专利名称：发光二极管封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种封装结构，特别是一种发光二极管的封装结构。
背景技术：
相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地应用到各领域当中，如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等等。常见的发光二极管封装结构通常包括基板、设置在基板上的电极、发光二极管芯片、以及围绕在发光二极管芯片周围的反射杯。然而，现有技术中，反射杯往往采用塑料材质制成，使得发光二极管封装结构产生不需要的特定光场，影响发光二极管封装结构的光学特性。另外，反射杯、电极分别固定在基板上，制造工艺复杂，并且因为反射杯、电极及基板之间的接合力欠佳，使得发光二极管封装结构的可靠度降低，直接影响到发光二极管封装结构的使用寿命。有鉴于此，有必要提供一种具有较佳可靠度及光学性能的发光二极管封装结构。
发明内容
以下将以实施例说明一种具有较佳可靠度的发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构，包括支架、设置在支架上的第一电极、第二电极及发光二极管芯片，该第一电极包括一个电极部、一体连接电极部的反射部，该第二电极包括电极部、一体连接电极部的反射部，所述发光二极管芯片分别电性连接第一电极的电极部、第二电极的电极部，所述第一电极的反射部、第二电极的反射部共同围绕发光二极管芯片以将发光二极管芯片发出的光线反射出去。本发明发光二极管封装结构通过第一电极、第二电极的反射部用作反射杯将发光二极管芯片发出的光线反射出去，结构简单可靠。
图1为本发明一实施例的发光二极管封装结构的俯视图。图2为图1发光二极管封装结构的剖面示意图。图3为图1发光二极管封装结构的仰视图。主要元件符号说明发光二极管封装结构10支架20第一表面21第二表面22第一电极30电极部31、41
底面311、411顶面312、412侧部313、413切口314、414反射部32、42嵌入部33、43端缘335、435接触部；34、44第二电极40发光二极管芯片50导线51、52封装层60绝缘层70
具体实施例方式请参阅图1至图3，本发明一实施例提供的发光二极管封装结构10包括一个支架 20、嵌设于支架20内的第一电极30及第二电极40、设置与第一电极30上的发光二极管芯片50以及封装发光二极管芯片50的封装层60。该支架20呈矩形设置，在其它实施例中可根据特定的需求而相应调整。该支架20 利用高导热绝缘的材质构成，如高分子化合物、硅或陶瓷。该支架20具有一第一表面21及与第一表面21相对的第二表面22。该支架20中部设有容置槽(图未标)以设置发光二极管芯片50及封装层60。所述第一电极30由金属材料一体制成，其厚度小于支架20的厚度。第一电极30 呈半盘状设置，包括一置于支架20的容置槽内的电极部31、自电极部31向上向外延伸的反射部32、连接反射部32顶缘的嵌入部33。所述电极部31呈平板状设置。该电极部31 具有一底面311及与底面311相对的顶面312。该顶面312用于安置所述发光二极管芯片 50，该底面311与支架20的第一表面21共面，以将发光二极管芯片50产生的热量从底面 311传递至外界。该电极部31具有一靠近第二电极40的侧部313，该侧部313底部设有一切口 314。该反射部32自电极部31除侧部313以外的边缘上倾斜向上延伸。反射部32的表面可以镀设反射材料薄层，如金属银。该嵌入部33设置于支架20内部，呈弯折设置。嵌入部33与反射部32共同形成η形拱起结构，以与支架20相互卡持结合。嵌入部33的顶面(图未标)与支架20的第二表面22相隔一定距离。嵌入部33远离反射部32的一端缘 335与支架20的第一表面21共面。所述第一电极30还包括二自嵌入部33的端缘335延伸的接触部；34。所述第二电极40与第一电极30的结构相似，并与第一电极30相隔绝缘。第二电极40包括置于支架20的容置槽内的电极部41、自电极部41向上向外延伸的反射部42、连接反射部42顶缘的嵌入部43。该电极部41具有一底面411及与底面411相对的顶面412。 该底面411与支架20的第一表面21共面。该电极部41具有一靠近第一电极30的侧部 413，该侧部413底部设有一切口 414。该反射部42自电极部41除侧部413以外的边缘上倾斜向上延伸。该嵌入部43设置于支架20内部，呈弯折设置。嵌入部43与反射部42共同形成η形拱起部，以与支架20紧密结合。嵌入部43远离反射部42的一端缘435与支架 20的第一表面21共面。所述第二电极40还包括二自嵌入部43的端缘435延伸的接触部 44。所述第一电极30与第二电极40之间设有绝缘层70。该绝缘层70连接支架20的两侧部并将第一电极30与第二电极40电性隔绝。该绝缘层70嵌入于第一电极30的切口 314与第二电极的切口 414以增加第一电极30、第二电极40与支架20的密合度。可以理解地，绝缘层70可以是与支架20 —体制成。所述发光二极管芯片50设置于第一电极30的电极部31上，并通过导线51、52分别电性连接第一电极30的电极部31、第二电极40的电极部41。