专利名称：使用量子点涂覆修复发光二极管的方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明总体涉及使用量子点涂覆来修复发光二极管(LED)的方法和设备，并且更具体地，涉及使用一种量子点涂覆来修复LED的方法和设备，其通过在由测量LED的发射特性值而被分类为缺陷产品的LED上形成量子点层而能够修复LED且将LED改变为具有提高的发射颜色或亮度的满意产品，从而提高LED的产量。
背景技术：
LED基于III-V族化合物半导体的氮化物半导体(诸如GaN)而被构造。发光二极管(LED)基本上通过将P型氮化物半导体层和η型氮化物半导体层结合在一起而被构造，其中，P型氮化物半导体层和η型氮化物半导体层通过利用P型或者η型杂质掺杂氮化物半导体来形成。电子和空穴的重组速率通过在P型氮化物半导体层与η型氮化物半导体层 之间放置有源层而增加，从而提高LED的亮度特性。如图I所示，典型的LED被构造为使得P型氮化物半导体层和η型氮化物半导体层分别连接至外部电极。当电力施加至两个电极时，LED可发射可见波长的光。此外，最近，为了提高亮度特性或者改变所发射的颜色，已经尝试在合适位置处将量子点层适当地插入至基本LED结构中，该基本LED结构包括P型氮化物半导体层、有源层和η型氮化物半导体层。此外，如图2所示，通过利用荧光层涂覆上述多层结构而形成的LED可被构造，并且可提高亮度特性。通过利用量子点层涂覆多层结构而形成的LED可被构造，并且可改变发射的颜色或提高亮度特性。例如，参考图3结构，通过利用被用于以黄色波长执行发射的量子点层来涂覆之前的LED，能够使具有在利用量子点层涂覆之前发射蓝光的结构的LED变为白光发射LED。除了包括P型氮化物半导体层、有源层和η型氮化物半导体层的基本结构之外，LED还可以以将量子点层在合适位置处适当地插入至上述LED结构中的结构来构造。各种颜色的高亮度LED能够通过利用荧光层或者量子点层来涂覆最上面的半导体层的外侧来构造。然而，当电力施加至所生产的LED并且在具有各种上述结构的LED生产期间而在质量测试阶段中使用光电检测器来测量从所生产的LED发射的光的发射强度时，如图4所示，可能存在被确定为缺陷LED的LED。由于LED的产量影响LED的价格，所以有必要通过提高被确定为缺陷LED的颜色或亮度特性并由此使LED能够使用，来减少缺陷产品的数量，使得以低成本生产具有高发射效率的LED。
发明内容
技术课题因此，鉴于现有技术中出现的上述问题而做出了本发明，并且本发明目的在于提供一种使用量子点涂覆来修复LED的方法和设备，其能够通过将量子点层应用至通过测量LED的发射特性值而被分类为缺陷产品的LED上来修复LED并且将LED改变为具有提高了的发射颜色或者亮度的满意产品，从而提高LED的产量。解决方案为了完成以上目的，本发明提供一种修复发光二极管的方法，该方法包括测量LED的发射特性值；确定所测量的发射特性值偏离目标范围的LED为缺陷LED ;以及在缺陷LED的最上层上形成量子点层。发射特性值包括颜色或者亮度的数字值。 形成量子点层包括将通过混合由预定半导体纳米晶体形成的量子点与分散介质所形成的溶液应用至缺陷LED的最上层上以及干燥溶液。形成量子点层包括测量当缺陷LED运行时从缺陷LED发射并且已通过从形成有多个量子点单元的量子点掩模(quantum dot mask)中选择的量子点单元的光的发射特性值；通过比较已通过量子点单元的光的发射特性值与目标范围来确定修复量子点；以及使用与所确定的修复量子点相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成量子点层。确定修复量子点包括如果已通过量子点单元的光的所测量的发射特性值落在目标范围内，则确定相应的所选量子点单元的量子点为修复量子点；以及如果已通过量子点单元的光的所测量的发射特性值偏离目标范围，则执行控制，使得再次测量与量子点掩模的另一量子点单元相关的发射特性值。