专利名称：干刻蚀方法和干刻蚀设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种干刻蚀方法和干刻蚀设备，更具体地涉及一种适用于对诸如铁电材料和贵金属之类的抗刻蚀材料进行处理的干刻蚀技术。
背景技术：
根据传统干刻蚀方法，产生高密度的等离子体，并主要使用正离子通过对衬底施加负偏压来执行刻蚀。由于铁电材料之类的抗刻蚀材料是非挥发性的并且难以刻蚀，所以刻蚀率低下，产量也很低。另外，由于反应产物的附着、处理后的材料的再附着等等问题，存在处理后的横断面具有锥形、产物附着于处理后的侧面诸如此类的情况。针对在微波等离子体刻蚀设备中对由于衬底表面上电荷的累积而导致的器件损伤进行抑制的同时难以执行高速各向异性刻蚀的问题，日本专利第2845163号公开了一种对用于放电的高频电场进行脉冲调制的布置。更具体地，日本专利第2845163号公开了这样的布置，其中以10至100 μ s的脉冲暂停时间范围来调制产生高频波的等离子体脉冲，并且对衬底侧施加不大于600kHz的低频偏压。通过使用脉冲调制后的等离子体来增加等离子体中的负离子密度并施加离子能够跟随的低频偏压，交替地将正离子和负离子注入衬底中，抑制了电荷的累积。日本专利申请公开第9-162169号提出了一种等离子体处理方法和等离子体处理设备，其防止电荷在样本表面上的累积(充电现象)，同时有效地利用负离子来实现高速处理。根据日本专利申请公开第9-162169号，在设置于压力相对较高的环境中的第一等离子体产生室内部产生了包含相对较大量的负离子的等离子体，在设置于压力相对较低的环境中的第二等离子体产生室内部产生了包含相对较大量的正离子的等离子体，将负离子和正离子引入等离子体处理室，并且通过对上述样本(衬底)施加高频交流偏压来进行等离子体处理。另外，在日本专利申请公开第9-162169号中，公开了作为施加交流偏压的设备的一种使用高频变压器的布置。通过这种方式，日本专利申请公开第9-162169号采用了这样的一种布置，其中利用对样本衬底施加高频的变压器来在将衬底电势保持在地电势的同时以高频交替改变离子吸引电压(见日本专利申请公开第9-162169号中的图1和图4)，因此与电容器耦合偏压方法相比，该布置可以更有效地吸引负离子。日本专利申请公开第2007-96256号提出了一种等离子体处理设备和等离子体处理方法，其能够在无线电频带中产生表面波下游负离子，目的在于提高刻蚀率并抑制对处理对象的损伤。根据日本专利申请公开第2007-96256号，采用了一种结构，其中将环形电源单元附接到相对介电常数不小于40且不大于200的圆柱形主体的外周表面，并且该环形电源单元的安装方式是使得整个环形电源单元置于该圆柱形主体的长度方向的一端(例如上半端)的中央。然而，在日本专利第2845163号中描述的技术中的脉冲调制等离子体通过重复等离子体的打开/关闭切换在关闭期间产生了负离子，因此与连续放电相比，负离子产生时间短。例如，如果占空比为50%，则这是连续放电时间的一半时间，并且负离子的生产效率很低。另外，尽管通过使用低频偏压来将负离子注入衬底中，然而该方法仅交替地注入正离子和负离子。为了实现高速处理，必须有效地使用负离子的反应性。然而，由于在日本专利第2845163中的布置对衬底电极采用了电容器耦合类型的匹配箱，所以不可能独立地控制DC偏压Vdc和峰峰电势差Vpp。因此，其难以通过有效吸引负离子的方式来控制电压 (偏压)。