专利名称：氮化铝铜金属化陶瓷基板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种陶瓷基板，尤其涉及一种用于大功率器件的氮化铝铜金属化 陶瓷基板。
背景技术：
目前使用的氮化铝铜金属化陶瓷基板是在氮化铝陶瓷上涂覆一层铜金属化层，这 种氮化铝铜金属化陶瓷基板充分利用了氮化铝陶瓷的高导热性和铜金属的高导电性，将氮 化铝陶瓷和铜金属结合起来能够实现基板的高散热性和高导电性，能够承载大电流和高功 率，但是在形成铜金属化层时需要对氮化铝表面进行氧化处理，而对于氮化铝陶瓷表面氧 化层的厚度是很难精确控制的，因此，不仅增加了工艺难度，而且降低了氮化铝和铜金属之 间的结合强度，影响整个器件的可靠性。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中的缺点提供一种结合强度高、 导热导电性能好、工艺易于控制的氮化铝铜金属化陶瓷基板。为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是一种氮化铝铜金属化陶 瓷基板，在氮化铝陶瓷基板上涂覆有铜金属化层，在氮化铝陶瓷基板和铜金属化层之间设 有钨或钼或钨钼金属化层。采用上述技术方案所产生的有益效果在于1)由于氮化铝陶瓷和铜金属的热膨 胀系数相差较大，因此在使用中易产生热应力，在氮化铝陶瓷和铜金属之间制备一层钨或 钼或钨钼金属化层，作为过渡层的钨或钼或钨钼金属化层缓解了热应力造成的影响，提高 了基板的可靠性；2)在制备工艺上很容易实现钨或钼或钨钼金属化层与氮化铝陶瓷的高 强度结合，解决了以往只能依靠在氮化铝陶瓷表面进行氧化处理后才能实施铜金属化的问 题，从而实现了铜层和氮化铝层的良好结合，并使电镀的铜金属层厚度均勻一致。
图1是本实用新型氮化铝陶瓷基板的结构示意图；图中1-氮化铝陶瓷基板，2-钨或钼或钨钼金属化层，3-铜金属化层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。实施例一参见图1，一种氮化铝铜金属化陶瓷基板，主要由氮化铝陶瓷基板1、钨或钼或钨 钼金属化层2和铜金属化层3构成，本实施例中选用的是钨钼金属化层2。具体地说是在氮 化铝陶瓷基板1上制备有钨钼金属化层2，在钨钼金属化层2上电镀铜金属化层3。氮化铝 陶瓷基板1作为骨架材料，制成板状，然后在其表面实现厚膜的钨钼金属化层2，并形成导电图形，最后利用电镀工艺，在钨钼金属化层2表面电镀铜金属化层3。由于钨或钼或钨钼 金属化层2与氮化铝陶瓷基板1的结合强度大，因此利用制备在氮化铝陶瓷基板1表面的 钨或钼或钨钼金属化层2实现了氮化铝陶瓷基板1与铜金属化层3的良好结合。钨、钼这 两种金属材料本身也具有高的导热特性，从而对氮化铝陶瓷基板1的导热性能影响较小， 可用于高功率的电子器件中。
权利要求一种氮化铝铜金属化陶瓷基板，在氮化铝陶瓷基板(1)上涂覆有铜金属化层(3)，其特征在于在氮化铝陶瓷基板(1)和铜金属化层(3)之间设有钨或钼或钨钼金属化层(2)。
专利摘要本实用新型公开了一种氮化铝铜金属化陶瓷基板，在氮化铝陶瓷基板上涂覆有铜金属化层，在氮化铝陶瓷基板和铜金属化层之间设有钨或钼或钨钼金属化层。该氮化铝铜金属化陶瓷基板结合强度高、导热导电性能好、铜金属化层厚度易于控制，从而提高了整个器件的可靠性。
文档编号H01L23/498GK201681922SQ20102019771
公开日2010年12月22日 申请日期2010年5月21日 优先权日2010年5月21日
发明者刘志平, 张文娟, 扬哲, 李晓蒙, 郝宏坤 申请人:中国电子科技集团公司第十三研究所