专利名称：发光二极管封装结构的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种制造方法，尤其涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
背景技术：
很多发光二极管(Light Emitting Diode,LED)封装结构都包括一个反射杯结构， 封装材料填充在该反射杯内。在发光二极管封装结构的制造过程中，包括一个切割的步骤， 将形成于整块基板上的很多个发光二极管封装结构切割开来。一般此切割过程往往采用机械切割的方式，在切割的过程中，由于切割的刀刃和基板的摩擦会产生大量的热，通常还需要在切割的同时浇注大量的冷却液帮助降温，避免元件因高温而被破坏。然而，封装结构中反射杯与封装材料之间往往会产生缝隙，这些降温用的冷却液容易在切割的过程中通过封装结构中反射杯与封装材料之间的缝隙渗透进封装体内，从而导致元件的损坏。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种能够避免冷却液渗透进封装体内的发光二极管封装结构的制造方法。一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤提供基板，包括多个封装载体，每个封装载体上有两个导线架，封装载体包括第一表面，该第一表面上形成有一容置槽，容置槽由一底壁和一侧壁围成；将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部，并与所述两个导线架电性连接；在所述容置槽内形成封装层；在所述封装载体和封装层上覆盖一疏水层；切割所述基板，形成多个所述发光二极管封装结构。发光二极管封装结构的制造方法中，由于在切割基板之前在封装载体和封装层上覆盖了一疏水层，该疏水层能够有效的阻挡切割时浇注的冷却液通过封装结构的缝隙渗透进封装体内，从而有效的保护封装结构。
图1是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法流程图。图2是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法示意图。主要元件符号说明发光二极管封装结构100基板10封装载体11第一表面111第二表面112容置槽113
底壁114侧壁115导线架12发光二极管芯片13金属导线131封装层14疏水层1具体实施例方式以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。请参阅图1及图2，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法包括以下步骤。步骤S201 提供一基板10。所述基板10包括多个封装载体11，每个封装载体11 上有两个导线架12。所述封装载体11包括相对的第一表面111及第二表面112。该第一表面111上形成有一容置槽113。所述容置槽113由底壁114和侧壁115围成。所述底壁 114和侧壁115可为一体成型或采用粘胶等方式固接，本实施方式中，所述底壁114和侧壁 115 一体成型。所述封装载体11可采用高导热且电绝缘材料制成，该高导热且电绝缘材料可选自石墨、硅、陶瓷、类钻、环氧树脂或硅烷氧树脂等。所述每个导线架12—端裸露在容置槽113的底壁114上，另一端裸露在封装载体11的第二表面112上。所述导线架12可采用金属或金属合金制成。步骤S202 将发光二极管芯片13贴设于所述容置槽113的底壁114上或导线架 12上。具体地，该发光二极管芯片13可通过粘着胶固定于容置槽113的底壁114或导线架12上。所述发光二极管芯片13通过金属导线131与所述两个导线架12电性连接。值得说明的是，该发光二极管芯片13亦可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)的方式电性连接所述两个导线架12。优选地，所述侧壁115能够反射发光二极管芯片13发出的光线，以控制发光二极管芯片13的出光方向。步骤S203 在所述容置槽113内形成所述封装层14，覆盖住所述发光二极管芯片 13和所述底壁114。所述封装层14用于保护发光二极管芯片13免受灰尘、水气等影响。封装层14的材质可以为硅胶(silicone)、环氧树脂(印oxy)或其组合物。所述封装层14还可以包含荧光转换材料，该萤光转换材料可以为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉和氮化物基荧光粉。步骤S204 在所述封装载体11和封装层14上覆盖一疏水层15。所述疏水层15 可以为不透明材料，在切割完成之后，可利用研磨、蚀刻等技术去除所述疏水层15。所述疏水层15也可以选用透明材料，切割完成之后，可保留所述疏水层15。步骤S205 切割所述基板10，形成多个所述发光二极管封装结构100。在切割的过程中，浇注的大量冷却液由于被所述疏水层15阻挡，不能通过封装结构中封装层14与封装载体11的侧壁115的缝隙渗透进封装体内，从而保护所述发光二极管封装结构100的内部元件不被损坏。本发明实施方式提供的发光二极管封装结构的制造方法中，由于在切割基板之前在封装载体和封装层上覆盖了一疏水层，该疏水层能够有效的阻挡切割时浇注的冷却液通过封装结构的缝隙渗透进封装体内，从而有效的保护封装结构。 可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤提供基板，包括多个封装载体，每个封装载体上有两个导线架，所述封装载体包括第一表面，该第一表面上形成有容置槽，所述容置槽由一底壁和一侧壁围成；将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部，并与所述两个导线架电性连接；在所述容置槽内形成封装层；在所述封装载体和封装层上覆盖一疏水层；切割所述基板，形成多个所述发光二极管封装结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述疏水层为不透明材料，在切割完成之后，去除所述疏水层。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于利用研磨、蚀刻的方法去除所述疏水层。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述疏水层为透明材料，切割完成之后，保留所述疏水层。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于切割所述基板时，采用刀具进行切割。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述封装载体还包括有一个与第一表面相对的第二表面，所述导线架一端裸露在所述容置槽的底壁上， 另一端裸露在封装载体的第二表面上。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述发光二极管芯片贴设于所述容置槽底部的导线架上。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述发光二极管芯片利用金属导线连接、覆晶或共晶的方式电性连接所述两个导线架。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述封装层的材质为硅胶或环氧树脂。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述封装层包含荧光转换材料。
全文摘要
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤提供一基板，包括多个封装载体，每个封装载体上有两个导线架，所述封装载体包括一第一表面，该第一表面上形成有一容置槽，所述容置槽由一底壁和一侧壁围成；将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部，并与所述两个导线架电性连接；在所述容置槽内形成封装层；在所述封装载体和封装层上覆盖一疏水层；切割所述基板，形成多个所述发光二极管封装结构。
文档编号H01L33/48GK102456802SQ20101051333
公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月19日 优先权日2010年10月19日
发明者江信东, 简克伟 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司