载置台构造和处理装置的制作方法

专利名称：载置台构造和处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体晶片等的被处理体的处理装置和载置台构造。
背景技术：
一般地，在制造半导体集成电路中，对半导体晶片等的被处理体重复进行成膜处理、蚀刻处理、热处理、改质处理、结晶化处理等的各种的单片处理，来形成所期望的集成电路。在进行上述那样的各种的处理的情况下，相应于该处理的种类，分别向处理容器内导入必要的处理气体，例如在成膜处理的情况下导入成膜气体或卤族气体，在改质处理的情况下导入臭氧气体等，在结晶化处理的情况下导入N2气体等的不活泼气体或O2气体等。当以对半导体晶片一片一片地实施热处理的单片式的处理装置为例时，在能够进行抽真空的处理容器内设置例如内置有电阻加热器的载置台，在其上表面载置半导体晶片，在以规定的温度(例如从100°C至IOO(TC)加热的状态下流过规定的处理气体，在规定的エ艺条件下对晶片实施各种的热处理(日本特开昭63 — 278322号公报、日本特开平07 一 078766号公报、日本特开平03 — 220718号公报、日本特开平06 — 260430号公报、日本特开2004 — 356624号公报、日本特开2006 — 295138号公报、日本特开2008 — 021963号公报)。因此，对于处理容器内的部件，要求它们对于加热的耐热性和即使曝露在处理气体中也不会被腐蚀的耐腐蚀性。但是，载置半导体晶片的载置台构造一般具有耐热性和耐腐蚀性，并且需要防止金属污染物等的金属污染，所以例如在AlN等的陶瓷材料中作为发热体埋入电阻加热器，并在高温下一体烧制来形成载置台。而且，在其他エ序相同地烧制陶瓷材料等来形成支柱，并使该一体烧成的载置台侧和上述支柱例如通过热扩散接合熔敷而一体化，来制造载置台构造。而且，将这样一体成形的载置台构造立起设置在处理容器内的底部。此外，替代上述陶瓷材料，有时也使用具有耐热耐腐蚀性且热伸缩少的石英玻璃。在此，对现有的载置台构造的一个例子进行说明。图15是表示现有的载置台构造的ー个例子的截面图。该载置台构造设置于能够进行真空排气的处理容器内，如图15所示，具有由AlN等的陶瓷材料构成的圆板状的载置台2。而且，同样例如由AlN等的陶瓷材料构成的圆筒状的支柱4例如通过热扩散接合到该载置台2的下表面的中央部而一体化。所以，双方通过热扩散接合部6气密地接合。在此，上述载置台2的大小，例如在晶片尺寸在300mm的情况下,载置台2的直径为350mm左右，支柱4的直径为56mm程度。在上述载置台2内设置有例如由加热器等构成的加热单元8，对载置台2上的作为被处理体的半导体晶片W进行加热。上述支柱4的下端部通过固定块10固定在容器底部9而呈立起状态。而且，在上述圆筒状的支柱4内设置有其上端经由连接端子12与上述加热单元8连接的供电棒14，该 供电棒14的下端部侧借助绝缘部件16向下方贯通容器底部井向外部引出。由此，防止处理气体等侵入该支柱4内，并防止上述供电棒14和连接端子12等被上述腐蚀性的处理气体腐蚀。
但是，在半导体晶片的加工时，载置台2自身成为高温状态。在该情况下，构成支柱4的材料可以说是由热传导率并不是那么好的的陶瓷构成，载置台2和支柱4通过热扩散接合，所以在该支柱4传递，大量的热从载置台2的中心侧向支柱4侧逃离的问题被避免。因此，特别是在载置台2的升降温时，相对于载置台2的中心部的温度变低，产生的冷斑点，周边部的温度相对变高，在载置台2的表面内产生较大的温度差，其结果，具有在载置台2的中心部和周边部之间产生较大的热应力，载置台2产生破损的问题。特别是，也依存于エ艺的种类，但因载置台2的温度达到800°C以上，所以上述温度差变得相当大，与此相随产生较大的热应力。此外，除此之外，具有因载置台的反复升降温而导致的基于上述热应カ的破损被促进的问题。此外，载置台2和支柱4的上部成为高温状态而产生热膨胀，另一方面，支柱4的下端部通过固定块10固定在容器底部9，所以具有应カ集中在载置台2和支柱4的上部的接合部位，以该部分为起点产生破损的问题。为了解决上述问题点，如日本特开2008 - 021963号公报所示，提案有如下技术将发热板收纳在发热板收纳容器内形成载置台，并在其之间存在高温耐热性的某金属密封部件等，通过由陶瓷材料等构成的销或螺栓部件松松地连接该发热板收纳容器和筒体状的支柱。在该情况下，为了防止例如处理气体经由残留在连结部等的微小的间隙向发热板收纳容器内侵入，所以经由上述支柱内向发热板收纳容器内供给吹扫气体。但是，此时，处理容器内的成膜气体等的处理气体经由上述微小的间隙向发热板收纳容器内逆流并浸入不可避免，其结果，存在在载置台的背面侧形成引起晶片的面内热分布的不均匀性的不需要的薄膜的情況。

发明内容
发明想要解决的问题本发明着眼于以上的这种问题点，为了将其有效地解决而产生的。本发明的目的是提供一种载置台构造以及处理装置，其能够防止在载置台产生较大的热应力，能够防止该载置台自身破损，并且，能够防止成为被处理体的面内温度不均匀性的原因的不需要的膜附着在载置台的背面侧。本发明的载置台构造，设置于能够进行排气的处理容器内，用于载置应处理的被处理体，所述载置台构造的特征在于，包括载置台，在板状的载置台主体上支承用于载置所述被处理体的热扩散板，并且在所述载置台主体与所述热扩散板的交界部分设置气体扩散室；设置于所述载置台的加热单元；ー个或者多个支柱管，用干支承所述载置台，从所述处理容器的底部立起设置，其上端部与所述载置台的下表面连接，并且与所述气体扩散室连通，流过吹扫气体；载置台罩部件，其以覆盖所述载置台主体的侧面和下表面的方式设置；和支柱管罩部件，其包围所述支柱管的周围，并且上端部与所述载置台罩部件连结，从 所述气体扩散室向下方引导流过所述载置台主体与所述载置台罩部件之间的间隙的所述吹扫气体，使所述吹扫气体从气体出ロ排出。根据本发明，在设置于能够进行排气的处理容器内并用于载置应处理的被处理体的载置台构造中，在载置台主体的上支承用于载置被处理体的热扩散板，并在载置台主体与热扩散板的交界部分设置气体扩散室的载置台，设置有为了支承该载置台而上端部与载置台的下表面连接且与气体扩散室连通使吹扫气体流动的ー个或者多个支柱管，并且以覆盖载置台主体的侧面和下表面的方式设置有载置台罩部件，并设置有包围支柱管的周围并且上端部与载置台罩部件连结，并从气体扩散室将在载置台主体和载置台罩部件之间的间隙流动的吹扫气体向下方引导而使其从气体出口排出的支柱管罩部件，所以与现有构造的支柱相比，载置台和支柱管的接合部的面积减少，相应地，热的逃散減少，能够抑制冷斑点的产生。所以，防止在载置台产生大的热应カ的问题，防止该载置台自身产生破损的问题。并且，为了防止处理气体向载置台内侵入，通过使向气体扩散室内供给的吹扫气体经由载置台罩部件与载置台主体之间的间隙流到支柱管罩部件内，并从该支柱管罩部件的下方的气体出口排出，由此，即使处理气体从该气体出口逆流浸入，该处理气体也不会]到达载置台。所以，抑制引起被处理体的面内温度分布的不均匀的不需要的薄膜附着到载置台的背面侧的问题。此外，本发明是用于对被处理体实施处理的处理装置，其特征在于，包括能够进行排气的处理容器；具有用于载置所述被处理体的所述特征的载置台构造；和向所述处理容器内供给气体的气体供给单元。


