专利名称：大功率的横向结构led芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型揭示大功率的横向结构LED芯片，属于光电子技术领域。
背景技术：
半导体照明正快速的进入通用照明，目前的主要障碍是高成本，另外，扩展产 能需要巨额资金。传统的横向结构半导体芯片的不足之处之一在于，不易向芯片输入大 电流，产生电流拥塞(current crowding)。 电流拥塞一方面降低芯片寿命，一方面降低 芯片发光效率。然而，向芯片输入大电流是快速降低芯片成本、减少巨额投资的重要方 法，需要能引入大电流的芯片。本实用新型公开大功率的横向结构LED芯片。
实用新型内容本实用新型公开的大功率的横向结构LED芯片，包括生长衬底、半导体外延 层、透明电极、钝化层、电极。其中，半导体外延层包括，N-类型限制层、活化层、 P-类型限制层N-类型限制层形成在生长衬底上，活化层形成在N-类型限制层上， P-类型限制层形成在活化层上。透明电极形成在P-类型限制层上。半导体外延层的预定 的位置上形成至少一个半导体外延层半通槽，半导体外延层半通槽穿过透明电极、P-类 型限制层和活化层，半导体外延层半通槽的底部是N-类型限制层。钝化层形成在透明 电极上并且覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面。在钝化层的覆盖半导体外延层半通 槽的底面的部分的预定的位置上形成至少一个N-半通槽，使得N-类型限制层在N-半通 槽中暴露。在钝化层的预定的位置上形成至少一个P-半通槽，P-半通槽穿过钝化层， P-半通槽的底部是透明电极，使得透明电极在P-半通槽中暴露。电极包括，至少一个 N-打线焊盘、至少一个P-打线焊盘、至少一个N-非有效条形电极、至少一个N-混合 条形电极；至少一个P-非有效条形电极、至少一个P-混合条形电极。N-打线焊盘和 P-打线焊盘分别形成在钝化层预定的位置上。N-非有效条形电极和P-非有效条形电极 分别形成在钝化层预定的位置上。N-混合条形电极包括N-有效电极部分和N-非有效 电极部分，N-非有效电极部分形成在钝化层上而不直接与N-类型限制层接触，电流不 能通过N-非有效条形电极直接流向N-类型限制层。N-有效电极部分形成在N-半通槽 中的暴露的N-类型限制层上。电流通过N-非有效电极部分流向N-有效电极部分，通 过N-有效电极部分直接流向N-类型限制层。P-混合条形电极包括P-有效电极部分和 P-非有效电极部分，P-非有效电极部分形成在钝化层上而不直接与透明电极接触，电流 不能通过P-非有效条形电极直接流向透明电极和P-类型限制层，P-有效电极部分形成 在P-半通槽的底部的暴露的透明电极上。电流通过P-非有效电极部分流向P-有效电极 部分，通过P-有效电极部分直接流向透明电极和P-类型限制层。其特征在于(1)钝化层使得电流不能从N-和P-打线焊盘直接流向半导体外延 层，不会在N-和P-打线焊盘的下方形成电流拥塞(current crowding)。 (2)钝化层使得电流不能从N-和P-非有效条形电极与N-和P-混合条形电极的N-和P-非有效电极部 分分别直接流向N-类型限制层和透明电极。(3)分别与N-和P-打线焊盘连接的N-和 P-非有效条形电极在钝化层上延伸一段预定的距离后，分别与N-和P-混合条形电极的 N-和P-非有效条形电极相连接，避免电流在打线焊盘附近形成电流拥塞。(4)电流从 至少一个端点流入N-混合条形电极的N-有效电极部分，该端点称为N-有效电极部分的 N-电流引入点。电流从N-电流引入点开始，向下流入N-类型限制层。电流从至少一 个端点流入P-有效电极部分，该端点称为P-有效电极部分的P-电流引入点。电流从 P-电流引入点开始，向下流入透明电极和P-类型限制层。每个N-和P-混合条形电极 分别有至少一个电流引入点。(5)电极的设置是从一组设置中选出，该组设置包括，互相 平行的多个N-有效电极部分和P-有效电极部分。 优选实施例相邻的N-和P-混合条形电极基本上互相平行。优选实施例半导体外延层和透明电极之间形成反射层，反射层的位置、形状 和尺寸分别与N-打线焊盘和P-打线焊盘相对应。优选实施例钝化层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状和尺寸 分别与N-打线焊盘和P-打线焊盘相对应。优选实施例半导体外延层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状 与尺寸分别与N-非有效条形电极和P-非有效条形电极相对应。