d上不沉积第一导电性物质。第一导电性物质 可包括氧化锌(ZincOxide ；ZnO)、氧化锡(Tin Oxide ；SnO2)、氧化铟锡(Indium Tin Oxide ； I TO)中的至少一种。参照图5b，在没有形成第一电极层510a，510b，510c的沟槽505a，505b的部分区域 和第一电极层510a，510b，510c上形成太阳能电池层520。太阳能电池层520由光电物质构 成。太阳能电池层520可以由太阳光入射时能够产生电流的任一种物质来形成。参照图5c，第二导电性物质被倾斜释放(0D2)且沉积在太阳能电池层520上，由此 形成第二电极层530a，530b，530c。当第二导电性物质以θ 1的角度被倾斜释放时，根据沉 积的平直性第二导电性物质被沉积在太阳能电池层520上。由于倾斜沉积第二导电性物质，因此形成在沟槽505a，505b上的太阳能电池层 520的部分区域e上不沉积第二导电性物质。第二导电性物质的沉积可通过电子束或热蒸 镀等沉积法来进行，但并不限定于此。通过上述方法进行第二导电性物质的沉积，由此形成 自对准的第二电极层530a，530b，530c。另一方面，上述部分区域e是在以后的工序中被蚀 刻的部分。参照图5d，对形成在沟槽505a，505b上的太阳能电池层520进行蚀刻，以使第一电 极层510a，510b, 510c暴露。S卩，将第二电极层530a，530b, 530c作为掩膜来使用，使得太阳 能电池层520实质上被垂直蚀刻。在此，被蚀刻的部分是没有形成第二导电性物质的太阳 能电池层520的部分区域e。通过上述方法等对太阳能电池层520进行蚀刻，由此在单元电池区上形成太阳能 电池层图案520a，520b，520c。通过这种蚀刻太阳能电池层520的蚀刻工序，形成在沟槽 505a, 505b上的第一电极层510a，510b，510c被暴露。参照图5e，通过将第三导电性物质倾斜释放在第二电极层530a上的方式形成导
16电层(例如，540a)，以使形成在一个单元电池区(例如，501b)上的第一电极层510b与形 成在与上述一个单元电池区501b相邻的其它单元电池区(例如，501a)的第二电极层530a 电连接。由此使沟槽内部的第一电极层510b和导电层540a在一个单元电池区501b和其 它单元电池区501a之间的沟槽505a处相连接。通过蚀刻工序，在单元电池之间形成规定的绝缘间隔的状态下，利用与沉积第二 导电性物质相同的方法沉积第三导电性物质。即，当利用电子束或热蒸镀器以θ 2的角度 倾斜沉积第三导电性物质(0D2)时，根据沉积的平直性，第三导电性物质被沉积在除通过 蚀刻而暴露的第一电极层510a，510b, 510c的部分区域f之外的部分上。由此，形成导电层 540a，540b，540c。形成在一个单元电池区(例如，501b)上的第一电极层510b与形成在与上述一个 单元电池区501b相邻的其它单元电池区(例如，501a)的第二电极层530a电连接，且单元 电池之间以串联连接的方式电连接。参照图5f和图5g，在集成薄膜太阳能电池的基板上，利用导电膏550填埋形成在 基板两侧外围上的各沟槽与其相邻的其它沟槽，由此形成母线区。对于母线区和导电膏已 在实施例1中进行了说明，因此省略其详细说明。在实施例4的步骤中，无需位置控制装置就可以通过自对准来完成，因此通过比 较简单的工序就能够制造出集成薄膜太阳能电池。另一方面，单元电池区是产生电流的最小单位，因此并不限定于前述中的实施例 1 实施例4，而是根据薄膜太阳能电池的不同的沟槽类型能够进行各种设定。
权利要求
一种集成薄膜太阳能电池的制造方法，该方法包括以下步骤准备沟槽按照间隔有一定距离的方式形成的基板；利用第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上形成第一电极层；在没有形成所述第一电极层的沟槽的部分区域和所述第一电极层上形成太阳能电池层；倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电极层；对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻以使所述第一电极层暴露；通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层，以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。
2.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述第一电 极层与形成在单元电池区内的其它电极层相连接。
3.根据权利要求2所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述其它电 极层通过印刷法形成。
4.根据权利要求2所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述第一电 极层的电阻小于所述其它电极层的电阻。
5.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于按照将所述 第二电极层作为掩膜的方式对所述太阳能电池层进行蚀刻。
6.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于还包括蚀刻 所述太阳能电池层后，在与所述沟槽相邻的其它沟槽内填埋绝缘物质的工序。
7.根据权利要求6所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于在所述太阳 能电池层内部形成有中间层。
8.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于在所述沟槽 中的至少一个沟槽内填埋有导电膏。
9.根据权利要求8所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于填埋有所述 导电膏的沟槽之间的间隔小于太阳能电池区的沟槽之间的间隔。
10.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述沟槽朝 一个方向倾斜。
