专利名称：发光二极管封装结构的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体制程，尤其涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
背景技术：
很多发光二极管(Light Emitting Diode,LED)封装结构都包括反射杯结构，设置在LED发光二极管的周围。如图1所示，在该反射杯1表面上往往形成有一层高反射率的金属膜2，以增加反射效果。但是该金属膜2不易制作，在镀制所述金属层的过程中容易导致LED发光二极管封装结构产生不良或失效，从而影响发光二极管封装结构的生产良率和出光效果。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种能够防止LED发光二极管封装结构不良或失效的发光二极管封装结构的制造方法。一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤提供封装载体，该封装载体上有两个导线架，封装载体包括第一表面，该第一表面上形成有容置槽，容置槽由底壁和侧壁围成；提供遮罩，所述遮罩包括滑块和与该滑块连接并遮盖该滑块的软膜，所述软膜为耐高温的材料制成，所述滑块滑动，撑开软膜遮住底壁；利用金属镀膜技术在侧壁上形成金属反射层；移出该遮罩，将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部，并与所述两个导线架通过金属导线电性连接；形成封装层，覆盖所述发光二极管芯片，得到发光二极管封装结构。发光二极管封装结构的制造方法中，由于在镀金属反射层的过程中提供了一个遮罩遮住容置槽的底壁，使得该金属反射层仅分布在容置槽的侧壁上，避免底壁受到镀膜的影响，防止LED发光二极管封装结构产生不良或失效，从而提高发光二极管封装结构的生产良率和增加出光效果。
图1是一种发光二极管封装结构示意图。图2是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法流程图。图3至图7是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法示意图。图8是本发明实施方式提供的遮罩的俯视图。主要元件符号说明反射杯1金属膜2
发光二极管封装结构10
封装载体11
第一表面111
第二表面112
容置槽113
底壁114
侧壁115
导线架12
发光二极管芯片13
金属导线131
封装层14
金属反射层15
遮罩20
把手21
滑块22
连杆23
软膜2具体实施例方式以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。请参阅图2至图7，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法包括以下步骤。步骤S201 提供一封装载体11，该封装载体11上有两个导线架12。所述封装载体 11包括相对的第一表面111及第二表面112。该第一表面111上形成有一容置槽113。所述容置槽113由底壁114和侧壁115围成。所述底壁114和侧壁115可为一体成型或采用粘胶等方式固接，本实施方式中，所述底壁114和侧壁115 —体成型。所述封装载体11可采用高导热且电绝缘材料制成，该高导热且电绝缘材料可选自石墨、硅、陶瓷、类钻、环氧树脂或硅烷氧树脂等。所述每个导线架12—端裸露在容置槽113的底壁114上，另一端裸露在封装载体11的第二表面112上。所述导线架12可采用金属或金属合金制成。步骤S202:提供一遮罩20，将该遮罩20置于容置槽113内，遮住底壁114。如图8 所示，所述遮罩20包括一个把手21和多个滑块22，把手21和滑块22之间通过连杆23连接，用一块软膜M遮盖所述滑块22和连杆23，所述软膜M为耐高温的材料制成，软膜M 与所述滑块22的外边缘固定连接，遮盖住所述滑块22。当下压把手21时，连杆23带动滑块22向四周滑动，撑开所述软膜对遮盖住整个底壁114。可以理解的，所述遮罩20还可以设计成通入气体的方式控制所述滑块22的滑动。步骤S203 利用金属镀膜技术在侧壁115上形成一金属反射层15。该金属镀膜技术为蒸镀、离子镀或磁控溅镀。所述金属反射层15所用的材料可以为金、银、铜、钼、铝、镍、 锡或镁中的一种或几种的混合。步骤S204 提起把手21可以使得连杆23带动滑块22收缩，可以避免直接向上取出所述遮罩20时，破坏所述金属反射层15。将发光二极管芯片13贴设于所述容置槽113 的底壁114上或导线架12上。具体地，该发光二极管芯片13可通过粘着胶固定于容置槽 113的底壁114或导线架12上。所述发光二极管芯片13通过金属导线131与所述两个导线架12电性连接。值得说明的是，该发光二极管芯片13亦可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)的方式电性连接所述两个导线架12。优选地，所述金属反射层15能够反射发光二极管芯片13发出的光线，以控制发光二极管芯片13的出光方向。步骤S205 在所述容置槽113内形成封装层14，所述封装层14的材质可以为硅胶 (silicone)、环氧树脂(印oxy)或二者的组合物。所述封装层14还可以包含荧光转换材料， 该萤光转换材料可以为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉和氮化物基荧光粉。所述封装层14可以保护发光二极管芯片13 免受灰尘、水气等影响。这样就形成了所述发光二极管封装结构10。本发明实施方式提供的发光二极管封装结构的制造方法中，由于在镀金属反射层的过程中提供了一个遮罩遮住容置槽的底壁，使得该金属反射层仅分布在容置槽的侧壁上，避免底壁受到镀膜的影响，防止LED发光二极管封装结构产生不良或失效，从而提高发光二极管封装结构的生产良率和增加出光效果。可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤提供封装载体，该封装载体上有两个导线架，封装载体包括第一表面，该第一表面上形成有容置槽，容置槽由底壁和侧壁围成；提供遮罩，所述遮罩包括滑块和与该滑块连接并遮盖该滑块的软膜，所述软膜为耐高温的材料制成，所述滑块滑动，撑开软膜遮住底壁；利用金属镀膜技术在侧壁上形成金属反射层；移出该遮罩，将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部，并与所述两个导线架通过金属导线电性连接；形成封装层，覆盖所述发光二极管芯片，得到发光二极管封装结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述遮罩还包括一个把手，方便遮罩的取出和放入。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述把手通过多个连杆与所述滑块连接。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述滑块通过通入气体的方式控制其滑动。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述金属镀膜技术为蒸镀、离子镀或磁控溅镀。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述金属反射层所用的材料为金、银、铜、钼、铝、镍、锡或镁中的一种或几种的混合。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述封装层包含荧光转换材料。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述萤光转换材料为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉或氮化物基荧光粉中的一种。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述导线架位于容置槽底部，所述发光二极管芯片贴设于该导线架上。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述发光二极管芯片利用金属导线连接、覆晶或共晶的方式电性连接所述两个导线架。
全文摘要
发光二极管封装结构的制造方法。本发明涉及提供封装载体，该封装载体上有两个导线架，封装载体包括第一表面，该第一表面上形成有容置槽，容置槽由底壁和侧壁围成；提供遮罩，所述遮罩包括滑块和与该滑块连接并遮盖该滑块的软膜，所述软膜为耐高温的材料制成，所述滑块滑动，撑开软膜遮住底壁；利用金属镀膜技术在侧壁上形成金属反射层；移出该遮罩，将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部，并与所述两个导线架通过金属导线电性连接；形成封装层，覆盖所述发光二极管芯片，得到发光二极管封装结构。
文档编号H01L33/62GK102569540SQ20101060490
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月25日 优先权日2010年12月25日
发明者方荣熙, 林厚德, 许时渊 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司