专利名称：薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池的制作方法
技术领域：
本发明有关于一种太阳能电池制造方法及其薄膜太阳能电池，特别是有关于一种可提升量产速度与电能效率的薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池。
背景技术：
目前由于国际能源短缺，而世界各国一直持续研发各种可行的替代能源，而其中又以太阳能发电的太阳能电池最受到瞩目，太阳能电池具有使用方便、取之不尽、用之不竭、无废弃物、无污染、无转动部份、无噪音、可阻隔辐射热、使用寿命长、尺寸可随意变化、 并与建筑物作结合及普及化等优点，故利用太阳能电池作为能源的取得。在20世纪70年代，由美国贝尔实验室首先研制出的硅太阳能电池逐步发展起来。 随着太阳能电池的发展，如今太阳能电池有多种类型，典型的有单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池、化合物太阳能电池、染料敏化太阳能电池等。硅(Silicon)为目前通用的太阳能电池的原料代表，而在市场上又区分为1.单结晶硅；2.多结晶硅；3.非结晶硅。目前最成熟的工业生产制造技术和最大的市场占有率乃以单晶硅和非晶硅为主的光电板。原因是一、单晶效率最高；二、非晶价格最便宜，且无需封装，生产也最快；三、多晶的切割及下游再加工较不易，而前述两种都较易于再切割及加工。为了降低成本，现今主要以积极发展非晶硅薄膜太阳能电池为主，但其效率上于实际应用中仍然过低。近来，为了保持输出电压，一般薄膜太阳能电池须要采用P-I-N结构， 让中间能带位于纯质(intrinsic，I-layer)区域。其中又以在I层中成长所谓的微晶硅 (Microcrystalline Si, yc-Si:H)结构最受到瞩目。微晶硅薄膜，其薄膜的载流子迁移率 (Carrier mobility)比一般非晶硅质薄膜高出1 2个数量级，而暗电导值则介于10_5 10-7 (S. cm-1)之间，明显高出非晶硅薄膜3 4个数量级。然而，过去P_I_N结构的薄膜太阳能电池，其量产速度与电能产出效率皆未臻理想。因此，有必要提出一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池，以堆叠不同形式的P-I-N结构来提高量产速度，并增加太阳能电池的光电转换效率。
发明内容
有鉴于上述现有技术的问题，本发明的目的就是在提供一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池，以解决现有技术量产速度与光电转换效率不如预期的问题。根据本发明的目的，提出一种薄膜太阳能电池，其包含基板、非晶硅层、第一导电型层、本质型堆叠层、第二导电型层以及背电极层。非晶硅层位于该基板上。第一导电型层位于该非晶硅层上。本质型堆叠层位于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层、第二本质型层及第三本质型层堆叠而成；该第二本质型层，相对于该第一本质型层及该第三本质型层具有较高的沉积率。第二导电型层位于该本质型堆叠层上。背电极层位于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。
根据本发明的目的，再提出一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法，包含下列步骤准备基板；形成非晶硅层于该基板上；形成第一导电型层于该非晶硅层上；形成本质型堆叠层于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层、第二本质型层及第三本质型层堆叠而成，该第二本质型层，相对于该第一本质型层及该第三本质型层具有较高的沉积率；形成第二导电型层于该本质型堆叠层上；以及形成背电极层于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。根据本发明的目的，又提出一种薄膜太阳能电池，其包含基板、非晶硅层、第一导电型层、本质型堆叠层、第二导电型层以及背电极层。非晶硅层位于该基板上。第一导电型层位于该非晶硅层上。本质型堆叠层位于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层及第二本质型层堆叠而成；该第二本质型层，相对于该第一本质型层具有较高的沉积率。第二导电型层位于该本质型堆叠层上。背电极层位于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。