专利名称：发光二极管封装结构及其反射杯的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体发光元件，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其反射杯。
背景技术：
目前，发光二极管(Light Emitting Diode,LED)因具有功耗低、寿命长、体积小及亮度高等特性已经被广泛应用到很多领域。传统的发光二极管封装结构的反射杯多由带有金属反光层的杯底和聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide，PPA)材质的反射杯杯壁组成，由于PPA注塑形成的反射杯杯壁的反射率比金属反光层的反射率低，故不能最大效率的将发光二极管芯片发出的光反射出去，从而导致整个发光二极管封装结构的出光效率较低。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种发光二极管封装结构及其反射杯，以解决现有发光二极管封装结构的出光效率较低的技术问题。本发明是这样实现的一种发光二极管封装结构的反射杯，其包括底壁和侧壁，所述底壁和侧壁围成一个用于收容发光二极管芯片的收容槽，所述底壁和侧壁面向收容槽的内表面上均形成有金属反光层。以及，一种发光二极管封装结构，其包括所述反射杯、设置于所述底壁的内表面上的发光二极管芯片以及填充于所述收容槽中覆盖发光二极管芯片的封装体。所述发光二极管封装结构的反射杯的底壁和侧壁面向收容槽的内表面上均形成有金属反光层，相对于现有技术，所述反射杯中的金属反光层的面积增大了，整个反射杯的反射率提高了，从而可以大大提高发光二极管封装结构的出光效率。
以下结合附图描述本发明的实施例，其中
图1是本发明第一实施例提供的发光二二极 f封装结构的剖视图
图2是本发明第二实施例提供的发光二二极 f封装结构的剖视图
图3是本发明第三实施例提供的发光二二极 f封装结构的剖视图
图4是本发明第四实施例提供的发光二二极 f封装结构的剖视图
图5是本发明第五实施例提供的发光二二极 f封装结构的剖视图。
具体实施例方式
以下基于附图对本发明的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅作为实施例，并不用于限定本发明的保护范围。
请参阅图1，本发明第一实施例提供的一种发光二极管封装结构100包括反射杯 10、发光二极管芯片20及封装体30。所述反射杯10包括底壁11、侧壁12及金属反光层13。所述底壁11和侧壁12围成一个用于收容发光二极管芯片20的收容槽，所述底壁11和侧壁12面向收容槽的内表面上均形成有所述金属反光层13。所述反射杯10的底壁11和侧壁12由两个金属支架101 和绝缘材料102组成。具体的，所述整个反射杯10可通过注塑形成，如此，可以提高金属支架101和绝缘材料102之间的结合力。优选地，所述绝缘材料102为PPA。本实施例中，所述两个金属支架101均包括位于底壁11的部分和延伸到侧壁12 的内表面的部分。所述金属反光层13可通过电镀的方法形成于所述两个金属支架101位于所述底壁11的部分和延伸到侧壁12的内表面的部分上。所述位于底壁11的绝缘材料 102将两个金属支架101电气分隔，所述位于侧壁12上的绝缘材料102环绕所述两个金属支架101延伸到侧壁12的内表面的部分设置。所述发光二极管芯片20设置于所述底壁11的内表面上，并与所述两个金属支架 101电性连接。本实施例中，所述发光二极管芯片20设置在所述两个金属支架101其中之一上，且通过打线的方式分别与所述两个金属支架101电性连接。可以理解，所述发光二极管芯片20与金属支架101的连接方式并不限于本实施例，例如，所述发光二极管芯片20 还可通过覆晶等方式与金属支架101电性连接。由于金属支架101 —般具有很好的导热性能，通过将所述发光二极管芯片20设置在所述金属支架101上，可大大提高发光二极管芯片20的散热效率。所述封装体30填充于所述收容槽中，且覆盖发光二极管芯片20，从而可保护发光二极管芯片20，防止发光二极管芯片20受到水汽、灰尘等污染。请参阅图2和图3，本发明第二实施例和第三实施例提供的发光二极管封装结构 200和300与本发明第一实施例提供的发光二极管封装结构100基本相同，所述发光二极管封装结构200和300与发光二极管封装结构100的区别在于所述发光二极管封装结构 200和300中，侧壁12上的绝缘材料102与金属支架101之间的结合面为弯折连接的多个平面，如此，可增大绝缘材料102与金属支架101之间的结合面的面积，从而增大绝缘材料 102与金属支架101之间的结合力。