专利名称：瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种集成的二极晶体管，特别涉及一种瞬变电压抑制二极管和肖
特基二极管组合的晶体管。
背景技术：
目前，此类产品只有单一种类芯片，下游客户产品需要一个瞬变电压抑制二极管 (Transient Voltage Suppression Diode)禾口一个肖特基二极管(Schottky Rectifier Diode)来实现功能，从而占用了下游产品的大量空间，同时增加了生产成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是要提供一种将一个瞬变电压抑制二极管和一个肖 特基二极管集成为一种新的二极晶体管，提高了生产效率，且降低了生产成本。为了解决以上的技术问题，本发明提供了一种瞬变电压抑制二极管和肖特基二极 管组合的晶体管，将瞬变电压抑制二极管芯片和肖特基二极管芯片的两极引线并联后封装 于一个本体中，构成一个新的二极晶体管。本发明适用于轴向二极管产品。本发明的优越功效在于
1)本发明能大量节省下游产品的空间；
2)避免重复的产品生产，提升了装填速度，提高了生产效率，同时降低了生产成本。
图1为本发明的原理电路图 图2为本发明的封装结构图； 图3为焊接台的示意图； 图中标号说明 卜本体； 3—上引线；
5—瞬变电压抑制二极管芯片； 7—上焊片；
2—下引线； 4一肖特基二极管芯片 6—下焊片； 8—焊接台。
具体实施例方式请参阅附图所示，对本发明作进一步的描述。如图1所示，本发明提供了一种瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体 管，将瞬变电压抑制二极管芯片5和肖特基二极管芯片4的两极引线并联后封装于一个本 体1中，构成一个新的二极晶体管，适用于轴向二极管产品。如图2所示，本发明在封装时的具体实施步骤步骤1 将下引线2水平放置于焊接台8，焊接台如图3所示； 步骤2 将下焊片6放置于下引线的凸台上；
步骤3 将瞬变电压抑制二极管芯片5和肖特基二极管芯片4的分别放置于下焊片6， 无须区分极性；
步骤4 将上焊片7放置于二颗芯片上；
步骤5 将上引线3的二个凸台放置于上焊片7上，使其呈水平状态。
步骤6 焊接台8盖上盖板，刷焊油进焊接炉，炉温峰值温度为360°C，45分钟后产 出一个集成的二极晶体管。
权利要求
1. 一种瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体管，其特征在于将瞬变电压 抑制二极管芯片和肖特基二极管芯片的两极引线并联后封装于一个本体中，构成一个新的二极晶体管。
全文摘要
本发明公开了一种瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体管，将瞬变电压抑制二极管芯片和肖特基二极管芯片的两极引线并联后封装于一个本体中，构成一个新的二极晶体管。本发明的优点是能大量节省下游产品的空间；避免重复的产品生产，提升了装填速度，提高了生产效率，同时降低了生产成本。
文档编号H01L25/07GK102142433SQ20111004805
公开日2011年8月3日 申请日期2011年3月1日 优先权日2011年3月1日
发明者常彩青, 徐进寿, 杨坤 申请人:上海旭福电子有限公司, 敦南微电子(无锡)有限公司