根据本发明的目的，另提出一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法，包含下列步骤准备基板；形成非晶硅层于该基板上；形成第一导电型层于该非晶硅层上；形成本质型堆叠层于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层及第二本质型层堆叠而成，该第二本质型层，相对于该第一本质型层具有较高的沉积率；形成第二导电型层于该本质型堆叠层上；以及形成背电极层于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。根据本发明的目的，还提出一种薄膜太阳能电池，其包含基板、非晶硅层、第一导电型层、本质型堆叠层、第二导电型层以及背电极层。非晶硅层位于该基板上。第一导电型层位于该非晶硅层上。本质型堆叠层位于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层及第二本质型层堆叠而成；该第一本质型层，相对于该第二本质型层具有较高的沉积率。第二导电型层位于该本质型堆叠层上。背电极层位于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。根据本发明的目的，又提出一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法，包含下列步骤准备基板；形成非晶硅层于该基板上；形成第一导电型层于该非晶硅层上；形成本质型堆叠层于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层及第二本质型层堆叠而成，该第一本质型层，相对于该第二本质型层具有较高的沉积率；形成第二导电型层于该本质型堆叠层上；以及形成背电极层于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。其中，该第一导电型层、该本质型堆叠层与该第二导电型层依序为P型半导体层、 本质型(I型)半导体堆叠层与N型半导体层。其中，该第一本质型层为正向取向(Orientation)的本质型(I型)半导体层。承上所述，依本发明的薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池，其可具有下述优点此薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池可堆叠不同形式的本质型层，配合基板、非晶硅层、P型半导体层、N型半导体层及背电极层，来提高量产速度，并增加太阳能电池的光电转换效率。
图1为本发明的薄膜太阳能电池第一实施例的结构示意图。图2为本发明的薄膜太阳能电池第二实施例的结构示意图。图3为本发明的薄膜太阳能电池第三实施例的结构示意图。图4为本发明的薄膜太阳能电池堆叠制造方法的流程图。主要组件符号说明10 基板11 非晶硅层12:第一导电型层13、21、31 本质型堆叠层131、211、311 第一本质型半导体层132、212、312 第二本质型半导体层133 第三本质型半导体层14:第二导电型层15:背电极层S41 S46:步骤
具体实施例方式以下将参照相关附图，说明依本发明的薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池的实施例，为使便于理解，下述实施例中的相同组件以相同的符号标示来说明。请参阅图1，其为本发明的薄膜太阳能电池第一实施例的结构示意图。如图所示，此薄膜太阳能电池包含基板10、非晶硅层(Amorphous Silicon Layer, a-Silayer/ Cell) 11、第一导电型层12、本质型堆叠层13、第二导电型层14以及背电极层15。基板10 的一面为光照面，且该基板10可以是硬式基板或可挠式基板，硬式基板例如是作为建筑物的帷幕的玻璃基板；可挠式基板例如是塑料基板。非晶硅层11形成于该基板10上方，其用于吸收较短波长的光子；非晶硅层11具有较高的能带隙(Band gap)约略为1. 7eV，可将太阳光谱中较高能带隙(短波长)的光子加以吸收以提高转换效率。第一导电型层12可为P型半导体层，且该P型半导体层形成于非晶硅层11上。 P型半导体是指在本征材质中加入的杂质(Impurities)可产生多余的空穴，以空穴构成多数载流子的半导体。例如，若对本质型堆叠层13掺入3价原子的杂质时，就硅和锗半导体而言，会形成多余的空穴。电流则以空穴为主来运作。其中该P型半导体层的掺杂方式可选用于铝诱导结晶硅(Aluminum induced crystalline，AIC)、固相结晶化(Solid phase crystalline, SPC)或准分子激光退火(Excimer laser anneal,ELA)制程作为主要制程方式。第二导电型层14可为N型半导体层，且该N型半导体层形成于本质型堆叠层13 上。N型半导体层是指在本征材质中加入的杂质可产生多余的电子，以电子构成多数载流子的半导体。例如，若对本质型堆叠层13掺入5价原子的杂质时，就硅和锗半导体而言，会形成多余的电子。电流则以电子为主来运作。其中该N型半导体层的掺杂方式可选用于热扩散法(Thermal diffusion)或离子布植法(Ion implantation)作为主要制程方式。