优选实施例钝化层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状与尺寸 分别与N-非有效条形电极和P-非有效条形电极相对应。优选实施例半导体外延层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状 与尺寸分别与N-混合条形电极的N-非有效电极部分和P-混合条形电极的P-非有效电 极部分相对应。优选实施例钝化层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状与尺寸 分别与N-混合条形电极的N-非有效电极部分和P-混合条形电极的P-非有效电极部分 相对应。半导体外延层包括，氮化镓基、磷化镓基、镓氮磷基、氧化锌基外延层，艮口， 发红光/黄、绿光、蓝光，等的半导体外延层。本实用新型的目的和能达到的各项效果如下(1)本实用新型提供大功率的横向结构LED芯片，解决了向芯片输入大电流的 问题，使得每个芯片发出的光通量(流明(Im)/芯片)增加。(2)本实用新型提供的大功率的横向结构LED芯片，降低了流明(Im)成本(元 /lm)，使得LED可以很快地进入普通照明。(3)本实用新型提供的大功率的横向结构LED芯片，在相同的芯片产能的条件 下，提高了流明(Im)产能，其中，流明(Im)产能=芯片产能χ流明(Im)/芯片。节省 了巨额的设备投资。(4)本实用新型提供的大功率的横向结构LED芯片，在相同的流明(Im)产能的 条件下，节省了外延生长和芯片工艺的原材料。(5)本实用新型提供的大功率的横向结构LED芯片，制造工艺适于批量生产。 本实用新型和它的特征及效益将在下面的详细描述中更好的展示。
图Ia展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的一个实施例的 第一个工艺步骤的顶视图。图Ib展示图Ia展示的第一个工艺步骤的A-A截面图。图Ic展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的一个实施例的 第二个工艺步骤的顶视图。图Id展示图Ic展示的第二个工艺步骤的A-A截面图。图Ie展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的一个实施例的 第三个工艺步骤的顶视图。图If展示图Ie展示的第三个工艺步骤的A-A截面图。图Ig展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的一个实施例的 第四个工艺步骤的顶视图。图Ih展示图Ig展示的第四个工艺步骤的A-A截面图。图Ij展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的一个实施例的 第五个工艺步骤的顶视图。图Ik展示图Ij展示的第五个工艺步骤的A-A截面图。图Im展示本实用新型的大功率的带有反射层的横向结构LED芯片的反射层的结 构的一个实施例的截面图。图In展示本实用新型的大功率的带有反射层的横向结构LED芯片的反射层的结 构的一个实施例的截面图。图Ip展示本实用新型的大功率的带有反射层的横向结构LED芯片的反射层的结 构的一个实施例的截面图。
具体实施例虽然本实用新型的具体实施例将会在下面被描述，但下列各项描述只是说明本 实用新型的原理，而不是局限本实用新型于下列各项具体化实施实例的描述。注意下列各项适用于本实用新型的大功率的横向结构LED芯片的所有实施 例(1)图中各部分的比例不代表真实产品的比例。(2)外延层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，氮化镓基、磷化镓基、 镓氮磷基、和氧化锌基材料，即，发红光/黄、绿光、蓝光，等的半导体外延层。其 中，氮化镓基材料包括镓、铝、铟、氮的二元系、三元系、四元系材料。镓、铝、 铟、氮的二元系、三元系、四元系材料包括，GaN、GalnN、AlGalnN、AlGaInN,等。 磷化镓基材料包括镓 、铝、铟、磷的二元系、三元系、四元系材料。镓、铝、铟、 磷的二元系、三元系、四元系材料包括，GaP、GaInP> AlGaInP> InP,等。镓氮磷基 材料包括镓、铝、铟、氮、磷的二元系、三元系、四元系和五元系材料。镓、铝、 铟、氮、磷的二元系、三元系、四元系和五元系材料包括，GaNP、AlGaNP> GaInNP> AlGaInNP,等。