气体分配装置及具有其的基板处理装置的制作方法

专利名称：气体分配装置及具有其的基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种基板处理装置，且更特别地，涉及一种包括气体分配装置的基板处理装置，该气体分配装置经配置以供应含有两种或两种以上元素的源材料。
背景技术：
通常，为了制造半导体器件、显示器件及薄膜太阳能电池，执行用于将具有特定材料的薄膜沉积于基板上的薄膜沉积工艺、用于使用光刻胶来暴露或覆盖薄膜的选定区域的光刻工艺及用于移除及图案化选定区域中的薄膜的蚀刻工艺。这些工艺中的薄膜沉积工艺及蚀刻工艺在真空状态中经最佳化的基板处理装置内执行。在基板处理装置中，气体分配装置用于在具有反应空间的处理腔室内均一地分配处理气体。通常，执行化学气相沉积(CVD)工艺以将薄膜沉积于基板上。当执行CVD工艺时，气体分配装置的温度可能增加归因于处理气体在处理腔室的盖与气体分配装置之间或在气体分配装置内的分解及反应而产生粉末或颗粒。例如，当将多种处理气体同时供应至处理腔室以形成含有两种或两种以上元素沉积的复合薄膜时，供应至气体分配装置中的这些多种处理气体可能在气体分配装置内彼此起反应以产生颗粒。气体分配装置的喷射孔可能由这些颗粒阻塞，或这些颗粒可能吸附至基板以改变器件性质。因此，气体分配装置具有多层结构以解决产生颗粒的缺陷。即，气体分配装置的内部分隔成上部空间及下部空间。将一种处理气体供应至上部空间，并且将另一种处理气体供应至下部空间以防止这些处理气体在气体分配装置内彼此起气体反应。适当地排列多个针型管且执行硬焊工艺若干次以制造气体分配装置。随着气体分配装置的面积增加，管的数目增加。因此，当使用硬焊工艺耦接管时，故障率可能增加。另外，可能重复执行硬焊工艺而引起热变形，且应力为经硬焊部分所固有的而引起泄漏。另外，分解效率可能归因于多种处理气体之间的分解温度差而降低，或处理气体可能在将处理气体喷射至处理腔室中之前分解。结果，薄膜沉积速度可能减小，并且可能使薄膜的均一性劣化。此外，处理气体使用的增加而增加处理成本。并且，副产物量的增加而增加维护及修复成本。

发明内容
技术问题本发明提供一种气体分配装置，其中两种或两种以上的气体由具有多个通孔且使用钻孔或金属片形成工艺(forming process)制造的第一气体分配板及通过将多个管耦接至彼此而制造且包括与多个通孔连通的多个喷嘴的第二气体分配板独立且稳定地喷射；以及一种包括该气体分配装置的基板处理装置。本发明还提供一种气体分配装置，其中温度测量单元安置于包括多个喷射嘴的气体分配板上以将致冷剂调整至适当温度；以及一种包括该气体分配装置的基板处理装置。本发明还提供一种气体分配装置，其中归因于多种处理气体之间的分解温度差的分解效率降低及在喷射处理气体之前的处理气体的分解得以防止；以及一种包括该气体分配装置的基板处理装置。本发明还提供一种气体分配装置，其分隔成多个气体分配装置以使这些气体分配装置彼此耦接/彼此分离；以及一种包括该气体分配装置的基板处理装置。技术方案根据例示性实施例，气体分配装置包括第一气体分配部分，其经配置以经由彼此不同的路线将至少两种源材料喷射至基板上；以及第二气体分配部分，其经配置以将具有大于所述至少两种源材料的分解温度平均值的分解温度的源材料喷射至该基板上，其中该第一气体分配部分分隔成至少两个区段且经安置使得该第二气体分配部分定位于所述至少两个区段之间；并且所述至少两个区段彼此可耦接且可分离。该第一气体分配部分可包括第一气体分配板，其连接至经配置以引入第一处理气体的第一进气管，该第一气体分配板包括多个第一通孔以使第一处理气体通过；第二气体分配板，其连接至经配置以引入第二处理气体的第二进气管，该第二气体分配板包括与多个第一通孔对准以使第一处理气体通过的多个第二通孔及使第二处理气体通过的多个第三通孔；以及第三气体分配板，其包括与多个第二通孔及多个第三通孔对准且经配置以分别喷射该第一处理气体及该第二处理气体的多个第一喷嘴及多个第二喷嘴，以及供致冷剂流动的空间。该第一气体分配板可包括外壳，其包括经配置以收纳从第一进气管供应的第一处理气体的空间；以及分配单元，其安置于该空间内，该分配单元经配置以均一地分配从该第一进气管引入的该第一处理气体。该分配单元可包括板及通过对该板穿孔而界定的多个供气孔。该第二气体分配板可包括外壳，其连接至第二进气管，该外壳提供经配置以收纳第二处理气体的空间；多个柱体，其包括在该空间中的多个第二通孔；以及多个第三通孔， 其通过对外壳的下部部分穿孔而界定。该第二气体分配板可包括隔板，其安置于该空间内；以及缓冲空间，其由外壳的侧壁及该隔板分隔出，该缓冲空间经配置以收纳从该第二进气管供应的第二处理气体。该第二气体分配板可包括在隔板中的供气孔以将该缓冲空间的第二处理气体供应至该空间。该第三气体分配板可包括外壳，其中安置有多个第一喷嘴及多个第二喷嘴，该外壳包括供致冷剂流动的空间；以及致冷剂流动管，其连接至该外壳以供应或排放致冷剂。该外壳可包括侧壁，其环绕该空间的侧表面；上部板，其安置于该侧壁上方以与多个第一喷嘴及多个第二喷嘴连通；以及下部板，其安置于该侧壁下方以与多个第一喷嘴及多个第二喷嘴连通。该外壳可包括侧壁，其环绕该空间的侧表面；以及下部板，其中安置有直接接触该第二气体分配板的多个第一喷嘴及多个第二喷嘴。该气体分配装置可进一步包括温度计，该温度计安置于该第二气体分配板与该第三气体分配板中的至少一个上。该第二气体分配部分可安置于的腔室盖的下侧的中心部分处，且至少两个第一气体分配部分安置于该腔室盖下方以使得该第二气体分配部分定位于所述至少两个第一气体分配部分之间。所述至少两个第一气体分配板中的至少一个彼此隔开。该气体分配装置可进一步包括至少一个第三气体分配部分，所述至少一个第三气体分配部分安置于所述至少两个第一气体分配部分之间以喷射搅扰气体(fuzzy gas)。该第三气体分配部分可朝向基板的外侧喷射该搅扰气体。突起可形成于所述至少两个第一气体分配部分的两侧表面处，且对应于这些突起的凹槽形成在该第三气体分配部分的两侧表面处以将这些突起插入至该这些凹槽中，因此将该第三气体分配部分耦接于这些第一气体分配部分之间。温度检测器可安置于至少一个第三气体分配部分下方。根据另一例示性实施例，基板处理装置包括腔室，其包括反应空间；基板定位单元，其安置于该腔室的该反应空间中以相对于其中心径向地定位多个基板；以及气体分配器件，其包括第一气体分配部分，该第一气体分配部分经配置以经由彼此不同的路线将至少两种源材料喷射至基板上，以及第二气体分配部分，该第二气体分配部分经配置以将具有大于所述至少两种源材料的分解温度平均值的分解温度的源材料喷射至该基板上，其中该第一气体分配部分分隔成至少两个区段且经安置以使得该第二气体分配部分定位于所述至少两个区段之间；且所述至少两个区段彼此可耦接且可分离。该腔室可包括腔室主体，其中提供反应空间；以及腔室盖，其经配置以密封该反应空间，并且第一气体分配部分及第二气体分配部分固定至该腔室盖。致冷剂路径可安置于该腔室盖中，致冷剂在该致冷剂路径中循环。该第一气体分配部分可包括第一气体分配板，其连接至经配置以引入第一处理气体的第一进气管，该第一气体分配板包括多个第一通孔以使第一处理气体通过；第二气体分配板，其连接至经配置以引入第二处理气体的第二进气管，该第二气体分配板包括与多个第一通孔对准以使该第一处理气体通过的多个第二通孔及使第二处理气体通过的多个第三通孔；以及第三气体分配板，其包括与多个第二通孔及多个第三通孔对准且经配置以分别喷射该第一处理气体及该第二处理气体的多个第一喷嘴的多个第二喷嘴；以及供致冷剂流动的空间。该第二气体分配部分可包括至少一个中心注入喷嘴，所述至少一个中心注入喷嘴安置于对应于该基板定位单元的中心区域的腔室区域中。该第二气体分配部分可包括中心注入喷嘴，其安置于该第一气体分配部分的中心区域中；延伸注入喷嘴，其延伸至这些第一气体分配部分之间的空间中；以及延伸路径， 其与该中心注入喷嘴及该延伸注入喷嘴连通。该气体分配装置可进一步包括路径改变器件，该路径改变器件安置于该第二气体分配部分的下部区域中以朝向基板喷射从该第二气体分配部分供应的处理气体。该路径改变器件可包括固定板，其部分分别连接至多个第一气体分配部分，该固定板安置于多个第一气体分配部分的中心处；延伸路径，其从该固定板的中心区域朝向该基板定位单元延伸；以及路径改变喷嘴，其安置于该延伸路径的末端区域处。该气体分配装置可进一步包括加热单元，其经配置以加热从该第二气体分配部分喷射的处理气体；或等离子体产生器件，其经配置以使用等离子体来离子化从该第二气体分配部分喷射的处理气体。