此夕卜，背电极层15形成于第二导电型层14(N型半导体层)上，其可由包含由Al、Ag、Au、Cu、 Pt及Cr中选择至少一个材料的至少一层的金属层，以溅射法或蒸镀法形成。在P-I-N结构中，本质型堆叠层13可提高可见光谱光子的吸收范围，其对于薄膜型太阳能电池的电特性影响最大。在本实施例中，该本质型堆叠层13可为本质型(I型) 半导体堆叠层，其可使用微晶硅质的结晶薄膜，以提高太阳能电池的转换效率。微晶硅质的结晶薄膜可选用于等离子体增强型化学式气相沉积制程(Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition, PECVD)或特高频等离子体增强型化学式气相沉积(Very High Frequency-Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition, VHF-PECVD)
方式。并且，本质型(I型)半导体堆叠层的材质包括本质非晶硅、本质微晶硅(Intrinsic Microcrystalline Silicon)、本质非晶硅掺杂氟、或本质微晶硅掺杂氟。进一步描述本实施例的本质型堆叠层13的结构，其形成于第一导电型层12(P型半导体层)上。本质型堆叠层13由下而上由三层不同沉积率(D^x)Sition Rate，亦可为镀率)的本质型堆叠层13相互堆叠而成，该三层不同沉积率/镀率的本质型堆叠层13的中间层，相对于另外两层本质型堆叠层13具有较高的沉积率/镀率。也就是说，本质型(I 型)半导体堆叠层由下而上依序由不同沉积率/镀率的第一本质型(I型)半导体层131、 第二本质型(I型)半导体层132及第三本质型(I型)半导体层133堆叠而成。并且，该第二本质型(I型)半导体层132，相对于该第一本质型(I型)半导体层131及该第三本质型(I型)半导体层133具有较高的沉积率/镀率。例如，第一本质型(I型)半导体层 131的沉积率/镀率可为每秒1. 6埃，而第二本质型(I型)半导体层132及第三本质型(I 型)半导体层133的沉积率/镀率可分别为每秒6. 2埃及每秒2埃。又，第二本质型(I型)半导体层132相对于第三本质型(I型)半导体层133具有较高的结晶率。且第一本质型(I型)半导体层131相对于第二本质型(I型)半导体层132及第三本质型(I型)半导体层133，具有较高的X射线绕射(X-ray Diffraction, XRD 220/111)的正向取向(Orientation)。而第三本质型(I型)半导体层133的作用可为补偿层(Compensation layer)。并且，若以第二本质型(I型)半导体层132的厚度为基本单位的话，第一本质型(I型)半导体层131的厚度可为该第二本质型(I型)半导体层 132的厚度的1/10至1/20倍；而第三本质型(I型)半导体层132的厚度可为该第二本质型(I型)半导体层132的厚度的1/2至1/4倍。在本实施例中，各个本质型(I型)半导体层131、132及133的厚度比例的实施态样仅为举例而非限制，本发明于实际实施时，并不限于此种方式。例如，第一本质型(I型)半导体层131的厚度1000埃，而第二本质型(I型)半导体层132及第三本质型(I型)半导体层133的厚度可分别为21000埃及5000埃。当非晶硅层11的厚度由现有技术的2100埃增加至2500埃左右，并搭配前面所描述本质型(I 型)半导体层的各个举例厚度，则薄膜太阳能电池所产生的光电转换效率将可从现有技术的140瓦左右，提升至145至150瓦。请一并参阅图2及图3，其分别为本发明的薄膜太阳能电池第二实施例的结构示意图以及本发明的薄膜太阳能电池第三实施例的结构示意图。如图2及图3所示，此薄膜太阳能电池包含了基板、非晶硅层、第一导电型层、本质型堆叠层、第二导电型层以及背电极层。此处的薄膜太阳能电池各层的详细叙述，与前面所详述的相似，在此便不再赘述。然而值得一提的是，如图2所示，P-I-N结构的本质型堆叠层21的结构，由下而上由两层不同沉积率/镀率的本质型堆叠层21相互堆叠而成，该两层不同沉积率/镀率的本质型堆叠层 21的上层，相对于本质型堆叠层21的下层具有较高的沉积率/镀率。也就是说，本质型(I 型)半导体堆叠层由下而上依序由不同沉积率/镀率的第一本质型(I型)半导体层211 及第二本质型(I型)半导体层212堆叠而成。并且，该第二本质型(I型)半导体层212， 相对于该第一本质型(I型)半导体层211具有较高的沉积率/镀率。例如，第一本质型(I 型)半导体层211的沉积率/镀率可为每秒1.6埃，而第二本质型(I型)半导体层212的沉积率/镀率可为每秒6. 2埃。第一本质型(I型)半导体层211相对于第二本质型(I型)半导体层212，具有较高的 X 射线衍射(X-ray Diffraction, XRD 220/111)的正向取向(Orientation)。