测量光的发射特性值包括测量从缺陷LED发射并且已顺次通过具有多层结构的多个量子点单元的光的发射特性值，所述多个量子点单元选自多个量子点掩模中的每一个。确定修复量子点包括如果已通过多个量子点单元的光的所测量的发射特性值落在目标范围内，则确定在选自多个量子点掩模的量子点单元的组合中使用的量子点为修复量子点；以及如果已通过多个量子点单元的光的所测量的发射特性值偏离目标范围，则执行控制，使得再次测量与具有多层结构的多个相应量子点单元相关的发射特性值，所述多个相应量子点单元不同地选自多个量子点掩模以改变所述多个量子点单元中一个或多个。形成量子点层包括使用与被确定为修复量子点的量子点单元的组合相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成量子点层。形成量子点层包括使用分别与被确定为修复量子点的多个量子点单元相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成具有多层结构的量子点层。为了完成以上目的，本发明提供一种修复发光二极管的设备，包括光电检测装置，用于测量LED的发射特性值；确定装置，用于确定所测量的发射特性值偏离目标范围的LED为缺陷LED ;以及量子点涂覆装置，用于在缺陷LED的最上层上形成量子点层。该设备进一步包括量子点掩模,被构造为使得在量子点掩模上形成多个量子点单元；和修复控制器，用于通过将从缺陷LED发射并且通过选自量子点掩模的量子点单元的光的发射特性值与目标范围相比较来确定修复量子点，并且控制量子点涂覆装置；其中，量子点涂覆装置使用与所确定的修复量子点相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成量子点层。修复控制器包括量子点确定单元，如果已通过量子点单元的光的所测量的发射特性值落在目标范围内，则用于确定在相应所选量子点单元中使用的量子点为修复量子点，并且如果已通过量子点单元的光的发射特性值偏离目标范围，则产生指示再次测量发射特性值的控制信号；以及移动控制单元，用于响应于控制信号执行控制使得量子点掩模的另一量子点单元位于从缺陷LED发射光的方向上。该设备进一步包括用于测量已通过量子点单元的光的发射特性值的第二光电检测装置。量子点掩模包括多个量子点掩模，多个量子点掩模被构造为使得在量子点掩模中的每一个上形成多个量子点单元；以及修复控制器通过比较从缺陷LED发射并且已顺次通过具有多层结构的多个量子点单元的光的所测量的发射特性值来确定修复量子点，所述多个量子点单元选自多个量子点掩模中的每一个。 如果已通过多个量子点单元的光的发射特性值落在目标范围内，则量子点确定单元确定在选自多个量子点掩模的量子点单元的组合中使用的量子点为修复量子点，并且如果已通过量子点单元的光的所测量发射特性值偏离目标范围，则产生指示再次测量发射特性值的第二控制信号；以及移动控制单元响应于第二控制信号来控制多个量子点掩模的移动，使得具有多层结构并且包括不同地选自所述多个量子点掩模的一个或多个改变了的量子点单元的相应量子点单元位于从缺陷LED发射光的方向上。量子点涂覆装置使用与被确定为修复量子点的量子点单元的组合相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成量子点层。效果量子点涂覆装置使用与被确定为修复量子点的量子点单元相对应的量子点混合溶液而在缺陷LED的最上层上形成具有多层结构的量子点层。