该气体分配装置可进一步包括安置于该基板定位单元上的突起，该突起插入至所述这些第一气体分配部分之间的该第二分配部分的下侧中。技术效果包括根据例示性实施例的气体分配装置的基板处理装置具有以下效应。在其中同时独立地喷射两种处理气体的三个气体分配板中，由于在包括用于将处理气体喷射至基板上的喷嘴的气体分配板中界定供致冷剂流动的空间，因此可防止颗粒因处理气体的分解而产生且防止气体分配装置热变形。使用钻孔或金属片形成工艺制造两个气体分配板。而且，由于仅有包括喷嘴的气体分配板使用硬焊工艺制造，因此可实现简化结构，并且也可降低制造成本。温度计安置于包括喷嘴的气体分配板上以提供信号，在硬焊或基板处理工艺期间当气体分配板的温度增加超过预定温度时通过该信号停止处理或基板处理工艺。因此，由于通过信号自动停止处理或基板处理工艺，因此可防止在制造工艺或基板处理工艺期间出现的缺陷。此外，由于将具有高分解温度的处理气体喷射至基板之间的空间中，因此该处理气体的行进时间大于在将处理气体直接喷射于基板上的状况下的处理气体的行进时间。因此，可在处理腔室内较长时间地预先加热处理气体以增加具有高分解温度的处理气体的分解，因此减少处理气体的使用且改良薄膜沉积效率。此外，由于经由喷射器件的周边区域喷射多种处理气体中具有高分解温度的处理气体(除非喷射器件具有冷却功能)，因此可在不冷却处理气体的情况下将具有高分解温度的处理气体喷射至处理腔室中(即，基板)。此外，由于在上面定位有多个基板的基板定位单元的中心部分上方的腔室盖区域 (即，其中温度在气体喷射区域中相对高的区域)中喷射具有高分解温度的处理气体，因此可归因于处理气体的预先加热而减少处理气体的使用且可改良薄膜沉积效率。此外，单独路径改变器件可安置于其中喷射具有高分解温度的处理气体以朝向基板喷射处理气体的区域中。因此，供应至基板上的处理气体的量可为均一的。此外，可分隔气体分配装置的多个第二气体分配部分，并且所述多个第二气体分配部分可彼此耦接且分离。因此，可更容易地制造符合大型处理腔室112的趋势的大型气体分配装置。


图1为根据例示性实施例的基板处理装置的剖视图；图2及图3分别为说明根据例示性实施例的基板处理装置的气体分配装置的详细剖视图及分解透视图；图4A至图4C为说明制造根据例示性实施例的第三气体分配板的工艺的剖视图；图5为根据例示性实施例的第二气体分配板的平面图；图6为根据另一例示性实施例的气体分配装置的分解透视图；图7A至图7C为说明根据另一例示性实施例的第三气体分配板的工艺的剖视图；图8为根据另一例示性实施例的气体分配装置的分解透视图；图9为根据另一例示性实施例的基板定位单元的平面8
图10及图11分别为根据另一例示性实施例的基板处理装置的剖视图及平面图；图12为说明根据另一例示性实施例的基板处理装置的气体分配装置的剖视图；图13为说明根据另一例示性实施例的基板处理装置的气体分配装置的平面图；图14至图16为根据另一例示性实施例的气体分配装置的平面图、分解透视图及耦接剖视图；图17为根据另一例示性实施例的气体分配装置的平面图；以及图18至图23为根据例示性实施例的基板处理装置的剖视图。
具体实施例方式可由结合附图进行以下描述更详细地理解例示性实施例。在下文，将参看附图详细描述特定实施例。然而，本发明可以不同形式体现且不应解释为限于本文中所陈述的实施例。实情为，提供这些实施例以使得本发明将为详尽且完整的，且将本发明的范畴全面传达至本领域的技术人员。相同参考数字始终指代相同元件。图1为根据例示性实施例的基板处理装置的剖视图，图2及图3分别为说明根据例示性实施例的基板处理装置的气体分配装置的详细剖视图及分解透视图。图4A至图4C 为说明制造根据例示性实施例的第三气体分配板的工艺的剖视图，且图5为根据例示性实施例的第二气体分配板的平面图。参看图1至图5，基板处理装置110包括处理腔室112，其提供反应空间；气体分配装置114，其安置于处理腔室112的内部上部部分以供应彼此不同的处理气体；基板定位单元118，基板116定位于该基板定位单元118上且面向气体分配装置114 ；基板入口 120， 基板116经由该基板入口 120装载或卸载；以及排放孔122，反应空间内的处理气体及副产物经由该排放孔122排放。气体分配装置114连接至射频(RF)电源124。用于阻抗匹配的匹配器1 可安置于气体分配装置114与RF电源IM之间。或者，气体分配装置114可不连接至RF电源124以使用化学气相沉积CVD)方法，其中处理气体经简单地供应至反应空间中以形成薄膜。处理腔室112包括腔室主体1 及可拆卸地耦接至腔室主体128以密封该反应空间的腔室盖130。腔室主体1 具有上侧敞开的圆柱形或多边形形状。腔室盖130具有板形状，该板形状具有对应于腔室主体128的形状的形状。尽管未展示，但例如0形环或垫圈的密封部件安置于腔室盖130与腔室主体1 之间以使用固定部件将腔室盖130耦接至腔室主体128。如图2中所示，通道146可经安置以防止腔室盖130的温度增加，致冷剂通过致冷剂循环装置(图中未展示)而作为温度调节单元在该通道146中循环。此处，由于在反应空间内处理基板116时反应空间内的温度传至耦接至气体分配装置114的腔室盖130， 因此腔室盖130的温度可能增加。即，致冷剂在循环至安置于腔室盖130内的通道146中时可防止腔室盖130的温度归因于反应空间的增加的温度而增加。另外，其可防止在腔室盖130的上部部分处或邻近于腔室盖130而安置的周边器件的温度增加。如图1中所示，基板定位单元118由支撑件132支撑。另外，基板定位单元118上升或下降且由支撑件132旋转。支撑件132连接至经配置以提供驱动力的驱动单元131。用于维持密封的波纹管(图中未展示)及在支撑件132上升或下降且旋转时用作旋转密封单元的磁性螺钉(图中未展示)连接于支撑件132与驱动单元131之间。基板定位单元118与基板116具有彼此相同的配置。尽管在图1中说明上面定位一个基板116的基板定位单元118，但基板定位单元118可包括上面定位基板116的多个基座及上面安置多个基座中的每一个且具有多个插入孔以在其上定位多个基板116的圆盘。如图2及图3中所示，气体分配装置114包括第一气体分配板134，其收纳第一处理气体以使第一处理气体通过；第二气体分配板136，其收纳第二处理气体以使第一处理气体及第二处理气体通过；以及第三气体分配板138，其将第一处理气体及第二处理气体喷射至基板定位单元118上。第一气体分配板134包括第一进气管134a、第一外壳134b、挡板13 以及多个第一通孔134d。第一进气管13 通过腔室盖130的中心部分以引入第一处理气体。第一外壳134b具有收纳第一处理气体的第一空间160。挡板13 用作分配单元，用于将从第一进气管13 供应的第一处理气体均一地分配至第一外壳134b中。多个第一通孔134d安置于第一外壳134b的底面上以使第一处理气体通过。第二气体分配板136包括第二进气管136a、第二外壳136b、缓冲空间136c、多个第二通孔136d以及多个第三通孔136e。第二进气管136a通过腔室盖130以引入第二处理气体。第二外壳136b具有收纳第二处理气体的第二空间162。缓冲空间136c通过使用隔板140分隔第二外壳136b的侧向空间而界定，并且连接至第二进气管136a以在将第二处理气体供应至第二空间162中之前收纳第二处理气体。多个第二通孔136d与多个第一通孔134d连通以使第一处理气体通过。多个第三通孔136e安置于第二外壳13 的底面上以使第二处理气体通过。缓冲空间136c界定于第二外壳136b的侧表面中。供气孔142 界定于隔板140中以将第二处理气体均一地供应至第二空间162中。隔板140沿第二外壳 136b的侧壁安置且安置于该侧壁内部，且与该侧壁隔开预定距离。缓冲空间136c界定于隔板140与第二外壳136b之间。缓冲空间136c收纳从第二进气管136a供应的第二处理气体。缓冲空间136c根据气体分配装置114的配置而具有圆环或多边环形状。然而，当提供多个第二进气管136a且这些第二进气管136a中的每一个连接至第二外壳136b的侧表面时，可界定彼此隔绝多个缓冲空间136c。此外，多个缓冲空间136c可彼此连通。S卩，当第二气体分配板136具有正方形形状时，可在四边中的每一边处安置且界定第二进气管136a及缓冲空间136c。隔板140中界定的供气孔142可具有具相同高度的连续延伸狭缝形状或断续延伸以形成隔离的图案的多个开口。第三气体分配板138包括第三外壳138a、多个第一喷嘴138b、多个第二喷嘴138c 及致冷剂流动管152。第三外壳138a具有供致冷剂流动的第三空间164。多个第一喷嘴 138b安置于第三外壳138a内部且分别与多个第二通孔136d连通以喷射第一处理气体。多个第二喷嘴138c与多个第三通孔136e连通以喷射第二处理气体。致冷剂流动管152连接至第三外壳138a以使致冷剂循环。致冷剂流动管152包括致冷剂供应管，其将致冷剂供应至第三空间164中；以及致冷剂排放管，其排放第三空间164内的致冷剂。致冷剂流动管 152通过腔室盖130，插入至处理腔室112中且连接至第三外壳138a的侧表面。致冷剂循环至致冷剂循环装置(图中未展示)中。当在大于约1000°C的温度下在基板处理装置110中对基板116长时间执行薄膜沉积工艺时，气体分配装置114可能经过度加热至耐热温度或耐热温度以上。此外，过度加热可能严重地出现在面向基板定位单元118的气体分配装置114的第三分配板138处。因此，供致冷剂循环的致冷剂循环装置安置于第三分配板138内部以作为用于防止气体分配装置114过度加热的冷却装置。在致冷剂循环装置发生故障的状况下，第一热电偶144安置于第三气体分配板138上以测量气体分配板114的温度。当气体分配板114经加热至耐热温度或耐热温度以上时，停止对处理腔室112的加热。此外，第二热电偶(图中未展示) 可安置于第二气体分配板136上。第一热电偶及第二热电偶分别测量第三气体分配板138 及第二气体分配板136的温度，并且比较第二气体分配板136的温度与第三气体分配板138 的温度以调整致冷剂的温度。当第二气体分配板136与第三气体分配板138之间的温度差大时，彼此连通的多个第二通孔136d与多个第一喷嘴138b及彼此连通的多个第三通孔 136e与多个第二喷嘴138c归因于热膨胀而可能彼此不对准。因此，可调整致冷剂以防止第二气体分配板136与第三气体分配板138之间的温度差产生。