专利名称：一种三极管引线框架及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体分立器件，更具体地说，涉及一种三极管引线框架及其制 作方法。
背景技术：
现有技术中的引线框架的芯片部的厚度与各管脚的厚度以及散热部的厚度均相 等，使得芯片的散热效果不好，直接影响元器件的性能，甚至可能导致电子产品的实效。
发明内容
本发明的目的是提供一种散热性能良好的三极管引线框架及其制作方法。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案一种三极管引线框架，包括多个框架单元，各所述的框架单元之间通过中筋和底 筋相连接，每个框架单元包括芯片部、通过一个通孔连接在所述的芯片部的上端的散热部、 连接在所述的芯片部的下端的中间管脚、分别位于所述的中间管脚的左右两侧的第一侧管 脚和第二侧管脚，所述的第一侧管脚和所述的第二侧管脚均具有头部，所述的中间管脚的 下端部、第一侧管脚的下端部及第二侧管脚的下端部分别连接在所述的底筋上，所述的中 筋横穿所述的中间管脚、所述的第一侧管脚及所述的第二侧管脚，所述的中间管脚的厚度、 所述的第一侧管脚的厚度及所述的第二侧管脚的厚度均小于所述的芯片部的厚度。优选地，所述的散热部的厚度小于所述的芯片部的厚度。优选地，所述的中间管脚的下端部、所述的第一侧管脚的下端部及所述的第二侧 管脚的下端部均为60°尖角。优选地，所述的芯片部上设置有三段V形槽，该三段V形槽呈U形分布，该U形的 口部对着所述的中间管脚。一种制作上述的三极管引线框架的方法，该三极管引线框架利用一种异型材制作 而成，制作过程包括如下步骤①、对所述的异型材进行冲制，形成冲压半成品；②、对所述的冲压半成品进行电镀和清洗，形成电镀半成品；③、对所述的电镀半成品进行切断和成型，形成待检成品；④、对所述的待检成品进行检测；⑤、制得该三极管引线框架。优选地，所述的异型材的横剖面结构由主体和两个梯形组成，所述的主体呈长方 形，两个所述的梯形均位于所述的主体的上方，两个所述的梯形的下底分别与部分所述的 主体的上边相重合，两个所述的梯形沿所述的主体的左右对称轴对称分布，更进一步地，左 侧的所述的梯形的左侧的腰与所述的主体的上边之间的夹角范围为85° 95°，右侧的 所述的梯形的右侧的腰与所述的主体的上边之间的夹角范围为85° 95°。本发明的有益效果是本发明中的三极管引线框架的芯片部的厚度大于各管脚的厚度及散热部的厚度，使得在焊接芯片之后能够高效地散热，同时在制作时也节省了用料， 另外，各管脚的下端部为60°的尖角，使得在将该三极管引线框架插入电路板时更容易，本 发明的三极管引线框架由一种异型材一体成型所制成，结构牢固，且制作工艺简单。
附图1为本发明的三极管引线框架的结构示意图；附图2为附图1中A-A向剖视图；附图3为附图1中B-B向剖视图；附图4为制作本发明的三极管引线框架的异型材的横剖面示意图。附图中1、中筋；2、底筋；3、芯片部；4、散热部；5、中间管脚；6、第一侧管脚；7、第 二侧管脚；8、通孔；9、主体；10、梯形。
具体实施例方式下面结合附图所示的实施例对本发明的技术方案作以下详细描述如附图1所示，本发明的三极管引线框架包括若干个框架单元，各框架单元之间 通过中筋1和底筋2相连接，每个框架单元包括芯片部3、通过通孔8连接在芯片部3的上 端的散热部4、连接在芯片部3的下端的中间管脚5、分别位于中间管脚左右两侧的第一侧 管脚6和第二侧管脚7，中间管脚5的下端、第一侧管脚6的下端及第二侧管脚7的下端均 连接在底筋2上，中间管脚5的下端部、第一侧管脚6的下端部及第二侧管脚7的下端部均 为60°尖角，中筋1横穿中间管脚5、第一侧管脚6及第二侧管脚7，芯片部3上设置有呈U 形分布的三段V形槽(如附图2所示)，该U形的开口方向朝着中间管脚5 ；如附图3所示， 该三极管引线框架的芯片部3的厚度大于散热部4的厚度，且大于中间管脚5的厚度、第一 侧管脚6的厚度及第二侧管脚7的厚度。该三极管引线框架由一种异型材制得，如附图4所示，该异型材的横剖面结构由 主体9和两个梯形10组成，主体9为长方形，两个梯形10位于主体9的上方，两个梯形10 的下底分别与部分主体9的上边相重合，两个梯形10沿主体9的左右对称轴对称分布，左 侧的所述的梯形的左侧的腰与所述的主体的上边之间的夹角范围为85° 95°，右侧的 所述的梯形的右侧的腰与所述的主体的上边之间的夹角范围为85° 95°，该异型材横 向可以制作成两个该三极管引线框架，两侧分别为各管脚，中间为两个散热部4相对，两个 梯形的位置对应分别形成芯片部3，即芯片部3的厚度大于散热部4的厚度、大于各管脚的 厚度。