专利名称：发光二极管封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管，特别是涉及一种发光二极管的封装改良结构。
背景技术：
在封装发光二极管时，通常采用打金线方式将发光二极管晶粒的电极与外电极电连接，然后点胶将发光二极管晶粒与金线包覆。然而，打金线的成本较高，并且在后续的封胶或者使用过程中，金线比较容易脱落，使得发光二极管封装结构不能正常工作，稳定性较差。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种成本较低且稳定性较佳的发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构，包括基板、发光二极管晶粒及封装体，基板具有第一焊垫及第二焊垫，发光二极管晶粒具有P型电极及η型电极，发光二极管晶粒固定于基板上， 封装体罩设于发光二极管晶粒上，封装体上形成第一电极及第二电极，封装体的第一电极正对并连接发光二极管晶粒的P型电极，封装体的第二电极正对并连接发光二极管晶粒的 η型电极，封装体的第一电极与基板的第一焊垫电连接，封装体的第二电极与基板的第二焊垫电连接。发光二极管封装结构上直接形成第一电极及第二电极，且第一电极直接与发光二极管晶粒的P型电极连接，第二电极直接与发光二极管晶粒的η型电极连接，无需打金线， 从而降低制造成本，并且发光二极管封装结构内没有金线，从而避免金线在使用过程中脱落，以提高发光二极管封装结构的稳定性。下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明实施方式中的发光二极管封装结构的剖面示意图。图2为本发明又一较佳实施方式中的发光二极管封装结构的剖面示意图。主要元件符号说明发光二极管封装结构10、20基板11、21第一表面110、210第二表面111第一导电柱112第二导电柱113第一定位孔114、214第二定位孔115、215第一焊垫116、216
第二焊垫117、217发光二极管晶粒12ρ 型电极121η 型电极122封装体13、23第二导电凸块130、230安装面131出光面132收容槽133入光面134第一电极135、235第二电极136、236第一透明导电层137第二透明导电层138第一导电凸块139、239第一绝缘层141第二绝缘层142空隙15密封材料1具体实施例方式下面将结合附图，对本发明作进一步的详细说明。请参阅图1，本发明实施方式提供的发光二极管封装结构10包括基板11、发光二极管晶粒12及封装体13。所述基板11由绝缘材料制成。基板11包括相对设置的第一表面110及第二表面 111，基板11上开设第一定位孔114及第二定位孔115，第一定位孔114及第二定位孔115 分别贯穿第一表面110及第二表面111，基板11的第二表面111上分别于第一定位孔114 及第二定位孔115处设置第一焊垫116及第二焊垫117。发光二极管晶粒12包括η型电极122及ρ型电极121，η型电极122及ρ型电极 121均位于发光二极管晶粒12的同一侧，在本实施方式中，η型电极122及ρ型电极121均位于发光二极管晶粒12的顶端。发光二极管晶粒12的底端固定于基板11的第一表面110 上。封装体13由透明材料或者半透明材料制成。封装体13包括出光面132及安装面 131。出光面132为光滑的曲面，其位于封装体13的顶端。荧光材料混合于封装体13内或者涂覆于封装体13的出光面132上。安装面131为水平面，其位于封装体13的底端。安装面131开设收容槽133，封装体13于收容槽133内形成入光面134。封装体13上形成第一电极135、第二电极136、第一透明导电层137、第二透明导电层138、第一导电凸块139及第二导电凸块130，其中，第一电极135及第二电极136位于入光面134，第一导电凸块139及第二导电凸块130位于安装面131上，第一透明导电层137连接于第一电极135与第一导电凸块139之间，第二透明导电层138连接于第二电极136与第二导电凸块130之间。第一透明导电层137与第二透明导电层138的材料采用透明金属、铟锡金属氧化物或者碳纳米管薄膜其中一种，第一透明导电层137与第二透明导电层138可采用电镀、化镀、溅镀、电子束或者蒸镀等方法形成于封装体13上。封装体13的安装面131位于基板11的第一表面110之上，封装体13的第一导电凸块139插入基板11的第一定位孔114，封装体13的第二导电凸块130插入基板11的第二定位孔115。优选地，封装体13的安装面131与基板11的第一表面110之间外围涂覆密封材料16以将发光二极管晶粒12与外界隔离。基板11的第一定位孔114及第二定位孔 115内分别填充导电材料以分别形成第一导电柱112及第二导电柱113，封装体13的第一导电凸块139通过第一导电柱112与基板11的第一焊垫116电连接，封装体13的第二导电凸块130通过第二导电柱113与基板11的第二焊垫117电连接。发光二极管晶粒12位于封装体13的收容槽133内，η型电极122及ρ型电极121 朝向封装体13，封装体13的入光面134罩设于发光二极管晶粒12之上，发光二极管晶粒12 与封装体13间隔形成空隙。封装体13的第一电极135正对并连接发光二极管晶粒12的ρ 型电极121，封装体13的第二电极136正对并连接发光二极管晶粒12的η型电极122。封装体13的第一电极135与发光二极管晶粒12的ρ型电极121采用共晶结合连接，封装体 13的第二电极136与发光二极管晶粒12的η型电极122采用共晶结合连接。