一种套刻偏差检查标记及其制作方法

专利名称：一种套刻偏差检查标记及其制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，且具体而言，涉及一种套刻(overlay)偏差检查标记及其制作方法。
背景技术：
随着半导体技术遵循摩尔定律继续发展，关键尺寸(CD )越来越小，芯片的集成度越来越高，从而对半导体制造工艺的要求也越来越严格。因此，必须在工艺过程中尽可能地减小每一个工艺步骤的误差，以降低因误差而造成的器件失效。在半导体制造过程中，光刻工艺作为每一个技术时代的核心技术而不断发展。在标准CMOS工艺中，需要用到数十次光刻工艺，而影响光刻工艺误差的因素，除了光刻机的分辨率之外，还有套刻对准的精确度。请参照图1，其中示出了处于制造过程中的晶片100的俯视图。如图I所示，晶片100包括多个半导体管芯101以及分隔多个半导体管芯101的划片槽102。为了能够达到精确的对准效果，通常会在划片槽102中制作一组或多组测试图案103，作为用于工艺人员在制造过程中检查前后两道或多道光刻工艺的套刻偏差的标记(以下简称为“套刻偏差检查标记”)，以监控工艺质量。下面，将参照附图2A-2B对现有技术中通常采用的套刻偏差检查标记加以说明。请参照图2A，其中示出了现有技术中采用的套刻偏差检查标记200的俯视图。如图2A所示，从平面看，套刻偏差检查标记200包括第一子结构201和分布在第一子结构外围区域的第二子结构202。第一子结构201形成在先前材料层中并且由围成“口”字形的 四个长条状标记组成，其中两个长条状标记用于检查垂直方向的套刻偏差，另外两个长条状标记用于检查水平方向的套刻偏差。类似地，第二子结构202形成在当前材料层中并且由围成“口”字形的四个长条状标记组成，其中两个长条状标记用于检查垂直方向的套刻偏差，另外两个长条状标记用于检查水平方向的套刻偏差。图2B中所示为套刻偏差检查标记200的示意性剖面图。如图2B所示，第一子结构201被形成为凹槽状，且第二子结构202被形成为凸起状。通常情况下，在实际制造过程中可能会出现四种图案位置偏差平移、胀缩、旋转和正交性变化。在《微电子制造技术概论》(严利人等编著，清华大学出版社出版)一书第117-118页记载有对这四种位置偏差的示意图以及详细说明。另一方面，后续热处理工艺(例如，源/漏区离子注入之后的退火处理)会导致先前材料层发生变形，从而导致先前材料层中的套刻偏差检查标记的第一子结构发生变形，进而对套刻偏差形成原因的判断造成干扰。因此，期望在制造过程中通过观察套刻偏差检查标记来监控热处理弓I起的材料层变形，从而对其进行有效控制。然而，遗憾的是，工艺人员并不能通过观察如图2A-2B所示的常规套刻偏差检查标记200来区分由于后续热处理工艺而引起的变形和由于曝光误差(例如，像散、晶片的放置位置与片台的坐标系不平行等)而导致的未对准(misalignment)。
退火处理会导致先前材料层产生变形，并且这样的扭曲变形会使得最终形成的半导体器件噪声特性较差。而根据目前所使用的套刻偏差检查标记，又无法将由于退火处理而导致的扭曲变形与由于曝光工艺而引起的未对准区分开。因此，需要一种改进的套刻偏差检查标记及其制作方法，以解决上述问题。

发明内容
为了克服现有技术中使用的套刻偏差检查标记、无法将由于退火处理而导致的扭曲变形与由于曝光工艺而引起的未对准区分开的缺陷以便更好地控制工艺精度，提出了本发明。根据本发明的一个方面，提供一种套刻偏差检查标记，包括第一子结构，所述第一子结构形成在第一材料层中，并且由围成“口”字形的四个长条状标记组成；第二子结构，所述第二子结构形成在所述第一材料层中，且位于所述第一子结构内侧；和第三子结构，所述第三子结构形成在位于所述第一材料层上的第二材料层中且由围成“口”字形的四个长条状标记组成，且从平面看，与所述第一子结构嵌套构成“回”字形，并且所述第一、第二和 第三子结构彼此不重合。优选地，所述第二子结构可以由方块状标记组成。优选地，从平面看，所述第三子结构可以位于所述第一子结构与所述第二子结构之间。优选地，从平面看，所述第一子结构可以位于所述第二子结构与所述第三子结构之间。优选地，所述第二子结构可以由围成“口”字形的四个长条状标记组成。优选地，从平面看，所述第二子结构可以位于所述第一子结构与所述第三子结构之间。优选地，从平面看，所述第三子结构可以位于所述第一子结构与所述第二子结构之间。优选地，从平面看，所述第一子结构可以位于所述第一子结构与所述第二子结构之间。优选地，从剖面看，所述第一、第二和第三子结构可以被形成为凹槽状或凸起状。根据本发明的另一方面，提供一种用于制作上述套刻偏差检查标记的方法，所述套刻偏差检查标记包括第一子结构、第二子结构和第三子结构，所述方法包括提供第一材料层；蚀刻所述第一材料层，以将第一掩模版上的第一子结构图案和第二子结构图案转移到所述第一材料层上，从而在所述第一材料层中形成所述第一子结构和所述第二子结构；在所述第一材料层上形成第二材料层；以及蚀刻所述第二材料层，以将第二掩模版上的第三子结构图案转移到所述第二材料层上，从而在所述第二材料层中形成所述第三子结构。根据本发明的套刻偏差检查标记能够检查并区分由于退火处理而引起的变形和由于曝光误差而导致的未对准。因此，通过本发明，可以对诸如退火处理这样的热处理过程中产生的变形偏差进行监控，同时又能检查由于曝光误差导致的各种位置偏差。