从结合附图的以下详细描述中，将更清晰地理解本发明的上述和其他目的、特征和优点，其中图I是示出了典型LED的结构的实例的示图；图2是示出了典型LED的结构的另一实例的示图；图3是示出了典型LED的结构的又一实例的示图；图4是示出了 LED的发射强度的典型测量的示图；图5是示出了根据本发明实施方式的LED修复设备的示图；图6是示出了根据本发明实施方式的量子点掩模的示图；图7是示出了使用根据本发明另一实施方式的量子点掩模的发射特性的测量的示图；图8是根据本发明实施方式的修复控制器的框图；图9是示出了根据本发明实施方式的LED修复设备的操作的流程图；以及图10是示出了典型CIE颜色坐标系统的示图。本发明优选实施方式现应参考附图，其中，在所有不同的附图中使用相同的参考标号以表示相同或相似的部件。
图5是示出了根据本发明实施方式的LED修复设备10的示图。
参考图5,根据本发明实施方式的LED修复设备10可包括量子点掩模12、光电检测器13、量子点分配器14和修复控制器15。LED修复设备10可进一步包括传送器系统11。本发明公开了 LED修复设备10，该LED修复设备在所生产的LED质量测试阶段中施加电力，使用光电检测器13来测量从LED发射的光的发射特性值，如果所测量的发射特性值(颜色或者亮度的数字值)偏离目标范围，则使用预定确定装置来确定LED为缺陷LED，并且使用预定量子点涂覆装置在相应缺陷LED的层状半导体结构的最上层上形成量子点层，以提高诸如缺陷LED的颜色或亮度的发射特性，从而修复LED并且将LED变为具有提高的发射颜色或亮度的满意产品。在图5中，发射特性值(颜色或者亮度的数字值)均偏离目标范围的各个缺陷LED可通过输送系统11传送至量子点掩模12下方的位置。量子点掩模12包括形成在透明材料(诸如基于树脂的材料)上的多个量子点单元(例如，A卞)。如图6所示，当光通过量子点掩模12时呈现不同发射波长特性的多个量子点单元形成在量子点掩模12上。量子点可由CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe,HgTe等的化合物半导体纳米晶体形成。通过将以上晶体与分散介质(例如，甲苯、己烷等)混合所获得的量子点混合溶液应用至量子点掩模12的多个位置并且干燥该溶液，而在量子点掩模12上形成多个量子点单元(例如，A F)。如图7所示，具有多层结构的两个量子点掩模71和72可用作量子点掩模12。例如，当光通过量子点掩模时呈现不同发射波长特性的多个量子点A、B和C (Q、R和S)可形成在两个量子点掩模71和72的每一个上，并且可改变已通过具有多层结构的量子点单元(选自各个掩模71和72)的组合的光的发射波长特性。这里，尽管给出了使用两个量子点掩模71和72的实例，但本发明并不限于此，不排除使用三个或更多个的量子点掩模。光电检测器13可测量从缺陷LED发射并且已通过选自量子点掩模12的一量子点单元的光的发射特性值、或者从缺陷LED发射并且已顺次通过具有多层结构的量子点单元(选自各个量子点掩模71和72)的光的发射特性值。这里，光电检测器13可通过分析输入光的光谱(或者波长)来产生关于输入光的颜色的信息(数字值)，或者通过分析输入光的强度来产生关于输入光的亮度的信息(数字值)。基于测量从缺陷LED发射并且已通过量子点掩模12或者多个量子点掩模71和72的光的结果(这些结果通过光电检测器13测量)，修复控制器15将由光电检测器13所测量的发射特性值与预设目标范围相比较，从而确定一个或多个修复量子点，然后控制量子点分配器14。量子点分配器14可使用与由修复控制器15所确定的修复量子点相对应的量子点混合溶液而通过将量子点混合溶液应用至缺陷LED的最上层上来形成量子点层。量子点分配器14可包括容纳根据不同发射波长特性的量子点混合溶液的多个容器(例如，容器A’ >’)，并且通过根据由修复控制器15所确定的修复量子点来选择相应量子点混合溶液并将相应量子点混合溶液应用在缺陷LED的最上层上，来执行涂覆。通过将由诸如CdS、CdSe, CdTe, ZnS、ZnSe, ZnTe、HgS、HgSe和HgTe晶体的化合物半导体纳米晶体形成的量子点与分散介质(例如，甲苯、己烷等)相混合所形成的溶液可包括在量子点分配器14的容器中作为量子点混合溶液。量子点混合溶液可使用其他方法来形成。