专利名称：晶舟和炉管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶舟和炉管。
背景技术：
在半导体制造工艺中，为了设置分立器件和集成电路，需要在晶圆的衬底上沉积不同种类的薄膜。而在各种沉积薄膜的方法中，低压化学气相沉积(LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition)是一种常用的方法，已经被广泛应用到各种薄膜的沉积工艺中。在LPCVD工艺中，当前采用的主流设备是垂直炉管。请参阅图1 图3，其中，图1 所示是现有的炉管的结构示意图，图2所示为现有的晶舟的结构示意图，图3所示是现有的晶舟支撑架的结构示意图。由图1 图3可见，现有的炉管具有一腔室100，所述腔室100 内设有晶舟110和晶舟支撑架120，所述晶舟110用于放置晶圆，所述晶舟110安装于所述晶舟支撑架120上。所述晶舟110包括顶板111、底板112以及连接于所述顶板111和底板 112之间的若干支柱113。所述晶舟支撑架120包括底座121和圆形连接支架122，所述圆形连接支架122固定于所述底座121上。由于圆形连接支架122需要对晶舟110起到一定的支撑作用，因此，圆形连接支架122 —般采用强度较高的金属材质。但是，在实际的使用和维护过程中发现，用于固定晶舟110的圆形连接支架122 上面尤其是侧面会淀积一层薄膜(例如是多晶硅薄膜)。且由于金属材质的圆形连接支架 122的热膨胀系数比较小，因此，淀积在圆形连接支架122上的薄膜非常疏松，很容易被氮气(N2)气流带起而造成炉管底部的颗粒物质超标，而这些超标的颗粒物质容易吸附到晶圆上，造成产品良率下降。因此，如何提供一种可以防止颗粒物质产生的晶舟和炉管是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种晶舟和炉管，通过晶舟的底板下方设置环形罩， 可以遮盖晶舟支撑架上容易淀积多晶硅薄膜的部分即圆形连接支架，有效避免制程气体淀积到圆形连接支架上形成薄膜，避免颗粒物质产生。为了达到上述的目的，本实用新型采用如下技术方案一种晶舟，安装于晶舟支撑架上，所述晶舟包括顶板、底板以及连接于所述顶板和底板之间的若干支柱，所述底板的下方设有环形罩。优选地，在上述的晶舟中，所述环形罩连接于所述底板的周缘处。优选地，在上述的晶舟中，所述晶舟支撑架包括底座和圆形连接支架，所述圆形连接支架固定于所述底座上，所述环形罩的内径大于所述圆形连接支架的外径。本实用新型还公开了一种炉管，包括晶舟支撑架和晶舟，所述晶舟安装在所述晶舟支撑架上，所述晶舟包括顶板、底板以及连接于所述顶板和底板之间的若干支柱，所述底板的下方设有环形罩。优选地，在上述的炉管中，所述环形罩连接于所述底板的周缘处。优选地，在上述的炉管中，所述晶舟支撑架包括底座和圆形连接支架，所述圆形连接支架固定于所述底座上，所述环形罩的内径大于所述圆形连接支架的外径。优选地，在上述的炉管中，所述圆形连接支架是金属材质的连接支架。优选地，在上述的炉管中，还包括盖板和若干螺栓组件，所述晶舟通过所述盖板和所述若干螺栓组件安装于所述晶舟支撑架上，所述盖板和所述圆形连接支架对应开设有若干与所述若干螺栓组件对应的螺孔。优选地，在上述的炉管中，所述盖板是碳化硅材质的盖板。优选地，在上述的炉管中，还包括晶舟升降机构，所述晶舟升降机构设置于所述晶舟支撑架下方。本实用新型的有益效果如下本实用新型提供一种晶舟和炉管，通过晶舟的底板下方设置环形罩，该环形罩可以遮盖住晶舟支撑架上容易淀积薄膜(例如是多晶硅薄膜)的部分即可以遮盖住所述圆形连接支架的侧面，有效避免制程气体淀积到金属材质的圆形连接支架上形成疏松的薄膜， 从而有效避免颗粒物质产生，确保了晶圆的良率。另外，通过将连接用的盖板由原来的金属材质改成碳化硅(SiC)材质，由于SiC材质的盖板的热膨胀系数较大，因此，淀积在SiC材质的盖板上的薄膜比较致密，不容易被氮气(N2)气流带起，不会造成炉管腔室内颗粒物质超标，从而进一步确保晶圆的良率。
