专利名称：一种带有测试电路的新型mosfmt模块的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种带有测试电路的新型MOSFMT模块。
背景技术：
在直流无刷多相电机的驱动和控制器设计中，新型MOSFMT模块多使用TO. 220封装的MOSFMT管并联并排连接方式安装在PCB线路板上。MOSFMT管分为上、下桥臂管，电源线和电机线之间并联的MOSFMT称做上桥臂管，电源地线和电机线之间并联的MOSFMT称做下桥臂管，上下桥臂管串成一线焊接在陶瓷PCB上，MOSFMT管的散热片成一平面压紧贴在散热器上。并联的上桥臂管的源极连接并联的下桥臂管的漏极；由于上、下桥臂管一般各由多封装的MOSFMT管并联而成，现有技术中一般来说，MOSFMT管安装在陶瓷PCB板一侧，把 MOSFMT管的散热片贴在陶瓷PCB板侧面的铝散热器上，用螺钉固定，加工和更换都比较麻烦；MOSFMT管并联密植连接方式时，存在安装压紧固定、有效散热和抗电磁干扰的问题。
发明内容本实用新型为了解决直插型的MOSFMT器件并联密植连接方式时，存在的上述问题，在经过对现有方式和应用做过详细分析，对现有技术中MOSFMT管的安装连接方式做出重大改进，具体技术方案如下一种带有测试电路的新型MOSFMT模块，包括PCB线路板，设置在PCB线路板上的MOSFET的测试电路，PCB线路板上设置有直插型的MOSFMT管、电容组和其它电器元件； MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散热片、所述散热器、所述PCB线路板是采用相同的材料一体成型；所述散热器内开有冷却水道，该冷却水道经循环水路与循环泵相通；所述循环泵的转轴伸出循环泵，转轴上安装有风扇，该风扇正对所述散热器的散热面；MOSFET的测试电路包括稳压单元，进行采样电压并比较电压大小的采样比较单元，隔离单元，在测试MOSFET时，给MOSFET提供反偏高压，并且在不测试MOSFET时，用来保护MOSFET的保护单元；所述稳压单元的输出端与采样比较单元的第一输入端连接，采样比较单元的第二输入端与MOSFET的门极和源极连接，采样单元的输出端与隔离单元的输入端连接；隔离单元的输出端与保护单元的输入端连接；保护单元的输出端连接MOSFET的漏极。所述的新型MOSFMT模块，其中，特征是所述散热器是“M"型散热器，MOSFMT管设在“M”型散热器相邻的栅之间。所述的新型MOSFMT模块，其中，所述固定装置是“N”型卡簧。所述的新型MOSFMT模块，其中，所述上桥臂管包括1 8个MOSFMT管；下桥臂管包括2—4个MOSFMT管。所述的新型MOSFMT模块，其中，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或铝基。所述的新型MOSFMT模块，其中，所述MOSFMT管是N沟道型；所述其它电器元件包括控制信号输入端子、电源线端子、电机线端子、电源地线端子和驱动控制IC ；输入端子连接驱动控制IC ；驱动控制IC的上桥臂管栅极控制输出连接上桥臂管栅极，驱动控制IC的下桥臂管栅极控制输出连接下桥臂管栅极；电源线端子连接上桥臂管的漏极；电源地线端子连接下桥臂管源极；电机线端子连接上桥臂管的源极和下桥臂管漏极；电容组为多个电容并联而成，并联连接在上桥臂管的漏极和下桥臂管源极之间。所述的新型MOSFMT模块，其中，所述电容是电解电容。与现有技术相比，本实用新型结构通过铝型材散热器使MOSFMT管设在陶瓷PCB上达到密植并联方式，并用固定装置使MOSFM管密贴在型材上，加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。采用2个 “M’’型散热器时，在上、下桥臂管所在的两个“M”型散热器之问还留出电容的安装位置，使陶瓷PCB上印制线的走线距离短，高、低电压分离；解决了电磁干扰问题。利用MOSFET的门极和源极短接形成PN结的反向漏电流来产生一小的电流，这样解决了现有技术中因三极管不同而得到的电流不精确的问题。
图1是本实用新型实施例的正视图；图2是本实用新型实施例的侧视图；图3是本实用新型实施例的立体图。
具体实施方式
以下结合附图和实例对本实用新型进一步说明。如图1、图2、图3所示，一种带有测试电路的新型MOSFMT模块，包括PCB线路板，设置在PCB线路板上的MOSFET的测试电路，PCB线路板上设置有直插型的MOSFMT管、电容组和其它电器元件； MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散热片、所述散热器、所述PCB线路板是采用相同的材料一体成型；所述散热器内开有冷却水道，该冷却水道经循环水路与循环泵相通；所述循环泵的转轴伸出循环泵，转轴上安装有风扇，该风扇正对所述散热器的散热面；MOSFET的测试电路包括稳压单元，进行采样电压并比较电压大小的采样比较单元，隔离单元，在测试MOSFET时，给MOSFET提供反偏高压，并且在不测试MOSFET时，用来保护MOSFET的保护单元；所述稳压单元的输出端与采样比较单元的第一输入端连接，采样比较单元的第二输入端与MOSFET的门极和源极连接，采样单元的输出端与隔离单元的输入端连接；隔离单元的输出端与保护单元的输入端连接；保护单元的输出端连接MOSFET的漏极。一种带有测试电路的新型MOSFMT模块，包括PCB线路板4，PCB线路板4上设置有直插型的MOSFMT管2、电容组和其它电器元件；MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散热片、所述散热器、所述PCB线路板是采用相同的材料一体成型；所述散热器内开有冷却水道，该冷却水道经循环水路与循环泵相通；所述循环泵的转轴伸出循环泵，转轴上安装有风扇，该风扇正对所述散热器的散热面。