专利名称：使硅层晶化的方法、薄膜晶体管和有机发光显示装置的制作方法
技术领域：
当前实施例涉及一种多晶硅层、一种使硅层晶化的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管(TFT)和一种包括该多晶硅层的有机发光显示装置。
背景技术：
薄膜晶体管(TFT)是一种通过在绝缘支撑基底上利用半导体薄膜来制备的电场效应晶体管(FET)。与电FET—样，TFT可以包括三个器件，例如，栅极、漏极和源极，并且 TFT可以执行开关操作。TFT通过调节提供到栅极的电压，以使在源极和漏极之间流动的电流通过或者截断，从而执行开关操作。TFT用在传感器、存储器装置或光学装置等中，并且可以用作平板显示器的像素开关装置或驱动装置。近来，诸如膝上型电脑、个人计算机(PC)、监视器、电视机(TV)和移动装置的商业化产品大多使用非晶硅TFT(a-Si TFT)。非晶硅并不具有与晶体一样的规则的原子排列，而是短距离有序，而长距离无序。由于非晶硅容易沉积在大的区域上并且容易在低温下制备在玻璃基底上，所以非晶硅大多用在TFT中。然而，随着显示器的尺寸增大和品质提高，装置需要以高性能工作。因此，需要电子迁移率比非晶硅TFT的电子迁移率(为大约0.5cm2/ Vs至lcm2/Vs)高的高性能TFT和制备该高性能TFT的方法。与传统的a-Si TFT相比，多晶硅TFT (多晶Si TFT，poly-Si TFT)具有优异的性能。由于多晶Si TFT的电子迁移率为几十cm2/Vs至几百cm2/Vs，所以多晶Si TFT可以置于数据驱动电路中或者要求高迁移率的外围电路中。另外，由于可以减小晶体管的沟道尺寸，所以可以提高屏幕的开口率。另外，由于用来根据像素数的增多连接数据驱动电路的布线间距并未因内置的数据驱动电路而受到限制，所以高分辨率是可以的，并可以降低驱动电压和功耗，并且装置的特性劣化会非常低。制备多晶硅的方法根据工艺温度可以分为低温工艺和高温工艺。这里，在绝缘基底变形的特定温度或以上执行高温工艺，由此使用耐热性高的昂贵的石英基底来代替玻璃基底。另外，根据高温工艺形成的多晶硅薄层具有低质量晶化，这导致表面粗糙度高或者微小晶粒。低温工艺是一种将非晶硅晶化成多晶硅的技术，正在研究准分子激光晶化(ELC)、 使用金属作为催化剂的晶化等。这里，在ELC工艺中，脉冲形状激光束被照射到基底上，以使非晶硅以纳米秒为单位熔化并凝结。然而，这种ELC工艺昂贵、耗时长并且不充分。图1中的(a)和(b)是示出了在利用金属作为催化剂的使硅晶化的方法中硅的晶体生长特性的概念图。图1中的(a)示出了根据金属诱导晶化(MIC)的硅的晶体生长特性， 图1中的(b)示出了根据金属诱导横向晶化(MILC)的硅的晶体生长特性。在MIC中，相对大量的催化剂金属沉积在非晶硅上并在高温下晶化，并且如图1中的(a)所示，小的线性多晶硅随意地生长。在MILC中，利用掩模将用作催化剂的金属按线布置在非晶硅上然后沉积所述金属，从而沿一个方向生长多晶硅，如图1中的(b)所示
发明内容
当前实施例的各方面提供了多晶硅薄层、利用催化剂金属将非晶硅层晶化成多晶硅薄层的方法、使用多晶硅薄层的薄膜晶体管(TFT)和包括TFT的平板显示装置，所述多晶硅薄层具有高质量晶体，并且具有远离沟道区的底部分布的晶体催化剂金属，从而漏电流特性是令人满意的。根据当前实施例的一方面，提供了一种使硅层晶化的方法，所述方法包括以下步骤在基底上的缓冲层上形成非晶硅层；在非晶硅层上形成密度为IO11原子/cm2至IO15原子/cm2的催化剂金属层；对非晶硅层进行热处理，从而随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中，在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种，并且随着由晶化晶种长成硅晶体而形成多晶硅层。硅晶体可以沿着与具有锥形形状的晶化晶种生长的方向相同的方向生长。硅晶体可以首先沿方向(111)生长，然后沿着包括方向(110)的方向在内的各个方向生长。在形成多晶硅层之后，催化剂金属的组分可以存在于多晶硅层与缓冲层之间的界面上。晶化晶种可以包括催化剂金属的硅化物。催化剂金属层可以包含从由Ni、Pd、Ti、Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cu、Co、Mo、Tr、Ru、Rh、