结果，可防止归因于热膨胀的在多个第二通孔136d与多个第一喷嘴138b之间及在多个第三通孔136e与多个第二喷嘴138c之间的不对准。参看图2及图3，气体分配装置114的第一气体分配板134固定至腔室盖130，并且收纳经由第一进气管13 引入的第一处理气体的第一空间160界定于腔室盖130与第一气体分配板134之间。凹入部分148界定于对应于第一气体分配板134的腔室盖130中， 且挡板13 安置于凹入部分148与由第一外壳134b界定的第一空间160之间。挡板13 包括板149及多个供气孔150，其中板149经穿孔以将凹入部分148内的第一处理气体平稳地供应至第一空间160中。为了将凹入部分148内的第一处理气体平稳地供应至第一空间 160中，多个供气孔150中的任一个可不匹配第一进气管13如。即，经由第一进气管13 供应的第一处理气体由挡板13 反射且收纳至凹入部分148中。接着，将第一处理气体经由多个供气孔150供应至第一空间160中。第一气体分配板134使用具有极佳可处理性的铝制造。第一气体分配板134的内部经使用块状铝钻孔以界定收纳第一处理气体的第一空间160。接着，第一空间160的底面经穿孔以界定用于使第一处理气体通过的多个第一通孔134d。或者，在不使用块状铝的情况下，由铝形成的板可使用焊接工艺彼此耦接，且接着其下部部分可经穿孔以界定第一气体分配板134。第一外壳134b的侧壁具有足以覆盖第二气体分配板136的第二外壳136b 中界定的缓冲空间136c的厚度。第一外壳134b的侧壁具有足以覆盖缓冲空间136c的厚度的原因在于，连接至缓冲空间136c的第二进气管136a插入穿过腔室盖130及第一外壳 134b的侧壁。因此，第一外壳134b的侧壁可具有等于第二外壳136b的侧壁的宽度与缓冲空间136c的宽度的总和的厚度。第一气体分配板134的多个第一通孔134d与第二气体分配板136的多个第二通孔136d经对准以彼此连通，且接着第二气体分配板136耦接至第一气体分配板134。第二气体分配板136使用具有极佳可处理性的铝制造。垂直通过块状铝的第二通孔136d经界定， 且在块状铝的两端之间及在多个第二通孔136d之间的部分经钻孔以界定缓冲空间136c及收纳第二处理气体的第二空间162。接着，在多个第二通孔136d之间的部分经穿孔以界定多个第三通孔136e。参看图3及图5，块状铝的底面经钻孔以维持恒定厚度以形成具有第二通孔136d 的多个柱体166。多个柱体166的下部部分构成供界定多个第三通孔136e的第二外壳136b 的底面。多个柱体166中的每一个具有隔离的图案，多个柱体166之间的部分经钻孔以界定彼此连通的第二空间162。尽管多个柱体166中的每一个可具有等于各别第二通孔136d 形状的圆柱形形状，但本发明不限于此。例如，考虑工艺方便性，这些柱体166中的每一个可具有如图5中所示的正方形形状。当多个柱体166中的每一个具有正方形形状时，可磨圆各别柱体166的边缘部分以使得第二处理气体平稳流动。块状铝经钻孔以形成第二外壳 136b的侧壁，其中第二空间162经界定且隔板140分隔出缓冲空间136c。隔板140经处理以界定供气孔142，第二处理气体在隔板140的上部部分经由该供气孔142供应。尽管一个柱体166在图3及图5中具有一个第二通孔136d，但本发明不限于此。例如，必要时，一个柱体166可具有两个或两个以上第二通孔136d。然而，当一个柱体166具有两个或两个以上第二通孔136d时，由于第三通孔136e的数目小于第二通孔136d的数目，因此与第一处理气体相比，可能供应通过多个第一通孔134d及多个第二通孔136d的相对较大量的第二处理气体。因此，可考虑第一处理气体与第二处理气体的供应率而调整形成于一个柱体 166中的第二通孔136d的数目。第一气体分配板134的多个第一通孔134d及第二气体分配板136的多个第二通孔136d经对准以彼此连通。当第二气体分配板136耦接至第一气体分配板134时，第一气体分配板134的第一外壳134b的下部部分表面接触多个柱体166的上部部分。因此，第一处理气体经由第一气体分配板134的多个第一通孔134d传至第二气体分配板136的多个第二通孔136d，同时维持第一处理气体的密封。此处，邻近于一个第三通孔136e的第二通孔136d彼此间具有相同的距离。S卩，第三通孔136e界定于四个第二通孔136d的中心处。 当第二气体分配板136耦接至第一气体分配板134时，第二进气管136a插入穿过腔室盖 130及第一气体分配板1；34至缓冲空间136c中。缓冲空间136c及第二空间162经处理以在缓冲空间136c与第二空间162之间形成隔板140，且收纳至缓冲空间136c中的第二处理气体经由供气孔142供应至第二空间162中。第三气体分配板138耦接至第二气体分配板136以使得第二气体分配板136的第二通孔136d及第三通孔136e中的每一个与第三气体分配板138的第一喷嘴138b及第二喷嘴138c中的每一个连通。第三气体分配板138使用具有强耐热性及耐蚀性的不锈钢或铝制造。第三气体分配板138通过以下工艺制造。如图4A中所示，制备由不锈钢形成的第一板170及第二板172。对第一板170及第二板172穿孔以形成对应于多个第一喷嘴13 及多个第二喷嘴138c的多个第一开口 174及多个第二开口 176。如图4B中所示，制备用作多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c以用于喷射第一处理气体及第二处理气体的多个针型管178。接着，将多个管178插入至第一开口 174及第二开口 176中且加以排列。在其中排列有多个管178的第一板170及第二板172上涂布包括填充金属的糊状物180。如图 4C中所示，执行硬焊工艺(brazing process)以将多个管178耦接至第一板170及第二板 172，因此形成用于喷射第一处理气体及第二处理气体的多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c。切断安置在第三空间164外部且从第一板170突出的多个管178，并且接着，安置由不锈钢形成的侧板182以使用焊接将侧板182耦接至第一板170与第二板172之间的侧表面，因此形成具有供致冷剂流动的第三空间164的第三外壳138a。将通过腔室盖130且插入至气体分配装置114的侧表面中的致冷剂流动管152连接至第三外壳138a的侧表面。 第三致冷剂流动以冷却气体分配装置114。如图4B中所示，插入至多个第一开口 174及多个第二开口 176中的多个管178突出至第一板170及第二板172的外部。在第一板170及第二板172上涂布包括填充金属的糊状物。即，将涂布于第一板170上的糊状物安置于第三空间164中，并且将涂布于第二板 172上的糊状物安置于第三空间164中。如图4C中所示，切断安置在第三空间164外部且从第一板170及第二板172突出的多个管178以使得第一板170及第二板172与多个管178 彼此齐平。尽管图4A至图4C中未展示，但可将例如热电偶的温度测量单元安置于第一板 170或第二板172上以在硬焊工艺中所测量的温度超过合理温度时停止硬焊工艺。尽管使用与第一板170及第二板172相同的材料形成多个针型管，但本发明不限于此。例如，必要时，可使用不同于第一板170及第二板172的材料形成针型管。硬焊工艺表示其中将填充金属添加至待于约450°C或450°C以上的温度接合两种基料以在小于熔点的温度将所述两种基料接合至彼此的方法。可根据待接合对象的基料及包括填充金属的糊状物的类型而改变硬焊工艺的处理温度。第二气体分配板136的第二通孔136d及第三通孔136e中的每一个与第三气体分配板138的多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c中的每一个经对准且彼此连通。当将第三气体分配板138耦接至第二气体分配板136时，第二气体分配板136的第二外壳136b 的下部部分表面接触第三气体分配板138的第三外壳的上部部分。因此，第一处理气体及第二处理气体通过多个第二通孔136d及多个第三通孔136e及多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c且喷射至基板定位单元118上，同时维持第一处理气体及第二处理气体的密封。尽管在图2及图3中气体分配装置114耦接至腔室盖130，但气体分配装置114可与腔室盖130隔开安置。当腔室盖130与气体分配装置114隔开时，连接至第一进气管13 的单独后板安置于第一气体分配板134的上部部分上。此处，第一处理气体可包括(例如) 三甲基镓(TMGa)、双环戊二烯基镁(Cp2Mg)、三甲基铝(TMAl)及三甲基铟(TMh)，并且第二处理气体可包括诸如N2及NH3的氮气体、诸如SiH4及SiH6的硅气体及H2。这些气体可用于形成发光器件。例如，当GaN层形成于基板116上时，TMG可用作第一处理气体，并且NH3 可用作第二处理气体。图6为根据另一例示性实施例的气体分配装置的分解透视图，并且图7A至图7C 为说明根据另一例示性实施例的第三气体分配板的工艺的剖视图。根据另一例示性实施例的气体分配装置具有与之前描述的例示性实施例的气体分配装置相同的功能。另外，可简化根据另一例示性实施例的气体分配装置的组件以降低制造成本。在此例示性实施例中， 与之前描述的例示性实施例的组件相同的组件由相同参考数字表示。