专利名称：一种清洗装置及抛光装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及化学机械抛光设备领域，且特别涉及一种用于抛光头和抛光垫修整器的清洗装置及抛光装置。
背景技术：
随着集成电路(IC)制造技术的飞速发展，对硅片的加工精度和表面质量提出了更高的要求，化学机械抛光(CMP)是目前唯一能够实现硅片局部和全局平坦化的实用技术和核心技术，正广泛地应用于IC制造中。图1为目前CMP采用的抛光装置，抛光垫11随基台10旋转，抛光头12承载晶片 15并下压晶片15至抛光垫11上与抛光垫11相对旋转，浆料注入机13将抛光浆料喷洒或涂抹在抛光垫11上，抛光垫修整器14用于对抛光垫11表面进行修整，增强抛光垫11的抛光性能。CMP制程中，晶片15和抛光垫11在抛光浆料作用下相对彼此执行摩擦运动，从而将晶片15的表面变平。经过一段时间的晶片抛光或抛光垫修整工艺后，由于离心力作用，来自抛光浆料以及晶片15被抛光去除的薄膜等的残留物16，也会飞溅并附着在抛光头12或抛光垫修整器14的修整头上表面以及侧表面。然而，现有技术中的清洗装置一般注重于清洗抛光头12 或抛光垫修整器14的修整头底部表面，以用于下一批晶片的抛光；而附着在抛光头12或抛光垫修整器14的修整头上表面以及侧表面的残留物16则被忽视，随着时间的推移，这些残留物16的粘附力会降低，可能会从抛光头12或抛光垫修整器14的修整头上剥离，落到抛光垫11上，这样将会造成晶片15的抛光表面出现刮痕、通槽或凹坑等缺陷，或者下一批抛光晶片的污染，对器件的成品率造成极大地负作用。因此需要一种清洗装置及抛光装置，能在抛光制程或抛光垫修整制程后清洗抛光头或抛光垫修整器的修整头的上表面及侧表面的残留物，减少抛光缺陷，提高晶片抛光性能。
实用新型内容本实用新型提出一种清洗装置及抛光装置，能在抛光制程或修整制程后清理抛光头或抛光垫修整器的修整头的上表面及侧表面的残留物，减少抛光缺陷，提高晶片抛光性能。为了达到上述目的，本实用新型提出一种清洗装置，用于抛光头或抛光垫修整器的修整头上表面及侧表面的清洗，包括清洗剂供给设备，设有出水管；清洗罩，环绕所述抛光头或修整头，所述清洗罩的侧壁内部设有多路与所述出水管相连通的喷水管，所述喷水管靠近所述抛光头或修整头的一侧设有多个喷嘴，所述清洗罩的外部设有能够调节所述清洗罩高度的升降结构。进一步的，所述清洗罩的侧部内部设有2 10路与所述出水管相连通的环状的喷
3水管。进一步的，所述喷水管的喷嘴的数量为20 30个。进一步的，所述清洗罩的侧壁内侧与所述抛光头或修整头的距离为Icm 5cm。进一步的，所述清洗罩为环柱结构，所述清洗罩的侧壁内部沿环绕所述抛光头或修整头的方向设有多路与所述出水管相连通的环状的喷水管。进一步的，所述升降结构包含高度调节组件。进一步的，所述高度调节组件包含铰链、弹簧、滑杆、套管和伸缩杆中的一种或多种。进一步的，所述清洗装置还包括清洗装置控制器，连接所述清洗剂供给设备和所述升降结构，控制所述清洗剂供给设备出水和控制所述升降结构调节清洗罩升降高度。进一步的，所述清洗罩的材料是不锈钢或塑料。相应的，本实用新型还提供一种抛光装置，包括抛光头和/或抛光垫修整器，还包括上述的清洗装置。与现有技术相比，本实用新型的清洗装置及抛光装置，通过升降结构调节清洗罩的高度，晶片抛光时或抛光垫修整时升起清洗罩，晶片抛光后或抛光垫修整后降下清洗罩， 清理抛光头或抛光垫修整器的修整头的上表面及侧表面的残留物，减少抛光缺陷，提高晶片抛光性能，该清洗装置结构简单，操作方便，提高了器件的成品率。
图1所示为现有技术的抛光装置结构示意图；图2所示为本实用新型具体实施例的清洗装置的结构示意图；图3所示为本实用新型的清洗装置的喷水管结构示意图；图4所示为本实用新型具体实施例的抛光装置的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了更了解本实用新型的技术内容，特举具体实施例并配合所附图示说明如下。请参考图2，本实用新型提供一种清洗装置，用于抛光头或抛光垫修整器的修整头上表面及侧表面的清洗，包括清洗剂供给设备26，设有出水管261 ；清洗罩27，环绕所述抛光头或修整头22，所述清洗罩27的侧壁内部设有多路与所述出水管261相连通的喷水管，所述喷水管靠近所述抛光头或修整头的一侧设有多个喷嘴 (如图2和图3所示的271a)，所述清洗罩的外部设有升降结构273以调节所述清洗罩27的高度，所述升降结构273包含高度调节组件，所述高度调节组件可以包含铰链、弹簧、滑杆、 套管和伸缩杆中的一种或多种。