专利名称：基板承载台、基板处理装置及基板处理系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及基板承载领域，特别涉及一种例如在半导体制造工艺等的微加工领域中使用的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。
背景技术：
先前，在真空中的半导体工艺等中的基板(硅片)处理中，为了提高处理均勻性， 而进行用以使基板表面温度均勻化的温度调节。作为基板温度调节方法，一般采用如下方法，在承载基板的基板承载台(承载台)的内部设置制冷剂通道，使制冷剂流入该通道，由来自基板承载台的放射热，冷却承载在基板承载台上的基板表面进行温度调节。例如，在专利文献1中，公开了一种等离子体处理装置，在该等离子体处理装置中，在基板承载台的内部设置2个同心圆状的制冷剂通道，使流入外侧通道的制冷剂和流入内侧通道的制冷剂的温度成为相对不同的温度，并通过使对接受来自腔室内壁的放射热的基板周缘部进行的冷却比对基板中央部进行的冷却强，使基板的表面温度均勻化。[先前技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开平9-17770号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]然而，在所述专利文献1记载的等离子体处理装置中，流入温度相互不同的制冷剂的2个系统的制冷剂通道是在1个基板承载台的内部邻接，导致这2个系统的制冷剂通道的温度相互影响，因此，有可能无法独立控制基板的中央部和周缘部各自的冷却。即，无法分别对承载在基板承载台上的基板的中央部及周缘部进行精密的温度管理、温度控制， 从而难以使受到来自腔室内壁的放射热较大影响的基板周缘部的表面温度、和受此影响较小的基板中央部的表面温度均勻化。因此，由于基板处理中的基板表面整个面的条件未能均勻化，所以，存在无法均勻地进行基板处理的问题。进而，在等离子体处理装置内，因基板承载台为一体构成，也将成为导致2个系统的制冷剂通道的温度相互影响，从而无法独立控制中央部及周缘部的基板温度的原因。因此，鉴于所述问题等，本发明的目的在于提供一种可以彼此互不影响的方式，独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。[解决问题的技术手段]为了达到所述目的，根据本发明，提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；以及支撑台，支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。另外，在此调温表示温度控制、温度调节。在所述基板承载台上承载2片以上的基板，所述周缘承载部件是由2个以上的周缘部、和使该周缘部彼此结合的周缘结合部构成，所述中央承载部件是由形状与所述周缘部的内周对应的2个以上的中央部、和使该中央部彼此结合的中央结合部构成，在所述周缘部和所述中央部之间，沿水平方向形成有环状的间隙，在所述周缘结合部和所述中央结合部之间，沿铅直方向形成有间隙，所述周缘结合部及所述中央结合部可分别结合在所述支撑台。而且，也可以在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，设置连通到调温介质循环循环机构的调温通道。而且，根据来自其他观点的本发明，提供一种基板处理装置，其在真空处理空间处理基板，且包含进行基板处理的处理腔室、对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、以及承载所述基板的基板承载台，且，所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部进行温度控制的中央承载部件、支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件的支撑台构成，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，也可以设置连通到调温介质循环机构的调温通道。而且，所述处理腔室也可以包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。进而，根据来自其他观点的本发明，提供一种基板处理系统，其包含搬运基板的搬运部、进行基板处理的处理部、及进行基板加热处理的加热部，且，所述处理部是由进行基板处理的处理腔室、对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、及承载所述基板的基板承载台构成，所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部进行温度控制的中央承载部件、及支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件的支撑台构成，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，也可以设置连通到调温液循环机构的调温通道。而且，所述处理腔室也可以包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。[发明的效果]根据本发明，提供一种可以彼此互不影响的方式，独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。