在日本专利申请公开第9-162169号中描述的技术中，用于产生负离子的等离子体源(负离子产生室)和用于产生正离子的等离子体源(正离子产生室)是独立地提供的， 因此设备布置很复杂，成本很高。另外，在日本专利申请公开第9-162169号中描述的布置采用变压器耦合偏压，但是仅仅施加高频电压(见日本专利申请公开第9-162169号中的图4)，因此不可能随意地控制Vdc。在日本专利申请公开第9-162169号中，通过等离子体电势和Vpp的值来调控Vdc。 为了在涉及放电管材料(相对介电常数)、所施加的用于放电的高频电源的频率、待刻蚀的部件的材料等的各种不同条件下以高速执行刻蚀，必须提高偏压的控制性能。日本专利申请公开第2007-96256号指定了用于放电管材料的40至200的相对介电常数，并引用K-140(相对介电常数、=140)为具体示例。然而，如日本专利申请公开第2007-96256号所述，存在这样的可能性具有高相对介电常数的材料也具有高的电介质衰耗因数(dielectric loss tangent)，并易于产生热。在实际的实践中，采用具有高相对介电常数的材料的布置是成问题的，因为经过延长的时间之后，放电所产生的热导致电介质部件断裂。更具体地说，由于相对介电常数很高，因此tan δ的值很高，因此热的产生导致电介质主体膨胀等，引起断裂。另外，日本专利申请公开第2007-96256号没有关于施加衬底偏压的具体公开。
发明内容
考虑到上述情况作出了本发明，本发明的一个目的是提供一种干刻蚀方法和设备，以便即使采用抗刻蚀材料也能提高等离子体中负离子的使用效率并且可以高速地刻蚀。本发明的另一个目的是提供一种能够简化设备构成并减小成本的干刻蚀设备。为了实现上述目的，提出了本发明的如下实现方式。为了达到上述目的，本发明的一个方面涉及一种干刻蚀方法，其包括步骤将处理气体供给真空容器的内部，并且将用于等离子体产生的高频电源供给布置在所述真空容器中的等离子体产生单元的电极，以便产生等离子体；和对衬底施加高频偏压以便执行衬底的刻蚀，所述衬底是待刻蚀部件，其中，所述刻蚀是这样执行的通过采取使用了用于偏压的高频电源和用于偏压的直流电源的布置以便施加其中叠加了高频电压和直流电压的衬底偏压，来将其中衬底偏压的自偏压Vdc不小于0伏特的高频偏压从这些电源经由变压器施加到所述衬底，与此同时执行所述刻蚀，其中所述用于偏压的高频电源被变压器耦合到所述衬底，并且所述用于偏压的直流电源被串联连接到变压器的次级侧。根据本发明的该方面，可以有效地将负离子吸引到衬底，并且由于负离子的反应性而可以高速地刻蚀。
期望的是，等离子体产生单元产生表面波等离子体。根据本发明的该方面，可以通过使用表面波等离子体在等离子体的附近生成下游区域，并且负离子的高密度产生成为可能。与日本专利第2845163号相比较，本发明可以在所有时刻而不仅仅在脉冲关闭时产生负离子。期望的是，处理气体含有卤素。使用含有卤素的气体作为处理气体的方式是期望的。期望的是，待刻蚀部件是铁电体、贵金属或者磁体。将铁电体、贵金属或者磁体等作为待刻蚀的对象进行处理的方式是尤为期望的。 利用这种类型的抗刻蚀材料，仍然可以更显著地体现出本发明带来的有益效果。为了达到上述目的，本发明的另一个方面是一种干刻蚀设备，其包括真空容器； 气体供给入口，用于将处理气体提供到真空容器中；在所述真空容器中提供的等离子体产生单元；用于等离子体产生的高频电源，其将用于等离子体产生的高频电源供给等离子体产生单元的电极；工作台，其提供在所述真空容器的内部，并且支持作为待刻蚀部件的衬底；用于偏压的高频电源，其变压器耦合到所述工作台；和用于偏压的直流电源，其串联连接到与所述用于偏压的高频电源相连的变压器的次级侧，其中，从所述用于偏压的高频电源和用于偏压的直流电源经由所述变压器对所述工作台施加衬底偏压，在所述衬底偏压中叠加了高频电压和直流电压。