当将包括在与修复量子点相对应的容器中的量子点混合溶液应用至缺陷LED的最上层时，可实现基于相应的量子点发射波长特性来提高缺陷LED的发射特性的效果。在将量子点混合溶液应用至缺陷LED的最上层之后，可使用预定干燥设备来干燥量子点混合溶液。必要时，可将基于透明树脂的绝缘材料应用至量子点混合溶液。图8是根据本发明实施方式的修复控制器15的框图。参考图8，根据本发明实施方式的修复控制器15包括量子点确定单元21和移动控制单元22。量子点确定单元21将从缺陷LED发射的并且已通过量子点掩模12或多个量子点掩模71和72的光的发射特性值(该发射特性值由光电检测器13测量)与预设目标范围相比较，并且根据所测量的发射特性值是否偏离目标范围来确定相应的修复量子点，或者产生指示再次测量缺陷LED的发射特性的控制信号。移动控制单元22可响应于来自量子点确定单元21的控制信号来控制量子点掩模12或多个量子点掩模71和72的旋转，使得量子点掩模12的另一量子点单元或者多个量子点掩模71和72的量子点单元的另一组合位于从缺陷LED发射光的方向上。相应地，光电检测器13可再次相对于相对应的量子点单元或者量子点单元的组合测量发射特性值。本发明实施方式参考图9的流程图，以下将详细描述根据本发明实施方式的LED修复设备10的操作。首先，在所制造的LED质量测试阶段中，电力施加至LED，并且使用光电检测器13或者另一光电检测装置来测量来自LED的光的发射特性值，使得在步骤SllO可使用预定确定装置来分选出缺陷LED，所述缺陷LED的相应颜色或者亮度的数字值偏离目标范围A。例如,如图10所示，当目标范围被设定为范围A (在该范围A中,在代表典型显示颜色坐标的国际照明委员会(CIE)颜色坐标系统中在特定颜色(例如，白色)处呈现特定亮度)时，如果由光电检测装置所测量的发射特性值(例如，所测量的颜色或者亮度的数字值)偏离目标范围A,则LED可能不被标为待售广品并可能被丢弃。根据本发明，在即使当由光电检测装置所测量的发射特性值偏离目标范围A的情况下分选出具有修复范围B内的发射特性值的缺陷LED时，如下所述，也可通过使用修复设备10在相应缺陷LED上形成量子点层来将缺陷LED修复并且变为发射颜色或者亮度已经提闻的优良广品。在步骤S120中，可通过传送器系统11将缺陷LED转送至量子点掩模12下方的位置。如图6所示，在量子点掩模12上形成当光通过时呈现不同发射波长特性的多个量子点单元(例如，A F),并执行传送,使得量子点掩模12上的量子点单元之一可位于缺陷LED的上方，以便测量由缺陷LED发射的并且已通过该量子点单元的光的发射特性值。当量子点掩模12上的量子点单元之一位于缺陷LED上方时,在步骤S130中，通过将电力施加至缺陷LED而使缺陷LED发光。在该情况下，缺陷LED可被固定至具有预设终端(通过该预设终端可提供电力)的预定装配架(jig)，并且该缺陷LED可发光。相应地，在步骤S140中，光电检测器13可测量从缺陷LED发射的并且已通过由量 子点掩模12所选择的量子点单元的光的发射特性值。光电检测器13可通过分析输入光的光谱(或者波长)来产生关于输入光的颜色的信息(数字值)，或者可通过分析输入光的强度来产生关于输入光的亮度的信息(数字值)。
在步骤S150中，基于测量从缺陷LED发射的并且已通过量子点掩模12的光的结果(该测量由光电检测器13进行)，修复控制器15将由光电检测器13所测量的发射特性值与预设目标范围相比较。例如，在步骤S170中，通过比较光的发射特性值与预设目标范围，如果从缺陷LED发射的并且已通过量子点掩模12的量子点单元的光的发射特性值(该发射特性值由光电检测器13测量)被确定为没有偏离相应的目标范围，则修复控制器15的量子点确定单元21可确定所选量子点单元的量子点为相应的修复量子点。