图I是表示具有本发明的一个实施方式的载置台构造的处理装置的截面结构图。图2是表示设置于载置台的加热单元的一个例子的俯视图。图3是图I的A — A向截面图。图4是是将图I的载置台构造的一部的支柱管的部分代表地取出进行表示的局部放大截面图。图5是用于说明图4的载置台构造的组装状态的说明图。图6是表示载置台构造中的吹扫气体的流动的局部放大截面图。图7A是表示本发明的载置台构造的第一变形实施例的罩部件的图。图7B是表示本发明的载置台构造的第一变形实施例的罩部件的图。图8A是表示本发明的处理装置的第二变形实施例中所使用的载置台的一部分的图。图SB是表示本发明的处理装置的第二变形实施例中所使用的载置台的一部分的图。图9是表示热电偶的上端部的安装结构的图。图10是表示热电偶的变形实施例的局部放大图。图IlA是表示热电偶的弹簧部的放大图。
图IlB是表示热电偶的弹簧部的放大图。图12A是表示缔结单元的第一变形实施例的螺栓部件的螺栓的图。图12B是表示缔结单元的第一变形实施例的螺栓部件的螺栓的图。图13是表示缔结单元的第二变形实施例的安装状态的截面图。图14A是表示缔结单元的第二变形实施例的图。图14B是表示缔结单元的第二变形实施例的图。图15是表示现有的载置台构造的ー个例子的截面图。
具体实施例方式以下，基于附图，对本发明的载置台构造和处理装置的ー个最佳实施方式进行详述。图I是表示具有本发明的一个实施方式的载置台构造的处理装置的截面结构图。图2是表示设置于载置台的加热单元的一个例子的俯视图。图3是图I的A — A向截面图。图4是将图I的载置台构造的一部的支柱管的部分代表地取出进行表示的局部放大截面图。图5是用于说明图4的载置台构造的组装状态的说明图。图6是表示载置台构造中的吹扫气体的流动的局部放大截面图。在此，以使用等离子体进行成膜处理的情况为例进行说明。其中，以下说明的“功能棒体”并不仅仅是I根金属棒，也包括具有可挠性的配线、用绝缘材料覆盖多个配线而结合为I根形成为棒状的部件等。如图所示，该处理装置20具有例如截面的内部由大径和小径构成的圆筒状的铝制的处理容器22。在该处理容器22内的顶部借助绝缘层26设置有喷淋头部24，该喷淋头部24为用于导入必要的处理气体、例如成膜气体的气体供给单元。从在喷淋头部24的下 表面的气体喷射面28设置的多个气体喷射孔32A、32B朝向处理空间S喷射处理气体。当进行等离子体处理吋，该喷淋头部24兼作为上部电极。在喷淋头部24内形成有划分为2个中空状的气体扩散室30A、30B。导入此处的处理气体，在向平面方向扩散之后，从分别与各气体扩散室30A、30B连通的各气体喷射孔32A、32B喷射。具体而言，气体喷射孔32A、32B配置为矩阵状。喷淋头部24的整体例如由镍或哈斯特洛伊耐蚀高镍合金(注册商标)等的镍合金、铝、或者铝合金形成。另外，即使在作为喷淋头部24只有一个气体扩散室的情况下，也至少在本专利申请的阶段中，不从本发明中排除。在该喷淋头部24与处理容器22的上端开ロ部的绝缘层26的接合部设置有例如由O形环等构成的密封部件34，来维持处理容器22内的气密性。而且，该喷淋头部24经由匹配回路36与例如13. 56MHz的等离子体用的高频电源38连接，必要时能够产生等离子体。该频率并不限定于上述13. 56MHz。此外，在处理容器22的侧壁设置有相对该处理容器22内搬入搬出作为被处理体的半导体晶片W的搬出搬入ロ 40，并且在该搬出搬入ロ 40气密地设置有能够开闭的门阀42。而且，处理容器22的底部44的中央部以向下方向凹下成为凸状的方式成形，在此形成有气体排气空间43。由此，如上所述，处理容器22内的整体的截面的内部为由大径和小径构成的圆筒状。而且，在处理容器22的划分气体排气空间43的侧壁的下部设置有排气ロ 46。该排气ロ 46与用于对处理容器22内进行排气、例如抽真空的排气系统48连接。该排气系统48具有与排气ロ 46连接的排气通路49，在该排气通路49上依次设置有压カ调整阀50和真空泵52，能够将处理容器22維持在所期望的压カ。另外，基于处理方式，有时也将处理容器22内设置为接近大气压的压力。在处理容器22内的划分气体排气空间43的底部44A以从其立起的方式设置有作为本发明的特征的载置台构造54。具体而言，该载置台构造54主要具有用于在上表面上载置被处理体的载置台58 ;与载置台58连接并且从处理容器22的底部立起用干支承载置台58的ー个或者多个支柱管60 ;覆盖载置台58的载置台罩部件63 ;和包围支柱管60的周围的支柱管罩部件65。在此，支柱管60设置多个，在全部的支柱管60内插通功能棒体62。在图I中，为了容易理解发明，记载有将各支柱管60在横方向上排列配置。具体而言，载置台58整体由电介质构成。在此，载置台58包括由厚且透明的石英构成的载置台主体59;和设置于载置台主体59的上表面侧的由与载置台主体59不同的不透明的电介质、例如作为耐热性材料的氮化铝(AlN)等的陶瓷材料构成的热扩散板61。而且，在载置台主体59内，例如以埋入的方式设置有加热单元64。此外，在热扩散板61内以埋入的方式设置有兼用电极66。而且，在热扩散板61的上表面上载置晶片W，该晶片W通过来自加热单元64的辐射热借助热扩散板61被加热。
也如图2所示，加热单元64例如由碳丝加热器或钥丝加热器等构成的发热体68，该发热体68以遍及载置台主体59 (载置台58)的大致整个面的方式设置为规定的图案形状。在此，发热体68电分离为2个区域载置台58的中心侧的内周区域发热体68A的区域；和其外侧的外周区域发热体68B的区域。各区域发热体68A、68B的连接端子集中于载置台58的中心部侧。另外，区域数为也可以设定为I个或者3个以上。此外，如上所述，兼用电极66设置于不透明的热扩散板61内。该兼用电极66例如由形成为网孔状的导体线构成，该兼用电极66的连接端子位于载置台58的中心部。在此，兼用电极66兼为静电卡盘(吸盘)用的卡盘电极；和成为用于施加高频电カ的下部电极的高周波电极。而且，作为对发热体68和兼用电极66进行供电的供电棒、和測定温度的热电偶的导电棒，设置有所述功能棒体62。这些各功能棒体62插通到细的支柱管60内。首先，也如图I和图3所示，在此，6根支柱管60以集中于载置台58的中心部的方式设置。各支柱管60由电介质构成，具体而言，由与载置台主体59相同的电介质材料例如石英构成。各支柱管60例如通过热熔敷气密地形成为一体的方式与载置台主体59的下表面接合。所以，在各支柱管60的上端形成有热熔敷接合部60A (參照图4)。而且，在各支柱管60内插通有功能棒体62。在图4中，如上所述,代表表不一部分的支柱管60,在其中的一根支柱管60内如后所述收纳有两根功能棒体62。具体而言，相对于内周区域发热体68A，作为电カ引入用和电カ输出用的两根功能棒体62的加热器供电棒70、72分别独立地插通支柱管60内。各加热器供电棒70、72的上端与内周区域发热体68A电连接。此外,相对于外周区域发热体68B,作为电カ引入用和电カ输出用的两根功能棒体62的加热器供电棒74、76分别独立地插通支柱管60内。各加热器供电棒74、76的上端与外周区域发热体68B电连接(參照图I)。各加热器供电棒70 76例如有镍合金等构成。此外,相对于兼用电极66,兼用供电棒78作为功能棒体62插通到支柱管60内。