根据本发明的该方面，可以独立地控制衬底偏压的值Vdc和Vpp，从而改进了对偏压的控制，并且还可以施加正偏压。期望的是，衬底偏压的自偏压Vdc不小于0伏特。特别地，通过施加其中Vdc > OV的偏压，可以有效地将负离子吸引到衬底并且可以实现刻蚀率的改进。期望的是，等离子体产生单元产生表面波等离子体。期望的是，由等离子体产生单元所产生的表面波等离子体的表面波共振密度不小于 4. 1 X IO8CnT3 并且不大于 1.0X IO11CnT3t5而且，期望的是，该表面波共振密度不小于1. OX IO9CnT3并且不大于
1. OXlO11Cm-3O期望的是，用于等离子体产生的高频电源的频率在从27MHz到200MHz的范围内。从表面波共振密度的角度出发，通过使用13MHz或以上的高频波，尤其是27MHz或以上的高频波，可以甚至以相对介电常数较低的电介质部件来产生高密度的等离子体。期望的是，等离子体产生单元具有这样的配置，其中电极布置在电介质部件的外周部分上。通过从用于等离子体产生的高频电源将用于等离子体产生的高频电源提供到安装在电介质部件的外周部分上的电极，在电介质部件内部产生高密度的等离子体。期望的是，电介质部件的相对介电常数在从10到100的范围内。根据本发明的该方面，可以避免由长时间的放电所生成的热导致的电介质体的破损，并且可以提高设备的可靠性。期望的是，电介质部件是圆柱形的放电管。等离子体产生单元(等离子体源)的实现方式可以例如采用其中在圆柱形电介质体的外周部分上安装电极的布置。期望的是，在真空容器中提供了多个圆柱形的等离子体产生单元。根据本发明的该方面，可以处理大尺寸的衬底。期望的是，以在垂直于所述衬底的方向上延伸的方式来提供所述多个圆柱形的等离子体产生单元。期望的是，以在平行于所述衬底的水平方向上延伸的方式来提供所述多个圆柱形的等离子体产生单元。期望的是，以在垂直于所述衬底的方向上延伸的方式来提供所述多个等离子体产生单元中的一部分，并且以在平行于所述衬底的水平方向上延伸的方式来提供所述多个等离子体产生单元中的另外部分。期望的是，电介质部件的内表面覆盖了含有氟基的膜。根据本发明的该方面，可以抑制粒子的产生。根据关于本发明的干刻蚀方法，可以有效地将负离子吸引到衬底，并且甚至在采用抗刻蚀材料的情况下高速刻蚀也成为可能。另外，根据关于本发明的干刻蚀设备，可以独立地控制衬底偏压的Vdc和Vpp的值，并从而可以施加能够进行高速刻蚀的适当偏压。此外，根据本发明，可以简化设备构造并降低成本。
下面参照
本发明的优选实施例以及其它目的和优点，其中所有附图中相似参考符号指示相同或相似的部件，并且其中图1是关于本发明第一实施例的干刻蚀设备的示意图；图2是示出衬底偏压的电压波形示例的波形图；图3是示出通过传统电容器耦合方法施加的衬底偏压波形示例的波形图；图4是对自偏压Vdc的值与PZT的刻蚀率之间的关系进行评估的实验结果的曲线图；图5是对放电管材料与刻蚀率之间的关系进行评估的实验结果的曲线图；图6是示出放电管的相对介电常数与表面波共振密度之间的关系的曲线图；图7是关于本发明第二实施例的干刻蚀设备的示意图；图8是示出从上方观看的图7中的干刻蚀设备的平面图；图9是关于本发明第三实施例的干刻蚀设备的原理示意图；图10是关于本发明第四实施例的干刻蚀设备的原理示意图。