并且， 若以第二本质型(I型)半导体层212的厚度为基本单位的话，第一本质型(I型)半导体层211的厚度可为该第二本质型(I型)半导体层212的厚度的1/10至1/20倍。而如第3图中P-I-N结构的本质型堆叠层31的结构，由下而上依序由不同沉积率 /镀率的第一本质型(I型)半导体层311及第二本质型(I型)半导体层312堆叠而成。并且，该第一本质型(I型)半导体层311，相对于该第二本质型(I型)半导体层312具有较高的沉积率/镀率。例如，第一本质型(I型)半导体层311的沉积率/镀率可为每秒6. 2 埃，而第二本质型(I型)半导体层312的沉积率/镀率可为每秒2埃。第一本质型(I型)半导体层311相对于第二本质型(I型)半导体层312具有较高的结晶率。且第二本质型(I型)半导体层312的作用可为补偿层(Compensation layer)。 若以第一本质型(I型)半导体层311的厚度为基本单位的话，第二本质型(I型)半导体层312的厚度可为该第一本质型(I型)半导体层311的厚度的1/2至1/4倍。并且，于本发明所属技术领域的普通技术人员应可轻易加结合或堆叠本质型堆叠层，其相关组成及原理亦类似上面所叙述，故在此便不再赘述。再进一步描述本发明的本质型堆叠层的结构，请参阅第2图，若仅为单层本质型 (I型)半导体层的沉积率/镀率为每秒2埃，和两层本质型堆叠层的结构相比如第一本质型(I型)半导体层211的沉积率/镀率为每秒1埃，第二本质型(I型)半导体层212的沉积率/镀率为每秒2埃。其效率分别为11. 2%与11. 5%;电流密度分别为每平方厘米11. 5 毫安与每平方厘米11. 7毫安；开路电压皆为1. 32伏特；填充因子分别为0. 73与0. 74。然而，若同时将第二本质型(I型)半导体层212的沉积率/镀率增加为每秒8埃。其效率从 10. 5%增加至11.3% ；电流密度从每平方厘米11.04毫安增加为每平方厘米11.65毫安； 开路电压分别为1. 31与1. 33伏特；填充因子分别为0. 72与0. 73。由上述可知，当增加第二本质型(I型)半导体层212的沉积率/镀率后，搭配其多层的结构，效率将会获得明显的提高。请参阅图3，若仅为单层本质型(I型)半导体层的沉积率/镀率为每秒8埃，和两层本质型堆叠层的结构相比如第一本质型(I型)半导体层311的沉积率/镀率为每秒 8埃，第二本质型(I型)半导体层312的沉积率/镀率为每秒4埃。其效率分别为10.9% 与11. 2% ；电流密度分别为每平方厘米11. 5毫安与每平方厘米11. 9毫安；开路电压分别为1. 32与1. 33伏特；填充因子分别为0. 72与0. 71。由上述可知，搭配多层的结构，将可增加效率。
请再参阅图1，若两层本质型堆叠层的结构第一本质型(I型)半导体层131的沉积率/镀率为每秒1埃，第二本质型(I型)半导体层132的沉积率/镀率为每秒8埃， 和三层本质型堆叠层的结构相比如第一本质型(I型)半导体层131的沉积率/镀率为每秒1埃，而第二本质型(I型)半导体层132及第三本质型(I型)半导体层133的沉积率 /镀率分别为每秒8埃及每秒4埃。其效率分别为11. 3%与11. 9%;电流密度分别为每平方厘米11. 65毫安与每平方厘米12. 3毫安；开路电压皆为1. 33伏特；填充因子皆为0. 73。 然而，若同时将第二本质型(I型)半导体层132的沉积率/镀率增加为每秒14埃。其效率从9. 7%增加至11%;电流密度从每平方厘米10. 7毫安增加为每平方厘米11. 7毫安；开路电压分别为1. 3与1. 32伏特；填充因子分别为0. 69与0. 72。因此，由上述可知，当增加第二本质型(I型)半导体层132的沉积率/镀率后，搭配其多层的结构，效率将会获得明显的提高。附带一提的是，本发明的薄膜太阳能电池的实施态样亦可包含基板、第一非晶硅层、第二非晶硅层、第一导电型层、本质型堆叠层、第二导电型层以及背电极层。或可包含基板、非晶硅层、第一导电型层、第一本质型堆叠层、第二本质型堆叠层、第二导电型层以及背电极层。也就是说，本发明的薄膜太阳能电池可包含两连续堆叠的非晶硅层或两连续堆叠的本质型堆叠层。而本质型堆叠层的实施方式包含了前面所叙述的各个态样。如此，薄膜太阳能电池所产生的光电转换效率可进一步提升至150瓦以上。尽管前述在说明本发明的薄膜太阳能电池的过程中，亦已同时说明本发明的薄膜太阳能电池堆叠制造方法的概念，但为求清楚起见，以下仍另绘示流程图详细说明。请参阅第4图，其为本发明的薄膜太阳能电池堆叠制造方法的流程图。如图所示， 本发明的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其适用于薄膜太阳能电池，该薄膜太阳能电池包含基板、非晶硅层、第一导电型层、本质型堆叠层、第二导电型层以及背电极层。