本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例的示意图，用来解释本发明的原理。附图中
图I是示出了处于制造过程中的晶片100的俯视 图2A和2B分别是示出了现有技术中采用的套刻偏差检查标记200的俯视图和剖面
图3A和3B分别是示出了根据本发明示例性实施例的套刻偏差检查标记300的俯视图 和剖面 图4 A-4F是示出了根据现有技术制作套刻偏差检查标记300的过程中各个工艺步骤的示意性剖面 图5是示出了根据本发明示例性实施例的用于制作套刻偏差检查标记的方法的流程
图6示出了根据本发明示例性实施例的套刻偏差检查标记，用于说明本发明的有益效果；以及
图7A-7B示出了本发明的各种变形例。应当注意的是，这些图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，并对下面提供的书面描述进行补充。然而，这些图并非按比例绘制，因而可能未准确反映任何给出的实施例的精确结构或性能特点，并且这些图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。例如，为了清楚起见，可以缩小或放大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位。在附图中，使用相似或相同的附图标记表示相似或相同的元件或特征。
具体实施例方式现在，将参照附图更详细地描述根据本发明的示例性实施例。然而，这些示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施例的构思充分传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的元件，因而将省略对它们的描述。应当理解的是，当元件被称作“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或结合到另一元件，或者可以存在中间元件。不同的是，当元件被称作“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，不存在中间元件。在全部附图中，相同的附图标记始终表示相同的元件。如在这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。应当以相同的方式解释用于描述元件或层之间的关系的其他词语(例如，“在……之间”和“直接在……之间”、“与……相邻”和“与……直接相邻”、“在……上”和“直接在……上”等)。此外，还应当理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离根据本发明的示例性实施例的教导的情况下，以下所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分也可以被称作第二元件、组件、区域、层或部分。为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之下”、“在……之上”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描绘的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他元件或特征下方”或“在其他元件或特征之下”的元件之后将被定位为“在其他元件或特征上方”或“在其他元件或特征之上”。因而，示例性术语“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述符做出相应解释。这里所使用的术语仅是为 了描述具体实施例，而非意图限制根据本发明的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。在此，参照作为示例性实施例的优选实施例(和中间结构)的示意性剖面图来描述根据本发明的示例性实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或容差引起的示出的形状的变化。因此，示例性实施例不应当被解释为仅限于在此示出的区域的具体形状，而是还可以包含例如由制造所导致的形状偏差。