Cd和Pt组成的组中选择的至少一种。根据当前实施例的另一方面，提供了一种薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管包括基底；缓冲层，设置在基底上；有源层，设置在缓冲层上，包括源区、漏区和沟道区，并且包括多晶硅层；栅极绝缘层，设置在有源层上；栅电极，在栅极绝缘层上面对沟道区；源电极和漏电极，源电极通过穿透设置在栅电极、有源层和缓冲层上的第一层间绝缘层而接触源区，漏电极通过穿透所述第一层间绝缘层而接触漏区，其中，多晶硅层包括位于缓冲层和多晶硅层之间的界面上的具有锥形形状的晶化晶种。多晶硅层的晶体尺寸可以在几ym至几百ym的范围内。多晶硅层的晶体生长方向可以包括方向(111)。晶化晶种可以包括从由Ni、Pd、Ti、Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cu、Co、Mo、Tr、Ru、Rh、Cd 和
Pt组成的组中选择的至少一种。根据当前实施例的另一方面，提供了一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括基底；缓冲层，设置在基底上；有源层，设置在缓冲层上，包括源区、漏区和沟道区，并且包括多晶硅层；栅极绝缘层，设置在有源层上；栅电极，在栅极绝缘层上面对沟道区；源电极和漏电极，源电极通过穿透设置在栅电极、有源层和缓冲层上的第一层间绝缘层而接触源区，漏电极通过穿透所述第一层间绝缘层而接触漏区；第一电极，通过穿透形成在源电极、漏电极和第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层而接触源电极和漏电极中的任何一个，并且在所述第二层间绝缘层上方延伸；有机层，包括设置在第一电极上的发射层；第二电极，设置在有机层上，其中，多晶硅层包括位于缓冲层和多晶硅层之间的界面上的具有锥形形状的晶化晶种。
通过参照附图来详细地描述当前实施例的示例性实施例，当前实施例的以上和其他特征和优点将变得更加清楚，在附图中图1中的(a)和(b)是示出了在利用金属作为催化剂的使硅晶化的方法中硅的晶体生长特性的概念图；图2A至图2E是顺序地示出了根据实施例的使硅层晶化的方法的图；图3是根据实施例的按照使硅晶化的方法形成的多晶硅层的光学显微照片图像；图4A是根据实施例的在晶化过程中多晶硅层的透射电子显微镜(TEM)照片图像；图4B是图4A中的晶化晶种和多晶硅层之间的界面的放大TEM照片图像；图4C是示出了根据实施例的在晶化成多晶硅层的过程中晶化晶种的分布和生长方向的扫描透射电子显微镜(STEM)照片图像；图5是根据实施例的多晶硅层的二次离子质谱(SIMS)；图6是图4A至图4C中示出的晶化晶种的能量色散X射线(EDX)光谱；图7是根据实施例的TEM照片图像并且示出了在初始晶化过程中非晶硅层的电子衍射图案；图8A是根据实施例的在初始晶化过程中的多晶硅层的TEM照片图像；图8B是图8A中的多晶硅层的一部分的EDX光谱；图8C是图8A中的多晶硅层的另一部分的EDX光谱；图9A至图9D是顺序地示出了根据实施例的多晶硅层的晶化机理的概念图；图10是示出了根据实施例的多晶硅的晶体形状的概念图；图11是通过在选择性地去除多晶硅层之后测量形成在缓冲层上的形貌获得的原子力显微镜(AFM)照片图像；图12A至图12D是顺序地示出了根据实施例的通过利用多晶硅层来制备薄膜晶体管(TFT)的方法的剖视图；图13是根据实施例的利用TFT的有机发光显示装置的剖视图；图14是根据实施例的使用多晶硅层的TFT的透射曲线图。
具体实施例方式在下文中，将参照附图更充分地描述当前实施例，在附图中示出了示例性实施例。图2A至图2E是顺序地示出了根据实施例的使硅层晶化的方法的图。参照图2A，在基底10上设置缓冲层11。然后，在缓冲层11上设置非晶硅层12。基底10可以包含透明玻璃，但基底10的材料不限于此，而是可以包括透明塑料。 塑料基底可以包括绝缘有机材料。为了防止基底10中产生的湿气或杂质的扩散，可以在基底10上设置缓冲层11。 缓冲层11可以包含氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)等。在缓冲层11上设置非晶硅层12。可以利用诸如等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)等各种方法之一来形成非晶硅层12。
