专利名称：一种有机发光二极管器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)器件的制造方法，尤其涉及一种利用喷墨印刷工艺的有机发光二极管(AMOLED)器件的制造方法。
背景技术：
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，缩写为0LED)器件是一种新型的平板显示器件。传统的液晶显示器(LCD)，自身不能发光，需要背光源。而有机发光二极管(OLED)器件本身具有发光功能，是一种自发光器件，因此，有机发光二极管(OLED)器件比LCD更能够做得轻薄，而且更省电。另外，有机发光二极管(AMOLED)器件具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。传统的有机发光二极管(OLED)器件的制程中，因为需要以黄光制成制作挡墙，制作成本较高且同时存在渣滓残留问题。在像素区内喷涂有机发光层时，需要重复操作多次， 有机发光层的均勻性不容易控制，会出现对位不准确，颜色间会混合模糊，有点部分没有填满，有点地方填得嫌多导致中凸等现象，由此会影响有机发光二极管(OLED)器件的成像质量。有鉴于此，如何设计一种有机发光二极管(OLED)器件的制造方法，既可以避免渣滓的残留问题，又可以很好地控制有机发光层的均勻性，是业内人士亟需解决的问题。
发明内容
针对现有技术中制造的有机发光二极管(OLED)器件，渣滓的残留问题和不容易控制有机发光层的均勻性而引起的混色、部分未填满、中凸等问题，本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)器件的制造方法。根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤提供一绝缘基板，在基板上沉积无机层；采用构图工艺对无机层进行构图；继续沉积ITO膜；在ITO膜上沉积平坦层，并采用构图工艺对平坦层进行构图，以形成第一凹陷与第二凹陷；依次沉积空穴注入层和空穴传输层；通过喷墨印刷工艺于第一凹陷内形成挡墙；通过喷墨印刷工艺于第二凹陷内形成发光层。优选地，在所述挡墙的制作材料为一种含氟涂料树脂。优选地，空穴传输层与空穴注入层的制作材料为PED0T-PSS。优选地，无机层的制作材料为金属钛或铝。优选地，平坦层的材料可以和挡墙相同。优选地，挡墙高于空穴传输层。优选地，第一凹陷对应于无机层。优选地，挡墙将发光层隔开。优选地，空穴传输层可以通过热处理进行固化。本发明的优点是通过喷墨印刷工艺在空穴注入层(HIL)与空穴传输层(HTL)的上方制作挡墙，可以提高材料的利用率并避免渣滓的残留问题，另外利用喷墨印刷工艺形成有机发光层时，可以很好地控制有机发光层的均勻性，避免了对位不准确、混色、部分为填满、中凸等问题。
读者在参照附图阅读了本发明的具体实施方式
以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，图1示出了以现有技术制造的有机发光二极管器件的剖面图；图2示出了依据本发明制造的有机发光二极管器件的剖面图。
具体实施例方式下面参照附图，对本发明的具体实施方式
作进一步的详细描述。图1示出了以现有技术制造的有机发光二极管器件的剖面图。参照图1，挡墙110 通过沉积和光刻的方式形成在基板100上，此过程是通过黄光制程制作，成本较高，另外因为制成挡墙110时刻蚀掉一部分材料，所以材料利用率较低，并且会有残渣存留问题。然后通过喷嘴11在相邻两个挡墙Iio之间进行喷涂形成空穴注入层120和空穴传输层130。接着通过喷嘴11朝向空穴传输层130进行喷涂有机材料以形成有机发光层(未标示)。此种制造方式，在像素区内用喷嘴11喷射形成像素区时，因为需要反复喷射几次，所以发光层的均勻性不容易控制，会出现对位不准确、混色、部分未填满、中凸等现象。图2示出了依据本发明制造的有机发光二极管器件的剖面图。在以下的说明中， 本发明所提到的构图工艺包括刻胶涂覆、掩膜、曝光、刻蚀等工艺。参照图2，首先在绝缘基板200上沉积无机层210，并通过构图工艺对无机层210进行构图，形成图2所示图案。本实施例中，绝缘基板200是一玻璃基板。无机层210可以用金属钛、铝或它们的组合制成。 然后在形成的图形上沉积ITO膜220，此时会在相邻无机层210之间形成一第一凹陷221。 