专利名称：半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体钛晶医疗保健芯片，尤其涉及一种半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法。
背景技术：
现代人因为饮食中高脂高油的食物比例偏高，又因为生活行为的改变，多数人皆有血脂偏高的问题产生，血脂偏高会诱发高血压、心血管病变等疾病的产生，为人体健康的一大威胁。目前已知的要降低血脂肪的指数，唯有依靠吃药、保健食品与运动来加以控制。然而吃药无法避免其副作用的产生，且对于药物过敏的人无法使用，而保健食品的价格昂贵， 且其味道难以被全部人所接受且长期食用会有营养不均的疑虑，而运动对于生活忙碌或是每日需要为生活打拼的人们来说，难以拨出充足的时间加以从事之。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其可以产生一红外线长波与一远红外线短波，可穿透人体将有益于人体的物质带入人体内达到净化血液及降低血脂肪的功效。为了实现上述目的，本发明为一种半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其步骤包含一准备程序、一清洗程序、一第一镀膜程序与一第二镀膜程序，其中，该准备程序为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃；该清洗程序为将该钛晶玻璃用超音波清洗干净并加以烘干；该第一镀膜程序为将该钛晶玻璃置入一呈真空的真空腔体中，并用摄氏300-750度的温度使该钛晶玻璃的表面毛细孔扩张，以于该钛晶玻璃上植入阻抗在2500-3500微米波长且厚度为50-70纳米的一第一氧化金属群，并于呈真空的真空腔体中将温度降至摄氏-10 度使该钛晶玻璃的表面收缩，使得该第一氧化金属群形成在该钛晶玻璃的表层内；第一氧化金属群为氧化银、氧化锡、氧化铝等中的任一种，该第二镀膜程序为以同样的镀膜方法植入波长为8-14微米的一第二氧化金属群，第二氧化金属群可为氧化锗、氧化锆、氧化铟等中的任一种，并重复镀上该第二氧化金属群的步骤直至满足所需，即完成该半导体医疗保健芯片的制作。根据本发明的进一步改进的方案，还包含一切割完成程序，该切割完成程序为将镀有第一氧化金属群与第二氧化金属群的钛晶玻璃切割成所需大小并置入一佩带装置内。根据本发明的进一步改进的方案，重复镀上该第二氧化金属群的步骤为50次以上。根据本发明的进一步改进的方案，该钛晶玻璃为利用一氧化钛植入玻璃经加热结晶而形成。根据本发明的进一步改进的方案，第一氧化金属群的植入温度为摄氏500度。据此，借由本发明利用氧化钛于高温加热的同时植入玻璃形成钛晶玻璃，因而该钛晶玻璃即可借由加热后植入的氧化钛来释放远红外线的波长，使该钛晶玻璃与第一氧化金属群、第二氧化金属群键结而产生红外线长波与远红外线短波的双波长频率共振来达到释放二次方光波能量共振频率波长，因而该红外线长波与该远红外线短波在接触人体时， 可达到穿透人体将有益于人体的物质带入人体内，进而与身体产生频率共鸣，而达到净化血液及降低血脂肪的功效。
图1为本发明的制造流程图一；图2为本发明半导体钛晶医疗保健芯片结构图；图3为本发明的制造流程图二；图4为本发明的使用于腕带示意图；图5为本发明的使用于腰带示意图；以及图6为本发明的使用于项链示意图。
具体实施例方式有关本发明的详细内容及技术说明，现以实施例来作进一步说明，但应了解的是， 该等实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为本发明实施的限制。请参阅图1所示，其为本发明的实施例一，本发明为一种半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其步骤包含一准备程序10、一清洗程序20、一第一镀膜程序30与一第二镀膜程序40，其中，该准备程序10为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃60，该钛晶玻璃60可以利用一氧化钛植入玻璃经加热结晶而形成，其为使该氧化钛加热至玻璃转换温度并快速冷却以结晶形成该钛晶玻璃60。而该清洗程序20为将该钛晶玻璃60用超音波清洗干净并加以烘干，其目的在于去除该钛晶玻璃60表面的杂质与油脂，以利于后续工艺的进行。又该第一镀膜程序30为将该钛晶玻璃60置入一呈真空的真空腔体(图未示)中， 并以摄氏300-750度(最佳为500度)的温度使该钛晶玻璃60的表面毛细孔扩张，以于该钛晶玻璃60上植入阻抗在2500-3500微米波长且50-70纳米厚的一第一氧化金属群61，该第一氧化金属群61可以为氧化银、氧化锡、氧化铝等，且其镀膜方式可以选自溅镀、蒸镀等常见的表面镀膜技术，并于呈真空的真空腔体中将温度降至摄氏-10度，使该钛晶玻璃60 的表面收缩使得该第一氧化金属群61形成在该钛晶玻璃60的表层内。本发明为进行高温低温循环达到30-50次，2000微米工艺则镀膜30次，2500微米工艺则镀膜35次，3000微米工艺则镀膜40次，3500微米工艺则镀膜50次，依需求而有不同的制程，确切可以产生远红外线波长及半导体阻抗放射波长。而该第二镀膜程序40为以与该第一镀膜程序30相同的镀膜方法植入波长为8-14 微米的一第二氧化金属群62，该第二氧化金属群62可以选自氧化铟、氧化锗或氧化锆等， 并重复镀上该第二氧化金属群62的步骤直至满足所需，本发明重复镀上该第二氧化金属群62的步骤多次，亦即使该钛晶玻璃60连续在高温低温的循环中一层一层的镀上该第二氧化金属群62，即完成该半导体医疗保健芯片70 (如图2所示)的制作，且为达到较佳效果，本发明为进行高温低温循环达到50次以上，以确切可以产生红外线长波与远红外线短