通过比较发射特性值与目标范围，如果从缺陷LED发射的并且已通过量子点掩模12的光的发射特性值(该发射特性值通过光电检测器13测量)确定为偏离预设目标范围，则量子点确定单元21可产生指示再次测量缺陷LED的发射特性值的控制信号。这里，如图10所示，目标范围可以是预定的数字值范围，从而使得发射特性值能够落在CIE颜色坐标 系统中的目标范围A内。在步骤S160中，移动控制单元22可响应于来自量子点确定单元21的控制信号来控制量子点掩模12的旋转，使得量子点掩模12的另一量子点单元位于从另一缺陷LED发光的方向上。相应地，当量子点掩模12的另一量子点单兀位于从缺陷LED发射光的方向上时，可重复上述确定修复量子点的过程，该过程包括光电检测器13测量发射特性值的步骤、修复控制器15将发射特性值与目标范围比较的步骤、以及切换到量子点掩模12的另一量子点单元的步骤。与此同时，如图7所示，当使用多个量子点掩模71和72时，在步骤S140中，光电检测器13可测量从缺陷LED发射的并且已顺次通过具有多层结构且选自设置在缺陷LED上方的多个量子点掩模71和72中的每一个的量子点单元的光的发射特性值。这里，在步骤S170中，通过将发射特性值与预设目标范围相比较，如果从缺陷LED发射的并且已通过多个量子点掩模71和72的量子点单元的组合的光的发射特性值(该发射特性值由光电检测器13测量)被确定为不偏离目标范围，则修复控制器15的量子点确定单元21可确定选自于多个量子点掩模71和72的量子点单元的组合的量子点为相应的修复量子点。量子点掩模12或者多个量子点掩模71和72的旋转可被控制为使得另一量子点单元或者量子点单元的另一组合可位于从缺陷LED发射光的方向上。相应地，光电检测器
13可再次测量另一相应量子点单元或者量子点单元的另一组合的发射特性值。通过比较所测量的发射特性值与相应的目标范围，如果从缺陷LED发射的并且已通过选自于多个量子点掩模71和72的量子点单元的组合的光的发射特性值(该发射特性值由光电检测器13测量)被确定为偏离预设目标范围，则量子点确定单元21可产生指示再次测量缺陷LED的发射特性值的控制信号。这里，如图10所示，目标范围可为预定的数字值范围，使得发射特性值可落在CIE颜色坐标系统中的目标范围A内。在步骤S160中，移动控制单元22可响应于于来自量子点确定单元21的控制信号来控制多个量子点掩模71和72的移动，使得具有多层结构的相应量子点单元位于从缺陷LED发射光的方向上，其中所述相应量子点单元不同地选自多个量子点掩模71和72以改变量子点单元中的一个或多个。这里，通过仅旋转多个量子点掩模71和72中的下部掩模而仅可选择性地改变下部的量子点单元，通过仅旋转上部掩模72而仅可选择性改变上部的量子点单元,或者通过旋转所有多个量子点掩模71和72而可选择性地改变两侧的量子点单元。相应地，当具有多层结构的并且包括不同地选自于多个量子点掩模71和72的一个或多个改变的量子点单元的相应量子点单元位于从缺陷LED发射光的方向上时,可重复上述确定修复量子点的过程，该过程包括光电检测器13测量发射特性值的步骤、修复控制器15将发射特性值与目标范围进行比较的步骤、以及切换到量子点掩模12的另一量子点单元的步骤。在量子点确定单元21在以上过程中已确定修复量子点之后，在步骤S180中，可将关于相应修复量子点的信息发送至量子点分配器14。在步骤S190中，量子点分配器14可根据关于由量子点确定单元21所确定的修复量子点的信息而利用相应量子点混合溶液来涂覆缺陷LED的最上层。量子点分配器14可包括容纳根据不同发射波长特性的量子点混合溶液的多个容器，例如容器A’>’，并且通过根据由量子点确定单元21所确定的修复量子点选择相应量子点混合溶液以及通过将相应量子点混合溶液应用至缺陷LED的最上层上来执行涂覆。例如，当量子点确定单元21确定量子点单元A为修复量子点时，量子点分配器14可通过从量子点混合溶液容器A’排出相应溶液并且将相应溶液应用至缺陷LED的最上层上来执行涂覆。