例如，示出为矩形的注入区域在其边缘可以具有倒圆或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度变化，而不仅是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区会导致在该掩埋区与注入通过的表面之间的区域中也会存在一些注入。因此，图中所示出的区域实质上是示意性的，它们的形状并非意图示出器件中的各区域的实际形状，而且也并非意图限制根据本发明的示例性实施例的范围。除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中的意思一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义来解释它们。[示例性实施例]
下面，将参照附图3A-3B以及图4A-4F来对根据本发明示例性实施例的套刻偏差检查标记及其制作方法加以说明。请参照图3A，其中示出了根据本发明示例性实施例的套刻偏差检查标记300的俯视图。如图3A所示，从平面看，套刻偏差检查标记300包括第一子结构301、设置在第一子结构301中的第二子结构302以及设置在第一子结构301与第二子结构302之间的第三子结构303。作为示例，第一子结构301由围成“ 口”字形的四个长条状标记301a、301b、301c和301d组成。其中两个长条状标记301a和301c用于检查垂直方向的套刻偏差，另外两个长条状标记301b和301d用于检查水平方向的套刻偏差。作为示例，第二子结构302由一个方块状标记组成。当然，第二子结构302也可以具有其他形状。
作为不例，第三子结构303具有与第一子结构301相似的结构。具体来说,第三子结构303由围成“ 口”字形的四个长条状标记302a、302b、302c和302d组成。其中两个长条状标记302a和302c用于检查垂直方向的套刻偏差，另外两个长条状标记302b和302d用于检查水平方向的套刻偏差。这四个长条状标记302a-302d分别平行于第一子结构301的四个长条状标记301a-301d，并且第三子结构303中的长条状标记均比第一子结构中的长条状标记短。从平面看，第一子结构301和第三子结构303嵌套在一起围成“回”字形。这里，需予以特别说明的是，在版图设计阶段，可以根据实际的工艺条件来调整方块状标记的每条边的长度以及其与对应的长条状标记之间的距离；长条状标记的长度以及相邻两长条状标记之间的间距等会随半导体工艺技术水平(例如，65nm、30nm等)不同而不同，并且也可以根据实际情况在版图设计阶段对这些距离进行调整。因此，在本申请中，仅对构成套刻偏差检查标记的各要素及其之间的位置关系做定性描述但不做定量描述。图3B中所示为套刻偏差检查标记300的示意性剖面图。如图3B所示,从剖面看，第一子结构301和第二子结构302都形成在先前材料层310中，并且作为其组成部分的长 条状标记301a-301d和方块状标记被形成为凹槽状。第三子结构303形成在当前材料层320中，并且作为其组成部分的长条状标记302a-302d被形成为凸起状。这里，需予以说明的是，虽然图3A-3B中仅将第一子结构301和第二子结构302示出为凹槽状且将第三子结构303示出为凸起状，但是对于本领域技术人员而言应当理解的是，第一子结构301和第二子结构302也可以形成为凸起状且第三子结构303形成为凹槽状，或者第一、第二和第三子结构301-303均形成为凸起状或凹槽状。接下来，请参照图4A-4F，其中示出了根据现有技术制作套刻偏差检查标记300的过程中各个工艺步骤的示意性剖面图。首先，如图4A所示，提供第一材料层401。将要在第一材料层401上形成套刻偏差检查标记的第一子结构和第二子结构。作为一个示例，第一材料层401可以是诸如铝、铜等金属构成的用于制作金属布线的互连金属层。作为另一示例，第一材料层401可以是由诸如多晶硅、金属(例如，铝)等构成的栅极材料层。作为又一示例，第一材料层401可以是由诸如二氧化硅、低介电常数材料(例如，黑钻石(BD))构成的层间介电层。作为又一示例，第一材料层401可以是半导体衬底。例如，在进行用于定义有源区的光刻工艺步骤的情况下，需要在半导体衬底上形成套刻偏差检查标记的第一子结构和第二子结构。接着，如图4B所示，在第一材料层401上旋涂第一光刻胶层402，并且通过曝光和显影而将第一掩模版(未示出)上的第一子结构图案(即，图3A中所示的第一子结构301的图案)和第二子结构图案(即，图3A中所示的第二子结构302的图案)转移到第一光刻胶层402上，以定义出第一子结构图案和第二子结构图案。其中，所述第一光刻胶层402为正胶。此外，可以采用由诸如氧化硅或氮化硅构成的硬掩膜层来代替第一光刻胶层402作为掩膜层，或者与第一光刻胶层402 —起作为掩膜层。形成硬掩膜层以及光刻胶层的工艺条件和参数是本领域技术人员所熟知的，他们可以根据实际需要来选用，在此不再赘述。