专利名称：发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型是关于一种发光二极管，特别是指一种可增加发光面积以及减少光源耗损的发光二极管。
背景技术：
在中国台湾，发光二极管发展的非常迅速，不管是大至街道上的显示广告牌，或小至手机的指示灯，都已逐渐由LED取代传统光源，原因很简单，因为较省电，使用寿命长以及体积小...等优点，然而，该发光二极管的成品与工艺流程虽然已趋向稳定，但还是会有缺失，如图4及图5所示，为现有的发光二极管前视图及俯视图，包含一 P型磊晶层41、一发光层42、一 N型磊晶层43、一缓冲层44、一基板45、一 P型电极46以及一 N型电极47，其晶粒制作为在基板45上以有机金属化学气相沉积法依序磊晶成长该缓冲层44、N型磊晶层 43、发光层42以及P型磊晶层41，最后再电性耦合P型电极46以及N型电极47，完成整个工艺流程；当发光时，光源是由发光层42向P型磊晶层41的表面射出，由于该光源必须层层通过，使得光输出的路径较长，且该光源射出的面积也仅有P形磊晶层41的表面。因此，如何设计出一种可增加发光面积的创作，乃为本案创作人所亟欲解决的一大课题。
实用新型内容本实用新型的目的之一在于提供一种发光二极管，通过磊晶芯片表面设有多个轮廓不规律的凹槽的特殊设计，可减少光输出路径以及增加发光面积，以达到提升发光效率的功效。本实用新型的目的之二在于提供一种发光二极管，通过磊晶芯片的顶面呈粗糙状，为非平坦式的设计，改变临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。为达上述目的，本实用新型提供一种发光二极管，包括一磊晶芯片、一 P型电极以及一 N型电极，该磊晶芯片的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽，该凹槽的表面呈粗糙状， 且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状，该P型电极形成于该磊晶芯片上，该P型电极与该磊晶芯片电性耦合以及该N型电极形成于该磊晶芯片上，该N型电极与该磊晶芯片电性耦合。其中，该磊晶芯片是由一 P型磊晶层、一发光层以及一 N型磊晶层由上而下依序结合而成。其中，该P型电极设置于P型磊晶层表面。其中，该P型磊晶层为铝砷化镓层。其中，N型电极设置于N型磊晶层的底面。其中，该N型磊晶层为铝砷化镓层。本实用新型的有益效果，本实用新型通过磊晶芯片表面设有多个轮廓不规律的凹槽的特殊设计，可减少光输出路径以及增加发光面积，以达到提升发光效率的功效；通过磊晶芯片的顶面呈粗糙状，为非平坦式的设计，改变临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。
[0013]图1为本实用新型的发光二极管的前视图。[0014]图2为本实用新型的发光二极管的俯视图。[0015]图3为本实用新型的发光二极管的使用状态图[0016]图4为现有的发光二二极管的前视图。[0017]图5为现有的发光二二极管的俯视图。[0018]主要元件符号说明[0019]1幕晶芯片[0020]10凹槽[0021]11P型磊晶层[0022]12发光层[0023]13N型磊晶层[0024]2P型电极[0025]3N型电极[0026]41P型磊晶层[0027]42发光层[0028]43N型磊晶层[0029]44缓冲层[0030]45基板[0031]46P型电极[0032]47N型电极
具体实施方式
为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，惟所附图式仅提供参考与说明用，非用以限制本实用新型。请参阅图1及图2所示，为本实用新型发光二极管的前视图以及俯视图，该发光二极管包括一磊晶芯片1、一 P型电极(P Electrode) 2以及一 N型电极(N Electrode) 3。该磊晶芯片1的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽10，该凹槽10的表面呈粗糙状， 且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状，为非平坦式的设计，该P型电极2形成于该磊晶芯片4 上，该P型电极2与该磊晶芯片1电性耦合以及该N型电极3形成于该磊晶芯片1上，该N 型电极3与该磊晶芯片1电性耦合。其中，该磊晶芯片1是由一 P型磊晶层11、一发光层以12及一 N型磊晶层13由上而下依序结合而成，该P型电极2设置于P型磊晶层11表面，该P型磊晶层11为铝砷化镓层(AKiaAs P Epi. Layer)，该N型电极3设置于N型磊晶层13的底面，该N型磊晶13层为铝砷化镓层(AlGaAs N Epi. Layer)。请参阅图3所示，为本实用新型发光二极管的使用状态图，该发光二极管是通过湿式蚀刻方式在磊晶芯片1的表面形成多个轮廓不规律的凹槽10，因该多个凹槽1所形成的面积增加，于是，当发光层12将光源射出，该光源则经由各该凹槽10的各面以及磊晶芯片1的表面射出，增加发光面积，又因该凹槽10与该发光层12的距离缩短，可减少光输出路径，有效提升该发光效率，再者，因该磊晶芯片1的顶面亦呈粗糙状，为非平坦式的设计， 因此，改变了光源射出的临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。综上所述，本实用新型的发光二极管的特点在于通过磊晶芯片1表面设有多个轮廓不规律的凹槽10的特殊设计，可减少光输出路径以及增加发光面积，以达到提升发光效率的功效，再通过磊晶芯片1的顶面亦呈粗糙状， 为非平坦式的设计，改变临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。以上所述，仅为本实用新型的较佳可行实施例而已，非因此即局限本实用新型的专利范围，举凡运用本实用新型说明书及图式内容所为的等效结构变化，均理同包含于本实用新型的权利要求范围内。
权利要求1.一种发光二极管，其特征在于，包括一磊晶芯片，该磊晶芯片的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽，该凹槽的表面呈粗糙状， 且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状；一 P型电极，形成于该磊晶芯片上，该P型电极与该磊晶芯片电性耦合；以及一 N型电极，形成于该磊晶芯片上，该N型电极与该磊晶芯片电性耦合。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该磊晶芯片是由P型磊晶层、发光层以及N型磊晶层由上而下依序结合而成。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该P型电极设置于P型磊晶层表面。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该P型磊晶层为铝砷化镓层。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，N型电极设置于N型磊晶层的底面。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该N型磊晶层为铝砷化镓层。
专利摘要本实用新型是关于一种发光二极管，包括一磊晶芯片、一P型电极以及一N型电极，该磊晶芯片的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽，该凹槽的表面呈粗糙状，且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状，该P型电极形成于该磊晶芯片上，该P型电极与该磊晶芯片电性耦合以及该N型电极形成于该磊晶芯片上，该N型电极与该磊晶芯片电性耦合，由此，以达到增加发光面积以及减少光源耗损的功效。
文档编号H01L33/22GK201975415SQ20112003509
公开日2011年9月14日 申请日期2011年2月9日 优先权日2011年2月9日
发明者杨政达, 温祥一, 龚正 申请人:鼎元光电科技股份有限公司