参看图6，气体分配装置114包括第一气体分配板134，其收纳第一处理气体以使第一处理气体通过；第二气体分配板136，其收纳第二处理气体以使第一处理气体及第二处理气体通过；以及第三气体分配板138，其将第一处理气体及第二处理气体喷射至基板定位单元118上。第一气体分配板134包括第一进气管134a、第一外壳134b、挡板13 及多个第一通孔134d。第一进气管13 通过腔室盖130的中心部分以引入第一处理气体。第一外壳 134b具有收纳第一处理气体的第一空间160。挡板13 用作分配单元，用于将从第一进气管13 供应的第一处理气体均一地分配至第一外壳134b中。多个第一通孔134d界定于第一外壳134b的底面中以使第一处理气体通过。第一外壳134b包括第一侧壁190a，其环绕第一空间160 ；以及第一下部板190b，其安置于第一侧壁190a下方且具有多个第一通孔 134d。第二气体分配板136包括第二进气管136a、第二外壳136b、缓冲空间136c、多个第二通孔136d及多个第三通孔136e。第二进气管136a通过腔室盖130以引入第二处理气体。第二外壳136b具有收纳第二处理气体的第二空间162。缓冲空间136c通过使用隔板 140分隔第二外壳136b的侧向空间而界定且连接至第二进气管136a以在将第二处理气体供应至第二空间162之前收纳该第二处理气体。多个第二通孔136d与多个第一通孔134d 连通以使第一处理气体通过。多个第三通孔136e界定于第二外壳136b的底面中以使第二处理气体通过。第二外壳136b包括第二侧壁192a，其环绕第二空间162的周边部分；以及第二下部板192b，其安置于第二侧壁19 下方且具有多个第一通孔134d及多个第三通孔136e。缓冲空间136c界定于第二外壳136b的侧表面中。供气孔142界定于隔板140中以将第二处理气体均一地供应至第二空间162中。隔板140沿第二外壳136b的侧壁19 安置且与侧壁19 隔开预定距离。缓冲空间136c界定于隔板140与第二外壳136b之间。 缓冲空间136c收纳从第二进气管136a供应的第二处理气体。缓冲空间136c根据气体分配装置114的配置而具有圆环或多边环形状。然而，当提供多个第二进气管136a且这些第二进气管136a中的每一个连接至第二外壳136b的侧壁19 时，可界定彼此隔绝的多个缓冲空间136c。此外，多个缓冲空间136c可彼此连通。即，当第二气体分配板136具有正方形形状时，可在四边中的每一边处安置且界定第二进气管136a及缓冲空间136c。隔板140 中界定的供气孔142可含有具有相同高度的连续延伸狭缝形状或断续延伸以形成隔离的图案的多个开口。第三气体分配板138包括第三外壳138a、多个第一喷嘴138b、多个第二喷嘴138c 及致冷剂流动管(图中未展示)。第三外壳138a具有供致冷剂流动的第三空间164。多个第一喷嘴138b安置于第三外壳138a内部且分别与多个第二通孔136d连通以喷射第一处理气体。多个第二喷嘴138c与多个第三通孔136e连通以喷射第二处理气体。致冷剂流动管连接至第三外壳138a以使致冷剂循环。第三外壳138a包括第三侧壁194a，其环绕第三空间164 ；以及第三下部板194b，其安置于第三侧壁19 下方并且包括第一喷嘴13 及第二喷嘴138c。该致冷剂流动管包括致冷剂供应管，其将致冷剂供应至第三空间164中； 以及致冷剂排放管，其排放第三空间164内的致冷剂。该致冷剂流动管通过腔室盖130，插入至处理腔室112中且连接至第三外壳138a的第三侧壁19如。致冷剂循环至致冷剂循环装置(图中未展示)中。第三气体分配板138通过以下工艺制造。如图7A中所示，制备由不锈钢或铝形成的板220。对板220穿孔以形成对应于多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c的多个第一开口 174及多个第二开口 176。如图7B中所示，制备用作多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c以用于喷射第一处理气体及第二处理气体的多个针型管178。接着，将多个管178 插入至多个第一开口 174及多个第二开口 176中且加以排列。在其中排列有多个管178的板222上涂布包括填充金属的糊状物180。如图7C中所示，执行硬焊工艺以将多个管178 耦接至第一板170及第二板172，因此形成用于喷射第一处理气体及第二处理气体的多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c。安置由不锈钢或铝形成的侧板182以允许侧板182 环绕第三空间164且连接板220的圆周部分，并且接着使用焊接将板220及侧板182彼此耦接以形成具有供致冷剂流动的第三空间164的第三外壳138a。通过腔室盖130且插入至气体分配装置114的侧表面中的致冷剂流动管连接至第三外壳138a的侧表面。第三致冷剂流动以冷却气体分配装置114。在另一例示性实施例中，第三气体分配板138的第三外壳138a不包括上部板。第三外壳138a包括第三侧壁19 及第三下部板194b。因此，与多个第二通孔136d及多个第三通孔136e连通的多个管型第一喷嘴138b及多个管型第二喷嘴138c直接接触第二外壳 136b的构成第二气体分配板136的第二下部板192b。由于多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c中的每一个含有具有某一厚度的管形状，因此多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c的上部部分表面接触第二下部板192b的下部部分。因此，在另一例示性实施例中， 与之前描述的例示性实施例的工艺相比，可通过相对简单的工艺制造第三气体分配板138。图8为根据另一例示性实施例的气体分配装置的分解透视图，且图9为根据另一例示性实施例的基板定位单元的平面图。此例示性实施例与之前描述的例示性实施例的不同之处在于，当气体分配装置为大型气体分配装置时分隔第一气体分配板与第三气体分配板。在此例示性实施例中，与先前描述的例示性实施例的组件相同的组件由相同参考数字表不。参看图8，气体分配装置114包括第一气体分配板134，其收纳第一处理气体以使第一处理气体通过；第二气体分配板136，其收纳第二处理气体以使第一处理气体及第二处理气体通过；以及第三气体分配板138，其将第一处理气体及第二处理气体喷射至处理腔室的基板定位单元(图中未展示)上。第一气体分配板134包括第一进气管134a、第一外壳134b、挡板13 及多个第一子气体分配板200。第一进气管13 通过腔室盖130以引入第一处理气体。第一外壳 134b具有收纳第一处理气体的第一空间160。挡板13 用作分配单元，用于将从第一进气管13 供应的第一处理气体均一地分配至第一外壳134b中。多个第一子分配板200包括界定于第一外壳134b的底面中的多个第一通孔134d以使第一处理气体通过。第一子气体分配板200中的每一个具有根据处理腔室的形状而变化的形状。在此例示性实施例中，第一子气体分配板200具有扇形形状，且邻近于第一气体分配板134的中心部分的第一子气体分配板200的末端具有弧形形状以使得第一子气体分配板200适合于使用圆柱形处理腔室且堆叠并处理作为基板的多个圆形晶片的状况。当组合多个第一子气体分配板200以组装成第一气体分配板134时，具有空心的圆形形成于其中心部分处。如图9中所示，在晶片用作基板且多个基板116堆叠于基板定位单元118上的情况下，基板定位单元118包括上面定位基板116的多个基座及上面安置多个基座210的圆盘212。当第一气体分配板134具有圆形形状时，多个子气体分配板200由通过第一气体分配板134的中心的多条直线分隔。此处，多个第一子气体分配板200具有相同大小。当第一气体分配板134包括六个第一子气体分配板200时，邻近于第一气体分配板134的中心部分的第一子气体分配板200中的每一个具有约60°的角度。当第一气体分配板134具有正方形形状时，第一子气体分配板被分隔成彼此具有相同大小的多个正方形形状。第一外壳134b包括第一侧壁190a，其环绕第一空间160 ；以及第一下部板190b， 其安置于第一侧壁190a下方且具有多个第一通孔134d。如图9中所示，多个基座210并不安置在圆盘212的中心部分处。因此，由于基板116并不定位于圆盘212的中心部分上，因此即使第一气体分配板134在其中心部分处具有空心，基板处理工艺也不受影响。此外，由于各别第一子气体分配板200的末端具有弧形形状以在第一气体分配板134的中心部分处形成空心，因此可容易地制造且组装第一子气体分配板200。当第一子气体分配板200的末端延伸直至处理腔室的中心部分时，可能难以对应于第一子气体分配板200的末端而在第一外壳134b的第一下部板190b中均一地形成多个第一通孔134d。第一进气管13 分支为多个子进气管204以将第一处理气体供应至多个第一子气体分配板200中的每一个的第一空间160中。一个或多个第一子进气管204均一地连接至第一子气体分配板200。第一子进气管204可埋入至腔室盖130中以在第一子气体分配板200的中心部分处供应第一处理气体，或第一子进气管204可从第一进气管13 分支至处理腔室外部的第一子进气管204，并且接着第一子进气管204可通过腔室盖130以将第一处理气体供应至第一子气体分配板200的第一空间中。不同于之前描述的例示性实施例，在此例示性实施例中，凹入部分148可不安置于腔室盖130中。阶梯式部分230沿第一外壳134b的侧壁190a的内圆周安置。