本实用新型的晶舟和炉管由以下的实施例及附图给出。图1所示是现有的炉管的结构示意图；图2所示为现有的晶舟的结构示意图；图3所示是现有的晶舟支撑架的结构示意图；图4所示是本实用新型一实施例的炉管的结构示意图；图5所示是本实用新型一实施例的晶舟的结构示意图；图6所示是本实用新型一实施例的晶舟支撑架的结构示意图；图7所示是本实用新型一实施例的盖板的结构示意图。
具体实施方式
以下将对本实用新型的晶舟和炉管作进一步的详细描述。下面将参照附图对本实用新型进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商
4业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。为使本实用新型的目的、特征更明显易懂，
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率， 仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。请参阅图4 图7，其中，图4所示是本实用新型一实施例的炉管的结构示意图， 图5所示是本实用新型一实施例的晶舟的结构示意图，图6所示是本实用新型一实施例的晶舟支撑架的结构示意图，图7所示是本实用新型一实施例的盖板的结构示意图。请重点参阅图4和图5，这种炉管，包括晶舟支撑架220和晶舟210，所述晶舟210 安装在所述晶舟支撑架220上。所述晶舟210包括顶板211、底板212以及连接于所述顶板 211和底板212之间的若干支柱213，所述底板212的下方设有环形罩214，所述环形罩214 连接于所述底板212的周缘处。请重点参阅图4和图6，所述晶舟支撑架220包括底座221和圆形连接支架222， 所述圆形连接支架222固定于所述底座221上，所述晶舟的环形罩214的内径大于所述圆形连接支架222的外径。所述圆形连接支架222是金属材质的连接支架。因为，金属材质的连接支架具有较高的强度，可以承受较大受力。当晶舟210安装在所述晶舟支撑架220 上时，所述环形罩214可以覆盖住整个的圆形连接支架222，从而可以有效避免制程气体淀积到圆形连接支架222上形成薄膜(例如为多晶硅薄膜)，进而避免影响晶圆的颗粒物质产生，确保晶圆的良率。本实施例中，请重点参阅图4、图5和图7，所述炉管还包括盖板230和若干螺栓组件(未图示)，所述晶舟210通过盖板230和若干螺栓组件安装于所述晶舟支撑架220上， 所述盖板230开设有若干与所述若干螺栓组件对应的螺孔231，所述圆形连接支架220也对应开设有若干与所述若干螺栓组件对应的螺孔(未图示)。可以理解的是，以上仅为晶舟 210和晶舟支撑架220的一种连接结构，当然两者之间还可以采用其他连接结构。较佳地，本实施例中，请重点参阅图4和图7，所述盖板230是SiC(碳化硅)材质的盖板。现有的盖板一般是采用金属材质。但是，制程气体容易在现有的金属材质的盖板上淀积薄膜(例如多晶硅薄膜)，由于金属材质的盖板的热膨胀系数较小，因此，该薄膜比较疏松，非常容易被氮气(N2)气流带起，而造成炉管内颗粒物质超标。当所述盖板230采用SiC材质的盖板后，由于SiC材质的盖板的热膨胀系数较大，因此，淀积在SiC材质的盖板230上的多晶硅薄膜比较致密，不容易被队气流带起，因此，不会造成炉管腔室200内颗粒物质超标。