接着在上述图形上继续沉积平坦层230，并利用构图工艺对平坦层230进行刻蚀，保留有无机层210与ITO膜220相交接处对应的周围的平坦层230，这样与无机层210相对应的相邻平坦层230之间形成第二凹陷231。继续存在图2，随后依次在前面形成的图形上沉积空穴注入层240与空穴传输层 250。然后藉由喷墨印刷工艺用喷嘴21于第二凹陷231内喷射含氟涂料树脂，以形成挡墙 251，挡墙251填满第二凹陷231并高出其周围的空穴传输层250。因为空穴注入层240与空穴传输层250以共同层的状态存在，且挡墙251利用喷墨印刷工艺喷射于第二凹陷231 内形成于空穴注入层240与空穴传输层250的上方，这样就克服了因通过黄光刻蚀制成挡墙时材料利用率不高，且会产生渣滓残留的问题。接着采用喷墨印刷工艺于第一凹陷221 内喷射有机材料以形成发光层(未标示)，发光层被挡墙251分割成多个像素区。因为发光层是藉由喷墨印刷工艺喷射于第一凹槽221内形成的，这样就可以很好地控制发光层均勻性，避免了对位不准确、混色、部分未填满、中凸等问题。采用本发明时，因为挡墙是采用喷墨印刷工艺形成于空穴注入层与空穴传输层上方的，这样就克服了利用黄光制作时导致的eclipse利用率低以及渣滓残留问题，并且利用喷墨印刷工艺将有机材料喷射于凹陷内，避免了喷射时对位不准确、混色、部分未填满、中凸等问题，从而可以更好地控制有机发光层的均勻性。 上文中，参照附图描述了本发明的具体实施方式
。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的具体实施方式
作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
权利要求
1.一种有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，包括下列步骤 a提供一绝缘基板，在所述基板上沉积无机层；b采用构图工艺对所述无机层进行构图； c继续沉积ITO膜，同时形成第一凹陷；d在所述ITO膜上沉积平坦层，并采用构图工艺对所述平坦层进行构图，以形成第二凹陷；e依次沉积空穴注入层和空穴传输层； f通过喷墨印刷工艺于所述第二凹陷内形成挡墙；以及 g通过喷墨印刷工艺于所述第一凹陷内形成发光层。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，在所述挡墙的制作材料为一种含氟涂料树脂。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述空穴传输层与所述空穴注入层的制作材料为PED0T-PSS。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述无机层的制作材料为金属钛或铝。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述平坦层的材料可以和所述挡墙相同。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述挡墙高于所述空穴传输层。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述第二凹陷对应于所述无机层。
8.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述挡墙将所述发光层隔开。
9.如权利要求1所述的有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，其特征在于，所述空穴传输层可以通过热处理进行固化。
全文摘要
本发明提供了一种有机发光二极管器件的制造方法，包括提供一绝缘基板，在基板上沉积无机层；采用构图工艺对无机层进行构图；继续沉积ITO膜，同时形成第一凹陷；在ITO膜上沉积平坦层，并采用构图工艺对平坦层进行构图，以形成第二凹陷；依次沉积空穴注入层和空穴传输层；通过喷墨印刷工艺于第二凹陷内形成挡墙；通过喷墨印刷工艺于第一凹陷内形成发光层。采用本发明可以避免渣滓问题，并且可以很好地控制发光层的均匀性。
文档编号H01L51/56GK102222779SQ20111015197
公开日2011年10月19日 申请日期2011年6月1日 优先权日2011年6月1日
发明者卢昶鸣, 蔡纶, 陈之磊, 陈鹏聿 申请人:友达光电股份有限公司