图1是基板处理装置的概略截面图。图2是关于基板承载台的说明图，图2(a)是各部件(周缘承载部件、中央承载部件、支撑台)未连结状态下的基板承载台的正面透视图，图2(b)是使各部件连结的状态下的基板承载台的正面透视图。图3是基板处理系统的说明图，图3(a)是基板处理系统的透视概略图，图3 (b)是基板处理系统的侧视截面图。[符号的说明]1基板处理装置10处理腔室
20基板承载台
22处理气体供给机构
23处理气体导入部
25真空泵
26排气口
28支撑销
29升降机构
30突起部
40周缘承载部件
41周缘部
43周缘结合部
50中央承载部件
51中央部
53中央结合部
55支撑台
56-.59间隙57 孔部58 凸部60、62调温通道70、71调温介质循环机构100基板处理系统107处理部110加热部115加热机构120搬运部125搬运臂130、131 闸阀W 基板Wl基板周缘部W2基板中央部
具体实施例方式以下，参照图式对本发明的实施方式进行说明。另外，在本说明书及图式中，对于实质上具有相同的功能构成的构成要素，通过标注相同的符号来省略重复说明。而且，在以下的本发明的实施方式中，以同时配置、处理2片基板W的基板处理装置1为一例实施方式，进行说明。图1是本发明实施方式的基板处理装置1的概略截面图。如图1所示，基板处理装置1是由处理腔室10、和配置在处理腔室10内进行基板W的处理时承载基板W的基板承载台20构成。另外，在图1中图示了基板W承载在2片基板承载台20的上表面的情形。 而且，在处理腔室10中，设置有连通到处理气体供给机构22的例如喷头形状的处理气体导入部23和连通到真空泵25的排气口 26。由此，处理腔室10内便可进行真空抽吸，而且，在基板W处理时，从处理气体导入部23将处理气体导入到处理腔室10内。而且，在处理腔室10中，设置有多根支撑销观，这些支撑销28是通过贯穿基板承载台20，向此基板承载台20的上方突出来支撑基板W，进行基板W对基板承载台20的承载。 支撑销观是由结合在支撑销观使支撑销观沿铅直方向(图1中的上下方向)升降的升降机构四而构成为升降自如。另外，如图1所示，升降机构四是由设置在处理腔室10外部的作为例如气缸等的驱动部^a、和连接在驱动部29a且从驱动部29a伸入到处理腔室 10内的升降部29b构成。支撑销28是安装在升降部^b，因此，支撑销28也和通过驱动部 29a运转而升降的升降部29b联动地进行升降。当将基板W承载在基板承载台20的上表面时，使支撑销观以特定的长度向基板承载台20的上方突出，且在使基板W承载在此突出的支撑销观上端的状态下，以支撑销观的前端接近基板承载台20的上表面附近的方式使支撑销观下降，由此，将基板W承载在基板承载台20上。而且，在基板承载台20的上表面设置有微小的突起部30，当如上所述，基板W在由支撑销观支撑的状态下，下降到基板承载台20的上表面附近为止时，基板W以通过基板承载台20上表面的突起部30而悬浮在基板承载台20上表面上的状态(和基板承载台20 大致不接触的状态)承载。另外，在本实施方式的基板处理装置1中，相对于1片基板W设置有3根支撑销观，而且，突起部30也相对于1片基板W设置在3个部位，通过由3根支撑销观对基板W进行3点支撑，而使基板W支撑、升降，并利用设置在基板承载台20的上表面的3个部位(相对于1片基板)突起部30，而使基板W以大致不接触的状态承载在基板承载台20上。在此，基板W以大致不接触的状态承载在基板承载台20的上表面的原因在于，如果将基板W直接承载在基板承载台20上，则会导致存在于基板承载台20表面的颗粒等杂质有可能附着在基板W表面。图2是关于基板承载台20的说明图。在此，为了进行说明，而在图2(a)中表示以下说明的各部件(周缘承载部件40、中央承载部件50、支撑台5 未经连结状态下的基板承载台20的正面透视图，且在图2(b)中表示使各部件连结状态下的基板承载台20的正面透视图。在此，基板承载台20在所述图1所示的基板处理装置1中，配置在处理腔室10内时，以图2(b)所示的各部件经连结的状态进行配置。如图2所示，基板承载台20是由承载基板周缘部Wl的周缘承载部件40、承载基板中央部W2的中央承载部件50、及支撑周缘承载部件40及中央承载部件50的支撑台55构成。