兼用供电棒78的上端经由连接端子78A(參照图4)与兼用电极66电连接。兼用供电棒78例如由镍合金、鹤合金、钥合金等构成。此外，向剰余的一根支柱管60内插通用于测定载置台58的温度，作为功能棒体62的两个热电偶80、81。而且，热电偶80、81的各测温接点80A、81A分别位于热扩散板61的内周区域和外周区域的下表面，对各区域的温度进行检測。作为热电偶80、81，例如能够使用鞘型的热电偶。该鞘型的热电偶，在金属保护管(鞘)的内部插入有热电偶裸线，并通过高纯度的氧化镁等的无机绝缘物的粉末密封充填，绝缘性、气密性、应答性优良，在高温环境或各种各样的恶性气氛中长时间的连续使用也发挥出众的耐久性。在该情况下，图4如所示，在连接端子78A和热电偶80、81通过的载置台主体59的部分，分别形成有贯通孔84、86，并且载置台主体59的上表面与各贯通孔84、86连通。在图4中，作为功能棒体62，代表地记载有加热器供电棒70、兼用供电棒78和两根热电偶80、81。而且，在此，在载置台主体59和热扩散板61的交界部分形成有圆板状的气体扩散室88。具体而言，在位干与热扩散板61的外周端相比稍微靠内侧的下表面周边部，设置有向下方方向突出的环状的抵接突部89，该抵接突部89的顶端面(下表面)与载置台主体59的上表面抵接。由此,抵接突部89的内侧形成为凹部，该凹部的部分形成气体扩散室88。在此，抵接突部89不仅仅设置于热扩散板61，也可以设置于载置台主体59 —侧，或者也可以设置于双方。在载置直径300mm的晶片W的情况下，载置台58的直径为约340mm左右，抵接突部89的宽度是IOmm左右。气体扩散室88经由贯通孔84与插通兼用供电棒78的 支柱管60连通，如后所述，能够对气体扩散室88内供给吹扫气体。此外，处理容器22的底部44例如由不锈钢构成，也如图4所示，在划分气体排气空间43的底部44A的中央部形成有导体引出ロ 90。在该导体引出ロ 90的内侧借助O形环等的密封部件94气密地固定安装有例如由不锈钢等构成的安装台座92。而且，在该安装台座92上安装有固定各支柱管60的管固定台96。管固定台96由与各支柱管60相同的材料、即在此由石英形成，与各支柱管60对应地形成有贯通孔98。而且，各支柱管60的下端部侧通过热熔敷等连接固定于管固定台96的上表面侧。所以，在此，形成有热熔敷部60B。在该情况下,插通有各加热器供电棒70、72、74、76的各支柱管60向下方方向插通形成于管固定台96的贯通孔98，其下端部被封住，并在内部以减压气氛封入有N2或Ar的不活泼气体。其中，在图4中,仅仅表不一根加热器供电棒70,但其他的加热器供电棒72 76也同样构成。在固定各支柱管60的下端部的管固定台96的周边部，以包围它们的方式设置有例如由不锈钢等构成的固定部件100。该固定部件100通过螺栓102向安装台座92侧固定。此外，在安装台座92上，与管固定台96的各贯通孔98相对应，形成有贯通孔104，分别向下方插通功能棒体62。而且，在管固定台96的下表面和安装台座92的上表面的接合面，以包围各贯通孔104的周围的方式设置有O形环等的密封部件106，来提高该部分的密封性。此外，在插通有兼用供电棒78和两根热电偶80、81的各贯通孔104的下端部，分别借助由O形环等构成的密封部件108、110，通过螺栓116、118安装固定有封止板112、114。由此，各兼用供电棒78和热电偶80、81气密地贯通封止板112、114。封止板112、114例如由不锈钢等构成，以与对于封止板112的兼用供电棒78的贯通部对应的方式，在兼用供电棒78的周围设置有绝缘部件120。此外，安装台座92和与其相接的底部44A与插通有兼用供电棒78的贯通孔104连通，形成吹扫气体路122。由此，能够朝向通过兼用供电棒78的支柱管60内供给N2等的吹扫气体。在此，如上述方式，经由气体扩散室88，贯通孔84和贯通孔86连通，所以也可以替代兼用供电棒78的支柱管60，向通过两根热电偶80、81的支柱管60内供给不活泼气体在此，对各部分的尺寸的一个例子进行说明。载置台58的直径，在与300mm(12英寸)晶片对应的情况下是340mm左右，200mm (8英寸)晶片对应的情况下是230mm左右，与400mm (16英寸)晶片对应的情况下是460mm左右。此外,各支柱管60的直径是8 16mm左右，各功能棒体62的直径是4 6mm左右。返回图1，热电偶80、81与例如具有计算机等的加热器电源控制部134连接。此夕卜，与加热单元64的各加热器供电棒70、72、74、76连接的各配线136、138、140、142也与加热器电源控制部134连接，基于通过热电偶80、81測定的温度，能够对内周区域发热体68A和外周区域发热体68B分别单独地控制，維持所期望的温度。此外，与兼用供电棒78连接的配线144分别与静电卡盘用的直流电源146和用于施加偏压用的高频电カ的高频电源148连接，静电吸附载置台58上的晶片W，并且在加工时能够对作为下部电极的载置台58施加高频电力作为偏压。作为该高频电カ的频率能够使用13. 56MHz，但另外也能够使用400kHz等，并不限于这些频率。此外，在载置台58和载置台罩部件63将其在上下方向上贯通形成多个例如三根销插通孔150 (在图I中仅仅表示两个)，在各销插通孔150配置有以遊嵌状态能够上下移动地插通的推升销152。在该推升销152的下端配置有圆弧状的例如氧化铝那样的陶瓷制的推升环154，该推升环154搭在各推升销152的下端。从该推升环154延伸的臂部156与以贯通处理容器22的底部44的方式设置的出没杆158连结，该出没杆158通过传动装置160能够上升和下降。由此，当各推升销152交接晶片W吋，从各销插通孔150的上端向上方出没。此外，在出没杆158的处理容器22的底部44的贯通部设置有能够伸缩的波纹管162，出没杆158能够边维持处理容器22内的气密性边升降。另ー方面，以覆盖载置台58的方式设置的载置台罩部件63主要用于通过将附着于处理容器22内的不需要的膜除去的NF3气体等的洗净气体保护载置台主体59。支柱管罩部件65最终将向载置台58内的气体扩散室88内导入的吹扫气体向各支柱管60的下方引导。载置台罩部件63和支柱管罩部件65均由作为耐腐蚀性材料的氮化铝或氧化铝等的陶瓷材料构成。而且，支柱管罩部件65与载置台罩部件63接合成一体。也如图4和图5所示，载置台罩部件63为了其组装容易，在此同心圆状地分割为多个，分割形成为覆盖载置台58的侧面和从载置台58的下表面的中周部至周边部的周边侧覆盖板63A :和覆盖载置台58的下表面的中央部的圆板状的中央侧覆盖板63B。另外，该分割数并不限于两个，也可以进一歩将周边侧覆盖板63A同心状地分割为多个，此外，也可以不分割而一体地形成整体。进而，也可以不设计中央侧覆盖板63B，将其省略。而且，在周边侧覆盖板63A的内周端环状地形成有卡合台阶部170，并使该卡合台阶部170与中央侧覆盖板63B的周边部抵接，对其进行支承。热扩散板61、载置台主体59以及载置台罩部件63通过缔结単元171连结成一体。在此，缔结単元171例如为螺栓部件182。具体而聂言，螺栓部件182具有螺栓178和螺母180。而且，在热扩散板61、载置台主体59以及周边侧覆盖板63A分别形成有贯通孔172、174、176，在这些贯通孔172、174、176上插通上述螺栓178。