所述的新型MOSFMT模块，其中，特征是所述散热器是“M"型散热器4，MOSFMT管设在“M”型散热器相邻的栅之间。所述的新型MOSFMT模块，其中，所述固定装置是“N”型卡簧3。[0021 ] 所述的新型MOSFMT模块，其中，所述上桥臂管包括1 8个MOSFMT管；下桥臂管包括2—4个MOSFMT管。所述的新型MOSFMT模块，其中，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或铝基。所述的新型MOSFMT模块，其中，所述MOSFMT管是N沟道型；所述其它电器元件包括控制信号输入端子、电源线端子、电机线端子、电源地线端子和驱动控制IC ；输入端子连接驱动控制IC ；驱动控制IC的上桥臂管栅极控制输出连接上桥臂管栅极，驱动控制IC的下桥臂管栅极控制输出连接下桥臂管栅极；电源线端子连接上桥臂管的漏极；电源地线端子连接下桥臂管源极；电机线端子连接上桥臂管的源极和下桥臂管漏极；电容组为多个电容并联而成，并联连接在上桥臂管的漏极和下桥臂管源极之间。所述的新型MOSFMT模块，其中，所述电容5是电解电容。本实施例中上、下桥臂管匹配方式是NOSFMT管上4X与下4只，采用2个散热器。 实际使用中根据设计要求和器件选型而定，还可以是MOSFMT管上3只与下3只、上3只与下4只、上2只与下4只、上4只与下5只、上5只与下5只等，散热器的数量也可以米用1 个或多个。新型MOSFMT模块，包括PCB线路板4，板上布设有8个TO—220封装的N沟道型 MOSFMT管2、电容组和其它电器元件。MOSFMT管2分为4个上桥臂管和4个下桥臂管，采用并联密植方式安装在陶瓷PCB 4上，MOSFMT管2的散热片上贴有散热器。所述MOSFMT管2 的散热片贴在散热器对应的面上用“N，型卡簧3卡紧，使散热片密贴在散热器对应的面上， 达到很好的导热效果。所述散热器是“M，型铝型材散热器，MOSFMT管2设在“M”型散热器 1相邻的栅之间。上述其它电器元件包括控制信号输入端子、电源线端子、电机线端予、电源地线端子和驱动控制IC。并联的多个上桥臂管的散热片贴在一个“M”型散热器1上；并联的多个下桥臂管的散热片贴在另一个“M”型散热器1上；上、下桥臂管分布在陶瓷PCB4的两边，电容组布设在上、下桥臂管之间的陶瓷PCB4上。陶瓷PCB4固定在散热器1上。输入端子连接驱动控制IC。驱动控制IC的上桥臂管栅极控制输出连接上桥臂，驱动控制IC的下桥臂管栅极控制输出连接下桥臂管栅极。电源线端子连接上桥臂管的漏极；电源地线端子连接下桥臂管源极；电机线端子连接上桥臂管的源极和下桥臂管漏极。电容组为多个电容5并联而成，并联连接在上桥臂管的漏极和下桥臂管源极之间；所述MOSFMT管2以及其它电器元件之问通过陶瓷PCB4上的印制线连接。上述电容5是电解电容。利用MOSFET的门极和源极短接形成PN结的反向漏电流来产生一小的电流，这样解决了现有技术中因三极管不同而得到的电流不精确的问题。应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换， 而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
权利要求1.一种带有测试电路的新型MOSFMT模块，其特征是，包括PCB线路板，设置在PCB线路板上的MOSFET的测试电路，PCB线路板上设置有直插型的MOSFMT管、电容组和其它电器元件；MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散热片、所述散热器、所述PCB线路板是采用相同的材料一体成型；所述散热器内开有冷却水道，该冷却水道经循环水路与循环泵相通；所述循环泵的转轴伸出循环泵，转轴上安装有风扇，该风扇正对所述散热器的散热面；MOSFET的测试电路包括稳压单元，进行采样电压并比较电压大小的采样比较单元，隔离单元，在测试MOSFET时，给MOSFET提供反偏高压，并且在不测试MOSFET时，用来保护MOSFET的保护单元；所述稳压单元的输出端与采样比较单元的第一输入端连接，采样比较单元的第二输入端与MOSFET的门极和源极连接，采样单元的输出端与隔离单元的输入端连接；隔离单元的输出端与保护单元的输入端连接；保护单元的输出端连接MOSFET的漏极。
2.根据权利要求1所述的新型MOSFMT模块，其特征是，所述散热器是“M"型散热器， MOSFMT管设在“M”型散热器相邻的栅之间。
3.根据权利要求1所述的新型MOSFMT模块，其特征是，所述上桥臂管包括1 8个 MOSFMT管；下桥臂管包括2—4个MOSFMT管。
4.根据权利要求1所述的新型MOSFMT模块，其特征是，所述散热片与散热器采用相同的材料是陶瓷或铝基。
专利摘要本实用新型公开了一种带有测试电路的新型MOSFMT模块，包括PCB线路板，PCB线路板上设置有直插型的MOSFMT管、电容组和其它电器元件；MOSFMT管分为上、下桥臂管，采用串联密植方式安装在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散热片、所述散热器、所述PCB线路板是采用相同的材料一体成型。本实用新型结构通过铝型材散热器使MOSFMT管设在陶瓷PCB上达到密植并联方式，并用固定装置使MOSFM管密贴在型材上，加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。
文档编号H01L25/16GK202231656SQ20112038019
公开日2012年5月23日 申请日期2011年10月10日 优先权日2011年10月10日
发明者王金, 黄泽军 申请人:张万召