专利名称：有机发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种有机发光二极管封装结构及其制造方法，特别是有关于一种可阻绝水气及氧气的有机发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术：
目前平面显示器因为厚度薄及重量轻，已广泛地运用在各种电子产品，作为娱乐及讯号显示接口。而在这些平面显示器中，有机发光二极管具有自发光、无视角限制、省电、 高反应速度及全彩化等优点，使有机发光二极管有极大的应用潜力，可望成为下一代的平面显示器及平面光源照明。但因为有机发光二极管的大部份组件(例如发光层)是有机的，故对空间中任何微量的氧气及水气特别敏感。氧气及水气会干扰及劣化发光层的组成材料，特别是其发光能力，而降低了显示质量及面板的使用期。台湾专利证书号1313887揭示一种降低氧气及水气对有机发光二极管封装结构 10的发光层劣化的情况，在此前案中，如图1所示，该有机发光二极管封装结构10包括二薄板，一面对观看者的前薄板11及一后薄板12，藉由前薄板11、后薄板12及封装胶材14之密闭，在三者之间定义有密闭空间17 ；—含复数个有机发光组件13的数组，该有机发光组件13能够发射光线，通过前薄板11 ；及多个吸收剂15位于该前薄板11的多个凹洞16内， 该些凹洞16位于与密闭空间17接触的对应面的内面上，并分布在该些有机发光组件13之间。但TWI313887所揭示的结构，由于封装胶材14阻水氧性差，且吸收剂15位于密闭空间17内，因此吸收剂15无法在水氧通过封装胶材14时的第一时间吸收水氧，吸收剂15 只能等水氧进入密闭空间17后，吸收剂15才能进行吸收水氧。此时水氧可能已经干扰及劣化有机发光组件13，因此无法大幅延长有机发光二极管寿命。再者，由于吸收剂15位于前薄板11的多个凹洞16内的缘故，因此导致前薄板11较厚。因此，便有需要提供一种有机发光二极管封装结构及其制造方法，能够解决前述的问题。
发明内容
本发明提供一种有机发光二极管封装结构的制造方法，包括下列步骤形成一有机发光组件于一基板上；形成一挡墙于该基板上，其中该挡墙环设于该有机发光组件四周， 该挡墙的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属及铜金属所构成的群组的其中一者；形成一封装胶材于一盖板上；以及藉由该封装胶材将该盖板与该基板黏接，然后再将该封装胶材固化，其中该封装胶材环设于该有机发光组件四周，且该封装胶材及该挡墙皆位于该盖板与该基板之间，以密封该有机发光组件。该封装胶材内可混合有一吸收剂。本发明另提供一种有机发光二极管封装结构，包括一基板；一有机发光组件，其设置于该基板上；一封装胶材，其设置于该基板上，且环设于该有机发光组件四周；一挡墙，其亦环设于该有机发光组件四周，并设置于该封装胶材的一侧，该挡墙的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属及铜金属所构成的群组的其中至少一者；以及一盖板，其设置于该有机发光组件上，并藉由该封装胶材将该盖板与该基板黏接，藉此该封装胶材及该金属挡墙皆位于该盖板与该基板之间，以密封该有机发光组件。本发明另提供一种有机发光二极管封装结构，包括一基板；一有机发光组件，其设置于该基板上；一封装胶材，其设置于该基板上，且环设于该有机发光组件四周；一吸收剂，其是混合于该封装胶材内，该吸收剂的材质是以选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属、铜金属、钙化合物、镁化合物、铝化合物、碳化合物、锌化合物、 铬化合物、锡化合物、铅化合物及铜化合物所构成的群组的其中至少一者；以及一盖板，其设置于该有机发光组件上，藉由该封装胶材而将该盖板与该基板黏接，藉此该封装胶材位于该盖板与该基板之间，以密封该有机发光组件。相较于现有技术，可知吸收剂须等水氧进入有机发光二极管封装结构内后，再进行吸收水氧。本发明由于该挡墙设置于该封装胶材的一侧，且该吸收剂位于封装胶材内，因此在水氧通过封装胶材时的第一时间该挡墙及吸收剂即可先吸收水氧，有效地阻挡水氧进入有机发光二极管封装结构内，避免水氧干扰及劣化有机发光组件，进而大幅延长发光二极管寿命。为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显，下文将配合所附图示， 作详细说明如下。
图1为现有技术的有机发光二极管的结构的剖面示意图。图加到图2c为本发明的第丨实施例的有机发光二极管的制造方法的剖面示意图。图3为本发明的第二实施例的有机发光二极管的结构的剖面示意图。图4为本发明的第三实施例的有机发光二极管的结构的剖面示意图。图5为本发明的第四实施例的有机发光二极管的结构的剖面示意图。图6为本发明的第五实施例的有机发光二极管的结构的剖面示意图。图中10、110、210、310、410、510有机发光二极管封装结构；11前薄板，12后薄板，13、113有机发光元件,14,114,214,314封装胶材，15、119、519吸收剂，16凹洞，17 密闭空间，111盖板，112基板，118、218、318、320、418挡墙，130阳极层，140阴极层， 150有机半导体层，152红色发光层，巧4绿色发光层，156蓝色发光层。
