专利名称：氮化镓基led用复合金属基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种复合金属基板，尤其是一种氮化镓基LED用复合金属基板。
背景技术：
中国是目前全球城市化进程最快的国家之一，可以预料在未来的数十年内，全国各地对于大功率、高亮度、节能的LED路灯产品的市场需求是极其庞大的。据国家路灯行业统计，我国城市道路照明共有1500万只以上的路灯，近几年的增长率在20%以上。照此估算，全国每年照明路灯的市场规模不低于50亿元，如使用LED路灯，每年可节电20亿度以上。LED路灯的核心技术之一就是蓝光大功率LED芯片，全球各大知名LED企业都在投入大量的人力和物力以力求解决高光效、低成本的问题。欧美日等强国都将固体照明技术列为未来节能发展的方向之一。垂直注入大功率蓝光LED芯片是国际上正在研究的技术，它的优点是在保证一定的发光效率(lm/W)的前提下，通过与发光区垂直的方向注入较大的电流，来提高单个芯片能够承受的电功率，提高单个芯片的光通量，达到同一芯片比传统芯片发出更多光的目的，相当于降低了每个流明的成本，同时又具有较高的可靠性。目前制作垂直注入LED芯片采用的衬底转移技术和缺点如下
转移基板一般采用半导体材料如Si或金属如Cu。其不足主要表现在转移的基板与被转移的晶片的热膨胀系数差距大(大于30%以上)，导致键合后两个晶片之间存在较大应力， 从而降低键合成品率，并且在以后制作的垂直注入芯片有可能从转移衬底脱落或局部形成虚焊，导致可靠性降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种键合成品率高、可靠性高的氮化镓基LED用复合金属基板。为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是氮化镓基LED用复合金属基板，所述复合金属基板为铜钼合金或者铝硅合金。采用上述技术方案所产生的有益效果在于本发明采用铜钼合金或铝硅合金的复合金属基板与氮化镓基LED芯片之间的热膨胀系数差距小，热应力小，因此，复合金属基板与氮化镓基LED芯片的键合时，提高了键合成品率，可靠性高；而且复合金属基板的散热性高，能够解决大功率LED快速散热的问题，延长LED的使用寿命。
图1是实施例一中氮化镓基LED采用复合金属基板的结构示意图。
具体实施例方式实施例一参看图1，本实施例包括铜钼合金的复合金属基板1和氮化镓基LED外延片，所述氮化镓基LED外延片包括ρ型GaN层3、η型GaN层4，所述ρ型GaN层3上制备有ρ电极6，上述带有P电极6的氮化镓基LED外延片通过ρ电极6键合在复合金属基板1上，激光玻璃去除氮化镓基LED外延片的衬底，在η型GaN层上完成η电极5的制备。本实施例中采用铜钼合金的复合金属基板1不仅热传导率高，能够快速传导大功率LED产生的热量，提高氮化镓基LED的使用寿命；而且铜钼合金的热膨胀系数与氮化镓基LED芯片的热膨胀系数相差较小，当其与氮化镓基LED芯片键合时，两者之间的热应力较小，键合成品率高，在LED的使用过程中，不易出现衬底脱落或局部虚焊的现象，可靠性较尚ο复合金属基板1还可以为硅铝合金。
权利要求
1. 一种氮化镓基LED用复合金属基板，其特征在于所述复合金属基板为铜钼合金或者硅铝合金。
全文摘要
本发明公开了一种氮化镓基LED用复合金属基板，所述复合金属基板铜钼合金或者硅铝合金。本发明采用铜钼合金或铝硅合金的复合金属基板与氮化镓基LED芯片之间的热膨胀系数差距小，热应力小，因此，复合金属基板与氮化镓基LED芯片的键合时，提高了键合成品率，可靠性高；而且复合金属基板的散热性高，能够解决大功率LED快速散热的问题，延长LED的使用寿命。
文档编号H01L33/64GK102185094SQ201110087998
公开日2011年9月14日 申请日期2011年4月8日 优先权日2011年4月8日
发明者任继民, 徐海洲, 李云, 李兴, 王静辉, 肖国华, 苏银涛 申请人:同辉电子科技股份有限公司