参照图2B，在非晶硅层12上设置催化剂金属层14。例如，催化剂金属层14可以包括诸如 Ni、Pd、Ti、Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cu、Co、Mo、Tr、Ru、Rh、Cd 和 Pt 中的至少一种金属。 可以利用诸如溅射的物理气相沉积(PVD)、诸如原子层沉积(ALD)的化学气相沉积(CVD) 或者诸如离子注入的掺杂方法来形成催化剂金属层14。如图2B所示，催化剂金属层14的催化剂金属不是连续存在的，而是不连续的。催化剂金属层14以比单层的密度小的密度形成。催化剂金属层14可以 具有大约IO11原子/cm2 (atom/cm2)至大约IO15原子/cm2的密度。当催化剂金属层14的密度低于大约IO11原子/cm2时，难以形成可靠的且密度均勻的催化剂金属层14，并且也难以测量该密度。当催化剂金属层14的密度高于大约IO15原子/ cm2时，扩散到非晶硅层12中的催化剂金属的量太大，由此减小了多晶硅的晶体尺寸，并且在形成沟道区的多晶硅层20上留有催化剂金属，从而使薄膜晶体管(TFT)的特性劣化，例如，造成漏电流。参照图2C，对催化剂金属层14进行热处理，使得催化剂金属层14的催化剂金属扩散到非晶硅层12中。可以在大约500°C至大约800°C的温度下执行这种热处理工艺。催化剂金属通过热处理工艺扩散到非晶硅层12中。扩散的催化剂金属聚集在非晶硅层12和缓冲层U之间的界面上，并且扩散到该界面的两侧。参照图2D，对聚集在非晶硅层12和缓冲层11之间的界面上的催化剂金属进行热处理，以形成金属硅化物晶化晶种21，从而生长硅晶体。参照图2E，由每个金属硅化物晶化晶种21生长的硅晶体的晶粒22彼此相遇而形成多晶硅层20。现在将描述根据实施例的按照使硅晶化的方法形成的多晶硅层。图3是根据实施例的按照使硅晶化的方法并利用镍作为催化剂金属而形成的多晶硅层的光学显微镜照片图像。参照图3，晶粒的尺寸为几十微米。另外，随着晶体生长时金属硅化物向外扩散，晶化晶种分布在晶粒的中心或者晶粒的边界上。当通过利用金属作为催化剂使非晶硅晶化成多晶硅时，硅的生长行为根据金属的量和分布而不同。现在将描述根据实施例的在形成多晶硅层的同时硅的生长行为。图4A是根据实施例的在晶化过程中多晶硅层20的透射电子显微镜(TEM)照片图像。这里，镍层用作催化剂金属层。参照图4A，多晶硅层20设置在缓冲层11上，晶化晶种14'存在于多晶硅层20和缓冲层11之间的界面上。晶化晶种14'呈表面沿方向(111)生长的锥形形状。图4B是图4A中的晶化晶种14'和多晶硅层20之间的界面的放大TEM照片图像。 参照图4B，示出的是多晶硅层20的晶体生长方向是与晶化晶种14'的生长方向相似的方向(111)。图4C是示出了根据实施例的在晶化成多晶硅层20的过程中晶化晶种14'的分布和生长方向的扫描透射电子显微镜(STEM)照片图像。参照图4C，多晶硅层20设置在缓冲层11上，尚未晶化的非晶硅层12设置在多晶硅层20上。另外，多个晶化晶种14'存在于缓冲层11和多晶硅层20之间的界面上。晶化晶种14'具有锥形形状，因而沿方向(111) 生长。参照图4A至图4C，确定的是随着硅晶体沿着与分布在非晶硅层12和缓冲层11之间的界面上且具有锥形形状的晶化晶种14'的生长方向相同的方向生长且彼此相遇，非晶硅层12晶化形成多晶硅层20。图5是根据实施例的多晶硅层的二次离子质谱(SIMS)。根据当前实施例，镍层用作催化剂金属层，以使缓冲层上的非晶硅层晶化而形成多晶硅层。在溅射形成在缓冲层上的多晶硅层的同时测量镍的浓度。参照图5，镍的浓度在多晶硅层中为均勻地低，在多晶硅层和缓冲层之间的界面中增大，并且在缓冲层中减小。参照图4A、图4C和图5，确定的是， 晶化晶种存在于多晶硅层和缓冲层之间的界面中。图6是图4A至图4C中示出的晶化晶种14'的能量色散X射线(EDX)光谱。图6 中示出了硅(Si)峰和镍(Ni)峰，基于图6确定的是，图4A至图4C的晶化晶种14'是硅化镍。