优选的，第一透明导电层137与发光二极管晶粒12之间设置第一绝缘层141，第二透明导电层138与发光二极管晶粒12之间设置第二绝缘层142。发光二极管封装结构10上直接形成第一电极135及第二电极136，且第一电极 135直接与发光二极管晶粒12的ρ型电极121连接，第二电极136直接与发光二极管晶粒 12的η型电极122连接，无需打金线，从而降低制造成本。进一步而言，发光二极管封装结构10内没有金线，从而避免金线在使用过程中脱落，以提高发光二极管封装结构10的稳定性。图2示出本发明的发光二极管封装结构20的又一较佳实施方式。与上一实施方式不同之处在于，发光二极管封装结构20的第一定位孔214及第二定位孔215均为盲孔， 第一定位孔214及第二定位孔215分别形成于基板21的第一表面210，基板21的第一表面 210上分别于第一定位孔214及第二定位孔215处设置第一焊垫216及第二焊垫217，封装体23的第一导电凸块239插入基板21的第一定位孔214，封装体23的第二导电凸块230 插入基板21的第二定位孔215，第一导电凸块239与第一焊垫216焊接在一起，第二导电凸块230与第二焊垫217焊接在一起，从而封装体23的第一电极235与基板21的第一焊垫 216电连接，封装体23的第二电极236与基板21的第二焊垫217电连接。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、发光二极管晶粒及封装体，基板具有第一焊垫及第二焊垫，发光二极管晶粒具有P型电极及η型电极，发光二极管晶粒固定于基板上，封装体罩设于发光二极管晶粒上，其特征在于封装体上形成第一电极及第二电极，封装体的第一电极正对并连接发光二极管晶粒的P型电极，封装体的第二电极正对并连接发光二极管晶粒的η型电极，封装体的第一电极与基板的第一焊垫电连接，封装体的第二电极与基板的第二焊垫电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于封装体包括安装面及出光面，封装体的安装面开设收容槽，封装体于收容槽内形成入光面，发光二极管晶粒收容于封装体的收容槽中，该第一电极及该第二电极形成于封装体的入光面上。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于封装体的安装面上形成第一导电凸块与第二导电凸块，基板开设第一定位孔及第二定位孔，第一导电凸块收容于第一定位孔内，第二导电凸块收容于第二定位孔内，第一导电凸块分别与封装体的第一电极及基板的第一焊垫电连接，第二导电凸块分别与封装体的第二电极及基板的第二焊垫电连接。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于封装体的第一导电凸块与封装体的第一电极之间通过第一透明导电层电连接，封装体的第二导电凸块与封装体的第二电极之间通过第二透明导电层电连接。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于第一透明导电层与第二透明导电层采用透明金属、铟锡金属氧化物或者碳纳米管薄膜其中一种。
6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于第一透明导电层与发光二极管晶粒之间设置第一绝缘层，第二透明导电层与发光二极管晶粒之间设置第二绝缘层。
7.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于基板的第一定位孔及第二定位孔内分别填充导电材料以分别形成第一导电柱及第二导电柱，封装体的第一导电凸块通过第一导电柱与基板的第一焊垫电连接，封装体的第二导电凸块通过第二导电柱与基板的第二焊垫电连接。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括荧光材料，荧光材料混合于封装体内或者涂覆于封装体的出光面上。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于发光二极管晶粒的ρ型电极与η型电极位于发光二极管晶粒的顶端且朝向封装体。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于封装体的第一电极与发光二极管晶粒的P型电极采用共晶结合连接，封装体的第二电极与发光二极管晶粒的η型电极采用共晶结合连接。
全文摘要
一种发光二极管封装结构，包括基板、发光二极管晶粒及封装体，基板具有第一焊垫及第二焊垫，发光二极管晶粒具有p型电极及n型电极，发光二极管晶粒固定于基板上，封装体罩设于发光二极管晶粒上，封装体上形成第一电极及第二电极，封装体的第一电极正对并连接发光二极管晶粒的p型电极，封装体的第二电极正对并连接发光二极管晶粒的n型电极，封装体的第一电极与基板的第一焊垫电连接，封装体的第二电极与基板的第二焊垫电连接。与现有技术相比，上述发光二极管封装结构的无需打金线，从而降低制造成本，并且避免金线在使用过程中脱落，以提高发光二极管封装结构的稳定性。
文档编号H01L33/48GK102456803SQ20101051362
公开日2012年5月16日 申请日期2010年10月20日 优先权日2010年10月20日
发明者柯志勋, 詹勋伟 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司