具体实施例方式第一实施例图1是关于本发明第一实施例的干刻蚀设备的示意图。该干刻蚀设备10包括等离子体源14 (对应于“等离子体产生单元”)，用于在真空室12 (对应于“真空容器”)中产生高密度的等离子体，该真空室12配备有能够经由排气道11排出气体的排气系统(未示出)，并且在真空室12中提供了处理气体引入口 16 (对应于“气体供应通路”)和工作台18，工作台18用于支持和固定作为待刻蚀部件(处理对象)的衬底20。等离子体源14具有这样的结构，其中在圆柱形放电管30(对应于“电介质部件”) 周围缠绕着带形网状电极32，并且带形电极32经由电源线34连接到高频电源36 (对应于 “用于等离子体产生的高频电源”)。假设下文将描述的表面波共振密度满足规定条件，则对放电管30的相对介电常数和高频电源36的频率没有特殊限制。例如，放电管由电介质体制成，并且其相对介电常数期望的是大约在3到100之间。高频电源36期望地具有从 13. 56MHz 到 200MHz 的频率。在放电管30的上部提供了处理气体引入口 16，并且沿着放电管30的轴线通过放电管30的内部将处理气体引入真空室12中。通过在供应处理气体的同时对带形电极32 提供高频电源，产生了高密度的等离子体38(表面波等离子体)。在等离子体38的下方布置了用于处理衬底20的工作台18。采用He冷却机构40 或基于冷却器42的冷却机构、或者它们的组合等(冷却剂循环液流通路结构等，在图中未示出)的衬底冷却系统与工作台18相结合。在工作台18上提供了用于支持(固定)放置在工作台18上的衬底20的机械夹具44或静电夹具。另外，为了控制供给衬底20的衬底偏压，经由变压器耦合类型的匹配箱50将高频电源52 (对应于“用于偏压的高频电源”)和DC电源54 (对应于“用于偏压的直流电源”) 与工作台18串联。如图1所示，高频电源52连接到围绕变压器56的芯57的初级绕组侧，DC电源54 经由电阻器58连接到次级绕组。通过这种布置，由叠加的高频电压和DC电压所形成的衬底偏压从高频电源52和DC电源54经由变压器56供给工作台18上的衬底20。相对于用于等离子体产生的高频电源36，用于偏压的高频电源52期望的是一个相对较低频率的电源，例如期望的是在从IOOkHz到2MHz范围内的低频电源。高频电源52 的输出波形不限于正弦波，而可以是方波或三角波等。来自高频电源52的输出和来自DC电源54的输出受到控制电路(未示出)的控制，并且可以适当地调节它们各自的输出。通过调节高频电源52的输出，可以将衬底偏压的峰峰电压(峰峰电势差)Vpp的值设置成期望的值。通过调节DC电源54的输出，可以将衬底偏压的自偏压Vdc的值设置成期望的值。以这种方式，在使用表面波等离子体的等离子体设备(干刻蚀设备)中，通过采用在衬底偏压施加单元中结合了高频电源52和DC电源54的组合的变压器耦合类型偏压施加装置，可以分别和独立地控制衬底偏压的峰峰电压Vpp和自偏压Vdc。因此，可以施加其 Vdc值等于或大于OV的衬底偏压，从而可以将正偏压施加到衬底20。通过上述布置，在表面波等离子体的下游区域中执行衬底20的刻蚀。图2是示出施加到工作台18上的衬底20的衬底偏压波形示例的曲线图。如图所示，通过施加被控制为使得Vdc是正值的一个值的衬底偏压，可以将等离子体中的负离子有效地吸引到衬底20中，并且提高了响应度。通过这种方式，可以实现刻蚀率的显著提高， 而抗刻蚀材料的高速刻蚀也成为可能。Vdc为峰峰电压Vpp的值的1/2。为进行比较，在图3中示出基于传统电容器耦合方法(例如，在日本专利第 2845163号中的方式)的衬底偏压的电压波形。