来自镍层(例如，催化剂 金属层)的镍扩散到缓冲层11和非晶硅层12之间的界面而形成具有锥形形状的硅化镍，硅化镍变为有助于多晶硅层20沿与晶化晶种14'的生长方向相同的方向晶化的晶化晶种14'。图7是根据实施例的TEM照片图像并且示出了在初始晶化过程中非晶硅层的电子衍射图案。上部电子衍射图案A是TEM照片图像的背景，例如是非晶硅的图案；下部电子衍射图案B是TEM照片图像的图案区域，例如是晶化区域。电子衍射图案A的光晕环图案是由于未晶化的非晶硅造成的，电子衍射图案B是由于沿方向(111)的晶体造成的。参照图 7，确定的是多晶硅在初始生长过程中沿方向(111)生长。在初始生长之后，多晶硅沿包括方向(110)在内的各个方向生长。图8A是根据实施例的在初始晶化过程中的多晶硅层的TEM照片图像。图8B是图 8A中的多晶硅层的晶化的黑色区域的EDX光谱，图8C是图8A中的多晶硅层的晶化的黑色区域前面的非晶硅区域中的圈出的黑点的EDX光谱。参照图8B，确定的是由于示出的只有硅峰而没有示出镍峰，所以只有硅存在于晶化的黑色区域中。参照图8C，确定的是由于镍峰和硅峰一起存在，所以催化剂金属在晶化的黑色区域前面的非晶硅区域中形成晶化晶种。因此，确定的是多晶硅层的晶体由至少一个晶化晶种长成。另外，可以从图8A推断出硅晶体随着金属诱导横向晶化(MILC)而线性生长的生长行为。 上面已经参照图4A至图4C、图5至图7和图8A至图8C描述了根据晶化形成多晶硅的机理。图9A至图9D是顺序地示出了根据实施例的多晶硅层的晶化机理的概念图。在图 9A中，在非晶硅层12上设置催化剂金属层14。参照图9A，在基底10上的缓冲层11上设置非晶硅层12，并且在非晶硅层12上设置催化剂金属层14。这里，将催化剂金属层14的金属密度控制为低于或等于IO15原子/cm2。参照图9B，由于催化剂金属的量非常小(例如，等于或小于大约IO15原子/cm2)， 所以来自催化剂金属层14的催化剂金属随着热处理快速地扩散到非晶硅层12中。由于催化剂金属在非晶硅层12中快速地扩散而催化剂金属的扩散速度在缓冲层11减小，所以催化剂金属聚集在具有高的晶体缺陷密度的界面中。因此，催化剂金属在缓冲层11与非晶硅层12之间的界面的密度高于在非晶硅层12的顶部的密度。通过对界面上的催化剂金属进行热处理形成金属硅化物晶化晶种21，然后硅晶体从金属硅化物晶化晶种21沿着向上的方向和宽度方向生长。参照图9C，随着硅晶体在非晶硅层12下方由金属硅化物晶化晶种21生长，硅晶体与相邻的硅晶体相遇，从而形成晶粒22。图9D示出了通过晶化非晶硅层12形成的多晶硅层20。多晶硅层20的晶粒22的尺寸在大约Iym至大约1000 μ m的范围内，具体地讲，在几μ m至几百μ m的范围内。残留的金属(未示出)或残留的金属硅化物晶种(未示出)大多分布在多晶硅层20的底部中，一些残留的金属(未示出)或残留的金属硅化物(未示出)晶种存在于晶粒22的边界上。图10是示出了根据实施例的多晶硅的晶体形状的概念图。与图1中的(a)或(b) 示出的形状不一样，图10的多晶硅包括沿方向(111)生长的晶粒。另外，以相同的速度在晶种周围生长的晶体彼此相遇而形成多晶硅。由于形成多晶硅的晶体的方向在方向(111) 上是均勻的，所以可以改善电特性。图11是通过测量在缓冲层上形成根据实施例的多晶硅层然后选择性地去除多晶硅层之后形成在缓冲层上的形貌获得的原子力显微镜(AFM)照片图像。通过干蚀刻选择性地去除多晶硅层。图11的形貌示出了在缓冲层上残留的晶化晶种，并且示出了用于形成多晶硅层的晶化晶种的分布。参照图11，金属硅化物晶种设置在多晶硅层的晶粒的中心和边界中，并且在晶粒的中心，金属硅化物晶种的尺寸最大为几μ m。这可能是因为在初始晶化开始工艺期间残留的晶化晶种存在于晶粒的中心中，并且随着晶化晶种生长，晶化晶种在晶粒的边界处彼此相遇。图12A至图12D是顺序地示出了根据实施例的通过利用多晶硅层来制造TFT的方法的剖视图。参照图12A，在设置在基底101上的缓冲层102上形成并图案化多晶硅层(未示出)，以形成有源层105。有源层105的催化剂金属的硅化物或残留的催化剂金属存在于有源层105与缓冲层102之间的界面中，由此远离有源层105顶部上的沟道区域。因此，可以改善TFT的漏电流特性。参照图12B，在有源层105上设置栅极绝缘层114，在栅极绝缘层114上形成并图案化导电层(未示出)，以形成栅电极120。