当挡板 134c安置在阶梯式部分230处时，收纳从第一子进气管204供应的第一处理气体的收纳空间232界定于第一外壳134b内挡板13 上方。挡板13 将收纳空间232内的第一处理气体均一地供应至第一空间160中。第二气体分配板136包括第二进气管(见图1的参考数字136a)、第二外壳136b、 缓冲空间136c、多个第二通孔136d及多个第二子气体分配板206。第二进气管136a通过腔室盖130以引入第二处理气体。第二外壳136b具有收纳第二处理气体的第二空间162。 缓冲空间136c通过使用隔板140分隔第二外壳136b的侧向空间而界定，并且连接至第二进气管136a以在将第二处理气体供应至第二空间162之前收纳该第二处理气体。多个第二通孔136d与多个第一通孔134d连通以使第一处理气体通过。多个第二子气体分配板206 包括界定于第二外壳136b的底面中的多个第三通孔136e以使第二处理气体通过。第二子气体分配板206与第一子气体分配板200具有相同形状。因此，如同第一子气体分配板200，第二子气体分配板206具有扇形形状，且邻近于第二气体分配板136的中心部分的第二子气体分配板206的末端具有弧形形状。此外，当组装多个第二子气体分配板206以组装成第二气体分配板136时，第二气体分配板136具有在其中心部分处具有空心的圆形形状。第二外壳136b包括第二侧壁192a，其环绕第二空间162的周边部分；以及第二底面192b，其安置于第二侧壁19 下方且具有多个第一通孔134d及多个第三通孔 136e。缓冲空间136c界定于第二外壳136b的侧向空间中。供气孔142界定于隔板140中以将第二处理气体均一地供应至第二空间162中。隔板140沿第二外壳136b的侧壁19 安置且安置于侧壁19 内部且与侧壁19 隔开预定距离。缓冲空间136c界定于隔板140 与第二外壳136b之间。缓冲空间136c收纳从第二进气管136a供应的第二处理气体。隔板140中界定的供气孔142可具有具相同高度的连续延伸狭缝形状或断续延伸以形成隔离的图案的多个开口。第三气体分配板138包括第三外壳138a、多个第一喷嘴138b、多个第二喷嘴138c 及多个子气体分配板208。第三外壳138a具有供致冷剂流动的第三空间164。多个第一喷嘴138b安置于第三外壳138a内部且分别与多个第二通孔136d连通以喷射第一处理气体。 多个第二喷嘴138c与多个第三通孔136e连通以喷射第二处理气体。多个子气体分配板208包括致冷剂流动管，该致冷剂流动管连接至第三外壳138a以使致冷剂循环。第三外壳 138a包括第三侧壁194a，其环绕第三空间164 ；以及第三下部板194b，其安置于第三侧壁 19 下方且包括第一喷嘴138b及第二喷嘴138c。该致冷剂流动管包括致冷剂供应管，其将致冷剂供应至第三空间164中；以及致冷剂排放管，其排放第三空间164内的致冷剂。该致冷剂流动管通过腔室盖130，插入至处理腔室112中且连接至第三外壳138a的侧表面。 致冷剂循环至致冷剂循环装置(图中未展示)中。第三子气体分配板208与第一子气体分配板200及第二子气体分配板206具有相同形状。因此，如同第一子气体分配板200及第二子气体分配板206，第三子气体分配板 208具有扇形形状，且邻近于第三气体分配板138的中心部分的第三子气体分配板208的末端具有弧形形状。此外，当组装多个第三子气体分配板208以组装成第三气体分配板138 时，第三气体分配板138具有在其中心部分处具有空心的圆形形状。第三外壳138b包括 第三侧壁194a，其环绕第三空间164的周边部分；以及第三下部板194b，其安置于第三侧壁 194a下方且包括多个第一喷嘴13 及多个第二喷嘴138c。在此例示性实施例中，第三气体分配板138的第三外壳138a包括第三侧壁19 及第三下部板194b。此外，与多个第二通孔136d及多个第三通孔136e连通的多个管型第一喷嘴138b及多个管型第二喷嘴138c直接接触第二外壳136b的构成第二气体分配板136 的第二下部板192b。必要时，第三外壳138a可包括与多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴 138c连通的上部板。由于多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c中的每一个含有具有某一厚度的管形状，因此多个第一喷嘴138b及多个第二喷嘴138c的上部部分表面接触第二下部板192b的下部部分。因此，在此例示性实施例中，与之前描述的例示性实施例的工艺相比，可通过相对简单的工艺制造第三气体分配板138。根据另一例示性实施例的气体分配装置114可将多种处理气体的至少部分 (portion)喷射至基板116的正上部区域上且将该多种处理气体中具有高分解温度的处理气体供应至多个基板116之间的空间(例如，基板定位单元118的中心上部区域)中。在此种状况下，多个基板116可定位于基板定位单元118上且相对于基板定位单元118的中心径向地安置。因此，可将具有高分解温度的处理气体供应至腔室盖区域的具有最高温度的区域中以改良分解效率。以下将描述根据另一例示性实施例的气体分配装置114及包括该气体分配装置114的基板处理装置。省略对于以上例示性实施例的重复部分的描述。图10及图11分别为根据另一例示性实施例的基板处理装置的剖视图及平面图， 且图12为说明根据另一例示性实施例的基板处理装置之气体分配装置的剖视图。参看图10及图12，根据此例示性实施例的基板处理装置包括处理腔室112，其提供反应空间；基板定位单元118，其安置于处理腔室112的该反应空间中以定位基板116 ； 以及气体分配装置114，其安置于处理腔室112的该反应空间中以供应彼此不同的处理气体。此外，气体分配装置114包括第一气体分配部分310及第二气体分配部分320。此处， 提供多个第一气体分配部分310。多个第一气体分配部分310中的每一个包括彼此堆叠的第一气体分配板134、第二气体分配板136及第三气体分配板138。在根据此例示性实施例的气体分配装置114中，第一气体分配部分310将多种处理气体的至少部分供应至基板116的正上部区域上。此外，第二气体分配部分320将该多种处理气体中具有高分解温度的处理气体供应至多个基板116之间的空间(例如，基板定位单元118的中心上部区域)中。因此，可将具有高分解温度的处理气体喷射至腔室盖区域的具有最高温度的区域中以改良分解效率。即，气体分配装置114安置于腔室盖130的下部底面上，且将具有高分解温度的处理气体供应至安置有气体分配装置114的区域的具有最高温度的区域。因此，可改良薄膜沉积效率，并且可减少未起反应的残留处理气体。可计算多种处理气体的分解温度的平均温度以将具有大于该平均温度的分解温度的处理材料供应至多个基板116之间的空间中。此处，具有大于该平均温度的分解温度的处理气体称为具有高分解温度的处理气体。此外，冷却且接着供应具有小于该平均温度的分解温度的处理气体。因此，可防止具有较低分解温度的处理气体在第一气体分配部分310内分解且起反应。气体分配装置114包括处理气体储存部分400，处理气体经由该处理气体储存部分400加以供应。此外，气体分配装置114进一步包括致冷剂储存部分500，用于冷却处理气体的致冷剂经由该致冷剂储存部分500加以供应。将主要描述经配置以使用以下所述的两种处理气体将两种二元化合物沉积于基板上的装置。即，提供第一处理气体储存部分410及第二处理气体储存部分420以分别将第一处理气体储存部分410及第二处理气体储存部分420内的第一处理气体及第二处理气体喷射至基板116上。此处，第一处理气体储存部分410及第二处理气体储存部分420可储存具有气态的材料及具有液态的材料。为方便起见，将第一处理气体储存部分410及第二处理气体储存部分420称为处理气体储存部分400。此外，此例示性实施例不限于此，并且可使用大量源材料。此处，第一处理气体可包括诸如TMGa、Cp2Mg, TMAl及TMh的材料， 且第二处理气体可包括诸如队及NH3的氮气体、诸如SiH4及SiH6的硅气体及H2。第一气体分配部分310经由第一气体供应管412及第二气体供应管422接收第一处理气体及第二处理气体以将第一处理气体及第二处理气体经由分离空间(或路线)供应至基板116。第一气体分配部分310冷却第一处理气体及第二处理气体以供应经冷却的第一处理气体及第二处理气体。第一气体分配部分310包括第一气体分配板134、第二气体分配板136及第三气体分配板138。第一气体分配板134经由第一气体供应管412接收第一气体储存部分410的第一处理气体以供应第一处理气体。第二气体分配板136经由第二气体供应管422接收第二气体储存部分420的第二处理气体以供应第二处理气体。第三气体分配板138冷却所供应的处理气体。此处，第一气体分配板134、第二气体分配板136及第三气体分配板138彼此垂直堆叠。如图10中所示，第三气体分配板138可安置于第一气体分配板134及第二气体分配板136与基板定位单元118之间以防止第一气体分配板134及第二气体分配板136内的处理气体归因于基板定位单元118的热量而分解。如上所述，这些气体分配板中的每一个可根据处理气体的数目而不同地变化。第一气体分配板134包括第一进气管134a、第一外壳134b及多个第一通孔134d。 第一进气管13 通过腔室盖130以引入第一处理气体。第一外壳134b具有收纳第一处理气体的第一空间160。