然后，如图4C所不，以第一光刻胶层402为掩膜,蚀刻第一材料层401,以将第一光刻胶层402上的第一子结构图案和第二子结构图案转移到第一材料层401上,从而在第一材料层401中形成第一子结构403a和第二子结构403b。作为示例，在本实施例中，第一子结构403a和第二子结构403b被形成为凹槽状。形成第一子结构403a和第二子结构403b的方法可以为干法蚀刻或湿法蚀刻，在蚀刻完成之后可以通过等离子体灰化工艺去除第一光刻胶层402。这里，需要说明的是，待后续工艺全部完成之后，第一子结构403a和第二子结构403b在电子显微镜下观察时会与周围区域存在色差，因而能够被辨认。此外，还需予以说明的是，组成第一子结构403a和第二子结构403b的凹槽的底部可以位于第一材料层401中，或者可以与第一材料层401的底面齐平(即，第一材料层401被刻穿)。接着，如图4D所示，在第一材料层401、第一子结构403a和第二子结构403b上形成第二材料层405，在第二材料层405中将要形成套刻偏差检查标记的第三子结构。作为示例，在第一材料层401为半导体衬底的情况下，第二材料层405可以是由多晶硅栅层和栅极绝缘层构成的叠层。这里，需予以特别说明的是，第一材料层401和第二材料层405可以是整个半导体制造过程中需要通过光刻和蚀刻工艺在其上形成图案的任意两层材料层，而并不限于以上所提及的示例。因此，在第一材料层401与第二材料层405之间可以存在中间材料层404， 例如，栅极绝缘层、层间介电层等；并且在形成第一子结构403a之后且在形成第二材料层405之前，也可以执行各种中间工艺步骤，例如，离子注入、退火处理、接触孔填充等。接着，如图4E所示，在第二材料层405上旋涂第二光刻胶层406，并且通过曝光和显影而将第二掩模版(未示出)上的第三子结构图案(即，图3A中所示的第三子结构303的图案)转移到第二光刻胶层405上，以定义出第三子结构图案。其中，所述第二光刻胶层406为正胶。需予以注意的是，在第二材料层405与第二光刻胶层406之间，也可以形成一层由诸如氧化硅或氮化硅构成的硬掩膜层，以防止出现由于蚀刻时间过长且光刻胶层厚度不足而可能引发的问题。然后，如图4F所示，以第二光刻胶层406为掩膜，蚀刻第二材料层405，以将第二光刻胶层406上的第三子结构图案转移到第二材料层405上，从而在第二材料层405中形成第三子结构407。作为示例，在本实施例中，第三子结构407被形成为凸起状。形成第二子结构407的方法可以为干法蚀刻法或湿法蚀刻法，在蚀刻完成之后可以通过等离子体灰化工艺去除第二光刻胶层406。至此，完成了根据本发明示例性实施例的套刻偏差检查标记的制作。请参照图5，其中示出了根据本发明示例性实施例的用于制作套刻偏差检查标记的方法的流程图，用于概括性示出整个方法的流程。首先，在步骤S501中，提供第一材料层，在所述第一材料层上将要形成所述套刻偏差检查标记的第一子结构和第二子结构。接着，在步骤S502中，蚀刻所述第一材料层，以将第一掩模版上的第一子结构图案和第二子结构图案转移到所述第一材料层上，从而在所述第一材料层中形成第一子结构和第二子结构。接着，在步骤S503中，在所述第一材料层、所述第一子结构和所述第二子结构上形成第二材料层，在所述第二材料层中将要形成所述套刻偏差检查标记的第三子结构。最后，在步骤S504中，蚀刻所述第二材料层，以将第二掩模版上的第三子结构图案转移到所述第二材料层上，从而在所述第二材料层中形成第三子结构。[本发明的有益效果]
下面，将参照图6来说明本发明的有益效果。
如图6所示，长条状标记Al和方块状标记A2形成在先前的材料层中，构成套刻偏差检查标记的第一子结构和第二子结构。长条状标记B形成在当前的材料层中，构成套刻偏差检查标记的第三子结构。对于长条状标记，退火处理可能不会使其膨胀和旋转而会使其平移或者正交性产生变化；而对于方块状标记，退火处理可能不会使其平移或者正交性发生变化而会使其膨胀。因此，可以基于以下图案组合来检查各种误差
(I)先前材料层中的长条状标记Al和方块状标记A2之间的偏差A A1-A2，可以用于检查由于退火处理而引起的变形；
(2 )当前材料层中的长条状标记B与先前材料层中的长条状标记AI之间的偏差A B-Al，可以用于检查由于曝光误差而导致的胀缩和旋转套刻偏差；以及 (3)当前材料层中的长条状标记B与先前材料层中的方块状标记A2之间的偏差A B-A2，可以用于检查由于曝光误差而导致的平移、旋转和正交性变化位置套刻偏差。具体来说，由于标记Al与A2之间不存在曝光误差，所以标记Al与A2之间的误差能够真实地反映由于退火处理而导致的先前材料层变形。在实际制造过程中，以上各项偏差均可以由专用的套刻精度检查机台进行自动测量，并且可以由该机台基于测量的结果对偏差进行适当补偿。具体的测量和补偿方法是本领域所公知的技术，在此不再赘述。图7A-7B中所示为本发明的几种变形例。这里，本领域技术人员应认识到，本发明的变形例不限于图7中所示的两种，而是还可以在已示出的示例基础上再次进行修改，例如，对第一、第二和第三子结构的位置进行调换。但是，需予以注意的是，考虑到成本问题、制作的简便性以及现有的机台测试程序，优选使用具有如图6中所示构成的套刻偏差检查