栅极绝缘层114可以是诸如氧化硅层或氮化硅层的绝缘层。栅电极120可以包含Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W、Ti或它们的合金。参照图12C，在有源层105的每个端部形成源/漏区105a，并且形成第一层间绝缘层122。在源/漏区105a之间的有源层105中形成沟道区105b。可以在自对准方法中利用栅电极120作为掩模通过执行离子掺杂来形成源/漏区105a。可以利用氧化硅层或氮化硅层以单层或多个层形成第一层间绝缘层122。参照图12D，在第一层间绝缘层12中形成接触源/漏区105a的源/漏电极130。 可以通过在第一层间绝缘层122中形成暴露源/漏区105a的顶表面的孔(未示出)，然后形成并图案化将要埋在所述孔中的导电层来形成源/漏电极130。导电层可以包含诸如Au、 Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、W、Ti和它们的合金的各种材料中的任意一种。图13是根据实施例的利用TFT的有机发光显示装置的剖视图。参照图13，根据图12A至图12D的方法制造有机发光显示装置的TFT。第二层间绝 缘层132形成在TFT上。第二层间绝缘层132可以是有机层或无机层。像素单元的第一电极142穿透第二层间绝缘层132而接触源/漏电极130中的任一个，并且从第二层间绝缘层132向上延伸。第一电极142可以包含诸如氧化铟锡(ITO) 或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物。有机层144形成为与被在第二层间绝缘层132上设置的像素限定层134暴露的第一电极142接触。像素限定层134可以是有机层或无机层。有机层144包括发射层(未示出)，并且还可以包括空穴注入层(HIL)(未示出)、空穴传输层(HTL)(未示出)、电子传输层(ETL)(未示出)和电子注入层(EIL)(未示出)中的至少任一种。第二电极146形成在有机层144上。第二电极146可以包含诸如Mg、Ag、Al、Ca的金属或它们的合金。图14是根据实施例的使用 多晶硅层的TFT的透射曲线图。参照图14，确定的是， TFT具有大的电流和良好的漏电流特性。根据当前实施例，可以形成这样的多晶硅层，该多晶硅层具有尺寸为几百ym或更小且沿方向(111)形成的晶体以及存在于多晶硅层和缓冲层之间的界面上的催化剂金属。另外，通过利用多晶硅层作为有源层可以形成电流大且漏电流小的TFT和有机发光显示装置。虽然已经参照当前实施例的示例性实施例具体示出并描述了当前实施例，但是本领域的普通技术人员应该理解，在不脱离如权利要求书所限定的当前实施例的精神和范围的情况下，可以在此做出各种形式和细节上的改变。
权利要求
1.一种使硅层晶化的方法，所述方法包括以下步骤 在基底上的缓冲层上形成非晶硅层；在非晶硅层上形成密度为IO11原子/cm2至IO15原子/cm2的催化剂金属层； 对非晶硅层进行热处理，从而随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中，在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种，并且随着由晶化晶种长成硅晶体而形成多晶硅层。
2.如权利要求1所述的方法，其中，硅晶体沿着与具有锥形形状的晶化晶种生长的方向相同的方向生长。
3.如权利要求1所述的方法，其中，硅晶体首先沿方向(111)生长。
4.如权利要求1所述的方法，其中，在形成多晶硅层之后，催化剂金属的组分位于多晶硅层与缓冲层之间的界面上。
5.如权利要求1所述的方法，其中，晶化晶种包括催化剂金属的硅化物。
6.如权利要求1所述的方法，其中，催化剂金属层包含从由Ni、Pd、Ti、Ag、Au、Al、Sn、 Sb、Cu、Co、Mo、Tr、Ru、Rh、Cd和Pt组成的组中选择的至少一种。
7.如权利要求1所述的方法，其中，按照等离子体增强化学气相沉积或低压化学气相沉积来形成非晶硅层。
8.如权利要求1所述的方法，其中，按照物理气相沉积、化学气相沉积或掺杂方法来形成催化剂金属层。
9.如权利要求8所述的方法，其中，按照原子层沉积来形成催化剂金属层。