多个第一通孔134d从第一外壳134b延伸以使第一处理气体通过。 此外，第一气体分配板134可进一步包括挡板(图中未展示)，其将第一处理气体均一地分配至第一外壳134b中。第二气体分配板136包括第二进气管136a、第二外壳136b、多个第二通孔136d及多个第三通孔136e。第二进气管136a通过腔室盖130以引入第二处理气体。第二外壳136b具有收纳第二处理气体的第二空间162。多个第二通孔136d与多个第一通孔134d连通以使第一处理气体通过。多个第三通孔136e界定于第二外壳13 之底面中以使第二处理气体通过。第三气体分配板138包括第三外壳138a、多个第一喷嘴138b 及多个第二喷嘴138c。第三外壳138a具有供致冷剂流动的第三空间164。多个第一喷嘴 138b安置于第三外壳138a内部且分别与多个第二通孔136d连通以喷射第一处理气体。多个第二喷嘴138c与多个第三通孔136e连通以喷射第二处理气体。此外，第三气体分配板 138进一步包括致冷剂流动管152，该致冷剂流动管152连接至第三外壳138a以使致冷剂循环。该致冷剂流动管包括致冷剂供应管152a，其将致冷剂供应至第三空间164中；以及致冷剂排放管152b，其排放第三空间164内的致冷剂。第一至第三气体分配板134、136及 138可具有与参看图1至图9描述的组件相同的组件。如上所述，将供应至第一气体分配板134的第一空间160中的第一处理气体经由通过第二气体分配板136的第二空间162的第一通孔136d及第三气体分配板138的第一喷嘴138b供应至处理腔室112的内部空间(即，反应空间)中。此外，将供应至第二气体分配板136的第二空间162中的第二处理气体经由第三通孔136e及第三气体分配板138 的第二喷嘴138c供应至处理腔室112的内部空间中。第一处理气体及第二处理气体可通过致冷剂而具有小于基板定位单元118的温度的温度。因此，可防止第一处理气体及第二处理气体在被喷射至处理腔室112的反应空间中之前因热量而分解。详细地，当沉积含有两种或两种以上元素的复合薄膜时，应使用具有彼此不同的分解温度的两种或两种以上源材料。因此，当不使用致冷剂于其中循环的第三气体分配板138时，所述两种或两种以上处理气体中具有相对较低分解温度的处理气体归因于基板定位单元118的热量而在第一气体分配板134及第二气体分配板136的内部 (即，内部空间160及16 因热量而分解。因此，薄膜沉积效率可能显著降低而致产生颗粒。根据此例示性实施例，提供致冷剂于其中循环的第三气体分配板138以冷却第一气体分配板134及第二气体分配板136的第一空间160及第二空间162以及第一喷嘴13 及第二喷嘴138c，因此防止处理气体因热量而分解。然而，在此种状况下，由于冷却所述两种或两种以上处理气体中具有相对高分解温度的处理气体，因此可能降低分解效率。在处理气体具有相对高分解温度的状况下，该处理气体经供应至处理腔室112的反应空间中且接着在该反应空间内加热。然而，存在处理气体通过加热不具有足够分解效率的缺陷。因此，为了解决该缺陷，应增加具有相对高分解温度的处理气体的供应量。由于冷却具有相对高分解温度的处理气体以降低分解效率，因此可增加处理气体的供应量。因此，可能增加未起反应的残留源材料的量以增加处理成本。如上所述，所述两种或两种以上处理气体中具有相对高分解温度的处理气体可经由第二气体分配部分320喷射至基板定位单元118的中心区域以解决以上所述的缺陷。即， 在此例示性实施例中，具有板形状且对应于基板定位单元118的第一气体分配部分310分离成对应于基板116的多个第一气体分配部分310，如图11中所示。因此，移除安置于基板定位单元118的中心区域上方的第一气体分配部分310。即，朝向上侧(即，腔室盖区域) 敞开基板定位单元118的中心区域。安置将两种或两种以上处理气体中具有相对高分解温度的处理气体喷射至基板定位单元118的中心部分的上部区域(即，腔室盖130的中心区域)中的第二气体分配部分320。第二气体分配部分320包括中心喷射嘴321，该中心喷射嘴321安置在腔室盖130的对应于基板定位单元118的中心区域的位置处。中心喷射嘴321与其中分解温度高的第二处理气体储存部分420连通。因此，中心喷射嘴321可将具有相对高分解温度的第二处理气体供应至基板定位单元118的中心部分的上部区域中。此处， 供应至基板定位单元118的中心区域中的第二处理气体从腔室盖130的周边区域朝向基板定位单元118喷射。接着，第二处理气体朝向径向地安置在基板定位单元118的中心区域周围的基板116移动。因此，第二处理气体具有大于从第一气体分配部分310喷射的第二处理气体的移动距离的移动距离。即，喷射至基板定位单元118的中心区域中的第二处理气体移动至基板定位单元118的边缘区域且经排出。此由于第二处理气体经由基板定位单元118的下部边缘区域排出。此处，由于处理气体的移动距离(即，路径)增加，因此从第二气体分配部分320喷射的第二处理气体可接收基板定位单元118的热量经过较长时间。 因此，可通过腔室内的温度预先加热第二处理气体以改良分解效率。此外，由于单独冷却部件未安置于第二气体分配部分320与基板定位单元118之间，因此可防止所喷射的第二处理气体冷却。在此例示性实施例中，由于另外将两种或两种以上处理气体中具有相对高分解温度的处理气体供应至第二气体分配部分320中，因此可改良分解效率。因此，具有相对高分解温度的处理气体的供应量较现有技术的供应量而言可减少约10%。在此例示性实施例中，将第二气体储存部分420的第二处理气体供应至第二气体分配板136的第二进气管 136a及第二气体分配部分320的中心喷射嘴321中。此处，诸如质量流量控制器(MFC)的流量控制器可安置在第二进气管136a及中心喷射嘴321处以改变第二处理气体的流量(即， 供应量)。此外，流量控制器可安置于第一气体分配板134的第一进气管136a与第一气体储存部分410之间。此例示性实施例的基板处理装置不限于上述描述。即，基板处理装置可不同地变化。在下文，将描述基板处理装置的修改实例。以下所述的修改实例可适用于彼此。参看图13，可在一个主体中制造第一气体分配部分310以覆盖安置于基板定位单元118上的所有基板116。因此，第一气体分配部分310可具有环形形状。第二气体分配部分320安置在环形的中心区域处。由于第一气体分配部分310具有环形形状，因此可旋转基板定位单元118。即，即使旋转基板定位单元118，也可将处理气体连续地供应至基板 116上。此由于第一气体分配部分310对应于归因于基板定位单元118的旋转的旋转半径而按环形形状制造。因此，由于旋转基板定位单元118，因此可改良沉积于基板116上的薄膜的均一性。此处，如图13中所示，具有环形形状的第一气体分配部分310可包括多个区块。当定位多个大型基板时，具有环形形状的第一气体分配部分310的直径可能增加。因此，可能难以使用单一处理来制造气体分配装置。如图13中所示，可提供具有近似扇形形状(图13中的四个区块)的多个第一气体分配部分310以将其彼此耦接，因此制造具有环形形状的第一气体分配部分310。此处，可独立地操作经耦接区块中的每一个。此外，如图 13中所示，供应至具有环形形状的第一气体分配部分310及第二气体分配部分320中的处理气体可经由彼此不同的管供应。另外，这些管可连接至彼此不同的储存槽。可制造可分离且可耦接的气体分配装置114，如图14至图16中所示。此处，图14 为根据另一例示性实施例的气体分配装置的平面图，图15为根据另一例示性实施例的气体分配装置的分解透视图，且图16为根据另一例示性实施例的气体分配装置的耦接剖视图。
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参看图14至图16，根据此例示性实施例的气体分配装置114包括第二气体分配部分320、多个可分离且可耦接的第一气体分配部分310及第三气体分配部分330。该第二气体分配部分安置在腔室盖130的下部中心部分处。多个第一气体分配部分310接触第二气体分配部分320的侧表面且安置在腔室盖130的下侧。第三气体分配部分330安置在多个第一气体分配部分310之间以供应搅扰气体。即，在根据此例示性实施例的源材料供应部分300中，中心喷射部分320安置在腔室盖130的下部中心部分处，多个源材料喷射部分 310耦接至腔室盖130的下侧以接触中心喷射部分320，且多个搅扰气体注入部分耦接于多个源材料喷射部分310之间。参看图14及图15，腔室盖130具有大致等于腔室主体128的内部的形状的形状， 例如，具有预定厚度的圆板形状。垂直通过腔室盖130的多个流入孔611、612及613界定于腔室盖130中。所述多个流入孔611、612及613界定于分别对应于第二气体分配部分 320、多个第一气体分配部分310及多个第三气体分配部分330的区域中。即，一个第二流入孔612界定于对应于第二气体分配部分320中心部分处，第一流入孔611及第二流入孔 612界定于对应于多个第一气体分配部分310的部分处，并且第三流入孔613界定于对应于多个第三气体分配部分330的部分处。此处，可在对应于第一气体分配部分310的区域处界定一个第一流入孔611及至少一个第二流入孔612。第二流入孔612的数目可根据第一处理气体及第二处理气体的流入速率而改变。例如，可在一个第一气体分配部分310中界定三个第二流入孔612。此外，界定于对应于第一气体分配部分310的区域中的一个第一流入孔611及至少一个第二流入孔612可根据第一气体分配部分310的配置而以相等间隔排列。