周缘承载部件40是由2个大致圆环形状的周缘部41、以及使2个周缘部41以水平并排配置的状态结合的周缘结合部43构成。而且，中央承载部件50是由2个大致圆板形状的中央部51、以及使2个中央部51以水平并排配置的状态结合的中央结合部53构成。在此，周缘部41的内周形状和中央部51的形状的关系是对应关系。即，如图2(b)所示，当使周缘承载部件40和中央承载部件50重合时，构成为中央部51收纳在大致圆环形状的周缘部41的中心部的空间41a。因此，空间41a的平面(上表面)形状和中央部51的平面(上表面)形状为大致相同形状，且，中央部51的上表面面积变得小于空间41a的上表面面积。 而且，周缘部41的上表面面积和中央部51的上表面面积成为大致相等的面积。如上所述，由于周缘部41的形状和中央部51的形状的关系为对应关系，所以，如图2 (b)所示当使周缘承载部件40和中央承载部件50重合时，在周缘部41和中央部51之间，沿水平方向形成有环状间隙56。而且，如图2(a)所示，在中央结合部53的中央部，设置有例如四边形的孔部57，且构成基板承载台20时的各部件(周缘承载部件40、中央承载部件50、支撑台55)是通过未图示的螺丝部件而结合，中央结合部53和支撑台55也通过未图示的螺丝部件而结合。另外，为了进行结合，而在支撑台55设置有形状和孔部57对应的凸部58。在此，在周缘结合部43和中央结合部53之间，以沿铅直方向形成间隙59的方式进行各部件的结合，其结果，周缘承载部件40和中央承载部件50以互不接触的状态构成基板承载台20。另一方面，如图1所示，在周缘承载部件40的内部设置有调温通道60，且在中央承载部件50的内部设置有调温通道62。各调温通道60、62例如连通到蓄积有冷却水等制冷剂的调温介质循环机构70、71。即，可通过调温介质循环机构70、71运转，而使制冷剂在调温介质循环机构70、71和各调温通道60、62之间进行循环。另外，调温通道60连通到调温介质循环机构70，调温通道62连通到调温介质循环机构71，调温介质循环机构70、71的运转可在每一调温通道(调温通道60、调温通道6 中独立进行控制。借此，可通过控制分别流入调温通道60、调温通道62的制冷剂的温度、流速等，而分别独立控制对周缘承载部件 40的基板周缘部Wl的调温效果(冷却效果)和对中央承载部件50的基板中央部W2的调温效果(冷却效果)。即，像这样设置的调温通道60、62对基板W的冷却是以如下的方式进行通过设置在周缘承载部件40内部的调温通道60的冷却能力来冷却基板周缘部W1，通过设置在中央承载部件50内部的调温通道62的冷却能力来冷却基板中央部W2，由此，分别通过不同的调温通道的冷却能力来冷却基板周缘部Wl和基板中央部Ψ2。而且，基板W是以只与突起部30前端接触的状态承载在基板承载台20上，且在基板W和基板承载台20 (周缘承载部件40、中央承载部件50)之间形成有间隙75。此基板W 和基板承载台20之间的间隙75与基板W的厚度相比极窄，所以，基板W的调温(温度控制)可以通过和周缘承载部件40及中央承载部件50的热交换而进行。而且，在基板处理时，处理腔室10内变成处理气体环境下，所以，所述基板W和基板承载台20之间的间隙中也有处理气体进入，从而进一步促进基板W和周缘承载部件40及中央承载部件50的热交换，有效地进行基板W的调温(温度控制)。在具备以上说明的构成即基板承载台20的基板处理装置1中，进行基板处理。由本实施方式的基板处理装置1进行的基板处理并无特别限定，但可例示例如使用作为处理气体的HF气体、NH3气体，对形成在基板W表面的SW2膜进行处理，且经由之后的加热处理，将SiO2膜从基板W上去除的基板清洗处理等。不仅限于例示的基板清洗处理，为了在各种基板处理中，均勻地进行基板处理，而必须使处理中的基板W的表面温度均勻，所以， 需要进行基板W的表面温度的温度管理、温度控制。在基板处理中，在基板W上存在有来自比基板W温度高的处理腔室10的内壁的放射热引起的供热，尤其，基板周缘部Wl和处理腔室10的内壁的距离短于和基板中央部W2的距离，因此，基板周缘部Wl中供热多于基板中央部W2。因此，为了使基板W的表面温度均勻，而必须进行基板承载台20的基板的温度管理、温度控制。设置在本实施方式的基板处理装置1中的基板承载台20，如上所述包含周缘承载部件40和中央承载部件50，且在周缘承载部件40和中央承载部件50之间，分别形成有水平方向的间隙56和铅直方向的间隙59，所以，周缘承载部件40和中央承载部件50相互为非接触。由于基板处理中的处理腔室10内处于经真空抽吸的状态，所以，所述间隙56、间隙59被真空隔热，使得周缘承载部件40和中央承载部件50的温度互不影响。即，设置在周缘承载部件40内的调温通道60的温度、和设置在中央承载部件50内的调温通道62的温度互不影响。因此，周缘承载部件40和中央承载部件50分别独立地控制为特定的温度。