优选的，所述清洗罩27的侧部内部设有2 10路与所述出水管相连通的喷水管， 各路喷水管的出水是相互独立的，各路喷水管的喷嘴的数量为20 30个，所述清洗罩27 侧壁的内侧与所述抛光头或修整头的距离为Icm 5cm ；进一步的，所述清洗罩27为环柱结构，所述清洗罩27的侧壁内部沿环绕所述抛光头或修整头22的方向设有多路与所述出水管261相连通的环状喷水管；所述清洗罩27采用不锈钢，不锈钢涂层或塑料制作；所述清洗装置还包括清洗装置控制器28，连接所述清洗剂供给设备26以控制所述清洗剂供给设备26的出水，还连接所述升降结构273以调节清洗罩27的升降高度，特别实时调节清洗罩27的升降高度。本实施例中，所述清洗罩27为圆柱环结构，侧壁中靠近上下底面的位置处，各设有1路与所述出水管261相连通的环状的喷水管271，272，喷水管271，272各有25个喷嘴 (如图3所示的271a)。相应的，本实用新型还提供一种抛光装置，包括抛光头和/或抛光垫修整器，所述抛光装置还包括如图2所示的清洗装置。请参考图4，以清洗抛光头为例，初始时，清洗罩27悬置于抛光头22正上方，应用本实用新型的抛光装置的方法，包括以下步骤将晶片25承载至抛光头22上；浆料注入机23向抛光垫21注入抛光浆料，抛光头22将晶片25下压至抛光垫21 上进行晶片抛光；晶片抛光结束后，清洗装置控制器28控制升降结构273降下清洗罩27，使清洗罩 27的侧壁环绕抛光头22，清洗装置控制器28控制清洗剂供给设备26出水，并实时调节升降结构273，以清洗抛光头22上表面和侧面的残留物；清洗装置控制器28控制清洗剂供给设备26结束出水，并控制升降结构273使清洗罩27升起，悬置于抛光头22正上方。综上所述，本实用新型的清洗装置及抛光装置，通过升降结构调节清洗罩的高度， 晶片抛光时或抛光垫修整时升起清洗罩，晶片抛光后或抛光垫修整后降下清洗罩，清理抛光头或抛光垫修整器的修整头的上表面及侧表面的残留物，减少抛光缺陷，提高晶片抛光性能，该清洗装置结构简单，操作方便，提高了器件的成品率。虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
权利要求1.一种清洗装置，用于抛光头或抛光垫修整器的修整头上表面及侧表面的清洗，其特征在于，包括清洗剂供给设备，设有出水管；清洗罩，环绕所述抛光头或修整头，所述清洗罩的侧壁内部设有多路与所述出水管相连通的喷水管，所述喷水管靠近所述抛光头或修整头的一侧设有多个喷嘴，所述清洗罩的外部设有能够调节所述清洗罩高度的升降结构。
2.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗罩的侧部内部设有2 10路与所述出水管相连通的喷水管。
3.如权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述喷水管的喷嘴的数量为20 30个。
4.如权利要求1或2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗罩的侧壁内侧与所述抛光头或修整头的距离为Icm 5cm。
5.如权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗罩为环柱结构，所述清洗罩的侧壁内部沿环绕所述抛光头或修整头的方向设有多路与所述出水管相连通的环状的喷水管。
6.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述升降结构包含高度调节组件。
7.如权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，所述高度调节组件包含铰链、弹簧、滑杆、套管和伸缩杆中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括清洗装置控制器， 连接所述清洗剂供给设备和所述升降结构，控制所述清洗剂供给设备出水和控制所述升降结构调节清洗罩升降高度。
9.如权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗罩的材料是不锈钢或塑料。
10.一种抛光装置，包括抛光头和/或抛光垫修整器，其特征在于，还包括如权利要求1 至9中任意一项所述的清洗装置。
专利摘要本实用新型提出一种清洗装置及抛光装置，通过升降结构调节清洗罩的高度，晶片抛光时或抛光垫修整时升起清洗罩，晶片抛光后或抛光垫修整后降下清洗罩，清理抛光头或抛光垫修整器的修整头的上表面及侧表面的残留物，减少抛光缺陷，提高晶片抛光性能，该清洗装置结构简单，操作方便，提高了器件的成品率。
文档编号H01L21/00GK202142510SQ201120181309
公开日2012年2月8日 申请日期2011年5月31日 优先权日2011年5月31日
发明者刘俊良, 邓武锋 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司