即，可在对应于第一气体分配部分310的区域的中心部分处界定一个第一流入孔611， 且可相对于第一流入孔611及第二流入孔612以相等间隔界定至少一个(例如，三个)第二流入孔612。第一流入孔611连接至供应第一处理气体的第一气体供应管412，第二流入孔612连接至供应第二处理气体的第二气体供应管422，并且第三流入孔613连接至供应搅扰气体的搅扰气体供应管432。因此，第二气体分配部分321及第一气体分配部分310从第一气体供应管412及第二气体供应管422经由第一流入孔611及第二流入孔612接收储存于第一气体储存部分410及第二气体储存部分420中的第一处理气体及第二处理气体。此外，第三气体分配部分330从搅扰气体供应管432经由第三流入孔613接收搅扰气体。第一气体供应管412及第二气体供应管422可朝向腔室盖130的中心部分安置，从腔室盖130 的中心部分分支且连接至第一流入孔611及第二流入孔612。此外，第一气体供应管412 及第二气体供应管422可从腔室盖130的外部分支且连接至第一流入孔611及第二流入孔 612。此处，与第二处理气体的量相比引入相对少量的第一处理气体以执行沉积工艺。第二气体分配部分320安置在腔室盖130的中心部分处且具有大致圆柱形形状。 第二气体分配部分320可与腔室盖130整合。或者，分别制造第二气体分配部分320与腔室盖130以在腔室盖130的下部中心部分处将第二气体分配部分耦接至腔室盖130。在第二气体分配部分320的上侧界定对应于腔室盖130的第二流入孔612的第二气体注入孔 322。此外，在第二气体分配部分320的下侧处界定至少一个注入孔。因此，第二气体分配部分320收纳第二处理气体以朝向其下侧喷射第二处理气体。此处，第二气体分配部分320 朝向基板定位单元118的中心部分喷射第二处理气体。即，第二气体分配部分320将第二处理气体喷射至由定位于基板定位单元118上的多个基板116界定的中心空间中。
多个第一气体分配部分310中的每一个的内表面接触第二气体分配部分320且固定至腔室盖130的下侧。可提供至少两个或两个以上第一气体分配部分310。当提供两个第一气体分配部分310时，所述两个第一气体分配部分310中的每一个具有半圆形形状。当提供三个或三个以上第一气体分配部分310时，第二气体分配部分320中的每一个具有扇形形状，其中接触第二气体分配部分320的内表面具有窄宽度且其宽度朝向其外部逐渐变宽。此外，当多个第一气体分配部分310耦接至腔室盖130时，第一气体分配部分310不接触邻近的第一气体分配部分310且与邻近的第一气体分配部分310隔开预定距离。另外， 突起314可纵向安置于第一气体分配部分310的两侧面上。由于提供突起314，因此第三气体分配部分330可耦接于第一气体分配部分310之间。在第一气体分配部分310的上侧处界定一个第一源材料注入孔614及至少一个第二源材料喷射孔615。一个第一源材料注入孔614及至少一个第二源材料注入孔615对应于腔室盖130的第一流入孔611及第二流入孔612。此外，如以上例示性实施例中所述及附图中所示，第一气体分配部分310包括彼此堆叠的第一气体分配板134、第二气体分配板136及第三气体分配板138。第一气体分配板134、第二气体分配板136及第三气体分配板138分别制造，且接着将其堆叠并耦接至彼此。即，第一气体分配板134、第二气体分配板136及第三气体分配板138可整合于一个主体中。此处，由于第一气体分配板134、第二气体分配板136及第三气体分配板138具有与参看附图描述的结构及功能相同的结构及功能，因此将省略其的结构及功能。第三气体分配部分330具有条形形状，其具有预定宽度及厚度和其中的预定空间。在第三气体分配板330的两侧面中纵向地界定凹槽332。第一气体分配部分310的突起314插入至界定于第三气体分配板330的两侧面中的凹槽332中。因此，第三气体分配部分330插入且耦接于两邻近的第一气体分配部分310之间。在第三气体分配部分330的上侧中界定搅扰气体注入孔616以经由腔室盖130的第三流入孔613注入搅扰气体且将搅扰气体注入至基板定位单元118的外部。为了将搅扰气体喷射至基板定位单元118的外部，可在面向其中界定有搅扰气体注入孔616的顶面的底面的外部部分中或在面向对应于第二气体分配部分320的内表面的外表面中界定搅扰气体注入部分的注入孔。即，当在底面中界定注入孔时，可在底面及安置于外表面边界上的底面中界定注入孔。此外，温度计 333可安置于至少一个第三气体分配部分330 (例如，面向彼此的至少两个第三气体分配部分330)上以测量处理腔室112内的温度。温度计333可安置于第三气体分配部分330的底面上。此外，第三气体分配部分330的部分可凹入，且温度计333可埋入至该凹入部分中。在根据此例示性实施例的气体分配装置114中，尽管将四个第一气体分配部分 310及安置于四个第一气体分配部分310之间的四个第三气体分配部分作为实例加以说明，但第一气体分配部分310的数目可根据处理腔室112的内部大小及基板116的数目而改变。另外，由于多个第一气体分配部分可分离且可耦接，因此可更容易地制造符合大型处理腔室112的趋势的大型气体分配装置114。如图17中所示，第二气体分配部分320包括中心喷射嘴321、延伸喷射嘴3M及延伸路径323。中心喷射嘴321安置于多个气体分配部分310的中心区域中。延伸喷射嘴 324延伸至第一气体分配部分310之间的空间中。延伸路径323与中心喷射嘴321及延伸喷射嘴3M连通以接收第二处理气体。分别对应于基板116而安置此例示性实施例的第一气体分配部分310。因此，可将第二处理气体喷射至第一气体分配部分310之间的空间中以将第二处理气体供应至基板116之间的空间中。因此，可将未冷却的第二处理气体进一步供应至基板116上。结果，可改良第二处理气体的分解效率以增加薄膜沉积效率。如图18中所示，用于加热供应至第二气体分配部分320中的第二处理气体的外部加热单元340可进一步安置在第二气体分配部分320外部。电加热器件及光学加热器件可用作外部加热单元340。因此，可加热第二处理气体以进一步改良分解效率。如图19中所示，第二气体分配部分320可包括多个中心喷射嘴321。因此，可将第二处理气体有效地供应至基板定位单元118的中心区域。此外，第二气体分配部分320可进一步包括路径改变器件350，该路径改变器件350朝向基板116喷射从第二气体分配部分320供应的第二处理气体。路径改变器件350包括固定板351 ；延伸路径352，其从固定板351的中心区域朝向基板定位单元118延伸；以及路径改变喷嘴353，其安置在延伸路径 352的末端处。此处，固定板351收集经由第二气体分配部分320喷射的第二处理气体。在图19中，固定板351的部分连接且固定至第一气体分配部分310。然而，本发明不限于此。 例如，固定板351可连接且固定至腔室盖130。延伸路径352具有杆状形状，其中其末端封闭。因此，供应至延伸路径352中的第二处理气体经由安置在延伸路径352末端周围的路径改变喷嘴353朝向基板116喷射。即，相对于基板116在大致垂直方向上喷射从第二气体分配部分320供应的第二处理气体。因此，第二处理气体一旦碰到基板定位单元118，则在所有方向上(即，朝向基板)散开。然而，在此例示性实施例的修改实例中，将第二处理气体供应至路径改变器件350的内部(即，延伸路径352)。由于延伸路径352的下表面阻塞，因此可经由安置在延伸路径352的侧表面处的路径改变喷嘴353在平行于基板116的方向上喷射第二处理气体。因此，可均一地调整朝向多个基板116的上部空间喷射的第二处理气体的喷射量。如图20中所示，内部加热单元360可进一步安置于处理腔室112的内部空间的第二气体分配部分320的下部区域中以加热从第二气体分配部分320供应的第二处理气体。 即，内部加热单元360可安置于第二气体分配部分320与路径改变器件350之间的空间中。 此处，电加热器件及光学加热器件可用作内部加热单元360。因此，由于加热经由第二气体分配部分320喷射至处理腔室112内部的第二处理气体，因此可进一步改良第二处理气体的分解效率。如图21中所示，可进一步提供在处理腔室112的在第二气体分配部分320下方的区域中产生等离子体的个别等离子体产生器件370。等离子体产生器件370包括天线 371，其安置于第二气体分配部分320与路径改变器件350之间的空间中；以及电源供应部分372，其将等离子体功率供应至天线371。从第二气体分配部分320供应的第二处理气体可由等离子体离子化。由于第二处理气体经离子化，因此可改良薄膜沉积效率。可使用电容耦合等离子体(CCP)方法代替以上所述的感应耦合等离子体(ICP)方法。为此，单独电极可安置于第二气体分配部分320的下部区域中。此外，可应用远程等离子体方法。因此， 可进一步提供用于将供应至第二气体分配部分320中的第二处理气体改变为等离子体的器件。如图22中所示，可将具有低分解温度的第一处理气体经由第一气体分配部分310 喷射至处理腔室112的内部空间中，且可将具有高分解温度的第二处理气体经由第二气体分配部分320喷射至处理腔室112的内部空间中。即，可将处理气体分别喷射至分离的空间中以沉积薄膜。因此，可防止具有低分解温度的第一处理气体在将第一处理气体喷射至处理腔室112的内部空间中之前分解。另外，可防止具有高分解温度的第二处理气体在第二处理气体处于冷却状态的状态下喷射至处理腔室112的内部空间中。另外，尽管未展示，但第一气体分配部分310可与腔室盖130整合。