通过对设置在周缘承载部件40内的调温通道60的制冷剂温度、和设置在中央承载部件50内的调温通道62的制冷剂温度进行相互独立的温度管理、温度控制，而使由调温通道60冷却(温度控制)的基板周缘部W1、和由调温通道62冷却(温度控制)的基板中央部W2的温度管理、温度控制独立且精密地进行。因此，可以精密地使基板处理时的基板 W的整体表面温度均勻化。即，例如当因来自处理腔室10的内壁的放射热而使基板周缘部 Wl比基板中央部W2高温时，可以通过将调温通道60的制冷剂温度控制为比调温通道62的制冷剂温度低的温度，而和基板中央部W2相比，对基板周缘部Wl进行强冷却，使基板W整体表面温度均勻。另外，在所述的本发明的实施方式中，对通过调温介质循环机构70、71运转，而使制冷剂流入调温通道60、62，冷却基板W表面的情形进行了说明，但为了进行基板W的精密温度控制，例如，有时也使经加热的特定温度的流体流入。其次，以下对具备本实施方式的基板处理装置1的基板处理系统100进行说明。 图3是基板处理系统100的说明图。另外，图3(a)是基板处理系统100的透视概略图，图 3(b)是基板处理系统100的侧视截面图。如图3所示，基板处理系统100主要由包含基板处理装置1的处理部107、加热部 110和搬运部120构成。在此，基板处理装置1连通到未图示的制冷剂蓄积装置，且处理部 107和加热部110邻接配置，加热部110和搬运部120邻接配置。在基板处理装置1和加热部110之间设置有闸阀130，且在加热部110和搬运部120之间设置有闸阀131。另外，在所述未图示的制冷剂蓄积装置内，配置有本实施方式中说明的调温介质循环机构70、71，在加热部110内配置有加热基板W的例如作为热板等的加热机构115，在搬运部120配置有搬运基板W的搬运臂125。在以图3所示方式构成的基板处理系统100中，例如当进行将形成在基板W表面的SiO2膜去除的清洗处理时，首先，通过搬运臂125运转而将基板W从搬运部120搬运到基板处理装置1内，并承载在基板处理装置1内的基板承载台20。在基板处理装置1内， 以基板W整体表面温度保持均勻的状态，利用HF气体、NH3气体等处理气体进行基板处理。 接下来，通过搬运臂125运转，而将由处理气体处理的基板W搬运到加热部110内的加热机构115。在加热部110中，对基板W实施例如热板处理等热处理，并通过处理气体将基板W 上生成的生成物去除。于是，通过搬运臂125运转，而将由这种工序清洗的基板W从基板处理系统100中搬出。在以上说明的本发明的基板处理系统100中，可以能够在基板处理装置1中均勻地进行基板处理的方式，精密地使基板处理时的基板W整体的表面温度均勻化。所以，例如当进行将形成在基板w表面的SW2膜去除的清洗处理时，处理气体对SW2膜进行的处理可均勻且有效地进行。由此，加热部Iio的热处理对基板w上的多余生成物的去除也可均勻且有效地进行，从而使基板处理系统100中基板w的清洗处理能够对基板整体均勻地进行。以上，说明了本发明的实施方式的一例，但本发明并不限定于图示的方式。作为本领域技术人员，当知在权利要求范围记载的思想范畴内，可设想各种变更例或者修正例，且应理解这些变更例或者修正例当然属于本发明的技术范围。例如，在所述实施方式的一例中，说明了如下情况，S卩，在周缘承载部件40和中央承载部件50之间，形成有水平方向的间隙56和铅直方向的间隙59，且在经真空抽吸的处理腔室10内，间隙56、59为真空隔热，但也可以对间隙56、59施用例如多孔陶瓷等隔热部件。 借此，周缘承载部件40和中央承载部件50之间的隔热性进一步提高，周缘承载部件40和中央承载部件50相互间的温度变化引起的影响减少，从而可更精密地对设置在周缘承载部件40内的调温通道60的制冷剂温度、和设置在中央承载部件50内的调温通道62的制冷剂温度独立地进行温度管理、温度控制。而且，对如下内容进行了说明，S卩，在所述实施方式的基板处理装置1中，来自处理腔室10的内壁的放射热的供热，相比基板W的中心部(基板中心部W2)，更大地作用于周缘部(基板周缘部Wl)，导致基板W的表面温度变得不均勻，但为了减少这个问题，且尽量抑制由处理腔室10内壁对基板W的供热，也可以对处理腔室10的内壁施用隔热部件。此时， 隔热部件可以在处理腔室10的内壁整面施用，而优选在处理腔室10内壁的基板W附近施用这些隔热部件。而且，在所述实施方式的基板处理装置1中，对周缘承载部件40及中央承载部件 50均以固定在处理腔室10内的状态进行配置的情况进行了说明，但也可以分别升降自如地配置周缘承载部件40及中央承载部件50。即，在所述实施方式中，周缘承载部件40及中央承载部件50是通过未图示的螺丝部件结合在支撑台55上，但也可以使周缘承载部件40 及中央承载部件50以升降自如的状态得到支撑台55支撑。例如，考虑在处理腔室10内设置使周缘承载部件40及中央承载部件50分别独立升降的控制部，在承载基板W的状态下，使周缘承载部件40、中央承载部件50中的一个或两者进行升降，从而控制基板W和周缘承载部件40或中央承载部件50的热交换，将基板W的表面温度保持为最佳值。可通过微调基板W和周缘承载部件40之间的间隔，而更精密地进行基板W表面温度的温度管理、温度控制，从而可使基板的表面状态达到预期状态(例如， 表面温度均勻的状态)。[产业上的可利用性]本发明可应用于例如半导体制造工艺等的微加工领域中使用的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。