上述螺栓178的顶端部通过进行螺纹切削形成为螺纹部178A，在该螺纹部178A上螺合上述螺母180，而固定为一体。由此，成为在热扩散板61和载置台罩部件63之间夹持载置台主体59而连结的状态。即，载置台主体59以被夹持的状态固定在热扩散板61和周边侧覆盖板63A之间。设置于热扩散板61的贯通孔172以埋入螺栓头的方式形成为台阶部状，与此相对，载置台主体59和周边侧覆盖板63A的各贯通孔174、176设定为比螺栓178的直径稍大例如2 3mm左右，形成为游嵌状态。由此，在螺栓178的外周面和贯通孔174的内周面之间形成有使气体扩散室88内的吹扫气体向下方方向流动的间隙184 (參照图4)。此外，螺母180在内部形成有同心状的中空部，在该中空部安装有由线圈弹簧构成的弾性部件186，构成为带弹性部件的螺母。而且，螺母180按压周边侧覆盖板63A，另 一方面，弾性部件186的顶端按压载置台主体59 (參照图4)，其结果，能够在周边侧覆盖板 63A和中央侧覆盖板63B与载置台主体59之间形成有使流动吹扫气体的间隙188。此外，覆盖载置台主体59的侧面的周边侧覆盖板63A的侧板63’的内径设定为比载置台主体59的直径大数mm左右，在该侧板63’和载置台主体59的侧面之间也形成有吹扫气体流入的间隙190。而且，该侧板63’的上端与热扩散板61的最外周的下表面接触，形成接触部200。在该情况下，不可避免地在该接触部200产生微小的间隙，但如后文所述，经由该微小的间隙放出吹扫气体。在螺栓178的中央部形成有销插通孔150，其在上下方向上贯通螺栓178。通过使该螺栓178插通贯通孔172、174、176，形成在载置台58上设置有销插通孔150的状态。另夕卜，也可不将销插通孔150设置在螺栓178上，也可以另外单独设置在载置台58的其他的部分。螺栓部件182、即螺栓178和螺母180能够使用耐腐蚀性的材料、例如氮化铝或者氧化铝等的陶瓷材料。此外，作为弹性部件186能够使用陶瓷弹簧，或在金属污染的问题较少的情况下能够使用金属弹簧等。此外，在中央侧覆盖板63B插通各支柱管60，因此形成具有比该支柱管60的外径大数mm左右的内径的支柱管插通孔192 (參照图5)。而且，供给至气体扩散室88经由间隙184和间隙188流动的吹扫气体，经由形成于支柱管60的外周和支柱管插通孔192的内周之间的间隙，向支柱管罩部件65内流动。而且，支柱管罩部件65以包围各支柱管60的全体的周围的方式形成为圆筒状，其上端与周边侧覆盖板63A的内周端通过热熔敷接合部194 一体地接合并进行对其进行支承。该支柱管罩部件65向下方向延伸，如图I和图4所示，其下端部位于处理容器22的底部44A的附近，并在该处形成气体出口 196。而且，对处理容器22内的气氛进行排气的排气ロ 46位于该气体出ロ 196的很近的侧方，能够立即从排气ロ 46吸引从上述气体出ロ 196流出的吹扫气体，而进行排气。在该情况下，支柱管罩部件65的长度L (參照图4)设定为如下长度阻碍至少从其排出的吹扫气体的流动，即使处理气体和洗净气体从气体出ロ 196逆流扩散，也不会到达载置台主体59的下表面。这样的长度L也是基于处理容器22内的压カ和吹扫气体的供给压(供给量)设定的，但一般而言可以设定为IOOmm以上例如130mm。而且，处理装置20的全体的动作、例如エ艺压カ的控制、载置台58的温度控制、处理气体的供给和供给停止等，通过例如由计算机等构成的装置控制部197进行。而且，装置控制部197具有存储上述动作所需要的计算机程序的存储介质198。该存储介质198包括软盘、⑶(Compact Disc)、硬盘或闪存等。接着，对以上方式构成的利用等离子体的处理装置20的动作进行说明。首先，将未处理的半导体晶片W保持于未图示的输送臂，并经由成为开状态的门阀42、搬出搬入ロ 40，搬入处理容器22内。将该晶片W交接到上升的推升销152，通过使该推升销152降下，将晶片W载置到载置台构造54的被各支柱管60支承的载置台58的热扩散板61的上表面，而被支承。此时，通过从直流电源146对设置于载置台58的热扩散板61上的兼用电极66施加直流电压，使静电卡盘发挥作用，将晶片W吸附保持于载置台58上。另外，替代静电卡盘，有时也使用按压晶片W的周边部的夹具结构。接着，分别边进行流量控制，边向喷淋头部24供给各种的处理气体，这些气体从气体喷射孔32A、32B喷射，向处理空间S导入。而且，通过继续驱动排气系统48的真空泵52，处理容器22内的气氛被抽真空，而且，通过调整压カ调整阀50的阀开度，将处理空间S的气氛维持为规定的エ艺压力。此时，晶片W的温度被維持在规定的エ艺温度。S卩，通过从加热器电源控制部134分别对构成载置台58的加热单元64的内周区域发热体68A和外周区域发热体68B施加电压，来控制发热。其結果，由于来自各区域发热体68A、68B的热，晶片W被升温加热。此时，通过设置于热扩散板61的下表面中央部和周边部的热电偶80、81，来分别测定内周区域和外周区域的晶片(载置台)温度，并基于这些測定値，加热器电源控制部134通过反馈对每个区域进行温度控制。因此，能够以使晶片W的温度始终控制在面内均匀性较高的状态。在该情况下，取决于エ艺的种类，但载置台58的温度例如达到700°C左右。此外，当进行等离子体处理时，通过驱动高频电源38，在作为上部电极的喷淋头部24与作为下部电极的载置台58之间施加高频，在处理空间S产生等离子体，进行规定的等离子体处理。另外，此时，通过从偏压用的高频电源148对设置于载置台58的热扩散板61的兼用电极66施加高频电カ，能够引入等离子体离子。在此，也參照图6，对载置台构造54的作用进行详细说明。另外，在图6中，通过箭头表示吹扫气体(N2)的流向。经由作为功能棒体62的加热器供电棒70、72向加热单元的内周区域发热体68A供给电カ，经由加热器供电棒74、76向外周区域发热体68B供给电カ。此外，载置台58的中央部的温度经由以其测温接点80A与载置台58的下表面中央部相接的方式配置的热电偶80，传递到加热器电源控制部134。在该情况下，测温接点80A測定内周区域的温度。此外，在配置于外周的热电偶81的测温接点81A，測定外周区域的温度，该測定値被传送到加热器电源控制部134。这样，对内周区域发热体68A和外周区域发热体68B的供供电カ分别基于反馈控制进行決定。并且，经由兼用供电棒78向兼用电极66施加静电卡盘用的直流电压和偏压用的高频电力。而且，作为功能棒体62的加热器供电棒70、72、74、76、热电偶80、81以及兼用供电棒78的上端分别单独地插通到气密地热熔敷到载置台58的载置台主体59的下表面的细的支柱管60内(热电偶80、81插通到一根共通的支柱管)。而且，同时，这些支柱管60以 立起的方式对载置台58本身进行支承。此外，插通有各加热器供电棒70 76的各支柱管60内，通过不活泼气体、例如N2气体以减压状态被封止，来防止加热器供电棒70 76的氧化。此外，经由吹扫气体路122，向插通有兼用供电棒78的支柱管60内供给例如N2气体作为吹扫气体，该N2气体流入形成于载置台主体59和热扩散板61的交界部分的气体扩散室88内，并在其中放射状地朝向半径方向外方扩散。该吹扫气体的一部分也流入插通热电偶80、81的支柱管60内。