氧化锌基材料包括，ZnO，等。氮化镓基外延层的晶体平面是从一组晶体平面中选出， 该组晶体平面包括C-平面、a-平面、m-平面。(3)横向结构LED芯片包括生长衬底、半导体外延层、透明电极、钝化层、 电极。其中，半导体外延层包括，N-类型限制层、活化层、P-类型限制层N-类型限 制层形成在生长衬底上，活化层形成在N-类型限制层上，P-类型限制层形成在活化层 上。透明电极形成在P-类型限制层上。(4)半导体外延层的预定的位置上形成至少一个半导体外延层半通槽，半导体外 延层半通槽穿过透明电极、P-类型限制层和活化层，半导体外延层半通槽的底部是N-类 型限制层。(5)钝化层形成在透明电极上并且覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面。(6)在钝化层的覆盖半导体外延层半通槽的底面的部分的预定的位置上形成至少 一个N-半通槽，使得N-类型限制层在N-半通槽中暴露。(7)在钝化层的预定的位置上形成至少一个P-半通槽，P-半通槽穿过钝化层， P"半通槽的底部是透明电极，使得透明电极在P-半通槽中暴露。(8)电极包括，至少一个N-打线焊盘、至少一个P-打线焊盘、至少一个N-非 有效条形电极、至少一个N-混合条形电极；至少一个P-非有效条形电极、至少一个 P-混合条形电极。(9)N-打线焊盘和P-打线焊盘分别形成在钝化层预定的位置上。钝化层使得电 流不能从N-和P-打线焊盘直接流向半导体外延层，不会在N-和P-打线焊盘的下方形 成电流拥塞(current crowding)。(IO)N-非有效条形电极和P-非有效条形电极分别形成在钝化层预定的位置上。 钝化层使得电流不能从N-和P-非有效条形电极分别直接流向N-类型限制层和透明电 极。(Il)N-混合条形电极包括N-有效电极部分和N-非有效电极部分，N-非有效 电极部分形成在钝化层上而不直接与N-类型限制层接触，电流不能通过N-非有效条形 电极直接流向N-类型限制层。N-有效电极部分形成在N-半通槽中的暴露的N-类型限 制层上。电流通过N-非有效电极部分流向N-有效电极部分，通过N-有效电极部分直 接流向N-类型限制层。(12)P-混合条形电极包括P-有效电极部分和P-非有效电极部分，P-非有效电 极部分形成在钝化层上而不直接与透明电极接触，电流不能通过P-非有效条形电极直接 流向透明电极和P-类型限制层，P-有效电极部分形成在P-半通槽的底部的暴露的透明 电极上。电流通过P-非有效电极部分流向P-有效电极部分，通过P-有效电极部分直接 流向透明电极和P-类型限制层。(13)电流从至少一个端点流入N-混合条形电极的N-有效电极部分，该端点称 为N-有效电极部分的N-电流引入点。电流从N-电流引入点开始，向下流入N-类型 限制层。(14)电流从至少一个端点流入P-有效电极部分，该端点称为P-有效电极部分 的P-电流引入点。电流从P-电流引入点开始，向下流入透明电极和P-类型限制层。(15)每个N-和P-混合条形电极分别有至少一个电流引入点。(16)电流通过至少一个端点从N-非有效电极部分流向N-有效电极部分，该端点称为N-电流引入点，电流从N-电流引入点开始向下流入N-类型限制层。(17)电流通过至少一个端点从P-非有效电极部分流向P-有效电极部分，该端点称为P-电流引入点，电流从P-电流引入点开始向下流入P-类型限制层。(18)每个N-和P-混合条形电极分别有至少一个电流引入点。(19)两个相邻的N-和P-混合条形电极的N-和P_有效电极部分基本上互相平 行。(20)两个相邻的N-和P-混合条形电极基本上互相平行。(21)优选实施例半导体外延层和透明电极之间形成反射层，反射层的位置、 形状和尺寸分别与N-打线焊盘和P-打线焊盘相对应。(22)优选实施例钝化层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状和 尺寸分别与N-打线焊盘和P-打线焊盘相对应。(23)优选实施例半导体外延层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、 形状与尺寸分别与N-非有效条形电极和P-非有效条形电极相对应。(24)优选实施例钝化层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状与 尺寸分别与N-非有效条形电极和P-非有效条形电极相对应。