权利要求
1.一种基板承载台，其供承载基板，且包含周缘承载部件，承载所述基板的周缘部并进行温度控制； 中央承载部件，承载所述基板的中央部并进行温度控制；以及支撑台，支撑所述周缘承载部件及所述中央承载部件； 且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙， 所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
2.根据权利要求1所述的基板承载台，其特征在于 在所述基板承载台上承载2片以上的基板，所述周缘承载部件是由2个以上的周缘部、和使所述周缘部彼此结合的周缘结合部构成，所述中央承载部件是由形状与所述周缘部的内周对应的2个以上的中央部、和使所述中央部彼此结合的中央结合部构成，在所述周缘部和所述中央部之间，沿水平方向形成有环状的间隙， 在所述周缘结合部和所述中央结合部之间，沿铅直方向形成有间隙， 所述周缘结合部及所述中央结合部分别结合于所述支撑台。
3.根据权利要求1或2所述的基板承载台，其特征在于在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，设置有连通到调温介质循环机构的调温通道。
4.一种基板处理装置，其在真空处理空间中处理基板，且包含 进行基板处理的处理腔室、对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、以及承载所述基板的基板承载台，且，所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部并进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部并进行温度控制的中央承载部件、及支撑所述周缘承载部件与所述中央承载部件的支撑台构成，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙， 所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，设置有连通到制冷剂循环机构的制冷剂通道。
6.根据权利请求4或5所述的基板处理装置，其特征在于所述处理腔室包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。
7.一种基板处理系统，其包含搬运基板的搬运部、进行基板处理的处理部、及进行基板加热处理的加热部，且，所述处理部是由进行基板处理的处理腔室、对所述处理腔室内进行真空抽吸的排气口、将处理气体导入到所述处理腔室内的处理气体导入口、及承载所述基板的基板承载台构成，所述基板承载台是由承载所述基板的周缘部并进行温度控制的周缘承载部件、承载所述基板的中央部并进行温度控制的中央承载部件、及支撑所述周缘承载部件与所述中央承载部件的支撑台构成，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙， 所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
8.根据权利请求7所述的基板处理系统，其特征在于在所述周缘承载部件及所述中央承载部件的内部，设置有连通到调温介质循环机构的调温通道。
9.根据权利请求7或8所述的基板处理系统，其特征在于所述处理腔室包含从所述基板承载台向上方突出且支撑基板的支撑销。
全文摘要
本发明提供一种可以分别独立且精密地进行基板的周缘部和中心部的温度管理、温度控制的基板承载台、基板处理装置及基板处理系统。本发明提供一种基板承载台，其供承载基板，且包含周缘承载部件，承载所述基板的周缘部进行温度控制；中央承载部件，承载所述基板的中央部进行温度控制；支撑台，支撑所述周缘承载部件和所述中央承载部件；且，在所述周缘承载部件和所述中央承载部件之间形成有间隙，所述周缘承载部件和所述中央承载部件相互为非接触。
文档编号H01L21/683GK102315151SQ201110185040
公开日2012年1月11日 申请日期2011年6月28日 优先权日2010年6月30日
发明者富士原仁, 小田桐正弥, 村木雄介 申请人:东京毅力科创株式会社