专利名称：一种薄膜型太阳能电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种太阳能电池，特别涉及一种薄膜型太阳能电池。
背景技术：
目前在太阳能电池制造业中，晶体硅和多晶体硅为基材的产品占主导地位，其市场占有率约为80%以上。由于硅基材价格昂贵，生产成本高，这成为太阳能电池发展推广的重大障碍。现有技术中，已有以非晶体硅薄膜为主体的薄膜型太阳能电池，它以玻璃为衬底，具有制作成本低，并能制成较大面积产品的优点，但其光热稳定性差，光电转换效率低， 稳定性也差，这些不可避免的缺点成为非晶体硅薄膜电池广泛应用的壁垒。
实用新型内容本实用新型的目的是针对现有技术的不足，发明了一种薄膜型太阳能电池，不仅能减少对硅材料的浪费，还能显著增强光热稳定性，提高光电转换效率和稳定性。为实现上述目的，本实用新型的技术方案是一种薄膜型太阳能电池，从底层到顶层依次包括玻璃基片、导电膜、非晶硅薄膜和纳米级掺杂型硅薄膜。进一步地，优选的结构为玻璃基片为汽车级浮法玻璃。进一步地，优选的结构为导电膜的厚度为20 50nm。进一步地，优选的结构为 纳米级掺杂型硅薄膜的晶粒大小为1 6nm，膜层厚度为30 60nm。由于在太阳能薄膜电池表面采用了纳米级掺杂型硅薄膜，使得硅的使用量大大减少，降低了制造成本；另外，晶粒大小为1 6nm、膜层厚度为30 60nm的微晶结构，增强了太阳能薄膜电池的光热稳定性，提高了光电转换效率和稳定性，延长了太阳能薄膜电池的使用寿命。
图1是本实用新型薄膜型太阳能电池的截面示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步说明，以使得本实用新型的优点更加明确。如图1所示，薄膜型太阳能电池从底层到顶层依次为汽车级浮法玻璃1、导电膜2、 非晶硅薄膜3和纳米级掺杂型硅薄膜4。其中，导电膜3的厚度为20 50nm。纳米级掺杂型硅薄膜4的晶粒大小为1 6nm，膜层厚度为30 60nm。纳米级掺杂型硅薄膜4膜层的膜料为h、Sn、ai和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。采用磁控溅射法，对玻璃基片1进行溅射涂覆，依次形成导电膜2、非晶硅薄膜 3和纳米级掺杂型硅薄膜4。需要注意的是，上述具体实施例仅仅是示例性的，在本实用新型的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形落在本实用新型的保护范围内。 本领域技术人员应该明白，上面的具体描述只是为了解释本实用新型的目的，并非用于限制本实用新型。本实用新型的保护范围由权利要求及其等同物限定。
权利要求1.一种薄膜型太阳能电池，其特征在于从底层到顶层依次包括玻璃基片、导电膜、非晶硅薄膜和纳米级掺杂型硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其特征在于所述玻璃基片为汽车级浮法玻璃。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜型太阳能电池，其特征在于所述导电膜的厚度为 20 50 nm。
4.根据权利要求1所述的薄膜型太阳能电池，其特征在于所述纳米级掺杂型硅薄膜的晶粒大小为1 6 nm，膜层厚度为30 60匪。
专利摘要本实用新型公开了一种薄膜型太阳能电池，从底层到顶层依次包括玻璃基片、导电膜、非晶硅薄膜和纳米级掺杂型硅薄膜。采用该技术方案后，不仅增强了太阳能薄膜电池的光热稳定性，而且提高了光电转换效率和稳定性，延长了太阳能薄膜电池的使用寿命。
文档编号H01L31/0392GK202205766SQ201120312290
公开日2012年4月25日 申请日期2011年8月25日 优先权日2011年8月25日
发明者李攀登, 王志坚, 申伟, 赵霞 申请人:常州华美光伏材料有限公司