而且，进行该扩散的吹扫气体的大部分，经由形成于载置台主体59的周边部的螺栓178的插通用的贯通孔174的间隙184，流入形成于载置台主体59和周边侧覆盖板63A 以及中央侧覆盖板63B之间的间隙188内。另外，吹扫气体的一部分，也流入形成于载置台主体59的侧面的间隙190内。在间隙188内流动的吹扫气体，进而经由形成于中央侧覆盖板63B的支柱管插通孔192的间隙，流入筒体状的支柱管罩部件65内。该吹扫气体在支柱管罩部件65内流下后，通过形成于该下端部的气体出口 196，排除至气体排气空间43内的底部，然后，从形成于其侧方的排气ロ 46向处理容器22的外进行抽真空。即，以支柱管罩部件65作为由吹扫气体路122供给的吹扫气体的气体排气路进行使用。在该情况下，以由热扩散板61、载置台罩部件63和支承管罩部件65划分的区域的上述吹扫气体的压カ变为比处理容器22内的エ艺压力高的正压状态的方式，来维持从吹扫气体路122供给的吹扫气体的流量。然后，在这样的状況下，由于反复进行晶片W的处理，载置台58重复升温和降温。而且，当由于这样的载置台58的温度的升降，例如使载置台58的温度从室温如上所述达到700°C左右时，因热伸缩在载置台58的中心部中产生仅有O. 2 O. 3mm左右的距离的沿半径方向的热伸缩差。在该情况下，在现有的载置台构造的情况中，由于通过热扩散接合使由非常硬的陶瓷材料构成的载置台和直径大的支柱牢固地结合成一体，所以所谓的上述的仅仅O. 2 O. 3_左右的热伸缩差，由于伴随该热伸縮差反复产生的热应力，载置台和支柱的接合部产生破损的现象频繁产生。对此，在本实施方式中，载置台主体59通过直径为Icm左右的细的多根在此为六根的支柱管60结合并被支承，所以这些各支柱管60能够追随载置台主体59的水平方向上的热伸缩进行移动，所以能够容许上述的那样的载置台主体59的热伸縮。其结果，没有热应カ施加在载置台主体59和各支柱管60的接合部的问题，能够有效地防止在各支柱管60的上端部和载置台主体59的下表面、即两者的连结部产生破损的问题。此外，由石英构成的各支柱管60通过熔敷牢固地结合到载置台主体59的下表面，但如上文所述，该支柱管60的直径为IOmm左右，较小，其结果能够减少从载置台主体59向各支柱管60的传热量。所以，能够减少向各支柱管60侧逃跑的热，所以相应地在载置台主体59中能够大幅度地抑制冷斑点的产生。此外，各功能棒体62分别被支柱管60覆盖，另外，向支柱管60内供给不活泼气体作为吹扫气体，或者在不活泼气体的气氛下封止，所以没有各功能棒体62暴露在腐蚀性的处理气体的问题。特别是，采用不活泼气体的气氛下的封止吋，能够防止功能棒体62和连接端子78A等被氧化。此外，如上所示，吹扫气体在气体扩散室88内扩散之后，经由间隙184和间隙188流动，此外，也流入形成于载置台主体59的侧面侧的间隙190内。所以，呈正压状态的吹扫气体从因热扩散板61的外周端的下表面与周边侧覆盖板63A的侧板63’的上端面的面接触而在接触部200 (參照图6)产生的微小的间隙向处理空间S侧漏出，所以能够防止成膜气体等的处理气体和腐蚀性的洗净气体向载置台罩部件63内侵入乃至浸入的问题。其中，接触部200上的热扩散板61和侧板63’的表面粗糙度例如为10 μ m左右。此外，即使在螺栓部件182的紧固固定螺母180的部分，有时也产生与处理空间S侧连通的微小的间隙，但即使在该情况下，如上所述，正压状态的吹扫气体向外侧漏出，所以能够防止处理气体和洗净气体向内侧侵入乃至浸入的问题。此外，从支柱管罩部件65的下端部的气体出口 196最终排除吹扫气体，不能避免处理气体和洗净气体从该大口径的气体出口 196—定程度侵入支柱管罩部件65内。但是，在此，支柱管罩部件65的长度L设定为充分的长度，所以能够阻止侵入内部的处理气体和洗净气体到达载置台主体59。所以，能够防止成为引起晶片面内的温度不均匀性的主要原因的不需要的膜附着在载置台主体59的上表面和下表面等。在此，吹扫气体的流量例如在10 200sccm的范围内。此外，热扩散板61和载置台主体59通过设置于螺母180的弾性部件186相互按压，所以与单单通过螺母180缔结两者的情况相比，不仅仅能够提高侧板63’的上端面和热 扩散板61的外周端的下表面的接触部200 (參照图6)的气密性，而且该抵接突部89的热传导良好，因此能够抑制热扩散板61的外周的温度降低。还有，通过螺栓部件182的紧固，能够防止热扩散板61的浮起，所以没有安装在热扩散板61的热电偶80、81的测温接点80A、81A从热扩散板61离开的问题，所以能够相应地正确地測定该热扩散板61的温度。实际上，当通过设定上述的载置台构造54的处理装置20实施金属膜的成膜处理时，在从圆筒状的支柱管罩部件65的下端的气体出口 196向高度方向进入至一半程度的位置的内壁附着有不需要的薄膜，但处理气体不浸入至其以上的高度，能够确认不会在载置台主体59的上表面和下表面附着不需要的薄膜。这样，根据本实施方式，在设置于能够进行排气的处理容器22内并用于载置应处理的被处理体的载置台构造中，在载置台主体59上支承用于载置被处理体的热扩散板61，并且在载置台主体59和热扩散板61的交界部分设置有气体扩散室88而构成的载置台58上，为了支承该载置台58，设置有上端部与载置台58的下表面连接并且与气体扩散室88连通使吹扫气体流动的ー个或者多个支柱管60，以覆盖载置台主体59的侧面和下表面的方式设置有载置台罩部件63，并设置有支柱管罩部件65，该支柱管罩部件65包围支柱管60的周围并且上端部与载置台罩部件63连结，从气体扩散室88向下方引导在载置台主体59和载置台罩部件63之间的间隙流动的吹扫气体，并将其从气体出ロ 196排出，所以与现有结构的支柱相比，载置台和支柱管的接合部的面积较少，相应地，热的逃离减少，能够抑制冷斑点的产生。所以，防止在载置台58产生较大的热应カ的问题被，能够防止该载置台自身产生破损的问题。并且，为了防止处理气体向载置台58内侵入，通过使向气体扩散室88内供给的吹扫气体经由载置台罩部件63与载置台主体59之间的间隙在支柱管罩部件65内流动，从该支柱管罩部件65的下方的气体出ロ 196排出，由此，即使处理气体从该气体出ロ 196逆流浸入，该处理气体也不会到达载置台主体59。所以，能够抑制在载置台58的背面侧附着引起被处理体的面内温度分布的不均匀性的不需要的薄膜的问题。<第一变形实施例>接着，对本发明的第一变形实施例进行说明。在上述实施例中，使支柱管罩部件65作为一体物件形成，但并不限定于此，为了使该组装变得容易，也可以将圆筒状的支柱管罩部件65在高度方向上分割为多个并使其能够相互连结。图7A和图7B是表示这样的本发明的载置台构造的第一变形实施例的罩部件的图。图7A表示纵截面图，图7B表示下部罩部的横截面图。另外，在图7A和图7B中，对与图I至图6所示的结构部分相同的结构部分标注同一參照符号，并省略其说明。如图7A和图7B所示，在此，将支柱管罩部件65在高度方向上分割为两部分，包括上部罩部65A和下部罩部65B。另外，当然也可以进ー步将支柱管罩部件65分割为三部分以上。而且，在上部罩部65A的下端部和下部罩部65B的上端部，形成有插ロ状的印盒接头210。而且，在此，为了进ー步提高组装性，在纵方向上对下部罩部65B进行分割，由截面为半圆弧状的两个二等分罩65B — 1、65B — 2形成。