专利名称：发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术：
在半导体制程中，点胶是常用的方法之一。当点胶的胶液中掺杂固体颗粒的时候， 在点胶过程中，这些固体颗粒很容易沉积而造成固体颗粒分布不均勻，影响制程的效果。如发光二极管封装制程中，封装胶体中往往需要均勻掺杂一些荧光粉颗粒，但是在点胶的过程中，本来已经均勻掺杂的荧光粉颗粒容易沉积在底部，造成荧光粉颗粒分布不均勻，影响出光的效果。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种防止荧光粉颗粒沉积的发光二极管封装结构及其制造方法。一种发光二极管封装结构，包括基板、发光二极管芯片和封装体。所述发光二极管芯片设置于所述基板上。所述封装体覆盖于所述基板上，包覆所述发光二极管芯片。所述封装体包含荧光粉颗粒。所述封装体还包含有磁性颗粒。一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤提供一基板；将发光二极管芯片设置在所述基板上；提供一种掺有荧光粉颗粒及磁性颗粒的封装胶液；在一个磁场方向变化的外加磁场中，将封装胶液覆盖到所述发光二极管芯片上；固化所述封装胶液形成封装体，得到所述发光二极管封装结构。所述发光二极管封装结构的制造方法中，通过在封装胶液中掺有磁性颗粒，并在将封装胶液覆盖到所述发光二极管芯片上时，施加一个磁场方向变化的外加磁场，从而能够避免所述封装胶液中的所述荧光粉颗粒沉淀，使得所述荧光粉颗粒能够均勻分布于固化后的封装体中。本实施方式揭露的发光二极管封装结构，由于其封装体中具有磁性颗粒， 使得在其制造过程中，能够通过采用外加磁场的方式来避免荧光粉颗粒沉淀，从而能够使得荧光粉颗粒能够均勻分布于固化后的封装体中，提高整个发光二极管封装结构的出光效^ ο
图1是本发明实施方式提供的封装结构示意图。图2是本发明实施方式提供的方法流程图。图3是本发明实施方式提供的方法中使用的封装胶液的示意图。主要元件符号说明发光二极管封装结构 10
基板11发光二极管芯片12封装体13封装胶液20荧光粉颗粒21磁性颗粒2具体实施例方式以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。请参阅图1，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构10包括基板11、发光二极管芯片12及封装体13。所述基板11用于支撑所述发光二极管封装结构10。所述基板11的材料可为蓝宝
石或硅等。所述发光二极管芯片12发光二极管芯片12可通过粘着胶固定于所述基板11上。 该发光二极管芯片12亦可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)的方式电性连接到所述基板11上。所述封装体13中含有荧光粉颗粒21和磁性颗粒22。所述封装体13覆盖在所述基板11上，包覆所述发光二极管芯片12。所述封装体13用于保护发光二极管芯片12免受灰尘、水气等影响。所述封装体13的材质可以为硅胶(silicone)、环氧树脂(印oxy)或其组合物。所述荧光粉颗粒21受激辐射，产生所需的色光。所述荧光粉颗粒21可以为石榴石结构的化合物、硫化物、磷化物、氮化物、氮氧化物、硅酸盐类、砷化物、硒化物或碲化物中的一种。所述磁性颗粒22为铁、钴、镍或其合金颗粒，其直径可以为从几微米到几纳米不等。优选地，所述磁性颗粒22的颗粒直径小于100纳米。请参阅图2，本发明实施方式提供了一种发光二极管封装结构10的制造方法，该发光二极管封装结构10的制造方法包括以下步骤提供一基板11，所述基板11用于支撑所述发光二极管封装结构10。所述基板11 的材料可为蓝宝石或硅等。将发光二极管芯片12设置在所述基板11上，具体地，该发光二极管芯片12可通过粘着胶固定于所述基板11上。该发光二极管芯片12亦可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)的方式电性连接到所述基板11上。提供一种掺有荧光粉颗粒21及磁性颗粒22的封装胶液20。请参阅图3，所述封装胶液20的材质可以为硅胶(silicone)、环氧树脂(印oxy)或其组合物。所述荧光粉颗粒21受激辐射，产生所需颜色的光。所述荧光粉颗粒21可以为石榴石结构的化合物、硫化物、磷化物、氮化物、氮氧化物、硅酸盐类、砷化物、硒化物或碲化物中的一种。