S卩，第一气体分配部分310可安置在腔室盖130内部。在上述描述中，主要描述用于处理多个基板的半分批型装置。然而，本发明不限于此。例如，本发明可适用于用于处理单一基板的装置。在此种状况下，可安置将第二处理气体喷射至基板的周边区域中的第二气体分配部分。如图23中所示，向上突出的突起380可安置于基板定位单元118的中心区域中。 此处，第二气体分配部分320可具有小于第一气体分配部分310的厚度的厚度。在此种状况下，当基板定位单元118上升时，突起380可部分地插入至第一气体分配部分310之间的第二气体分配部分320的下侧中。因此，第二气体分配部分320朝向突起380喷射第二处理气体，且第二处理气体的流向由突起380改变以朝向基板116流动。使用此例示性实施例的基板处理装置同时将含有两种或两种以上元素的化合物 (GaN、Ga/IN/AlN、TiN及Ti/ΑΙΝ)沉积于多个基板上。根据该薄膜沉积工艺，供应至第二气体分配部分320中的第二处理气体的供应量可变化。例如，第二处理气体的供应可由第二气体分配部分320完全中断。此表示可使用第一气体分配部分310及第二气体分配部分320 中的仅至少一个供应处理气体。除第一气体分配部分310彼此分离或耦接以外，根据例示性实施例的第一气体分配部分310及第二气体分配部分320可耦接且固定至腔室盖130。尽管已参考特定实施例描述气体分配装置及具有该气体分配装置的基板处理装置，但其不限于此。因此，本领域的技术人员将容易地理解，在不脱离由所附权利要求书界定的本发明的精神及范畴的情况下可进行各种修改及改变。
权利要求
1.一种气体分配装置，其包含第一气体分配部分，其经配置以经由彼此不同的路线将至少两种源材料喷射至基板上；以及第二气体分配部分，其经配置以将具有大于所述至少两种源材料的分解温度平均值的分解温度的源材料喷射至该基板上，其中该第一气体分配部分分隔成至少两个区段且经安置以使得该第二气体分配部分定位于该至少两个区段之间；且所述至少两个区段彼此可耦接且可分离。
2.如权利要求1所述的气体分配装置，其中该第一气体分配部分包含第一气体分配板，其连接至经配置以引入第一处理气体的第一进气管，该第一气体分配板包含多个第一通孔以使该第一处理气体通过；第二气体分配板，其连接至经配置以引入第二处理气体的第二进气管，该第二气体分配板包含与该多个第一通孔对准以使该第一处理气体通过的多个第二通孔及使该第二处理气体通过的多个第三通孔；以及第三气体分配板，其包含与该多个第二通孔及所述多个第三通孔对准且经配置以分别喷射该第一处理气体及该第二处理气体的多个第一喷嘴及多个第二喷嘴；及供致冷剂流动的空间。
3.如权利要求2所述的气体分配装置，其中该第一气体分配板包含外壳，其包含经配置以收纳从该第一进气管供应的该第一处理气体的空间；以及分配单元，其安置于该空间内，该分配单元经配置以均一地分配从该第一进气管引入的该第一处理气体。
4.如权利要求3所述的气体分配装置，其中该分配单元包含板及通过对该板穿孔而界定的多个供气孔。
5.如权利要求2所述的气体分配装置，其中该第二气体分配板包含外壳，其连接至该第二进气管，该外壳提供经配置以收纳该第二处理气体的空间； 多个柱体，其包含在该空间中的该多个第二通孔；以及多个第三通孔，其通过对该外壳的下部部分穿孔而界定。
6.如权利要求5所述的气体分配装置，其中该第二气体分配板包含 隔板，其安置于该空间内；以及缓冲空间，其由该外壳的侧壁及该隔板分隔出，该缓冲空间经配置以收纳从该第二进气管供应的该第二处理气体。
7.如权利要求6所述的气体分配装置，其中该第二气体分配板包含在该隔板中的供气孔以将该缓冲空间的该第二处理气体供应至该空间。
8.如权利要求2所述的气体分配装置，其中该第三气体分配板包含外壳，其中安置该多个第一喷嘴及该多个第二喷嘴，该外壳包含供该致冷剂流动的该空间；以及致冷剂流动管，其连接至该外壳以供应或排放该致冷剂。
9.如权利要求8所述的气体分配装置，其中该外壳包含侧壁，其环绕该空间的侧表面；上部板，其安置于该侧壁上方以与所述多个第一喷嘴及所述多个第二喷嘴连通；以及下部板，其安置于该侧壁下方以与该多个第一喷嘴及该多个第二喷嘴连通。
10.如权利要求8所述的气体分配装置，其中该外壳包含侧壁，其环绕该空间的侧表面；以及下部板，其中安置直接接触该第二气体分配板的该多个第一喷嘴及该多个第二喷嘴。
11.如权利要求1所述的气体分配装置，其进一步包含温度计，该温度计安置于该第二气体分配板及该第三气体分配板中的至少一个上。
12.如权利要求1所述的气体分配装置，其中该第二气体分配部分安置于腔室盖的下侧的中心部分处，且所述至少两个第一气体分配部分安置于该腔室盖下方以使得该第二气体分配部分定位于所述至少两个第一气体分配部分之间。
13.如权利要求1所述的气体分配装置，其中所述至少两个第一气体分配板中的至少一个彼此隔开。
14.如权利要求1或13所述的气体分配装置，其进一步包含至少一个第三气体分配部分，所述至少一个第三气体分配部分安置于所述至少两个第一气体分配部分之间以喷射搅扰气体。
15.如权利要求14所述的气体分配装置，其中该第三气体分配部分朝向该基板的外侧喷射该搅扰气体。
16.如权利要求15所述的气体分配装置，其中突起形成于所述至少两个第一气体分配部分的两侧表面处，且对应于所述突起的凹槽形成于该第三气体分配部分的两侧表面处以将突起插入至所述凹槽中，因此将该第三气体分配部分耦接于所述第一气体分配部分之间。
17.如权利要求14所述的气体分配装置，其中温度探测器安置于所述至少一个第三气体分配部分下方。
18.一种基板处理装置，其包含腔室，其包含反应空间；基板定位单元，其安置于该腔室的该反应空间中以相对于其中心径向地定位多个基板；以及气体分配器件，其包含第一气体分配部分，该第一气体分配部分经配置以经由彼此不同的路线将至少两种源材料喷射至基板上，以及第二气体分配部分，该第二气体分配部分经配置以将具有大于所述至少两种源材料的分解温度平均值的分解温度的源材料喷射至该基板上，其中该第一气体分配部分分隔成至少两个区段，且所述分隔的第一气体分配部分经安置以使得该第二气体分配部分定位于所述分隔的第一气体分配部分之间；且所述分隔的第一气体分配部分彼此可耦接且可分离。
19.如权利要求18所述的气体分配装置，其中该腔室包含腔室主体，其中提供该反应空间；以及腔室盖，其经配置以密封该反应空间，并且该第一气体分配部分及该第二气体分配部分固定至该腔室盖。
20.如权利要求18所述的气体分配装置，其中致冷剂路径安置于该腔室盖中，致冷剂在该致冷剂路径中循环。
21.如权利要求18所述的气体分配装置，其中该第一气体分配部分包含第一气体分配板，其连接至经配置以引入第一处理气体的第一进气管，该第一气体分配板包含多个第一通孔以使该第一处理气体通过；第二气体分配板，其连接至经配置以引入第二处理气体的第二进气管，该第二气体分配板包含与所述多个第一通孔对准以使该第一处理气体通过的多个第二通孔及使该第二处理气体通过的多个第三通孔；以及第三气体分配板，其包含与所述多个第二通孔及所述多个第三通孔对准且经配置以分别喷射该第一处理气体及该第二处理气体的多个第一喷嘴及多个第二喷嘴，以及供致冷剂流动的空间。
22.如权利要求18所述的气体分配装置，其中该第二气体分配部分包含至少一个中心注入喷嘴，该至少一个中心注入喷嘴安置于对应于该基板定位单元的中心区域的腔室区域中。
23.如权利要求18所述的气体分配装置，其中该第二气体分配部分包含中心注入喷嘴，其安置于该第一气体分配部分的中心区域中；延伸注入喷嘴，其延伸至所述第一气体分配部分之间的空间中；以及延伸路径，其与该中心注入喷嘴及该延伸注入喷嘴连通。
24.如权利要求18所述的气体分配装置，其进一步包含路径改变器件，该路径改变器件安置于该第二气体分配部分的下部区域中以朝向该基板喷射从该第二气体分配部分供应的处理气体。
25.如权利要求M所述的气体分配装置，其中该路径改变器件包含固定板，其部分连接至所述多个第一气体分配部分中的每一个，该固定板安置于所述多个第一气体分配部分的中心处；延伸路径，其从该固定板的中心区域朝向该基板定位单元延伸；以及路径改变喷嘴，其安置于该延伸路径的末端区域处。
26.如权利要求18所述的气体分配装置，其进一步包含加热单元，该加热单元经配置以加热从该第二气体分配部分喷射的处理气体；或等离子体产生器件，其经配置以使用等离子体来离子化从该第二气体分配部分喷射的该处理气体。
27.如权利要求18所述的气体分配装置，其进一步包含突起，该突起安置于该基板定位单元上，该突起插入至所述第一气体分配部分之间的该第二分配部分的下侧中。
全文摘要
本发明提供一种气体分配装置及一种包括该气体分配装置的基板处理装置。该基板处理装置包括腔室，其包含反应空间；基板定位单元，其安置于该腔室的该反应空间中以相对于其中心径向地定位多个基板；以及气体分配器件，其包含第一气体分配部分，该第一气体分配部分经配置以经由彼此不同的路线将至少两种源材料喷射至基板上，以及第二气体分配部分，该第二气体分配部分经配置以将具有大于所述至少两种源材料的分解温度平均值的分解温度的源材料喷射至该基板上。该第一气体分配部分分隔成至少两个区段且经安置以使得该第二气体分配部分定位于所述至少两个区段之间；且所述至少两个区段彼此可耦接且可分离。
文档编号H01L21/205GK102239543SQ201080003395
公开日2011年11月9日 申请日期2010年2月26日 优先权日2009年3月3日
发明者崔善弘, 李承浩, 李永熙 申请人:周星工程股份有限公司