专利名称：一种复晶电容器的制作方法与结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于制造沟渠电容器的方法，尤其是一种用于制造沟渠电容器的方法。
背景技术：
本发明提供一种复晶电容器的制作方法与结构。首先，提供一基底，其上具有至少一预定的电容器区域，且基底包含有复数个第一层金属导线，一第一内金属介电层系覆盖第一层金属导线，以及复数个第一导体插塞系贯穿第一内金属介电层以分别与该复数个第一层金属导线电连接。然后，于第一内金属介电层表面上定义形成复数个第二层复晶矽导线，使复数个第二层复晶矽导线分别位于复数个第一导体插塞顶部，其中位于电容器区域内之第二层复晶矽导线系用作为一复晶矽下电极板。接着，于第一内金属介电层与复数个 第二层复晶砂导线之曝露表面上形成一电容介电层。随后，于电容介电层表面上定义形成一复晶矽上电极板，使复晶矽上电极板位于电容器区域内且位于复晶矽下电极板上方。如此，即形成了复晶电容器。
发明内容
针对上述问题，本发明提供一种用于制造沟渠电容器的方法。本发明提供一种复晶电容器的制作方法与结构。首先，提供一基底，其上具有至少一预定的电容器区域，且基底包含有复数个第一层金属导线，一第一内金属介电层系覆盖第一层金属导线，以及复数个第一导体插塞系贯穿第一内金属介电层以分别与该复数个第一层金属导线电连接。然后，于第一内金属介电层表面上定义形成复数个第二层复晶矽导线，使复数个第二层复晶矽导线分别位于复数个第一导体插塞顶部，其中位于电容器区域内之第二层复晶矽导线系用作为一复晶矽下电极板。接着，于第一内金属介电层与复数个第二层复晶砂导线之曝露表面上形成一电容介电层。随后，于电容介电层表面上定义形成一复晶矽上电极板，使复晶矽上电极板位于电容器区域内且位于复晶矽下电极板上方。如此，即形成了复晶电容器。
具体实施例方式本发明提供一种复晶电容器的制作方法与结构。首先，提供一基底，其上具有至少一预定的电容器区域，且基底包含有复数个第一层金属导线，一第一内金属介电层系覆盖第一层金属导线，以及复数个第一导体插塞系贯穿第一内金属介电层以分别与该复数个第一层金属导线电连接。然后，于第一内金属介电层表面上定义形成复数个第二层复晶矽导线，使复数个第二层复晶矽导线分别位于复数个第一导体插塞顶部，其中位于电容器区域内之第二层复晶矽导线系用作为一复晶矽下电极板。接着，于第一内金属介电层与复数个第二层复晶砂导线之曝露表面上形成一电容介电层。随后，于电容介电层表面上定义形成一复晶矽上电极板，使复晶矽上电极板位于电容器区域内且位于复晶矽下电极板上方。如此，即形成了复晶电容器。一种复晶电容器的制作方法，其至少包括下列步骤提供一基底，其上具有至少一预定的电容器区域，且该基底包含有复数个第一层金属导线，一第一内金属介电层系覆盖该复数个第一层金属导线，以及复数个第一导体插塞系贯穿该第一内金属介电层以分别与该复数个第一层金属导线电连接；于该第一内金属介电层表面上定义形成复数个第二层复晶矽导线，该复数个第二层复晶矽导线系分别位于该复数个第一导体插塞顶部，其中位于该电容器区域内之该第二层复晶矽导线系用作为一复晶矽下电极板；于该第一内金属介电层与该复数个第二层复晶矽导线之曝露表面上形成一电容介电层；以及于该电容介电层表面上定义形成一复晶矽上电极板，该复晶矽上电极板系位于该电容器区域内且位于该复晶矽下电极板上方，其中该电容介电层的制作方法至少包括下列步骤于该第一内金属介电 层与该复数个第二层复晶矽导线之曝露表面上形成一绝缘层；于该绝缘层表面上形成一第二内金属介电层；以及对该第二内金属介电层施以平坦化处理，直至曝露出位于该第二层复晶矽导线顶部之绝缘层，则该绝缘层系用作为该复晶电容器之介电层。
权利要求
1.一种复晶电容器的制作方法，其至少包括下列步骤提供一基底，其上具有至少一预定的电容器区域，且该基底包含有复数个第一层金属导线，一第一内金属介电层系覆盖该复数个第一层金属导线，以及复数个第一导体插塞系贯穿该第一内金属介电层以分别与该复数个第一层金属导线电连接；于该第一内金属介电层表面上定义形成复数个第二层复晶矽导线，该复数个第二层复晶矽导线系分别位于该复数个第一导体插塞顶部，其中位于该电容器区域内之该第二层复晶矽导线系用作为一复晶矽下电极板；于该第一内金属介电层与该复数个第二层复晶矽导线之曝露表面上形成一电容介电层；以及于该电容介电层表面上定义形成一复晶矽上电极板，该复晶矽上电极板系位于该电容器区域内且位于该复晶矽下电极板上方。
全文摘要
本发明提供一种复晶电容器的制作方法与结构。首先，提供一基底，其上具有至少一预定的电容器区域，且基底包含有复数个第一层金属导线，一第一内金属介电层系覆盖第一层金属导线，以及复数个第一导体插塞系贯穿第一内金属介电层以分别与该复数个第一层金属导线电连接。然后，于第一内金属介电层表面上定义形成复数个第二层复晶矽导线，使复数个第二层复晶矽导线分别位于复数个第一导体插塞顶部，其中位于电容器区域内之第二层复晶矽导线系用作为一复晶矽下电极板。接着，于第一内金属介电层与复数个第二层复晶矽导线之曝露表面上形成一电容介电层。随后，于电容介电层表面上定义形成一复晶矽上电极板，使复晶矽上电极板位于电容器区域内且位于复晶矽下电极板上方。如此，即形成了复晶电容器。
文档编号H01L29/92GK102789963SQ20111012514
公开日2012年11月21日 申请日期2011年5月16日 优先权日2011年5月16日
发明者颜欢 申请人:吴江华诚复合材料科技有限公司