所述封装层60设置于支架20的容置槽内，即设置于第一电极30的电极部31、反射部32、第二电极40的电极部41、 反射部42、及绝缘层70所围成的凹槽内。该封装层60 —并覆盖发光二极管芯片50及导线 51、52。该封装层60采用透光材料制成，该封装层60的内部还可以包含光波长转换材料， 以改善发光二极管芯片50发出光的光学特性。当然，该封装层60的上表面也可涂覆一层光波长转换材料(图未示)，以起到改变光学特性的效果。在其它实施例中，该发光二极管芯片50可以是覆晶结构设置，导线51、52则可以省略。由于第一电极30与第二电极40的反射部32、42形成围绕发光二极管芯片50的金属反射杯，避免了现有技术中因使用塑料反光杯造成的亮度衰减及老化的情况，提高出光效率，并且减少了反光杯的制造程序，节约制造成本。同时，第一电极30、第二电极40的嵌入部33弯折嵌入于所述支架20内，使第一电极30、第二电极40不易从支架20处脱落， 从而加强了支架20与第一电极30、第二电极40之间的连接强度。另外，第一电极30增加了对发光二极管芯片50的散热面积，提高发光二极管封装结构的寿命。本发明的技术内容及技术特点已揭露如上，然而本领域技术人员仍可能基于本发明的教示及揭示而作出种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此，本发明的保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为所附的权利要求所涵盖。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构，包括支架、设置在支架上的第一电极、第二电极及发光二极管芯片，其特征在于该第一电极包括一个电极部、一体连接电极部的反射部，该第二电极包括电极部、一体连接电极部的反射部，所述发光二极管芯片分别电性连接第一电极的电极部、第二电极的电极部，所述第一电极的反射部、第二电极的反射部共同围绕发光二极管芯片以将发光二极管芯片发出的光线反射出去。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一电极的反射部自第一电极的电极部向上向外倾斜延伸，所述第二电极的反射部自第二电极的电极部向上向外倾斜延伸。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一电极还包括一连接该第一电极的反射部的嵌入部，所述第二电极还包括一连接该第二电极的反射部的嵌入部，该第一电极、第二电极的嵌入部弯折设置并嵌入于所述支架内。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一电极的嵌入部与第一电极的发射部共同形成一拱起结构以与支架相互卡持，所述第二电极的嵌入部与第二电极的发射部共同形成一拱起结构以与支架相互卡持。
5.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一电极的嵌入部、第二电极的嵌入部均相隔所述支架的顶面一定距离。
6.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一电极的嵌入部、第二电极的嵌入部均呈弯折设置。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一电极与第二电极之间设有一绝缘层，该绝缘层与所述支架连接。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一电极靠近绝缘层的一侧底部设有切口，第二电极靠近绝缘层的一侧底部设有另一切口，所述绝缘层嵌入所述第一电极、第二电极的切口。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述发光二极管芯片设置在第一电极的电极部上。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述支架包括一第一表面及一与该第一表面相对的第二表面，所述第一电极的电极部的底面与该支架的第一表面共面，以将发光二极管芯片产生的热量第一电极的电极部的底面传递出去。
全文摘要
一种发光二极管封装结构，包括支架、设置在支架上的第一电极、第二电极及发光二极管芯片，该第一电极包括一个电极部、一体连接电极部的反射部，该第二电极包括电极部、一体连接电极部的反射部，所述发光二极管芯片分别电性连接第一电极的电极部、第二电极的电极部，所述第一电极的反射部、第二电极的反射部共同围绕发光二极管芯片以将发光二极管芯片发出的光线反射出去。本发明发光二极管封装结构通过第一电极、第二电极的反射部用作反射杯将发光二极管芯片发出的光线反射出去，结构简单可靠。
文档编号H01L33/60GK102569595SQ201010611480
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月29日 优先权日2010年12月29日
发明者张耀祖, 简克伟 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司