另外，当如图7所示使用多个量子点掩模71和72时，量子点确定单元21可确定例如包括下部掩模71的量子点单元A和上部掩模72的量子点单元Q的量子点单元的组合为修复量子点，在该情况下，量子点分配器14可通过从相关量子点混合溶液容器排出相应溶液并且将该相应溶液应用至缺陷LED的最上层上来执行涂覆。在这种情况下，量子点分配器14可将与被确定为修复量子点的量子点单元(例如，单元A和Q)相对应的量子点混合溶液(例如，溶液A’和Q’)应用至多层结构的缺陷LED的最上层上。即，首先可应用量子点混合溶液A’，并然后可将量子点混合溶液Q’应用至该处。尽管在图5中未示出容器Q’，但可添加相应容器。在如上所述地已应用量子点混合溶液之后,可使用预定干燥设备来干燥所应用的溶液。必要时，可通过涂覆具有基于透明树脂的绝缘材料的量子点混合溶液来形成相应量子点层。根据用于使用量子点涂覆来修复LED的方法和设备，通过将量子点层应用至LED上，被分选为缺陷产品的LED被修复并且变为具有提高的发射颜色或者亮度的满意产品，从而提高LED的产量。尽管为了说明的目的公开了本发明的优选实施方式，但是本领域技术人员将明白，在不脱离所附权利要求公开的本发明的范围和精神的前提下，各种修改、添加和替换均是可行的。权利要求
1.一种修复发光二极管(LED)的方法，包括 测量发光二极管(LED)的发射特性值； 确定所测量的发射特性值偏离目标范围的LED为缺陷LED ;以及 在所述缺陷LED的最上层上形成量子点层。
2.根据权利要求I所述的方法，其中，所述发射特性值包括颜色或亮度的数字值。
3.根据权利要求I所述的方法，其中，形成所述量子点层包括将通过由预定半导体纳米晶体形成的量子点与分散介质混合所形成的溶液应用至所述缺陷LED的最上层上以及干燥所述溶液。
4.根据权利要求I所述的方法，其中，形成所述量子点层包括 测量当所述缺陷LED运行时从所述缺陷LED发射并且已通过量子点单元的光的发射特性值，所述量子点单元从其上形成有多个量子点单元的量子点掩模中选择； 将已通过所述量子点单元的光的所述发射特性值与所述目标范围相比较来确定修复量子点；以及 使用与所确定的修复量子点相对应的量子点混合溶液，在所述缺陷LED的最上层上形成所述量子点层。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，确定所述修复量子点包括 如果已通过所述量子点单元的光的所测量的发射特性值落在所述目标范围内，则确定相应的所选量子点单元的量子点为所述修复量子点；以及 如果已通过所述量子点单元的光的所测量的发射特性值偏离所述目标范围，则执行控制，使得再次测量与所述量子点掩模的另一量子点单元相关的发射特性值。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，测量光的所述发射特性值包括测量从所述缺陷LED发射并且已顺次通过具有多层结构的多个量子点单元的光的发射特性值，所述多个量子点单元从多个量子点掩模中的每一个中选择。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，确定所述修复量子点包括 如果已通过所述多个量子点单元的光的所测量的发射特性值落在所述目标范围内，则确定在选自所述多个量子点掩模的多个量子点单元的组合中使用的量子点为所述修复量子点；以及 如果已通过所述多个量子点单元的光的所测量的发射特性值偏离所述目标范围，则执行控制，使得再次测量与具有多层结构的相应多个量子点单元相关的发射特性值，所述相应多个量子点单元不同地选自所述多个量子点掩模以改变所述多个量子点单元中的一个或多个。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述量子点层包括使用与被确定为所述修复量子点的所述多个量子点单元的组合相对应的量子点混合溶液而在所述缺陷LED的最上层上形成量子点层。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述量子点层包括使用分别与被确定为所述修复量子点的所述多个量子点单元相对应的量子点混合溶液而在所述缺陷LED的最上层上形成具有多层结构的量子点层。
