发光二极管封装结构的制作方法

文档序号:6999751阅读:224来源:国知局
专利名称:发光二极管封装结构的制作方法
技术领域
本发明涉及一种发光二极管封装结构。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点,从而可作为光源而广泛应用于照明领域。请参阅图1,其为现有技术中的一种发光二极管封装结构示意图。发光二极管封装结构100通常包括一基板110、设置在基板110上的多个发光二极管120以及覆盖在该多个发光二极管120上的封装层130。在一般情况下,多个发光二极管120为矩阵排列,但是由于发光二极管封装结构100的光强分布呈傅里叶积分分布,其中心区域的光强要大于边缘 区域的光强,因此这种结构的发光二极管封装结构100具有出光强度不均匀的问题。

发明内容
有鉴于此,有必要提供一种出光均匀的发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构,其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组。所述第一发光模组包括多个第一发光二极管,所述第二发光模组包括多个第二发光二极管。所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度。上述的发光二极管封装结构将高出光强度的发光二极管围绕低出光强度的发光二极管设置,从而避免传统发光二极管封装结构的中间出光强度高,边缘出光强度低的现象,使整个发光二极管封装结构出光均匀。


图I为现有技术中的发光二极管封装结构的俯视图。图2为本发明第一实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。图3为沿图2中所示的发光二极管封装结构的II-II方向的剖面图。图4为本发明第二实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。图5为本发明第三实施方式中的发光二极管封装结构的俯视图。主要元件符号说明
发光二极管封装结构 1100、200、300、400 —
基板110,210
发光二极管i—
封装层_130.240_
第一发光模组220
第二发光模组230
第三发光模组250
顶面|21权利要求
1.一种发光二极管封装结构,其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组,所述第一发光模组包括多个第一发光二极管,所述第二发光模组包括多个第二发光二极管,其特征在于所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度。
2.如权利要求I所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述第二发光二极管的功率大于所述第一发光二极管的功率。
3.如权利要求I所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述第二发光二极管的出光面积大于所述第一发光二极管的出光面积。
4.如权利要求I所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述发光二极管封装结构还包括一第三发光模组,所述第三发光模组包括多个第三发光二极管,所述多个第三发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且位于第一发光二极管与第二发光二极管之间。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述第三发光二极管的出光强度大于第一发光二极管的出光强度,而小于第二发光二极管的出光强度。
6.如权利要求I所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述基板上还开设形成一容置杯,所述第一发光模组和第二发光模组设置在所述容置杯中。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述容置杯的底面上设置有导电线路,所述第一发光二极管及所述第二发光二极管为表面贴装型器件,其电极引脚通过导电线路电性连接到外部电源上。
8.如权利要求6所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述发光二极管封装结构还包括一封装层,所述封装层填充于基板的容置杯中并覆盖所述第一发光模组和第二发光模组。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述封装层的内部还包含有荧光粉,所述荧光粉选自钇铝石榴石、铽钇铝石榴石及硅酸盐中的一种或几种的组合。
10.如权利要求I所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述第二发光模组中相邻的第二发光二极管之间的间距小于所述第一发光模组中相邻的第一发光二极管单元之间的间距。
全文摘要
一种发光二极管封装结构,其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组。所述第一发光模组包括多个第一发光二极管,所述第二发光模组包括多个第二发光二极管。所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置,并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度。本发明的发光二极管封装结构通过将高出光强度的发光二极管围绕低出光强度的发光二极管设置,避免传统发光二极管封装结构的中间出光强度高,边缘出光强度低的现象,使整个发光二极管封装结构出光均匀。
文档编号H01L25/075GK102760817SQ20111010676
公开日2012年10月31日 申请日期2011年4月27日 优先权日2011年4月27日
发明者蔡明达, 陈靖中 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
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