专利名称：一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的制造方法，尤其涉及一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的制造方法。
背景技术：
有源矩阵型有机发光二极管(ActiveMatrix/Organic Light Emitting Diode，缩写为AMOLED)器件是一种新型的平板显示器件。传统的液晶显示器(IXD)，自身不能发光， 需要背光源。而有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件本身具有发光功能，是一种自发光器件，因此，有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件比LCD更能够做得轻薄，而且更省电。另外，有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。当以有源矩阵方式来驱动具有TFT的OLED时，通过施加相对较低的电流就可以在各像素处获得相同的亮度，因此，AMOLED器件功耗低、分辨率高，并且其产品也可以具有较大的尺寸。目前，现有技术在制造有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件时，先沉积形成平坦层后再形成阳极，这样OLED自身产生的光线从阳极向下必须穿过平坦层，容易发生光黄化的现象，导致AMOLED器件出现色偏问题，因此会影响AMOLED器件的成像质量。有鉴于此，如何设计一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的制造方法， 可以避免光线从阳极穿过平坦层产生的黄化现象，以消除由此导致的色偏问题，是业内人士亟需解决的问题。
发明内容
针对现有技术中制造的有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件，光线从阳极向下需穿过平坦层会发生黄化现象，造成色偏问题，本发明提供了一种有源矩阵型有机发光二极管(AMOLED)器件的制造方法。根据本发明的一个方面，提供了一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；通过第三构图工艺暴露出像素区的第一金属层， 同时对半导体层与沟道保护层进行构图；继续沉积第二金属层以形成源/漏极；通过第四构图工艺暴露出阳极；接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出阳极。优选地，在步骤a中同时形成存储电容的下电极。优选地，在步骤d中同时形成存储电容的上电极。优选地，第一构图工艺可以采用光刻蚀或铝酸与草酸刻蚀。优选地，第二构图工艺可以同时采用光刻蚀、干刻蚀与草酸刻蚀，也可以只采用干刻蚀。
优选地，第三 构图工艺可以采用光刻蚀或干刻蚀。优选地，第四与第五第一构图工艺可以采用湿刻蚀。优选地，步骤e与f之间更包括沉积钝化层的步骤。优选地，第一金属层可以由金属铝、钼或它们的组合制成。优选地，可以同时形成金属接触区及焊盘区。本发明的优点是有源矩阵型有机发光二极管器件像素区的ITO膜先于平坦层沉积，所以形成的阳极位于平坦层下面，当光从阳极向下运行时就无需穿过平坦层，因此避免了经过平坦层发生黄化而导致的色偏问题。另外，减少了制作工序，方便制程。
读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式
以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，图1示出了现有技术制得的有源矩阵型有机发光二极管器件的剖面图；图2 6示出了依据本发明的一个实施例制得的有源矩阵型有机发光二极管器件各个阶段的剖面图。图7 13示出了依据本发明的另一个实施例制得的有源矩阵型有机发光二极管器件各个阶段的剖面图。
具体实施例方式下面参照附图，对本发明的具体实施方式
作进一步的详细描述。图1示出了现有技术制得的有源矩阵型有机发光二极管器件的剖面图。参照图1， 平坦层10制作时位于阳极20的下面，当来自于发光层(未标示)的光经过阳极20向下， 此时必须穿过平坦层10，会发生光黄化现象，由此导致有源矩阵型有机发光二极管器件的色偏问题，从而会影响有源矩阵型有机发光二极管器件的成像质量。图2 6示出了依据本发明的一个实施例制得的有源矩阵型有机发光二极管器件各个阶段的剖面图。在以下的说明中，本发明所提到的构工艺包括刻胶涂覆、掩膜、曝光、刻蚀等工艺。首先参照图2，采用磁控溅射法或热蒸发法在基板100上依次沉积ITO膜110与第一金属层120。基板100可以是玻璃基板，第一金属层120由金属铝、钼或它们的组合制成。接着参照图3，通过第一次构图工艺对第一金属层120和ITO膜110进行构图，从图3可以看出，在基板100上的开关TFT区1、像素区2及存储电容区3分别形成栅极121、 阳极111及下电极122，同时还可以在走线区4与焊盘区5形成相应的图形。本实施例中， 第一次构图工艺中采用的是光刻蚀，在另外的实施例中，可以采用铝酸与草酸刻蚀。继续参照图4，在完成图3所示图像的基板100上，接着采用等离子体强化学气相沉积(PECVA)方法依次沉积栅绝缘层130、半导体材料140及保护膜材料150，形成如图4 所示图像。其中，栅绝缘层130可以采用二氧化硅材料，半导体材料140可以是透明非结晶氧化物 IGZO(In-Ga-Zn-O)。接下来参照图5，然后借助第二构图工艺对栅绝缘层130、半导体材料(未标示) 及保护膜材料(未标示)进行构图。本实施例中，第二构图工艺中采用干刻蚀。如图5所示，经过第二构图工艺后，栅绝缘层130覆盖于整个基板100，开关TFT区1以外的半导体材料与保护膜材料被完全刻蚀掉，只剩下TFT区1留有半导体材料与保护膜材料形成半导体层141与沟道保护层151。图 6为本发明中有源矩阵型有机发光二极管器件经过第三次构图工艺后的剖面图。接着前面的步骤，在完成图5所示图像的基板100上，通过第三构图工艺对开关TFT区 1的半导体层141与沟道保护层151进行构图，同时对像素区进行构图。其中，第三构图工艺采用光刻蚀，另外的实施例中还可以采用干刻蚀。从图6可以看出，经过第三构图工艺后，沟道保护层151窄于半导体层141，像素区2的栅绝缘层被刻蚀掉，暴露出第一金属层 120。