而且,在半圆弧状的两个二等分罩65B-1、 65B-2的接合部的两端分别设置有连结片212 — 1,212 一 2。通过用螺栓214分别紧固该两连结片212 — 1,212 一 2，能够连结两个二等分罩65B — U65B 一 2。此外，在两个二等分罩65B — U65B 一 2的接合部形成有能够相互嵌入的台阶状的接合台阶部216，在该接合台阶部产生的微小的间隙的通路长度较长，处理容器22内的处理气体等不能容易地向下部罩部65B内侵入。实际上，当通过设置有上述的支柱管罩部件65的处理装置20实施金属膜的成膜处理时，构成下部罩部65B的二等分罩65B — U65B 一 2的接合部的附近的内表面和气体出ロ 196的附近的内表面附着有某程度的不需要的薄膜，但在上部罩部65A的内表面几乎看不到不需要的薄膜的付着。此外，能够确认在载置台主体59的上表面和下表面没有附着不需要的薄膜。其中，即使在第一变形实施例的情况下，如上所述，也当然能够省略中央侧覆盖板63B。<第二变形实施例>接着，对本发明的第二变形实施例进行说明。在之前的实施例中，吹扫气体经由在设置于载置台主体59的三个贯通孔174形成的间隙184流入形成于载置台罩部件63的侧板63’与载置台主体59之间的间隙190。在该情况下，这些间隙190内的吹扫气体的压カ在载置台主体59的周向上变得不均匀，其结果，为了防止处理气体从该间隙190经由接触部200 (參照图6)的微小的间隙侵入，向处理空间S侧放出的吹扫气体的流量变得不均匀，具有难以进行设计方式的吹扫气体的放出的担心。所以，为了消除这样的担心，在该第二变形实施例中，如图8A和图SB所示，在抵接突部89设置多个气体槽。图8A和图SB是表示本发明的处理装置的第二变形实施例所使用的载置台的一部分的图。图8A是表示载置台58的一部分的局部放大图，图SB是表示热扩散板61的下表面的局部俯视图。另外，关于图8A和图8B,对与图I至图6所不的结构部分相同的结构部分标注同一參照符号。如上所述，在此，在热扩散板61的周边部环状地设置的抵接突部89的表面(下表面)，形成有在抵接突部89的宽度方向上延伸的气体槽220。该气体槽220沿抵接突部89的周向全周以规定的间隔设置多个，通过气体槽220使气体扩散室88和外周侧的间隙190之间直接连通。该气体槽220的宽度L2是数_左右，设置的数目并不特别限定，但例如在10 50个左右的范围内足够。在该第二变形实施例的的情况下，气体扩散室88内的吹扫气体经由设置于抵接突部89的多个气体槽220，直接流入外周侧的间隙190。由此，能够抑制在间隙190内吹扫气体的压カ变得不均匀的问题。其结果，从间隙190经由接触部200的微小的间隙向处理空间S侧放出的吹扫气体的流量变得均匀，能够如设计方式放出吹扫气体。<热电偶的变形实施例>接着，对热电偶80、81的变形例进行说明。在此之前说明过的热电偶80、81，如图9所示，在热扩散板61的下表面设置突起部222、224，并且该突起部222、224形成有沿纵方向的安装孔222k和沿横方向的安装孔224A，在该安装孔222A、224A内分别插入安装有热电偶80,81的测温接点80A、81A。在该情况下，为了确保温度測定的精度，测温接点80A、81A需要始終接触热扩散板61。所以，热电偶80、81的上端部，也考虑热伸缩量，以较高的安装精度安装于热扩散板61。但是，当由于半导体晶片的反复处理，热电偶80、81自身进行反复热伸缩时，比起石英制的支柱管60，插通到该内部的热电偶80、81的一方的热伸缩量较大，热电偶80、81的上端部以相对热扩散板61突起的方式作用，在最坏的情况下，具有损坏热扩散板61的问题。所以，在此，在热电偶自身设置弹簧部，来吸收伴随热电偶自身的热伸缩产生的变形。图10是表不这样的热电偶的变形实施例的一个例子的局部放大图，图IlA和图IlB是表示热电偶的弹簧部的放大图。另外，对与图I至图8所示的结构部分相同的结构部分标注同一參照符号，并省略其说明。如图10、图IIA和图IlB所示，在热电偶80、81的长度方向上的途中形成有卷绕热电偶80、81自身而形成的弹簧部226、228。图IlA表示组装两个热电偶80、81前的状态，图IlB表示组装两个热电偶80、81后的状态。具体而言，弹簧部226、228分别设置于各热电偶80、81的长度方向的下部侧。各弹簧部226、228分别卷绕为螺旋状，具有相对于其长度方向能够进行伸缩的弹性功能。各弹簧部226、228的形成位置在高度方向上不同，以组装时两弹簧部226、228不重叠的方式设置。而且，以两热电偶80、81的在上下方向上延伸的直线部分插通卷绕的弹簧部226、228内的方式组装。热电偶80、81的直径为I 2mm左右，弹簧部226、228的直径为5 15mm左右。各弹簧部226、228的卷绕数(圈数)基于应吸的热伸缩量，例如为2 20圈左右。由此，当假定例如热电偶80、81应测定的最大温度例如为800 0C左右时，能够吸收土 4mm左右的热イ申缩量。此外，各弹簧部226、228的长度例如为30 50mm左右。热电偶80、81的结构，如之前说明的那样，通过在例如作为耐腐蚀性金属的例如英考耐鲁(inconel注册商标)构成的金属保护管的内部插入热电偶线，并密闭充填高纯度的氧化镁等的无机绝缘物的粉末而形成。在这样的热电偶80、81中，能够容易地对上述那样的弹簧部226、228进行加工成形。如图10所示，各弹簧部226、228的收纳位置设置于安装台座92的贯通孔104的部分、或者与该贯通孔104连通的空间部。具体而言，在划分贯通孔104的安装台座92的下表面侧，借助O形环等的密封部件232通过螺钉234气密地安装固定有形成为凹部状的弹簧收纳容器230，在其内部形成有与贯通孔104连通的弹簧收纳空间236。、
而且，使弹簧部226、228位于这样的弹簧收纳空间236。在两热电偶80、81的根部形成有引出块238，其将两热电偶80、81的周围气密地一体化并进行固定。而且，借助密封件部240将该引出块238安装于形成于弹簧收纳容器230的底部的贯通孔242，由此将热电偶80、81向处理容器22的外部引出。具体而言，引出块238，以将贯通孔242气密地封止的方式，借助由O形环等的密封部件构成的密封件部240，通过螺钉(未图示)气密地 安装固定。所以，弹簧部226、228位于与密封件部240相比靠内侧的气氛中。当组装热电偶80、81时，在室温下，热电偶80、81的上端侧与载置台58的热扩散板61接触，以通过弹簧部226、228的作用被稍微向上方向施力的状态组装。通过这样的构成，即使热电偶80、81伴随半导体晶片W的反复处理进行热伸縮，也能够通过各弹簧部226、228弾性地进行伸縮来吸收该时产生的变形。所以，能够抑制在各热电偶80、81相接的热扩散板61施加过度的负荷，防止其破损。此外，如上所述，通过热电偶80、81的各弹簧部226、228进行热伸縮，能够确保各热电偶80、81的上端部的测温接点80A、81A始终与热扩散板61相接的状态，能够从低温至高温较高地维持测温精度。在此，以将具有弹簧部226、228的热电偶80、81插通到较细的支柱管60内的情况为例进行了说明，但并不限定于此。即，也可以将具有弹簧部226、228的热电偶80、81适用于，通过如图15所示的圆筒状的较粗的支柱4支承载置台2的那样的现有的载置台构造。