请参阅图4，本发明第四实施例提供的发光二极管封装结构400与本发明第三实施例提供的发光二极管封装结构300基本相同，所述发光二极管封装结构400与发光二极管封装结构300的区别在于所述发光二极管封装结构400中，位于侧壁12上的金属反光层13还有部分形成于所述绝缘材料102上。请参阅图5，本发明第五实施例提供的发光二极管封装结构500与本发明第一实施例提供的发光二极管封装结构100基本相同，所述发光二极管封装结构500与发光二极管封装结构100的区别在于所述发光二极管封装结构500中，两个金属支架101并未延伸到侧壁12上，所述两个金属支架101均位于底壁11上，所述侧壁12完全由绝缘材料102 组成，所述侧壁12上的金属反光层13直接形成在绝缘材料102上。本实施例中，所述侧壁 12上的金属反光层13可通过物理沉积或真空电镀的方式形成在所述绝缘材料102上。所述发光二极管封装结构的反射杯10的底壁11和侧壁12面向收容槽的内表面上均形成有金属反光层13，相对于现有技术，所述反射杯10中的金属反光层13的面积增大了，整个反射杯10的反射率提高了，从而可以大大提高发光二极管封装结构的出光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构的反射杯，其特征在于，其包括底壁和侧壁，所述底壁和侧壁围成一个用于收容发光二极管芯片的收容槽，所述底壁和侧壁面向收容槽的内表面上均形成有金属反光层。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的反射杯，其特征在于，所述底壁包括电气分隔的两个金属支架，所述底壁上的金属反光层形成于所述两个金属支架上。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的反射杯，其特征在于，所述底壁上的金属反光层通过电镀的方法形成于所述两个金属支架上。
4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的反射杯，其特征在于，所述金属支架进一步延伸到所述侧壁的内表面上，所述侧壁上的金属反光层形成于位于侧壁内表面的金属支架上。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的反射杯，其特征在于，所述反射杯的侧壁的内表面为绝缘材料，所述侧壁上的金属反光层形成在所述绝缘材料上。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的反射杯，其特征在于，所述侧壁上的金属反光层通过物理沉积或真空电镀的方式形成在所述绝缘材料上。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的反射杯，其特征在于，所述绝缘材料为PPA。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的反射杯，其特征在于，所述整个反射杯通过注塑形成。
9.一种发光二极管封装结构，其包括如权利要求1-8任一项所述的反射杯、设置于所述底壁的内表面上的发光二极管芯片以及填充于所述收容槽中覆盖发光二极管芯片的封装体。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管芯片贴设于所述两个金属支架其中之一上。
全文摘要
本发明涉及一种发光二极管封装结构，其包括反射杯、发光二极管芯片以及封装体。所述反射杯包括底壁和侧壁，所述底壁和侧壁围成一个用于收容发光二极管芯片的收容槽，所述底壁和侧壁面向收容槽的内表面上均形成有金属反光层。所述发光二极管芯片设置于所述底壁的内表面上，所述封装体填充于所述收容槽中并覆盖发光二极管芯片。所述发光二极管封装结构的反射杯中的金属反光层的面积较大，整个反射杯的反射率较高，从而可以大大提高发光二极管封装结构的出光效率。
文档编号H01L33/60GK102569600SQ20111035994
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月11日 优先权日2011年11月11日
发明者赵玉喜 申请人:宁波市瑞康光电有限公司, 深圳市瑞丰光电子股份有限公司