同时焊盘区5的栅绝缘层也被刻蚀掉。现在参照图7，接着上面的步骤，在完成图6所示图像的基板100上，继续沉积第二金属层160，形成如图7所示图像。其中第二金属层160可以用金属铝、钼或者它们的组合制成。图8为本发明中有源矩阵型有机发光二极管器件经过第四次构图工艺后的剖面图。接着前述步骤，利用第四构图工艺对第二金属层160进行构图。从图8可以看出，经过第四构图工艺后，在开关TFT区1与存储电容区3分别形成源极161、漏极162与上电极 163，同时还可以形成走线区4与焊盘区5相应的图形。另外，位于像素区2的栅绝缘层130 也通过第四构图工艺被同时刻蚀掉，暴露出阳极111。图9为本发明中有源矩阵型有机发光二极管器件经过第五次构图工艺后的剖面图。在完成图8所示图像的基板100上，继续沉积平坦层170，然后通过第五构图工艺对平坦层进行构图，形成如图9所示结构。从图9可以看出，经过第五次构图工艺后，像素区2 的平坦层被刻蚀掉，完全暴露出阳极111。因此，当光线从阳极出来就不需经过平坦层，可以避免黄化现象而造成的色偏问题。同时，焊盘区的平坦层也被刻蚀掉，方便焊接。图10 13示出了依据本发明另一个实施例制得的有源矩阵型有机发光二极管器件部分阶段的剖面图。本实施例中，前面的制作步骤与上一个实施例相同，不同的是，在经过第四次构图工艺后完成的图像上沉积一层钝化层180，如图10所示，钝化层180完全覆盖于整个基板上。这样在源极161、漏极162及上电极163与平坦层170之间夹有一层钝化层，可以防潮，进一步增加开关TFT的稳定性。接着参照图11，在完成图10所示的图形后，继续沉积平坦层170，形成如图11所示图像，整个基板上覆盖着平坦层170。然后参照图12，接着通过第五构图工艺对上面完成的图形进行构图，将像素区2 处的平坦层170刻蚀，并同时将焊盘区5处的平坦层170—起刻蚀掉。从图12可以看出， 经过第五次构图工艺后，像素区2的平坦层170被刻蚀掉。最后参照图13，在完成图12所示的图形后，继续对像素区2的钝化层180进行刻蚀，同时对焊盘区5处的钝化层180进行刻蚀。此次刻蚀不需要掩膜，而是通过等离子刻蚀。 从图13可以看出，经过等离子刻蚀后，像素区2的钝化层180被刻蚀，完全暴露出阳极111。 因此，当光从阳极111出来时，并没有经过平坦层170，所以不会出现黄化现象，这就避免了色偏问题。采用本发明时，因为有源矩阵型有机发光二极管器件像素区的ITO膜先于平坦层沉积，所以形成的阳极位于平坦层下面，当光从阳极向下运行时就不存在穿过平坦层的问题，因此避免了经过平坦层发生黄化导致的色偏问题。另外，减少了制作工序，方便制程。
上文中，参照附图描述了本发明的具体实施方式
。但是，本领域中的普通技术人员能够理解， 在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的具体实施方式
作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
权利要求
1.一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤a在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形； b接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；c通过第三构图工艺暴露出像素区的所述第一金属层，同时对所述半导体层与沟道保护层进行构图；d继续沉积第二金属层以形成源/漏极； e通过第四构图工艺暴露出所述阳极；以及 f接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出所述阳极。
2.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤a中同时形成存储电容的下电极。
3.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤d中同时形成所述存储电容的上电极。
4.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第一构图工艺可以采用光刻蚀或铝酸与草酸刻蚀。
5.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第二构图工艺可以同时采用光刻蚀、干刻蚀及草酸刻蚀，也可以只采用干刻蚀。
6.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第三构图工艺可以采用光刻蚀或干刻蚀。
7.如权利要求6所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第四构图工艺与所述第五构图工艺可以采用湿刻蚀。
8.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述步骤e与f之间更包括沉积钝化层的步骤。
9.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第一金属层可以由金属铝、钼或它们的组合制成。
10.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，可以同时形成金属接触区及焊盘区的图形。
全文摘要
本发明提供了一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，包括在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；通过第三构图工艺暴露出像素区的第一金属层，同时对半导体层与沟道保护层进行构图；继续沉积第二金属层以形成源/漏极；通过第四构图工艺暴露出阳极；接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出阳极。采用本发明可以避免色偏问题，并且可以节省工序，方便制程。
文档编号H01L51/56GK102222780SQ20111015198
公开日2011年10月19日 申请日期2011年6月1日 优先权日2011年6月1日
发明者丁宏哲, 吕学兴, 李刘中, 陈佳榆 申请人:友达光电股份有限公司