在该情况下，在较粗的支柱4内插通具有弹簧部226、228的热电偶80、81。另外，在上述各实施例中，使设置于螺母180的弾性部件186的一端与载置台主体59抵接，并对其进行按压，但并不限定于此。也可以使弹性部件186的一端与周边侧覆盖板63A抵接，通过弹性部件186使热扩散板61和载置台主体59和周边侧覆盖板63A相互按压而一体化。<缔结单元的第一变形实施例>接着，对缔结単元171的第一变形实施例进行说明。对与在之前说明过的结构部分相同的部分标注同一參照符号，并省略其说明。之前说明过的缔结单元171的螺栓部件182，通过具有耐腐蚀性且金属污染较少的陶瓷材料形成螺栓178和螺母180，但在该情况下，对应晶片的热处理的实施，载置台主体59和热扩散板61等进行热伸縮，所以不可避免地对螺栓178施加某程度的热应力。特别是，在螺栓178的头顶部之下的颈的部分施加有较大的热应力。螺栓178的对于热应カ的強度在设计部件时当然被考虑。但是，即使如此，也具有对螺栓178产生损害的担心。所以，在缔结单元的第一变形实施例中，为了去除那样的损害的担心，不由陶瓷材料而由金属材料形成螺栓182。图12A和图12B是表示缔结单元的第一变形实施例的螺栓部件的螺栓的图，图12A是侧面图，图12B是仰视图。在此，螺栓部件182的螺母180以及弹性部件186的记载省略(參照图5)。如上所述，螺栓178由金属材料形成，螺栓178的被扩径的螺栓头178B、主体部分178 C以及下端部的螺纹部178A全部由金属材料形成。作为该金属材料例如能够使
用镍、镍合金等。而且，在该情况下，螺合到螺纹部178A的螺母180 (參照图4和图5)应尽可能避免使用金属材料，如之前的实施例的方式，由陶瓷材料形成。因此，由于由陶瓷材料构成的螺母180和由金属材料构成的螺栓178之间的热伸縮差(金属材料的热伸缩量比陶瓷材料的热伸缩量大)，在螺栓178的截面方向上产生较大的应力，产生螺母180自身产生破损的担心。所以，在此，在螺栓178的螺纹部178A形成有沿螺栓178的长度方向延伸的热伸缩容许狭缝250。该热伸缩容许狭缝250的长度例如为大约IOmm左右，至少沿螺纹部178A的长度方向上的整体形成。此外，热伸缩容许狭缝250的宽度例如为大约O. 5mm左右。在图12B中，热伸缩容许狭缝250设置ー个，但并不限定于此，也可以以与热伸缩容许狭缝250相对的方式在相反一侧也设置相同的热伸缩容许狭縫，还可以设置较多的热伸缩容许狭縫。这样，用金属材料形成螺栓178，而且，在螺纹部178A设置有热伸缩容许狭缝250，所以即使相应于晶片的热处理对螺栓178施加较大的热应力，也能够消除螺栓178自身产 生破损的担心。此外，即使在螺栓178和螺母180之间由于两部件的热伸缩量而被施加较大的热应力，由于形成于螺纹部178A的热伸缩容许狭缝250的间隙变窄，所以也能够吸收该热应力。其结果，能够防止螺母180因热应カ而产生破损等的问题。另外，也可以不用陶瓷材料而用与螺栓178相同的金属材料形成螺母180。<缔结单元的第二变形实施例>接着，对缔结単元171的第二变形实施例进行说明。对与之前说明过的结构部分相同的部分标注同一參照符号，并省略其说明。作为之前说明过的缔结单元171，以使用具有螺纹部178A的螺栓部件182的情况为例进行了说明，但是取而代之，也可以使用不具有成为微粒等的产生的原因的螺纹部的缔结单元171。图13是表示这样的缔结单元的第二变形实施例的安装状态的截面图，图14A表示第二变形实施例的整体的立体图，图14B是表示固定部件的俯视图。在之前的缔结单元171中，使用了具有螺纹部178A的螺栓部件178，但是取而代之，在第二实施例使用没有螺纹部的套筒。具体而言，该缔结単元171与之前的螺栓相同，具有圆筒体状的套筒252，该套筒252形成有头顶部被扩径的头252A。该套筒252与之前的螺栓相同，设置为插通(贯通)形成于热扩散板61、载置台主体59和载置台罩部件63的各贯通孔172、174、176(參照图5)。圆筒体状的套筒252的中空部分形成为销插通孔150。而且，在套筒252的下端部设置有在中心部插通套筒252的圆板状的支架256。支架256的插通孔254的内径设定为比套筒252的外径大很多，在与套筒252的外周之间形成空间部。该空间部收纳有由与之前的弾性部件186相同的线圈弹簧构成的第一弾性部件258，并且在该第一弾性部件258插通套筒252。此外，插通孔254的下端的开ロ直径形成为比其上部侧窄，并且比第一弾性部件258的直径小，形成有环状的卡合凸部256A。由此，使第一弹性部件258的下端与支架256的卡合凸部256A抵接，并且使上端与载置台主体59的下表面抵接。这样，将第一弾性部件258安装于载置台主体59与支架256之间。此外，在支架256的周缘部的上表面侧沿周向以等间隔形成有多个在图示例中为三个弹簧收纳凹部260。而且，在各弹簧收纳凹部260收纳有例如由线圈弹簧构成的第二弹性部件262，在与位于上方的载置台罩部件63之间成为按压状态。所以，第二弾性部件262为设置于载置台罩部件63与支架256之间的状态。而且，在套筒252的下端安装有用于固定支架256的固定部件264。具体而言，在套筒252的下端部形成有使其外径縮小的环状的卡合凹部266。而且，固定部件264成形为圆板状，在该固定部件264至其中心部形成有环状的卡合凹部266能够插通的切入部264A。由此，在抵抗第一和第二弹性部件258、260的弹カ进行按压的状态下，在切入部264A嵌入套筒252的卡合凹部266的部分，能够固定整体。在此，在圆板状的固定部件264设置有沿其板厚方向贯通，能够前进和后退的调整螺钉268。在此，调整螺钉268在固定部件264的周缘部沿其周向以等间隔设置多个例如三个，由此能够调整对支架256的按压カ。在此，套筒252和支架256由氮化铝或氧化铝等的陶瓷材料、或者由镍或镍合金等形成。此外，圆板状的固定部件264以及调整螺钉268由镍或镍合金形成。并且，第一和第ニ弾性部件258、262能够使用陶瓷弹簧或金属污染的担心少的金属弹簧等。
即使在该情况下，能够发挥与之前參照图5说明过的情况相同的作用效果。并且，在此，由于缔结単元171的套筒252不具有螺纹部，相应地不仅仅能够抑制微粒的产生，而且也能够减少成为破损的原因的热应カ施加的部位。此外，通使设置于圆板状的固定部件264的三个调整螺钉268前进或者后退，能够使对干支架256的按压カ变化，由此，能够改变在支架256的上表面与载置台罩部件63的下表面之间产生的微小的间隙的间隔，井能够控制从该间隙向外部放出的N2气体的流量。此外，也可以通过设置与兼用电极66相同结构的接地电极，并使与其连接的功能棒体62的下端接地作为导电棒使用，使接地电极接地。此外，在设置有多个区域的发热体的情况下，当使一根加热器供电棒接地时，能够以各区域的发热体的一方的加热器供电棒作为上述接地的加热器供电棒通用。此外，在本实施方式中，以使用等离子体的处理装置为例进行了说明，但并不限定于此，也能够适用于使用了在载置台58埋入加热单元64的载置台构造的所有的处理装置、例如基于使用等离子体的等离子体CVD的成膜装置、基于不用等离子体的热CVD的成膜装置、蚀刻装置、热扩散装置、扩散装置、改性装置等。所以，兼用电极66 (包含卡盘电极或高频电极)、热电偶80、81以及附属其的部件能够省略。还有，作为气体供给单元并不限定于喷淋头部24，例如也可以由插通到处理容器22内的气体喷嘴构成气体供给单元。此外，还有，作为温度测定单元，在此使用热电偶80、81，但并不限定于此，也可以使用放射温度计。在该情况下，放射温度计所使用的导通光的光纤为功能棒体，该光纤插通到支柱管60内。此外，在此作为被处理体以半导体晶片为例进行了说明，但并不限定于此，也能够将本发明适用于玻璃基板、IXD基板、陶瓷基板等。
