专利名称：带悬浮发射区的功率晶体管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种功率晶体管，尤其是NPN型功率晶体管，具体地说是一种带悬浮发射区的功率晶体管。
背景技术：
目前，双极型功率晶体管(bipolar power transistor)最普及的一种功率晶体管。通常简称功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体管一般为功率集成器件，内含数十至数百个晶体管单元；e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。按半导体的类型，器件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Λ，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。双极型晶体管的发射极电流是正温度系数的，其具有热不稳定性，这种热不稳定性，对于双极型功率晶体管尤为突出，往往在期间有源区内出现热斑(又称过热点，是指电流高度集中区域)，它引起器件参数蜕变，甚至诱发二次击穿，使器件永久性损坏。在一定的偏置条件下，电流总要集中，热斑是客观存在的，主要分为两类热斑形成后，以毫秒乃至微秒得延迟时间立即趋于“热奔”，最后导致二次击穿，期间烧毁，这种热斑被称为不稳定热斑。热斑形成后，可以稳定很长时间，几小时到几百小时，主要取决于电流集中程度， 金属化种类以及发射结深浅，这种热斑被称为稳定热斑。
发明内容本实用新型的目的是针对上述热斑问题，提出一种带悬浮发射区的功率晶体管。 能够提高电流分布的均勻性，避免了电流过于集中区域容易产生温度急剧升高的“热斑”效应所导致器件的失效。本实用新型的技术方案是一种带悬浮发射区的功率晶体管，它包括集电区、集电区的上方为基区，基区内设有发射区，在基区内，基区和发射区之间设有悬浮发射区。本实用新型的发射区的结深为10士2 μ m。。本实用新型的悬浮发射区的宽度为15_20μπι。本实用新型的有益效果本实用新型中，当基区电流流向发射区时，悬浮发射区对电流的流向进行了适当地疏导，通过提高电流分布的均勻性，避免了电流过于集中区域容易产生温度急剧升高的 “热斑”效应所导致器件的失效，从而有效地提高了产品的可靠性。
[0014]图1是本实用新型的结构示意图。1、悬浮发射区；2、发射区；3、基区。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。如图1所示，一种带悬浮发射区的功率晶体管，它包括集电区、集电区的上方为基区3，基区3内设有发射区2，在基区3内，基区3和发射区2之间设有悬浮发射区1。本实用新型的发射区2的结深为10士 2 μ m。本实用新型的悬浮发射区1的宽度为15-20 μ m。当基区电流流向发射区时，悬浮发射区对电流的流向进行了适当地疏导，通过提高电流分布的均勻性，避免了电流过于集中区域容易产生温度急剧升高的“热斑”效应所导致器件的失效，从而有效地提高了产品的可靠性。本实用新型未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
权利要求1.一种带悬浮发射区的功率晶体管，它包括集电区、集电区的上方为基区(3)，基区 (3)内设有发射区(2)，其特征是在基区(3)内，基区(3)和发射区(2)之间设有悬浮发射区 (1)。
2.根据权利要求1所述的带悬浮发射区的功率晶体管，其特征是所述的发射区(2)的结深为10 士 2 μ m。
3.根据权利要求1所述的带悬浮发射区的功率晶体管，其特征是所述的悬浮发射区 (1)的宽度为15-20 μ m。
专利摘要一种带悬浮发射区的功率晶体管，它包括集电区、集电区的上方为基区(3)，基区(3)内设有发射区(2)，在基区(3)内，基区(3)和发射区(2)之间设有悬浮发射区(1)；发射区(2)的结深为10±2μm；悬浮发射区(1)的宽度为15-20μm。当基区电流流向发射区时，悬浮发射区对电流的流向进行了适当地疏导，通过提高电流分布的均匀性，避免了电流过于集中区域容易产生温度急剧升高的“热斑”效应所导致器件的失效，从而有效地提高了产品的可靠性。
文档编号H01L29/73GK202189791SQ20112025762
公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月20日 优先权日2011年7月20日
发明者严研, 刘绪强 申请人:江苏东光微电子股份有限公司