11.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述基板是 玻璃基板、聚合物基板或纳米复合体基板中的一种；在熔融所述玻璃基板、所述聚合物基板或所述纳米复合体基板的状态下，在所述玻璃 基板、所述聚合物基板或所述纳米复合体基板变硬之前通过压印加工形成所述沟槽。
12.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述基板是 玻璃基板、聚合物基板或纳米复合体基板中的一种；通过热压印法在所述玻璃基板、聚合物基板或纳米复合体基板上形成所述沟槽。
13.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述基板包 括玻璃和被覆在所述玻璃上的、聚合物或纳米复合体材质的薄膜；通过热压印法在所述聚 合物或所述纳米复合体材质的薄膜上形成沟槽。
14.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述基板包 括玻璃和被覆在所述玻璃上的、聚合物或纳米复合体材质的薄膜；在所述玻璃上被覆所述聚合物或所述纳米复合体材质的薄膜的过程中，利用压印法在所述聚合物或所述纳米复合 体材质的薄膜上形成沟槽。
15.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于形成在一个 单元电池区内的所述第一电极层与形成在与所述一个单元电池区相邻的其它单元电池区 内的第二电极层通过所述导电层电连接。
16.根据权利要求1所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于在所述基板 上形成有位于所述相邻沟槽之间的槽；当所述太阳能电池层被蚀刻时，形成在所述槽上的 太阳能电池层被蚀刻。
17.根据权利要求16所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述槽的 宽度小于所述沟槽的宽度，所述槽的深度与所述沟槽的深度相同。
18.根据权利要求16所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于所述槽的 深度比所述沟槽的深度深，所述槽的宽度与所述沟槽的宽度相同。
19.根据权利要求16所述的集成薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于通过对形 成在所述槽上的太阳能电池层的蚀刻而使所述槽的底面暴露。
20.一种集成薄膜太阳能电池，包括 基板，其中形成有以一定距离间隔开的沟槽；第一电极层，形成在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上；太阳能电池层，形成在所述基板和所述第一电极层上以使部分所述第一电极层暴露；第二电极层，形成在所述太阳能电池层上；导电层，形成在所述第二电极层上以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。
21.根据权利要求20所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于还包括形成在单元电 池区的、与所述第一电极层相连接的其它电极层。
22.根据权利要求20所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于还包括填埋在与所述 沟槽相邻的沟槽内的绝缘物质。
23.根据权利要求22所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于还包括形成在所述太 阳能电池层内部的中间层。
24.根据权利要求22所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于填埋有所述导电膏的 沟槽之间的间隔小于太阳能电池区的沟槽之间的间隔。
25.根据权利要求22所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于所述沟槽均朝一个方 向倾斜。
26.根据权利要求20所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于在所述基板上形成有 位于所述相邻沟槽之间的槽，且所述槽的底面被暴露。
27.根据权利要求26所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于所述槽的宽度小于所 述沟槽的宽度，所述槽的深度与所述沟槽的深度相同。
28.根据权利要求26所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于所述槽的深度比所述 沟槽深，所述槽的宽度与所述沟槽的宽度相同。
29.根据权利要求20所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于在所述沟槽中的至少 一个沟槽上填埋有导电膏。
30.根据权利要求29所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于填埋有所述导电膏的 沟槽之间的间隔小于太阳能电池区的沟槽之间的间隔。
31.根据权利要求20所述的集成薄膜太阳能电池，其特征在于形成在一个单元电池 区的所述第一电极层和形成在与所述一个单元电池区相邻的其它单元电池区的所述第二 导电层通过所述导电层电连接。
全文摘要
本发明提供集成薄膜太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下步骤准备沟槽按照间隔有一定距离的方式形成的基板；通过第一导电性物质在各个所述沟槽的部分底面和一个侧面上形成第一电极层；在没有形成所述第一电极层的沟槽的部分区域和所述第一电极层上形成太阳能电池层；倾斜释放出第二导电性物质并将其沉积在所述太阳能电池层上以形成第二电极层；对形成在所述沟槽上的太阳能电池层进行蚀刻，以使所述第一电极层暴露；通过倾斜释放出第三导电性物质并将其沉积在所述第二电极层上的方式形成导电层，以使所述暴露的第一电极层和所述第二电极层电连接。
文档编号H01L31/0224GK101901853SQ20101018320
公开日2010年12月1日 申请日期2010年5月26日 优先权日2009年5月26日
发明者全振完, 林宏树 申请人:韩国铁钢株式会社;韩国科学技术院