10.一种用于修复LED的设备，包括 光电检测装置，用于测量LED的发射特性值；确定装置，用于确定所测量的发射特性值偏离目标范围的LED为缺陷LED ;以及 量子点涂覆装置，用于在所述缺陷LED的最上层上形成量子点层。
11.根据权利要求10所述的设备，进一步包括 量子点掩模，被构造为使得在所述量子点掩模上形成多个量子点单元；以及 修复控制器，用于通过将从所述缺陷LED发射并且已通过从所述量子点掩模中选择的量子点单元的光的发射特性值与所述目标范围相比较来确定修复量子点，并且控制所述量子点涂覆装置； 其中，所述量子点涂覆装置使用与所确定的修复量子点相对应的量子点混合溶液而在所述缺陷LED的最上层上形成量子点层。
12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述修复控制器包括 量子点确定单元，用于如果已通过所述量子点单元的光的所测量的发射特性值落在所述目标范围内，则确定在相对应的所选量子点单元中使用的量子点为所述修复量子点，并且如果已通过所述量子点单元的光的发射特性值偏离所述目标范围，则产生指示再次测量所述发射特性值的控制信号；以及 移动控制单元，用于响应于所述控制信号来执行控制，使得所述量子点掩模的另一量子点单元位于从所述缺陷LED发射光的方向上。
13.根据权利要求12所述的设备，进一步包括用于测量已通过所述量子点单元的光的发射特性值的第二光电检测装置。
14.根据权利要求12所述的设备，其中 所述量子点掩模包括多个量子点掩模，所述多个量子点掩模被构造为使得在所述多个量子点掩模的每一个上形成多个量子点单元；以及 所述修复控制器通过比较从所述缺陷LED发射并且已顺次通过具有多层结构的多个量子点单元的光的所测量的发射特性值来确定所述修复量子点，所述多个量子点单元选自所述多个量子点掩模中的每一个。
15.根据权利要求14所述的设备，其中 如果已通过所述多个量子点单元的光的发射特性值落在所述目标范围内，则所述量子点确定单元确定在选自所述多个量子点掩模的多个量子点单元的组合中使用的量子点为所述修复量子点，并且如果已通过所述多个量子点单元的光的所测量的发射特性值偏离所述目标范围，则产生指示再次测量所述发射特性值的第二控制信号；以及 所述移动控制单元响应于所述第二控制信号来控制所述多个量子点掩模的移动，使得具有多层结构并且包括不同地选自所述多个量子点掩模的一个或多个改变后的量子点单元的相应量子点单元位于从所述缺陷LED发射光的方向上。
16.根据权利要求15所述的设备，其中，所述量子点涂覆装置使用与被确定为所述修复量子点的所述多个量子点单元的组合相对应的量子点混合溶液而在所述缺陷LED的最上层上形成量子点层。
17.根据权利要求15所述的设备，其中，所述量子点涂覆装置使用与被确定为所述修复量子点的所述多个量子点单元相对应的量子点混合溶液而在所述缺陷LED的最上层上形成具有多层结构的所述量子点层。
全文摘要
本发明涉及发光二极管修复方法和装置，其用于通过测量所制造的发光二极管的发射特性值并且在被选为缺陷产品的发光二极管上形成量子点层，来提高产量并且将被选为缺陷产品的发光二极管修复为发射颜色或者亮度提高的高质量发光二极管。根据本发明的一方面，发光二极管的修复方法包括以下步骤测量发光二极管的发射特性值；确定所测量的发射特性值在目标范围之外的相应发光二极管为缺陷发光二极管；以及在缺陷发光二极管的顶层上形成量子点层。
文档编号H01L33/02GK102630350SQ201080051518
公开日2012年8月8日 申请日期2010年5月24日 优先权日2009年9月14日
发明者金原南 申请人:塔工程有限公司