如图3所示，采用传统电容器耦合偏压，Vdc 为负值，而将负离子吸引到衬底的吸引力很弱。在这个方面中，根据本发明的实施例(图1所示)，可以将Vdc控制为正值(见图2A和图2B)，从而可以显著提高负离子的使用效率。实例锆钛酸铅(PZT)的刻饨示例图4示出利用图1中所示的干刻蚀设备10执行PZT (其为铁电材料)的刻蚀的结果。图4是示出Vdc的值与PZT的刻蚀率之间的关系的曲线图。水平轴表示Vdc，垂直轴表示刻蚀率。在该示例中，通过控制DC电源54的输出电压来改变衬底偏压的DC分量(Vdc)， 并在不同条件下评估刻蚀率。另外，通过改变放置在工作台18上的衬底20与放电管30的带形电极32之间的距离Z(图1中的垂直方向上的距离)来评估刻蚀率的变化。通过借助于溅射法在一个衬底(其中已经在硅衬底上形成了 200nm厚的氧化硅膜)上形成大约200nm厚的钼(Pt)膜和大约5. 0 μ m厚的PZT膜来形成用于待刻蚀衬底20 的衬底。所用的放电管30应当具有大约10到100的相对介电常数，并且在基于图4所示实验的实例中，采用了相对介电常数大约为10的氧化铝。用于产生表面波等离子体的高频电源36应当具有大约13. 56MHz到60MHz的频率，并且在本示例中，采用60MHz的频率，输出为IOOOff0刻蚀气体应当为包括卤素的气体；例如，可以使用Cl2 (氯气)、BCl3 (三氯化硼)、 HBr (溴化氢)、SF6 (六氟化硫)、CF4 (四氟化碳)、CHF3 (三氟甲烷)、C2F6 (六氟乙烷)、C3F8 (八氟丙烷)、C4F6 (六氟丁二烯)、C4F8 (八氟环丁烷)、C5F8 (全氟环戊烯)等，或者它们的混合气体，诸如氩气之类的惰性气体，包含氧气或氮气的混合气体，等等。气体流量应当在从1 到lOOOsccm的范围内。在本示例中，采用了 SF6，流速设置为300sCCm。流速单位(sccm)代表标准状态毫升每分(Standard Cubic Centimeters per Minute)，其表示在标准状态下 (0°C, Iatm(大气压，1，013hPa))每分钟气流的体积方面的流量。引入气体时的真空度期望的是在0. 01到IOOOPa范围内，并且期望在6. 6到666Pa 的范围内。在本实例中，真空设置为53Pa。所用的衬底偏压应当具有经由变压器耦合匹配箱50(见图1)的从IOOkHz到 2MHz的高频，并且在本实验的实现中，采用了 400kHz的频率，输出为20W，Vdc被控制在从 “-100V”到“+120V”的范围内。另外，对于衬底20与带形电极32之间的距离Z采用了不同值来比较三个方式，S卩13cm、15cm和17cm。如图4清楚地所展示的，当Vdc等于或大于OV(具体地当Vdc > O时)刻蚀率显著变快。另外，随着衬底20与带形电极32之间的距离Z变得越大，相较于13cm，在15cm处并随后在17cm处，刻蚀率变得越快。这是因为在下游区域中产生了大量负离子，并且与电极的更大距离意味着可以更有效地将负离子用于刻蚀。然而，如果距离过大，则刻蚀率下降。因此，根据与电极的距离， 存在刻蚀率的最佳值。图4示出PZT的刻蚀结果，并证实了当施加本发明实施例时所实现的优良特性，但是本发明不限于仅使用PZT，对其他抗刻蚀材料也是有效的。作为抗刻蚀材料，除了 PZT外， 可以采用 PZTN :Pb (ZR, Ti) Nb2O8，PLZT (Pb, La)，(ZR, Ti) O3 或者 BST (Ba, Sr) TiO3, SRO SrTiO3, BTO =BaTiO3, ZnO, ZrO2，诸如 Pt、Ru、RuO2, Ir、IrO2, Au 之类的贵金属，或者磁性材料。放电管的相对介电常数与刻蚀率之间的关系