具体实施例方式请参考图加至图2c，其显示本发明的第一实施例的有机发光二极管封装结构110 的制造方法。参考图加所示，提供一基板112 (例如玻璃基板)，其定义有多个画素区域，每个画素区域形成一有机发光组件113，有机发光组件113通常包含一阳极层130与一阴极层 140，及一有机半导体层150，该有机半导体层150包括红色发光层152、绿色发光层巧4及蓝色发光层156并置于阳极层130与阴极层140之间。上述的阳极层130与阴极层140至少其中之一为透明电极，另一者可为金属、金属合金、透明金属氧化物或上述的混合层。在基板112上以例如溅镀方式形成一挡墙118，该挡墙118的材质可选自钙金属、 镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属及铜金属所构成的群组的其中一者。在本实施例中，该挡墙118为铝金属所制，且环设于该有机发光组件113四周，该挡墙118宽度大于铝金属自然氧化深度，需大于15微米，该挡墙118高度大于该有机发光组件113高度，需大于400奈米，其中图加仅用以清楚说明本实施例，而非限制本发明。参考图2b所示，提供一盖板111(例如玻璃盖板)，将盖板111的表面网印一可固化的材料，以形成一封装胶材114于盖板111上。在本实施例中，该封装胶材内可混合有一吸收剂119，该吸收剂119的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、 铅金属、铜金属、钙化合物、镁化合物、铝化合物、碳化合物、锌化合物、铬化合物、锡化合物、 铅化合物及铜化合物所构成的群组的其中至少一者。该封装胶材114可为环氧树脂和吸收剂119的混合物。参考图2c所示，将此玻璃盖板111向玻璃基板112方向压合，藉由该封装胶材 114(例如框胶)将该盖板111与该基板112黏接，然后再将该封装胶材114固化，其中该封装胶材114环设于该有机发光组件113四周，该挡墙118设置于该封装胶材114的一侧 (例如外侧)，且该封装胶材114及该挡墙118皆位于该盖板111与该基板112之间，以密封该有机发光组件113，如此以完成本发明的有机发光二极管封装结构110。相较于现有技术，可知吸收剂须等水氧进入有机发光二极管封装结构内后，再进行吸收水氧。本发明由于该挡墙设置于该封装胶材的一侧，且该吸收剂位于封装胶材内，因此在水氧通过封装胶材时的第一时间该挡墙及吸收剂即可先吸收水氧，有效地阻挡水氧进入有机发光二极管封装结构内，避免水氧干扰及劣化有机发光组件，进而大幅延长发光二极管寿命。再者，该挡墙可用以维持该盖板与该基板的间隙，因此有机发光二极管封装结构不须另外设置间隙子(spacer)在该盖板与该基板之间，如此以减少制程成本。 另外，若该吸收剂的成分为活性氧化铝粉，则该活性氧化铝粉与该封装胶材的混合体积比例为ι°/Γιο%。
活性氧化铝粉的混合体积比封装胶材与活性氧化铝粉的截面积比例氧化铝粉减少水气扩散面积比无添加100% 0%0%10%74% 26%26%1%94% 6%6% 活性氧化铝粉减少扩散面积比愈大，代表阻挡水气效果愈好。请参考图3，其显示本发明的第二实施例的有机发光二极管封装结构210。第二实施例的有机发光二极管封装结构210大体上类似于第一实施例的有机发光二极管封装结构110，类似的组件标示类似的标号。第二实施例与第一实施例的差异为，挡墙218可以仅设置于封装胶材214的内侧，而不设置于封装胶材214的外侧。请参考图4，其显示本发明的第三实施例的有机发光二极管封装结构310。第三实施例的有机发光二极管封装结构310大体上类似于第一实施例的有机发光二极管封装结构110，类似的组件标示类似的标号。第二实施例与第一实施例的差异为，挡墙318及另一挡墙320可设置于封装胶材314的外侧及内侧。
请参考图5，其显示本发明的第四实施例的有机发光二极管封装结构410。第四实施例的有机发光二极管封装结构410大体上类似于第一实施例的有机发光二极管封装结构110，类似的组件标示类似的标号。第四实施例与第一实施例的差异为，只单独设置挡墙 418，而不设置吸收剂。参考图6，其显示本发明的第五实施例的有机发光二极管封装结构510。第五实施例的有机发光二极管封装结构510大体上类似于第一实施例的有机发光二极管封装结构 110，类似的组件标示类似的标号。第五实施例与第一实施例的差异为，只单独设置吸收剂 519，而不设置挡墙。综上所述，乃仅记载本发明为呈现解决问题所采用的技术手段的实施方式或实施例而已，并非用来限定本发明专利实施的范围。即凡与本发明专利申请范围文义相符，或依本发明专利范围所做的均等变化与修饰，皆为本发明专利范围所涵盖。
权利要求
