硅太阳能电池片的背电场结构的制作方法

文档序号:6977484阅读:108来源:国知局
专利名称:硅太阳能电池片的背电场结构的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种硅太阳能电池片的背电场结构。
背景技术
目前丝网印刷背场时,背场图案为方形,边角为倒角,这样在烧结的过程中会 产生应力,从而容易造成浆料脱落,影响背电场外观,甚至会影响效率。

实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是减少乃至消除硅太阳能电池片背电场的脱落。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种硅太阳能电池片的背电 场结构,背电场的四个边角为圆弧连接。本实用新型的有益效果是通过本设计显著降低了烧结过程中产生的应力,减 少甚至消除了脱落。实践证明运用这个设计后背场印刷质量得到有效提高,背场小边 角脱落比例大大降低由0.76%降低至0.08%。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明;

图1是改进前背电场的结构示意图;图2是改进后背电场的结构示意图;其中1.硅太阳能电池背面,2.背电场。
具体实施方式
现在结合附图1、2对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示 意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构 成。如图1和2所示,一种硅太阳能电池片的背电场结构,通过丝网印刷把铝浆印刷 在硅太阳能电池背面形成,在硅太阳能电池背面1的背电场2的四个边角为圆弧连接。
权利要求1. 一种硅太阳能电池片的背电场结构,其特征是所述的背电场(2)的四个边角为 圆弧连接。
专利摘要本实用新型涉及一种硅太阳能电池片的背电场结构,该背电场的四个边角为圆弧连接,通过本设计显著降低了烧结过程中产生的应力,减少甚至消除了脱落。实践证明运用这个设计后背场印刷质量得到有效提高,背场小边角脱落比例大大降低,由0.76%降低至0.08%。
文档编号H01L31/0224GK201796898SQ20102054804
公开日2011年4月13日 申请日期2010年9月29日 优先权日2010年9月29日
发明者程亮 申请人:常州天合光能有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1