图5示出研究出的放电管的材料与刻蚀率之间的关系。图5示出比较了使用多个具有不同相对介电常数的放电管的各个情况下(这里给出三个不同放电管作为示例)的硅刻蚀率的结果。在该实验中，分别采用相对介电常数为“45”的高介电常数材料、相对介电常数为“8. 2”的氧化铝、和相对介电常数为“3. 8”的石英来刻蚀硅。关于刻蚀硅衬底的条件，用于产生表面波等离子体的高频电源应当具有大约 13. 56MHz到60MHz的频率，并且在本实验的实现中，采用了 60MHz的频率，输出为150W。刻蚀气体应当为卤素气体，例如，可以使用Cl2 (氯气)、BCl3 (三氯化硼)、HBr (溴化氢)、SF6 (六氟化硫)、CF4 (四氟化碳)、CHF3 (三氟甲烷)、C2F6 (六氟乙烷)、C3F8 (八氟丙烷)、C4F6 (六氟丁二烯)、C4F8 (八氟环丁烷)、C5F8 (全氟环戊烯)等，或者它们的混合气体，诸如氩气之类的惰性气体，包含氧气或氮气的混合气体，等等。在本实验中，采用SF6的流速设置为75sCCm ；在该情况下真空度应当为6. 6到666Pa，并且在本实验中，真空度设置为 20Pa。所用的衬底偏压应当具有经由变压器耦合匹配箱50 (见图1)的IOOkHz到2MHz 的高频，并且在本实验的实现中，采用了 400kHz的频率，输出为10W，Vdc被控制到120V。另外，从衬底20到放电管30的带形电极32的距离Z设置为15cm。如图5清楚地所展示的，相对介电常数为45的高介电常数放电管比其它放电管具有更好的硅刻蚀率。这里所用的高介电常数材料(相对介电常数45)的主要成分是La、Al、 Ca和Ti的氧化物。如图5所示，当在60MHz下产生高频等离子体时的放电管的相对介电常数越高，刻蚀率越快。如果放电管30的相对介电常数低，比如在石英情况下，刻蚀率不是很高。期望的是采用至少具有如氧化铝(相对介电常数8. 2)的相对介电常数或者以上的材料制成的放电管。另一方面，如果采用相对介电常数为100或以上的放电管，电介质耗散因数的值很高，出现由于热产生而导致的破损，因此从可靠性角度出发，期望的是放电管具有不超过 100的相对介电常数。根据上面的研究结果，放电管的相对介电常数期望的是在大约10到 100的范围内，更优选的是在20到60的范围内。用于等离子体产生(用于放电)的高频电源的频率与放电管的相对介电常数之间的关系这里，将描述用于等离子体产生的高频电源的频率与放电管的相对介电常数之间的关系。一般而言，在相对介电常数为ε的介质中传播的电磁波的相速由公式1给出。公式权利要求
1.一种干刻蚀方法，包括步骤将处理气体供给真空容器的内部，并且将用于等离子体产生的高频电源供给布置在所述真空容器中的等离子体产生单元的电极，以便产生等离子体；和对衬底施加高频偏压以便执行衬底的刻蚀，所述衬底是待刻蚀部件， 其中，所述刻蚀是这样执行的通过采取使用了用于偏压的高频电源和用于偏压的直流电源的布置以便施加其中叠加了高频电压和直流电压的衬底偏压，来将其中衬底偏压的自偏压Vdc不小于0伏特的高频偏压从这些电源经由变压器施加到所述衬底，与此同时执行所述刻蚀，其中所述用于偏压的高频电源被变压器耦合到所述衬底，并且所述用于偏压的直流电源被串联连接到变压器的次级侧。
2.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其中所述等离子体产生单元产生表面波等离子体。