I■■己 O综上所述，根据本发明的套刻偏差检查标记能够检查并区分由于退火处理而引起的变形和由于曝光误差而导致的未对准。因此，可以对诸如退火处理这样的热处理过程中产生的变形偏差进行监控，同时又能检查由于曝光误差导致的各种位置偏差。[本发明的工业实用性]
根据如上所述的实施例制造的半导体器件可应用于多种集成电路(IC)中。例如，根据本发明的IC可以是存储器电路，如随机存取存储器(RAM)、动态RAM (DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、静态RAM (SRAM)、或只读存储器(ROM)等。根据本发明的IC还可以是逻辑器件，如可编程逻辑阵列(PLA)、专用集成电路(ASIC)、合并式DRAM逻辑集成电路(掩埋式DRAM)、射频电路或任意其他电路器件。例如，根据本发明的IC芯片可以用于用户电子产品中，如个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机、数码相机、手机等各种电子产品中。本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外，本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
权利要求
1.一种套刻偏差检查标记，包括 第一子结构，所述第一子结构形成在第一材料层中，并且由围成“ 口”字形的四个长条状标记组成； 第二子结构，所述第二子结构形成在所述第一材料层中，且位于所述第一子结构内侧；和 第三子结构，所述第三子结构形成在位于所述第一材料层上的第二材料层中且由围成“ 口”字形的四个长条状标记组成，且从平面看，与所述第一子结构嵌套构成“回”字形，并且所述第一、第二和第三子结构彼此不重合。
2.根据权利要求I所述的套刻偏差检查标记，其特征在于，所述第二子结构由方块状标记组成。
3.根据权利要求2所述的套刻偏差检查标记，其特征在于，从平面看，所述第三子结构位于所述第一子结构与所述第二子结构之间。
4.根据权利要求2所述的套刻偏差检查标记，其特征在于，从平面看，所述第一子结构位于所述第二子结构与所述第三子结构之间。
5.根据权利要求I所述的套刻偏差检查标记，其特征在于，所述第二子结构由围成“ 口 ”字形的四个长条状标记组成。
6.根据权利要求5所述的套刻偏差检查标记，其特征在于，从平面看，所述第二子结构位于所述第一子结构与所述第三子结构之间。
7.根据权利要求5所述的套刻偏差检查标记，其特征在于，从平面看，所述第三子结构位于所述第一子结构与所述第二子结构之间。
8.根据权利要求5所述的套刻偏差检查标记，其特征在于，从平面看，所述第一子结构位于所述第一子结构与所述第二子结构之间。
9.根据权利要求I所述的套刻偏差检查标记，其特征在于，从剖面看，所述第一、第二和第三子结构被形成为凹槽状或凸起状。
10.一种用于制作如权利要求I所述的套刻偏差检查标记的方法，所述套刻偏差检查标记包括第一子结构、第二子结构和第三子结构，所述方法包括 提供第一材料层； 蚀刻所述第一材料层，以将第一掩模版上的第一子结构图案和第二子结构图案转移到所述第一材料层上，从而在所述第一材料层中形成所述第一子结构和所述第二子结构； 在所述第一材料层上形成第二材料层；以及 蚀刻所述第二材料层，以将第二掩模版上的第三子结构图案转移到所述第二材料层上，从而在所述第二材料层中形成所述第三子结构。
全文摘要
本发明提供一种套刻偏差检查标记(300)，包括第一子结构(301)，所述第一子结构形成在第一材料层中，并且由围成“口”字形的四个长条状标记组成；第二子结构(302)，所述第二子结构形成在所述第一材料层中，且位于所述第一子结构内侧；和第三子结构(303)，所述第三子结构形成在位于所述第一材料层上的第二材料层中且由围成“口”字形的四个长条状标记组成，且从平面看，与所述第一子结构嵌套构成“回”字形，并且所述第一、第二和第三子结构彼此不重合。通过本发明，可以对诸如退火处理这样的热处理过程中产生的变形偏差进行监控，同时又能检查由于曝光误差导致的各种位置偏差。
文档编号H01L21/66GK102738121SQ201110087489
公开日2012年10月17日 申请日期2011年4月8日 优先权日2011年4月8日
发明者安辉, 王辉 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司