(25)优选实施例半导体外延层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、 形状与尺寸分别与N-混合条形电极的N-非有效电极部分和P-混合条形电极的P-非有 效电极部分相对应。(26)优选实施例钝化层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状与 尺寸分别与N-混合条形电极的N-非有效电极部分和P-混合条形电极的P-非有效电极 部分相对应。(27) 一个LED芯片的电极包括至少一个N-打线焊盘和至少一个P-打线焊盘。 对于具有多个N-和P-打线焊盘的电极，打线焊盘的位置的设置使得多个N-和P-混合 条形电极的有效电极部分基本上互相平行。(28)至少一个N-非有效条形电极与N-打线焊盘连接，N_非有效条形电极在 钝化层上延伸一段预定的距离后，与N-混合条形电极的N-非有效电极部分相连接，避 免电流在N-打线焊盘附近形成电流拥塞。(29)至少一个P-非有效条形电极与P-打线焊盘连接，P-非有效条形电极在钝 化层上延伸一段预定的距离后，与P-混合条形电极的P-非有效电极部分相连接，避免电 流在N-打线焊盘附近形成电流拥塞。(30)钝化层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，氧化硅(Si02)、氮化 硅(SiN)、玻璃上硅(SOG)，等。(31)在半导体外延层的表面上，形成粗化结构或光子晶体结构。(32)在透明电极的表面上，形成粗化结构。(33)在透明电极表面上形成绝缘的钝化层。钝化层的表面上，形成粗化结构。图Ia和图Ib分别展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的 一个实施例的第一个工艺步骤的顶视图和A-A截面图。横向结构LED芯片100包括生长衬底105、半导体外延层和透明电极101。半 导体外延层包括，N-类型限制层104、活化层103、P-类型限制层102，其中，N_类型限制层104形成在衬底生长衬底105上，活化层103形成在N-类型限制层104上，P-类 型限制层102形成在活化层103上，透明电极101形成在P-类型限制层102上。图Ic和 图Id分别展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的 一个实施例的第二个工艺步骤的顶视图和A-A截面图。通过光刻和蚀刻的方法，在大功率的横向结构LED芯片的表面上形成至少一个 半导体外延层半通槽(mesa) 106，半导体外延层半通槽106通过透明电极101、P-类型限 制层102、活化层103，半导体外延层半通槽106的底部106a形成在N-类型限制层104中。图Ie和图If分别展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的一 个实施例的第三个工艺步骤的顶视图和A-A截面图。在大功率的横向结构LED芯片100的表面上形成钝化层(passivition)。钝化层 包括几个同时形成且互相连接的部分形成在透明电极101表面的钝化层107a、形成在 半导体外延层半通槽106的底部106a上暴露的N-类型限制层104的表面的钝化层107b 和形成在半导体外延层半通槽106的侧面的钝化层。形成在半导体外延层半通槽106的 侧面的钝化层覆盖半导体外延层半通槽106中暴露的透明电极101、P-类型限制层102、 活化层103和N-类型限制层104的侧面。图Ie中，钝化层覆盖了半导体外延层半通槽106，半导体外延层半通槽106采用 虚线表示。图Ig和图Ih分别展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的 一个实施例的第四个工艺步骤的顶视图和A-A截面图。通过光刻和蚀刻的方法，在钝化层107a和107b上的预定位置分别形成P_半通 槽107c和N-半通槽107d。P-半通槽107c穿过钝化层，P-半通槽107c的底部是透明 电极101，使得透明电极101的部分表面在P-半通槽107c中暴露。N-半通槽107d中， N-类型限制层104的部分表面暴露。图Ij和图Ik分别展示本实用新型的制造大功率的横向结构LED芯片的工艺的一 个实施例的第五个工艺步骤的顶视图和A-A截面图。通过金属沉积的方法，在P-半通槽107c中的预定位置分别形成P-混合条形电 极的P-有效电极部分110b，使得P-有效电极部分IlOb与透明电极101的暴露的表面部 分相电连接；在N-半通槽107d中的预定位置分别形成N-混合条形电极的N-有效电极 部分108b，使得N-有效电极部分108b与N-类型限制层104的暴露的表面部分相电连 接。