4波。请参阅图3所示，其为本发明的实施例二，本发明还可以包含一切割完成程序50， 该切割完成程序50为将镀有该第一氧化金属群61与该第二氧化金属群62的钛晶玻璃 60 (即该半导体医疗保健芯片70)切割成所需大小。请再一并参阅图4、图5与图6所示，本发明通过切割完成程序50可形成小块的半导体钛晶医疗保健芯片70A，并可供置入一佩带装置80A、80B，该佩带装置80A、80B、80C可以佩带在人体上，如腕带81、腰带82、膝套、乳胶垫套、项链83、戒指等，且该切割的尺寸可以依据实际使用所需的大小加以选择。当置入该腕带81内时，该腕带81被人体佩带之后会使该半导体钛晶医疗保健芯片70A贴近人体的手腕动脉，因而可使该半导体钛晶医疗保健芯片70A所产生的红外线长波与远红外线短波进入体内与血液接触，达到净化血液及降低血脂肪的功效。而当放置入腰带82内可达塑身效果，置入乳胶垫套则可达丰胸的效果， 而若放置护膝套内可舒缓酸痛。如上所述，本发明是利用氧化钛于高温加热的同时植入玻璃形成钛晶玻璃60，因而该钛晶玻璃60即可借由加热后植入的氧化钛物质来释放远红外线的波长，并具释放光波能量的能力，又于该钛晶玻璃60上在高温的真空环境中再溅镀上一层第一氧化金属群 61，与一层又一层的第二氧化金属群62，使该钛晶玻璃60与第一氧化金属群61、第二氧化金属群62键结而产生红外线长波与远红外线短波的双波长频率共振来达到释放二次方光波能量共振频率波长，进而与身体产生频率共鸣，而达到净化血液降低血脂肪的功效。
权利要求
1.一种半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其特征在于，包含以下步骤一准备程序(10)，所述准备程序(10)为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃(60)；一清洗程序(20)，所述清洗程序00)为将所述钛晶玻璃(60)用超音波清洗干净并加以烘干；一第一镀膜程序(30)，所述第一镀膜程序(30)为将所述钛晶玻璃(60)置入一呈真空的真空腔体中，并用摄氏300-750度的温度使所述钛晶玻璃(60)的表面毛细孔扩张，以于所述钛晶玻璃(60)上植入阻抗在2500-3500微米波长且50-70纳米厚的一第一氧化金属群(61)，并于呈真空的所述真空腔体中将温度降至摄氏-10度，使所述钛晶玻璃(60)的表面收缩，使得所述第一氧化金属群(61)形成在所述钛晶玻璃(60)的表层内；以及一第二镀膜程序(40)，所述第二镀膜程序00)为以与所述第一镀膜程序(30)相同的镀膜方法植入波长为8-14微米的一第二氧化金属群(6 ，并重复镀上所述第二氧化金属群(62)的步骤多次。
2.根据权利要求1所述的半导体医钛晶疗保健芯片的制造方法，其特征在于，还包含一切割完成程序(50)，所述切割完成程序(50)为将镀有所述第一氧化金属群(61)与所述第二氧化金属群(62)的钛晶玻璃(60)切割成所需大小并置入一佩带装置内。
3.根据权利要求1所述的半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其特征在于，重复镀上所述第二氧化金属群(6 的步骤为50次以上。
4.根据权利要求1所述的半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其特征在于，所述第一氧化金属群(61)为选自氧化银、氧化锡与氧化铝的任一种。
5.根据权利要求1所述的半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其特征在于，所述第二氧化金属群(6 为选自氧化铟、氧化锗与氧化锆的任一种。
6.根据权利要求1所述的半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其特征在于，所述钛晶玻璃(60)为利用一氧化钛植入玻璃经加热结晶而形成。
7.根据权利要求1所述的半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其特征在于，所述第一氧化金属群(61)的植入温度为摄氏500度。
全文摘要
一种半导体钛晶医疗保健芯片的制造方法，其步骤包含一准备程序、一清洗程序、一第一镀膜程序、一第二镀膜程序与一切割完成程序，其中借由该准备程序与该清洗程序提供一干净的钛晶玻璃，该第一镀膜程序为将该钛晶玻璃置入一呈真空的真空腔体中，并以摄氏300-750度的温度植入阻抗在2500-3500微米波长且厚度为50-70纳米的一第一氧化金属群，再将温度降至摄氏-10度使该钛晶玻璃的表面收缩，使得该第一氧化金属群形成在该钛晶玻璃的表层内；该第二镀膜程序为以同样的镀膜方法植入波长为8-14微米波长的一第二氧化金属群，并重复镀上该第二氧化金属群的步骤直至满足所需，即完成该半导体钛晶医疗保健芯片的制作，且可借助该切割完成程序加以切割成所需的大小。
文档编号H01L33/00GK102447021SQ20101051168
公开日2012年5月9日 申请日期2010年10月8日 优先权日2010年10月8日
发明者杨炯耀 申请人:中科半导体科技有限公司