薄膜太阳能电池堆叠制造方法包含下列步骤(S41)准备基板；(S42)形成非晶硅层于该基板上；(S43)形成第一导电型层于该非晶硅层上；(S44)形成本质型堆叠层于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层、第二本质型层及第三本质型层堆叠而成，该第二本质型层，相对于该第一本质型层及该第三本质型层具有较高的沉积率；(S45)形成第二导电型层于该本质型堆叠层上；以及(S46)形成背电极层于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。另外两种薄膜太阳能电池堆叠制造方法的叙述，类同上述方法所详述。另，本发明的薄膜太阳能电池堆叠制造方法的详细说明以及实施方式已于前面叙述本发明的薄膜太阳能电池时描述过，在此为了简略说明便不再叙述。综上所述，此薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池可堆叠不同的本质型层、基板、非晶硅层、P型半导体层、N型半导体层及背电极层，来增加太阳能电池的光电转换效率。以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于权利要求的范围中。
权利要求
1.一种薄膜太阳能电池，其包含 基板；非晶硅层，位于该基板上； 第一导电型层，位于该非晶硅层上；本质型堆叠层，位于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层、第二本质型层及第三本质型层堆叠而成，该第二本质型层，相对于该第一本质型层及该第三本质型层具有较高的沉积率； 第二导电型层，位于该本质型堆叠层上；以及背电极层，位于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。
2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其中该第二本质型层相对于该第三本质型层具有较高的结晶率。
3.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其中该第一本质型层的厚度为该第二本质型层的厚度的1/10至1/20倍，且该第三本质型层的厚度为该第二本质型层的厚度的1/2至 1/4 倍。
4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其中该第一本质型层在沉积率为每秒1至3 埃下形成，且该第二本质型层在沉积率为每秒3至15埃下形成。
5.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其中该第一本质型层为正向取向的本质型半导体层。
6.一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法，包含下列步骤 准备基板；形成非晶硅层于该基板上； 形成第一导电型层于该非晶硅层上；形成本质型堆叠层于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层、第二本质型层及第三本质型层堆叠而成，该第二本质型层，相对于该第一本质型层及该第三本质型层具有较高的沉积率； 形成第二导电型层于该本质型堆叠层上；以及形成背电极层于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。
7.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第二本质型层相对于该第三本质型层具有较高的结晶率。
8.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第一本质型层的厚度为该第二本质型层的厚度的1/10 1/20倍，且该第三本质型层的厚度为该第二本质型层的厚度的1/2 1/4倍。
9.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第一本质型层的沉积率为每秒1至3埃。
10.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第二本质型层的沉积率为每秒3至15埃。
11.一种薄膜太阳能电池，其包含 基板；非晶硅层，位于该基板上；第一导电型层，位于该非晶硅层上；本质型堆叠层，位于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层及第二本质型层堆叠而成，该第二本质型层，相对于该第一本质型层具有较高的沉积率；第二导电型层，位于该本质型堆叠层上；以及背电极层，位于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。
12.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池，其中该第一本质型层的厚度为该第二本质型层的厚度的1/10至1/20倍。
13.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池，其中该第一本质型层在沉积率为每秒1至 3埃下形成，且该第二本质型层在沉积率为每秒3至15埃下形成。