在钝化层107a上的预定位置分别形成N-打线焊盘112a和112b、P_打线焊盘113a 和113b、N-非有效条形电极109、P-非有效条形电极111a、Illb和111c、P_混合条形 电极的P-非有效电极部分110a、N-混合条形电极的N-非有效电极部分108a。N-打线焊盘112a和112b分别与N-非有效条形电极109电连接。N_非有效条 形电极109与N-混合条形电极的N-非有效电极部分108a电连接。N-混合条形电极的 N-非有效电极部分108a和相对应的N-有效电极部分108b相互连接从而构成N_混合条 形电极。P-打线焊盘113a和113b分别与P-非有效条形电极111a、Illb和Illc电连接。 P-非有效条形电极111a、11 Ib和11 Ic分别与P-混合条形电极的P-非有效电极部分1 IOa电连接。P-混合条形电极的P-非有效电极部分Iioa和相对应的P-有效电极部分IlOb相互连接从而构成P-混合条形电极。混合条形电极的非有效电极部分和有效电极部分的接触点称为电流引入点，每 个混合条形电极具有至少一个电流弓丨入点。图Ij和图Ik分别展示本实用新型的大功率的横向结构LED芯片的一个实施例的 顶视图和A-A截面图。注意，图Ia至图Ik中的LED芯片100的电极包括，至少一个N_打线焊盘、至 少一个P-打线焊盘、至少一个N-混合条形电极、至少一个N-非有效条形电极、至少一 个P-混合条形电极和至少一个P-非有效条形电极。N-打线焊盘和N-非有效条形电极 形成电连接，N-混合条形电极和N-非有效条形电极形成电连接。P-打线焊盘和P-非 有效条形电极形成电连接，P-混合条形电极和P-非有效条形电极形成电连接。实施例多个N-有效电极部分和多个P-有效电极部分基本互相平行。实施例多个N-混合条形电极和多个P-混合条形电极基本上互相平行，使得 没有电流拥塞，可以采用较大的驱动电流。实施例相邻的N-有效电极部分和P-有效电极部分基本互相平行。图Im展示本实用新型的大功率的带有反射层的横向结构LED芯片的反射层的结 构的一个实施例的截面图。在透明电极101的预定位置形成反射层121，反射层121的形状、位置、尺寸与 部件120 (部件120代表N-和P-打线焊盘、N-和P-非有效条形电极、N_混合条形电 极的N-非有效电极部分和P-混合条形电极的P-非有效电极部分)相对应。钝化层107a 形成在透明电极101上，并覆盖在部件120上。部件120形成在钝化层107a上。横向 结构LED芯片的其他部分没有在图Im中展出。图In展示本实用新型的大功率的带有反射层的横向结构LED芯片的反射层的结 构的一个实施例的截面图。在透明电极101上形成钝化层107a。在钝化层107a的预定位置形成反射层121， 反射层121的形状、位置、尺寸与部件120(部件120代表N-和P-打线焊盘、N_和P-非 有效条形电极、N-混合条形电极的N-非有效电极部分和P-混合条形电极的P-非有效 电极部分)相对应。部件120形成在反射层121上。横向结构LED芯片的其他部分没 有在图In中展出。图Ip展示本实用新型的大功率的带有反射层的横向结构LED芯片的反射层的结 构的一个实施例的截面图。在N-类型限制层102的预定位置形成反射层121，反射层121的形状、位置、 尺寸与部件120 (部件120代表N-和P-打线焊盘、N-和P-非有效条形电极、N_混合 条形电极的N-非有效电极部分和P-混合条形电极的P-非有效电极部分)相对应。透 明电极101形成在N-类型限制层102上，并覆盖在部件120上。部件120形成在钝化层 107a上。横向结构LED芯片的其他部分没有在图Ip中展出。一个优选的实施例是在P-类型限制层的暴露的表面上形成粗化结构或光子晶 体(未在图中展示)。一个优化的实施例是在透明电极的表面上形成粗化结构(未在图中展示)。[0095] 一个优化的实施例钝化层的表面具有粗化结构(未在图中展示)。上面的具体的描述并不限制本实用新型的范围，而只是提供一些本实用新型的 具体化的例证。因此本实用新型的涵盖范围应该由权利要求和它们的合法等同物决定， 而不是由上述具体化的详细描述和实施实例决定。