当然，所述盖板230还可以由其它热膨胀系数较大的材质制成，本实用新型对此不予限定。较佳地，本实施例中，请重点参阅图4和图5，所述炉管还包括晶舟升降机构M0， 所述晶舟升降机构240设置于所述晶舟支撑架220下方。晶舟升降机构240可以带动晶舟支撑架220及其上的晶舟210到达指定位置。综上所述，本实用新型种晶舟和炉管，通过晶舟的底板下方设置环形罩，该环形罩可以遮盖住晶舟支撑架上容易淀积多晶硅薄膜的部分即可以遮盖住所述圆形连接支架，圆形连接支架的正面由晶舟底板和盖板遮盖，圆形连接支架的侧面由该环形罩遮盖，从而，有效避免制程气体淀积到金属材质的圆形连接支架上形成疏松的多晶硅薄膜，从而有效避免颗粒物质产生，确保了晶圆的良率。另外，通过将连接用的盖板由原来的金属材质改成SiC材质，由于SiC材质的盖板的热膨胀系数较大，因此，淀积在SiC材质的盖板230上的多晶硅薄膜比较致密，不容易被 N2气流带起，不会造成炉管腔室200内颗粒物质超标，从而进一步确保晶圆的良率。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种晶舟，安装于晶舟支撑架上，所述晶舟包括顶板、底板以及连接于所述顶板和所述底板之间的若干支柱，其特征在于，所述底板的下方设有环形罩。
2.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述环形罩连接于所述底板的周缘处。
3.根据权利要求1所述的晶舟，其特征在于，所述晶舟支撑架包括底座和圆形连接支架，所述圆形连接支架固定于所述底座上，所述环形罩的内径大于所述圆形连接支架的外径。
4.一种炉管，包括晶舟支撑架和晶舟，所述晶舟安装在所述晶舟支撑架上，其特征在于，所述晶舟包括顶板、底板以及连接于所述顶板和所述底板之间的若干支柱，所述底板的下方设有环形罩。
5.根据权利要求4所述的炉管，其特征在于，所述环形罩连接于所述底板的周缘处。
6.根据权利要求4所述的炉管，其特征在于，所述晶舟支撑架包括底座和圆形连接支架，所述圆形连接支架固定于所述底座上，所述环形罩的内径大于所述圆形连接支架的外径。
7.根据权利要求6所述的炉管，其特征在于，所述圆形连接支架是金属材质的连接支架。
8.根据权利要求6所述的炉管，其特征在于，还包括盖板和若干螺栓组件，所述晶舟通过所述盖板和所述若干螺栓组件安装于所述晶舟支撑架上，所述盖板和所述圆形连接支架对应开设有若干与所述若干螺栓组件对应的螺孔。
9.根据权利要求8所述的炉管，其特征在于，所述盖板是碳化硅材质的盖板。
10.根据权利要求4-9中任意一项所述的炉管，其特征在于，还包括晶舟升降机构，所述晶舟升降机构设置于所述晶舟支撑架下方。
专利摘要本实用新型公开了一种晶舟，安装于晶舟支撑架上，所述晶舟包括顶板、底板以及连接于所述顶板和所述底板之间的若干支柱，所述底板的下方设有环形罩。本实用新型还公开了一种炉管，包括晶舟支撑架和晶舟，所述晶舟安装在所述晶舟支撑架上，所述晶舟包括顶板、底板以及连接于所述顶板和所述底板之间的若干支柱，所述底板的下方设有环形罩。本实用新型种晶舟和炉管，通过在晶舟的底板下方设置环形罩，通过环形罩遮盖住晶舟支撑架上容易淀积多晶硅薄膜的部分即将金属材质的圆形连接支架遮盖，从而，有效避免制程气体淀积到圆形连接支架上形成疏松的多晶硅薄膜，有效避免颗粒物质产生，确保产品良率。
文档编号H01L21/00GK202142511SQ20112029419
公开日2012年2月8日 申请日期2011年8月12日 优先权日2011年8月12日
发明者任瑞龙, 沈建飞 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司