1.一种有机发光二极管封装结构，其特征在于，包括一基板；一有机发光元件，其设置于该基板上；一封装胶材，其设置于该基板上，且环设于该有机发光元件四周；一挡墙，其环设于该有机发光元件四周，并设置于该封装胶材的一侧，该挡墙的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属及铜金属所构成的群组的其中至少一者；以及一盖板，其设置于该有机发光元件上，并由该封装胶材将该盖板与该基板黏接，该封装胶材及该金属挡墙皆位于该盖板与该基板之间，以密封该有机发光元件。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于该挡墙设置于该封装胶材的内侧。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于该挡墙设置于该封装胶材的外侧。
4.根据权利要求2所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于更包括另一挡墙设置于该封装胶材的外侧。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于该挡墙为铝金属所制，其宽度大于铝金属自然氧化深度。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于该挡墙宽度大于15 微米。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于该挡墙高度大于该有机发光元件高度。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于该挡墙高度大于400 奈米。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于该封装胶材内混合有一吸收剂。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于该吸收剂的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属、金属铜、钙化合物、镁化合物、铝化合物、碳化合物、锌化合物、铬化合物、锡化合物、铅化合物及铜化合物所构成的群组的其中至少一者。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于该吸收剂的成分为活性氧化铝粉，且该活性氧化铝粉与该封装胶材的混合体积比例为19Γ10%。
12.—种有机发光二极管封装结构，其特征在于，包括一基板；一有机发光元件，其设置于该基板上；一封装胶材，其设置于该基板上，且环设于该有机发光元件四周；一吸收剂，其混合于该封装胶材内，该吸收剂的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、 锌金属、铬金属、锡金属、铅金属、铜金属、钙化合物、镁化合物、铝化合物、碳化合物、锌化合物、铬化合物、锡化合物、铅化合物及铜化合物所构成的群组的其中至少一者；以及一盖板，其设置于该有机发光元件上，藉由该封装胶材而将该盖板与该基板黏接，藉此该封装胶材位于该盖板与该基板之间，以密封该有机发光元件。
13.一种有机发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤 形成一有机发光元件于一基板上；形成一挡墙于该基板上，其中该挡墙环设于该有机发光单元四周，该挡墙的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属及铜金属所构成的群组的其中一者；形成一封装胶材于一盖板上；以及藉由该封装胶材将该盖板与该基板黏接，然后再将该封装胶材固化，其中该封装胶材环设于该有机发光元件四周，且该封装胶材及该挡墙皆位于该盖板与该基板之间，以密封该有机发光元件。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于该封装胶材内混合有一吸收剂，该吸收剂的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属、铜金属、钙化合物、镁化合物、铝化合物、碳化合物、锌化合物、铬化合物、锡化合物、铅化合物及铜化合物所构成的群组的其中至少一者。
全文摘要
一种有机发光二极管封装结构的制造方法，包括下列步骤形成一有机发光组件于一基板上；形成一挡墙于该基板上，其中该挡墙环设于该有机发光组件四周，该挡墙的材质选自钙金属、镁金属、铝金属、碳、锌金属、铬金属、锡金属、铅金属及铜金属所构成的群组的其中一者；形成一封装胶材于一盖板上；以及藉由该封装胶材将该盖板与该基板黏接，然后再将该封装胶材固化，其中该封装胶材环设于该有机发光组件四周，且该封装胶材及该挡墙皆位于该盖板与该基板之间，以密封该有机发光组件。
文档编号H01L51/56GK102447077SQ201110444208
公开日2012年5月9日 申请日期2011年12月27日 优先权日2011年12月27日
发明者刘胜发, 沈俊佑, 邱宝贤, 陈玉仙 申请人:中华映管股份有限公司, 福州华映视讯有限公司