所述磁性颗粒 22为铁、钴、镍或其合金颗粒，其直径可以为从几微米到几纳米不等。优选地，所述磁性颗粒 22的颗粒直径小于100纳米。在一个磁场方向变化的外加磁场中，将封装胶液20覆盖到所述发光二极管芯片 12上。所述外加磁场可由磁铁或者电磁线圈产生，该外加磁场方向变化使得处于该外加磁场中的所述磁性颗粒22随之移动，搅动所述封装胶液20，避免所述封装胶液20中的所述荧光粉颗粒21沉淀，使得所述荧光粉颗粒21均勻分布于所述封装胶液20中。该外加磁场方向变化的方式可以是顺时针或逆时针方向旋转，也可以构成一个交变磁场，使得该磁场方向不断变化，优选地，所述外加磁场的变化方向是顺逆时针交替旋转，这样可以更好的搅拌所述封装胶液20，使得所述荧光粉颗粒21在所述封装胶液20中均勻分布。固化所述封装胶液20形成封装体13，得到所述发光二极管封装结构10。本实施方式揭露的发光二极管封装结构制造方法中，通过在封装胶液20中掺有磁性颗粒22，并在将封装胶液20覆盖到所述发光二极管芯片12上时，施加一个磁场方向变化的外加磁场，从而能够避免所述封装胶液20中的所述荧光粉颗粒21沉淀，使得所述荧光粉颗粒21能够均勻分布于固化后的封装体13中。本实施方式揭露的发光二极管封装结构10，由于其封装体13中具有磁性颗粒22，使得在其制造过程中，能够通过采用外加磁场的方式来避免荧光粉颗粒21沉淀，从而能够使得荧光粉颗粒21能够均勻分布于固化后的封装体13中，提高整个发光二极管封装结构10的出光效果。可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、发光二极管芯片和封装体，所述发光二极管芯片设置于所述基板上，所述封装体覆盖于所述基板上，包覆所述发光二极管芯片，所述封装体包含荧光粉颗粒，其特征在于所述封装体还包含有磁性颗粒。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述磁性颗粒的直径小于 100纳米。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述封装体材料为硅胶、环氧树脂或二者组合物。
4.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤提供一基板；将发光二极管芯片设置在所述基板上；提供一种掺有荧光粉颗粒及磁性颗粒的封装胶液；在一个磁场方向变化的外加磁场中，将封装胶液覆盖到所述发光二极管芯片上；固化所述封装胶液形成封装体，得到所述发光二极管封装结构。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述磁性颗粒的直径小于100纳米。
6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述外加磁场由磁铁或者电磁线圈产生。
7.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述外加磁场方向变化的方式为顺时针或逆时针方向旋转。
8.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述外加磁场的变化方向是顺逆时针交替旋转。
9.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述磁性颗粒为铁、钴、镍或其合金颗粒。
10.如权利要求4所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述荧光粉颗粒为石榴石结构的化合物、硫化物、磷化物、氮化物、氮氧化物、硅酸盐类、砷化物、硒化物或碲化物中的一种。
全文摘要
一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤提供一基板；将发光二极管芯片设置在所述基板上；提供一种掺有荧光粉颗粒及磁性颗粒的封装胶液；在一个磁场方向变化的外加磁场中，将封装胶液覆盖到所述发光二极管芯片上；固化所述封装胶液形成封装体，得到所述发光二极管封装结构。本发明还涉及一种由该制造方法得到的发光二极管封装结构。
文档编号H01L33/56GK102468405SQ201010550059
公开日2012年5月23日 申请日期2010年11月18日 优先权日2010年11月18日
发明者郭德文 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司