对上述的异型材在高速精密冲床进行冲制，得到长度很大的引线框架的冲压半成 品，然后经过电镀和清洗的表面处理，得到电镀半成品，再利用切断机和开式可倾压力机将 该电镀半成品截断成所需的长度的引线框架待检成品，然后进行检验，合格品即可出品。该三极管引线框架为一体成型，结构牢固，生产工艺简单，易实施，适合推广使用。上述的结构，芯片部3上的呈U形分布的三段V形槽用于限定焊接芯片的位置，使 得芯片的焊接更牢固、受力更集中；芯片部3的厚度最大的设计，使得芯片在焊接在该引线 框架后，在应用时，能够高效地散热，确保了芯片的性能，此外，中间管脚5的下端部、第一 侧管脚6的下端部及第二侧管脚7的下端部均为60°尖角的设计，使得该引线框架在插入电路板时更省时省力。 上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人 士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明 精神所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
一种三极管引线框架，包括多个框架单元，各所述的框架单元之间通过中筋和底筋相连接，每个框架单元包括芯片部、通过一个通孔连接在所述的芯片部的上端的散热部、连接在所述的芯片部的下端的中间管脚、分别位于所述的中间管脚的左右两侧的第一侧管脚和第二侧管脚，所述的第一侧管脚和所述的第二侧管脚均具有头部，所述的中间管脚的下端部、第一侧管脚的下端部及第二侧管脚的下端部分别连接在所述的底筋上，所述的中筋横穿所述的中间管脚、所述的第一侧管脚及所述的第二侧管脚，其特征在于所述的中间管脚的厚度、所述的第一侧管脚的厚度及所述的第二侧管脚的厚度均小于所述的芯片部的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种三极管引线框架，其特征在于所述的散热部的厚度小 于所述的芯片部的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种三极管引线框架，其特征在于所述的中间管脚的下端 部、所述的第一侧管脚的下端部及所述的第二侧管脚的下端部均为60°尖角。
4.根据权利要求1所述的一种三极管引线框架，其特征在于所述的芯片部上设置有 三段V形槽，该三段V形槽呈U形分布，该U形的口部对着所述的中间管脚。
5.一种制作如权利要求1所述的三极管引线框架的方法，其特征在于该三极管引线 框架利用一种异型材制作而成，制作过程包括如下步骤①、对所述的异型材进行冲制，形成冲压半成品；②、对所述的冲压半成品进行电镀和清洗，形成电镀半成品；③、对所述的电镀半成品进行切断和成型，形成待检成品；④、对所述的待检成品进行检测；⑤、制得该三极管引线框架。
6.根据权利要求5所述的一种制作三极管引线框架的方法，其特征在于所述的异型 材的横剖面结构由主体和两个梯形组成，所述的主体呈长方形，两个所述的梯形均位于所 述的主体的上方，两个所述的梯形的下底分别与部分所述的主体的上边相重合，两个所述 的梯形沿所述的主体的左右对称轴对称分布。
7.根据权利要求6所述的一种制作三极管引线框架的方法，其特征在于左侧的所述 的梯形的左侧的腰与所述的主体的上边之间的夹角范围为85° 95°，右侧的所述的梯 形的右侧的腰与所述的主体的上边之间的夹角范围为85° 95°。
全文摘要
本发明公开一种三极管引线框架及其制作方法，该引线框架包括若干个框架单元，相邻的框架单元之间通过中筋和底筋相连接，每个所述框架单元包括芯片部、连接在所述芯片部的上部的散热部、连接在所述芯片部的下部的中间管脚以及位于所述中间管脚的左右两侧的第一侧管脚和第二侧管脚，所述散热部的厚度、所述中间管脚的厚度、所述第一侧管脚的厚度及所述第二侧管脚的厚度均小于所述芯片部的厚度，所述芯片部上设置有呈U形分布的V形槽，该引线框架由一种异型材一体成型制得。芯片在本发明的引线框架上的焊接更牢固、受力更集中；能够高效地散热，确保了芯片的性能；该引线框架在插入电路板时省时省力；生产工艺简单、易实施，适合推广使用。
文档编号H01L21/48GK101937897SQ201010245908
公开日2011年1月5日 申请日期2010年8月5日 优先权日2010年8月5日
发明者刘亮, 杨承武, 钟俊东, 陈庆麟 申请人:吴江恒源金属制品有限公司