3.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其中所述处理气体含有卤素。
4.如权利要求1所述的干刻蚀方法，其中所述待刻蚀部件是铁电体、贵金属或者磁体。
5.一种干刻蚀设备，包括真空容器；气体供给入口，用于将处理气体提供到真空容器中； 在所述真空容器中提供的等离子体产生单元；用于等离子体产生的高频电源，其将用于等离子体产生的高频电源供给等离子体产生单元的电极；工作台，其提供在所述真空容器的内部，并且支持作为待刻蚀部件的衬底； 用于偏压的高频电源，其变压器耦合到所述工作台；和用于偏压的直流电源，其串联连接到与所述用于偏压的高频电源相连的变压器的次级侧，其中，从所述用于偏压的高频电源和用于偏压的直流电源经由所述变压器对所述工作台施加衬底偏压，在所述衬底偏压中叠加了高频电压和直流电压。
6.如权利要求5所述的干刻蚀设备，其中所述衬底偏压的自偏压Vdc不小于0伏特。
7.如权利要求5所述的干刻蚀设备，其中所述等离子体产生单元产生表面波等离子体。
8.如权利要求7所述的干刻蚀设备，其中由所述等离子体产生单元所产生的表面波等离子体的表面波共振密度不小于4. IXlO8CnT3并且不大于LoXio11CmA
9.如权利要求5所述的干刻蚀设备，其中所述用于等离子体产生的高频电源的频率在从27MHz到200MHz的范围内。
10.如权利要求5所述的干刻蚀设备，其中所述等离子体产生单元具有这样的配置，其中所述电极布置在电介质部件的外周部分上。
11.如权利要求10所述的干刻蚀设备，其中所述电介质部件的相对介电常数在从10到 100的范围内。
12.如权利要求10所述的干刻蚀设备，其中所述电介质部件是圆柱形的放电管。
13.如权利要求12所述的干刻蚀设备，其中在所述真空容器中提供了多个圆柱形的等离子体产生单元。
14.如权利要求13所述的干刻蚀设备，其中以在垂直于所述衬底的方向上延伸的方式来提供所述多个圆柱形的等离子体产生单元。
15.如权利要求13所述的干刻蚀设备，其中以在平行于所述衬底的水平方向上延伸的方式来提供所述多个圆柱形的等离子体产生单元。
16.如权利要求13所述的干刻蚀设备，其中以在垂直于所述衬底的方向上延伸的方式来提供多个等离子体产生单元中的一部分，并且以在平行于所述衬底的水平方向上延伸的方式来提供多个等离子体产生单元中的另外部分。
17.如权利要求5所述的干刻蚀设备，其中所述电介质部件的内表面覆盖了含有氟基的膜。
全文摘要
本发明涉及一种干刻蚀方法和干刻蚀设备，该干刻蚀方法包括步骤将处理气体供给真空容器的内部，并且将用于等离子体产生的高频电源供给布置在所述真空容器中的等离子体产生单元的电极，以便产生等离子体；和对衬底施加高频偏压以便执行衬底的刻蚀，所述衬底是待刻蚀部件，其中，所述刻蚀是这样执行的通过采取使用了用于偏压的高频电源和用于偏压的直流电源的布置以便施加其中叠加了高频电压和直流电压的衬底偏压，来将其中衬底偏压的自偏压Vdc不小于0伏特的高频偏压从这些电源经由变压器施加到所述衬底，与此同时执行所述刻蚀，其中所述用于偏压的高频电源被变压器耦合到所述衬底，并且所述用于偏压的直流电源被串联连接到变压器的次级侧。
文档编号H01L21/3065GK102222612SQ20111009299
公开日2011年10月19日 申请日期2011年4月13日 优先权日2010年4月13日
发明者进藤春雄, 高桥秀治 申请人:学校法人东海大学, 富士胶片株式会社