10.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括 基底；缓冲层，设置在基底上；有源层，设置在缓冲层上，包括源区、漏区和沟道区，并且包括多晶硅层； 栅极绝缘层，设置在有源层上； 栅电极，在栅极绝缘层上面对沟道区；源电极和漏电极，源电极通过穿透设置在栅电极、有源层和缓冲层上的第一层间绝缘层而接触源区，漏电极通过穿透所述第一层间绝缘层而接触漏区，其中，多晶硅层包括位于缓冲层和多晶硅层之间的界面上的具有锥形形状的晶化晶种。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，多晶硅层的晶体尺寸为1μ m至1000 μ m。
12.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，多晶硅层的晶体生长方向包括方向 (111)。
13.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，晶化晶种包括从由Ni、Pd、Ti、Ag、Au、Al、 Sn、Sb、Cu、Co、Mo、Tr、Ru、Rh、Cd和Pt组成的组中选择的至少一种。
14.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括 基底；缓冲层，设置在基底上；有源层，设置在缓冲层上，包括源区、漏区和沟道区，并且包括多晶硅层； 栅极绝缘层，设置在有源层上；栅电极，在栅极绝缘层上面对沟道区；源电极和漏电极，源电极通过穿透设置在栅电极、有源层和缓冲层上的第一层间绝缘层而接触源区，漏电极通过穿透所述第一层间绝缘层而接触漏区；第一电极，通过穿透形成在源电极、漏电极和第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层而接触源电极和漏电极中的任何一个，并且在所述第二层间绝缘层上方延伸； 有机层，包括设置在第一电极上的发射层； 第二电极，设置在有机层上，其中，多晶硅层包括位于缓冲层和多晶硅层之间的界面上的具有锥形形状的晶化晶种。
15.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，多晶硅层的晶体尺寸为1μ m至 1000 μ Hlo
16.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中，多晶硅层的晶体生长方向包括方向(111)。
17.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括通过如权利要求1所述的方法形成的硅层。
18.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括通过如权利要求2所述的方法形成的硅层。
19.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括通过如权利要求4所述的方法形成的硅层。
20.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括通过如权利要求5所述的方法形成的硅层。
全文摘要
本发明公开了一种使硅层晶化的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。在基底上的缓冲层上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成密度为大约1011原子/cm2至大约1015原子/cm2的催化剂金属层。随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中，在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种。对非晶硅层进行热处理，从而随着由晶化晶种长成硅晶体，形成多晶硅层。
文档编号H01L29/786GK102222608SQ201110087389
公开日2011年10月19日 申请日期2011年4月6日 优先权日2010年4月14日
发明者崔宝京, 徐晋旭, 李吉远, 李基龙, 郑胤谋 申请人:三星移动显示器株式会社