14.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池，其中该第一本质型层为正向取向的本质型半导体层。
15.一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法，包含下列步骤 准备基板；形成非晶硅层于该基板上； 形成第一导电型层于该非晶硅层上；形成本质型堆叠层于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层及第二本质型层堆叠而成，该第二本质型层，相对于该第一本质型层具有较高的沉积率；形成第二导电型层于该本质型堆叠层上；以及形成背电极层于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。
16.如权利要求15所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第一本质型层的厚度为该第二本质型层的厚度的1/10 1/20倍。
17.如权利要求15所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第一本质型层的沉积率为每秒1至3埃。
18.如权利要求15所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第二本质型层的沉积率为每秒3至15埃。
19.一种薄膜太阳能电池，其包含 基板；非晶硅层，位于该基板上； 第一导电型层，位于该非晶硅层上；本质型堆叠层，位于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层及第二本质型层堆叠而成，该第一本质型层，相对于该第二本质型层具有较高的沉积率；第二导电型层，位于该本质型堆叠层上；以及背电极层，位于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。
20.如权利要求19所述的薄膜太阳能电池，其中该第一本质型层相对于该第二本质型层具有较高的结晶率。
21.如权利要求19所述的薄膜太阳能电池，其中该第二本质型层的厚度为该第一本质型层的厚度的1/2至1/4倍。
22.如权利要求19所述的薄膜太阳能电池，其中该第一本质型层在沉积率为每秒3至 15埃下形成，且该第二本质型层在沉积率为每秒3至10埃下形成。
23.如权利要求19所述的薄膜太阳能电池，其中该第二本质型层为补偿层。
24.一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法，包含下列步骤 准备基板；形成非晶硅层于该基板上； 形成第一导电型层于该非晶硅层上；形成本质型堆叠层于该第一导电型层上，且该本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层及第二本质型层堆叠而成，该第一本质型层，相对于该第二本质型层具有较高的沉积率；形成第二导电型层于该本质型堆叠层上；以及形成背电极层于该第二导电型层上方，该背电极层取出电能。
25.如权利要求M所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第一本质型层相对于该第二本质型层具有较高的结晶率。
26.如权利要求M所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第二本质型层的厚度为该第一本质型层的厚度的1/2至1/4倍。
27.如权利要求M所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第一本质型层的沉积率为每秒3至15埃。
28.如权利要求M所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第二本质型层的沉积率为每秒3至10埃。
29.如权利要求M所述的薄膜太阳能电池堆叠制造方法，其中该第二本质型层为补偿层。
全文摘要
本发明揭露一种薄膜太阳能电池堆叠制造方法及其薄膜太阳能电池，其包含基板、非晶硅层、第一导电型层、本质型堆叠层、第二导电型层以及背电极层。非晶硅层位于基板上。第一导电型层位于非晶硅层上。本质型堆叠层位于第一导电型层上，且本质型堆叠层由下而上由不同沉积率的第一本质型层、第二本质型层及第三本质型层堆叠而成，该第二本质型层，相对于该第一本质型层及该第三本质型层具有较高的沉积率。第二导电型层位于本质型堆叠层上。背电极层位于第二导电型层上方，该背电极层取出电能。
文档编号H01L31/20GK102544134SQ20111032005
公开日2012年7月4日 申请日期2011年10月20日 优先权日2010年12月27日
发明者卢俊雄, 张评款, 彭振维, 黄昭雄 申请人:联相光电股份有限公司