一种整体基体表面的半导体引线框架的制作方法

文档序号:7003837阅读:152来源:国知局
专利名称:一种整体基体表面的半导体引线框架的制作方法
技术领域
本发明提供了一种整体基体表面的半导体引线框架。
背景技术
随着电子行业的发展,半导体器件的芯片越来越大。这就要求引线框架的基面相应加大,然而目前芯片的基面是无法满足的大型半导体芯片的需求。

发明内容
本发明提供了一种整体基体表面的半导体引线框架,它适用范围广,满足大型器件的封装要求。本发明采用了以下技术方案一种整体基体表面的半导体引线框架,它包括框架体,所述的框架体由若干单片组成,每个单片的上部设置为整体基体,下部为引线脚组合, 在每个单片的引线脚组合之间设有定位孔,各单片通过连接筋相互连接形成框架体。所述的单片为KFC铜带。所述的框架体由10个单片组成,10个单片组成的框架长度为170mm,宽度为35. 8mm。所述的整体基体表面的尺寸为13mmX 13mm,平面度为0. 05mm, 厚度都为2mm。所述的引线脚组合的厚度为0.6mm,公差为士0. 01mm,引线脚组合包括三只引脚,三只引脚向外折弯的厚度为2. 5mm。本发明具有以下有益效果本发明设有整体基体,这样可以扩大适用范围,可以满足大型器件的封装要求。


图1为本发明的结构示意图
具体实施例方式在图1中,本发明提供了一种整体基体表面的半导体引线框架,它包括框架体1, 框架体1由10个单片组成,单片由KFC铜带依次经冲压、表面处理和切断成形制成,10个单片组成的框架长度为170mm,公差为士0. 15mm,宽度为35. 8mm,每个单片的上部设置为整体基体2,整体基体2表面的尺寸为13mmX13mm,平面度为0. 05mm,厚度都为2mm,公差为士0. 015mm,下部为引线脚组合3,引线脚组合3的厚度为0. 6mm,公差为士0. 01mm,引线脚组合3包括三只引脚,三只引脚向外折弯的厚度为2. 5mm,在每个单片的引线脚组合之间设有定位孔4,各单片通过连接筋5相互连接形成框架体1。
权利要求
1.一种整体基体表面的半导体引线框架,它包括框架体(1),其特征是所述的框架体 (1)由若干单片组成,每个单片的上部设置为整体基体O),下部为引线脚组合(3),在每个单片的引线脚组合之间设有定位孔G),各单片通过连接筋( 相互连接形成框架体(1)。
2.根据权利要求1所述的整体基体表面的半导体引线框架,其特征是所述的单片为 KFC铜带。
3.根据权利要求1所述的整体基体表面的半导体引线框架,其特征是所述的框架体(1)由10个单片组成,10个单片组成的框架长度为170mm,宽度为35.8mm。
4.根据权利要求1所述的整体基体表面的半导体引线框架,其特征是所述的整体基体(2)表面的尺寸为13mmX13mm,平面度为0. 05mm,厚度都为2mm。
5.根据权利要求1所述的整体基体表面的半导体引线框架,其特征是所述的引线脚组合(3)的厚度为0.6mm,公差为士0. 01mm,引线脚组合(3)包括三只引脚,三只引脚向外折弯的厚度为2. 5mm。
全文摘要
本发明公开了一种整体基体表面的半导体引线框架,它包括框架体(1),所述的框架体(1)由若干单片组成,每个单片的上部设置为整体基体(2),下部为引线脚组合(3),在每个单片的引线脚组合之间设有定位孔(4),各单片通过连接筋(5)相互连接形成框架体(1)。本发明适用范围广,满足大型器件的封装要求。
文档编号H01L23/495GK102332444SQ20111016849
公开日2012年1月25日 申请日期2011年6月16日 优先权日2011年6月16日
发明者沈健 申请人:沈健
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