权利要求
1.ー种载置台构造，其设置于能够进行排气的处理容器内，用于载置应处理的被处理体，所述载置台构造的特征在于，包括 载置台，在板状的载置台主体上支承用于载置所述被处理体的热扩散板，并且在所述载置台主体与所述热扩散板的交界部分设置气体扩散室； 设置于所述载置台的加热单元； ー个或者多个支柱管，用干支承所述载置台，从所述处理容器的底部立起设置，其上端部与所述载置台的下表面连接，并且与所述气体扩散室连通，流过吹扫气体； 载置台罩部件，其以覆盖所述载置台主体的侧面和下表面的方式设置；和 支柱管罩部件，其包围所述支柱管的周围，并且上端部与所述载置台罩部件连结，从所述气体扩散室向下方引导流过所述载置台主体与所述载置台罩部件之间的间隙的所述吹扫气体，使所述吹扫气体从气体出ロ排出。
2.如权利要求I所述的载置台构造，其特征在于 在所述载置台主体和/或所述热扩散板的周边部，设置有形成为环状的抵接突部，用于使所述载置台主体和所述热扩散板抵接。
3.如权利要求2所述的载置台构造，其特征在于 在所述环状的抵接突部的表面，在周向上以规定的间隔设置有多个沿该抵接突部的宽度方向形成的气体槽。
4.如权利要求I至3中任ー项所述的载置台构造，其特征在于 所述载置台罩部件具有覆盖所述载置台主体的侧面的侧板，该侧板与所述侧面隔开间隙，所述侧板的上端与所述热扩散板的下表面接触，形成有接触部。
5.如权利要求I至4中任ー项所述的载置台构造，其特征在于 所述载置台主体、所述热扩散板和所述载置台罩部件通过缔结単元连结为一体。
6.如权利要求5所述的载置台构造，其特征在干 所述缔结単元具有贯通所述载置台主体、所述热扩散板和所述载置台罩部件的螺栓，以在所述热扩散板与所述载置台罩部件之间夹持所述载置台主体的状态进行连结。
7.如权利要求6所述的载置台构造，其特征在干 在所述缔结单元设置有向所述热扩散板侧按压所述载置台主体的弾性部件。
8.如权利要求7所述的载置台构造，其特征在于 所述弹性部件由陶瓷弹簧或者金属弹簧构成。
9.如权利要求6至8中任ー项所述的载置台构造，其特征在于 在所述螺栓的下端形成有螺合螺母的螺纹部， 在所述螺纹部形成有沿所述螺栓的长边方向延伸的热伸缩容许狭縫。
10.如权利要求9所述的载置台构造，其特征在干 所述螺栓由金属材料构成， 所述螺母由陶瓷材料构成。
11.如权利要求6至10中任ー项所述的载置台构造，其特征在于 在所述螺栓形成有销插通孔，该销插通孔用于插通使所述被处理体升起或者降下的推升销。
12.如权利要求5所述的载置台构造，其特征在于所述缔结単元具有 以贯通所述热扩散板、所述载置台主体和所述载置台罩部件的方式设置，头顶部被扩径的筒体状的套筒； 被所述套筒的下端部插通的支架； 设置于所述载置台主体与所述支架之间的第一弾性部件； 设置于所述载置台罩部件与所述支架之间的第二弾性部件；和固定部件，以抵抗所述第一弾性部件和第二弾性部件的弹カ进行按压的状态将所述支架固定于所述套筒的下端。
13.如权利要求12所述的载置台构造，其特征在干 在所述固定部件设置有调整对于所述支架的按压カ的调整螺钉。
14.如权利要求12或13所述的载置台构造，其特征在于 所述第一弾性部件和/或第二弾性部件由陶瓷弹簧或者金属弹簧构成。
15.如权利要求12至14中任ー项所述的载置台构造，其特征在于 所述筒体状的套筒的中空部分作为插通使所述被处理体升起或者降下的推升销的销插通孔而形成。
16.如权利要求I至15中任ー项所述的载置台构造，其特征在于 所述气体扩散室内的压カ处于比所述处理容器内的压カ高的正压状态。
17.如权利要求I至16中任ー项所述的载置台构造，其特征在于 所述载置台和所述支柱管分别由电介质形成。
18.如权利要求17所述的载置台构造，其特征在干 所述热扩散板由不透明的电介质构成。
19.如权利要求I至18中任ー项所述的载置台构造，其特征在于 所述支柱管与所述载置台的中心部接合。
20.如权利要求I至19中任ー项所述的载置台构造，其特征在于 在所述支柱管内收纳有一根或者多根功能棒体。
21.如权利要求20所述的载置台构造，其特征在于 所述功能棒体是与所述加热单元侧电连接的加热器供电棒。
22.如权利要求20所述的载置台构造，其特征在于 在所述载置台设置有静电卡盘用的卡盘电扱， 所述功能棒体是与所述卡盘电极电连接的卡盘用供电棒。
23.如权利要求20所述的载置台构造，其特征在于 在所述载置台设置有用于施加高频电カ的高频电扱， 所述功能棒体是与所述高周波电极电连接的高周波供电棒。
24.如权利要求20所述的载置台构造，其特征在于 在所述载置台设置有兼用电极，该兼用电极兼用作静电卡盘用的卡盘电极和用于施加高频电カ的高频电极， 所述功能棒体是与所述兼用电极电连接的兼用供电棒。
25.如权利要求20所述的载置台构造，其特征在于 所述功能棒体是用于测定所述载置台的温度的热电偶。
26.如权利要求25所述的载置台构造，其特征在于 在所述热电偶的中途形成有卷绕所述热电偶自身而形成的弹簧部。
27.如权利要求26所述的载置台构造，其特征在于 所述弹簧部通过螺旋状地卷绕所述热电偶自身而形成。
28.如权利要求23或26所述的载置台构造，其特征在于 所述弹簧部位于密封部的内侧的气氛中，该密封部为了以气密状态向所述处理容器之外引出所述热电偶而设置。
29.—种处理装置，其用于对被处理体实施处理，该处理装置的特征在于，包括 能够进行排气的处理容器； 用于载置所述被处理体的、权利要求I至28中的任一项所述的载置台构造；和 向所述处理容器内供给气体的气体供给单元。
30.如权利要求29所述的处理装置，其特征在于 所述载置台构造的不活泼气体的气体出ロ位于所述处理容器的气体排出ロ的附近。
全文摘要
本发明涉及设置于能够进行排气的处理容器内并用于载置应处理的被处理体的载置台构造。本发明的载置台构造包括载置台，在板状的载置台主体上支承用于载置所述被处理体的热扩散板，并且在所述载置台主体与所述热扩散板的交界部分设置气体扩散室；设置于所述载置台的加热单元；一个或者多个支柱管，用于支承所述载置台，从所述处理容器的底部立起设置，其上端部与所述载置台的下表面连接，并且与所述气体扩散室连通，流过吹扫气体；载置台罩部件，其以覆盖所述载置台主体的侧面和下表面的方式设置；和支柱管罩部件，其包围所述支柱管的周围，并且上端部与所述载置台罩部件连结，从所述气体扩散室向下方引导流过所述载置台主体与所述载置台罩部件之间的间隙的所述吹扫气体，使所述吹扫气体从气体出口排出。
文档编号H01L21/205GK102668060SQ201080055569
公开日2012年9月12日 申请日期2010年12月20日 优先权日2009年12月28日
发明者山本弘彦, 川崎裕雄, 村冈贵志, 长冈秀树, 齐藤哲也 申请人:东京毅力科创株式会社