权利要求1.一种大功率的横向结构LED芯片，包括生长衬底、半导体外延层、透明电极、 钝化层、电极；其中，所述的半导体外延层包括，N-类型限制层、活化层、P-类型限制 层；其中，所述的N-类型限制层形成在所述的生长衬底上，所述的活化层形成在所述的 N-类型限制层上，所述的P-类型限制层形成在所述的活化层上；所述的透明电极形成 在所述的P-类型限制层上；所述的半导体外延层的预定的位置上形成至少一个半导体外 延层半通槽，所述的半导体外延层半通槽穿过所述的透明电极、所述的P-类型限制层和 所述的活化层，所述的半导体外延层半通槽的底部是所述的N-类型限制层；所述的钝化 层形成在所述的透明电极上并且覆盖所述的半导体外延层半通槽的侧面和底面；在所述 的钝化层的覆盖所述的半导体外延层半通槽的底面的部分的预定的位置上形成至少一个 N-半通槽，使得所述的N-类型限制层在所述的N-半通槽中暴露；在所述的钝化层的预 定的位置上形成至少一个P-半通槽，所述的P-半通槽穿过所述的钝化层，所述的P-半 通槽的底部是所述的透明电极，使得所述的透明电极在所述的P-半通槽中暴露；所述的 电极包括，至少一个N-打线焊盘、至少一个P-打线焊盘、至少一个N-非有效条形电 极、至少一个N-混合条形电极；至少一个P-非有效条形电极、至少一个P-混合条形电 极；所述的N-打线焊盘和所述的P-打线焊盘分别形成在所述的钝化层预定的位置上； 所述的N-非有效条形电极和所述的P-非有效条形电极分别形成在所述的钝化层预定的 位置上；所述的N-混合条形电极包括N-有效电极部分和N-非有效电极部分，所述的 N-非有效电极部分形成在所述的钝化层上，所述的N-有效电极部分形成在所述的N-半 通槽中的暴露的N-类型限制层上；所述的P-混合条形电极包括P-有效电极部分和P-非 有效电极部分，所述的P-非有效电极部分形成在所述的钝化层上，所述的P-有效电极部 分形成在所述的P-半通槽的底部的暴露的透明电极上。
2.权利要求1的横向结构LED芯片，其特征在于，多个所述的N-有效电极部分基本 互相平行。
3.权利要求1的横向结构LED芯片，其特征在于，多个所述的P-有效电极部分基本 互相平行。
4.权利要求1的横向结构LED芯片，其特征在于，相邻的所述的N-有效电极部分和 所述的P-有效电极部分基本互相平行。
5.权利要求1的横向结构LED芯片，其特征在于，所述的半导体外延层和所述的透 明电极之间形成反射层；所述的反射层的位置、形状和尺寸分别与所述的N-打线焊盘和 P-打线焊盘相对应。
6.权利要求1的横向结构LED芯片，其特征在于，所述的钝化层和所述的透明电极 之间形成反射层；所述的反射层的位置、形状和尺寸分别与所述的N-打线焊盘和P-打 线焊盘相对应。
7.权利要求1的横向结构LED芯片，其特征在于，所述的半导体外延层和所述的透 明电极之间形成反射层；所述的反射层的位置、形状与尺寸分别与所述的N-非有效条形 电极和P-非有效条形电极相对应。
8.权利要求1的横向结构LED芯片，其特征在于，所述的钝化层和所述的透明电极 之间形成反射层；所述的反射层的位置、形状与尺寸分别与所述的N-非有效条形电极和 P-非有效条形电极相对应。
9.权利要求1的横向结构LED芯片，其特征在于，所述的半导体外延层和所述的透 明电极之间形成反射层；所述的反射层的位置、形状与尺寸分别与所述的N-非有效电极 部分和所述的P-非有效电极部分相对应。
10.权利要求1的横向结构LED芯片，其特征在于，所述的钝化层和所述的透明电极 之间形成反射层；所述的反射层的位置、形状与尺寸分别与所述的N-非有效电极部分和 所述的P-非有效电极部分相对应。
专利摘要横向结构LED芯片，包括生长衬底、半导体外延层、透明电极、钝化层、电极。半导体外延层内部有半通槽，其底部是N-类型限制层。钝化层形成在透明电极上并且覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面。N-类型限制层在N-半通槽中暴露。透明电极在P-半通槽中暴露。电极包括，N-和P-打线焊盘、N-和P-非有效条形电极、N-和P-混合条形电极。N-打线焊盘、P-打线焊盘和N-和P-非有效条形电极分别形成在钝化层预定的位置上。N-和P-混合条形电极分别包括N-和P-有效电极部分和N-和P-非有效电极部分，N-有效电极部分形成在N-半通槽中的暴露的N-类型限制层上，P-有效电极部分形成在P-半通槽的底部的暴露的透明电极上。相邻的N-有效电极部分和P-有效电极部分基本互相平行。
文档编号H01L33/36GK201796941SQ20102016804
公开日2011年4月13日 申请日期2010年4月23日 优先权日2010年4月23日
发明者彭晖 申请人:彭晖, 金芃