专利名称：电子材料用Cu-Co-Si类铜合金及其制备方法
技术领域：
本发明涉及析出硬化型铜合金，特别是涉及适合用于各种电子设备部件的Cu-Co-Si类铜合金。
背景技术：
对连接器、开关、继电器、接脚、端子、引线架等各种电子设备部件中使用的电子材料用铜合金，作为基本特性，要求兼具高强度和高导电性(或导热性)。近年来，电子部件的高集成化和小型化、薄壁化急速发展，与此相对应地，对电子设备部件中使用的铜合金的要求水平逐渐提高。从高强度和高导电性的观点出发，作为电子材料用铜合金，代替以往的以磷青铜、黄铜等为代表的固溶强化型铜合金，析出硬化型铜合金的用量增加。在析出硬化型铜合金中，通过对经固溶处理的过饱和固溶体进行时效处理，在使微细的析出物均匀分散，合金强度升高的同时，铜中的固溶元素量减少，导电性提高。因此，得到强度、弹性等机械性质优异，且导电性、导热性良好的材料。在析出硬化型铜合金中，通常被称为科森类合金(corson alloy)的Cu-N1-Si类铜合金为兼具较高的导电性、强度和弯曲加工性的代表性铜合金，为业界目前正活跃地进行开发的合金之一。该铜合金通过在铜基质中析出微细的N1-Si类金属间化合物粒子来实现强度和导电率的提闻。进行了通过向科森合金中添加Co来实现特性的进一步提高的尝试。在专利文献 I中，记载有Co会与Ni同样地和Si形成化合物，提高机械强度，在对Cu-Co-Si类合金进行时效处理的情况下，与Cu-N1-Si类合金相比，机械强度、导电性均变得良好，若成本上允许，则可选择Cu-Co-Si类合金，添加Co时的最适添加量为
0.05^2.0wt%。在专利文献2中，记载有钴应为0.5 2.5质量％。其原因在于:若钴含量少于0.5%，则含钴硅化物第二相的析出变得不充分，若超过2.5%，则过量的第二相粒子析出，导致加工性降低，并赋予铜合金所不期望的强磁性特性。优选钴含量为约0.59Γ约1.5%，在最优选的实施方式中，钴含量为约0.79Γ约1.2%。专利文献3中记载的铜合金主要以用作车载用和通信机用等的端子、连接器材料为目的而开发，为将Co浓度设为0.5^2.5wt%的实现高导电性、中强度的Cu-Co-Si类合金。根据专利文献3，将Co浓度规定为上述范围的理由为，若添加量不足0.5质量％，则得不到所期望的强度，若Co:超过2.5质量％，则虽然可实现高强度化，但导电率显著降低，进而热加工性变差，Co优选为0.5^2.0质量％。专利文献4中记载的铜合金以实现高强度、高导电性和高弯曲加工性为目的而开发，将Co浓度规定为0.Γ3.0wt%。作为将Co浓度这样限定的理由，记载有若不足该组成范围，则不显示上述效果，另外若超过该组成范围进行添加，则由于在铸造时生成结晶相，成为铸造裂缝的原因，故不优选。
在专利文献5和6中，记载有通过在表面切削后于40(T80(TC进行5秒钟 20小时的时效析出热处理，分散第二相粒子，来阻碍固溶时的生长，将结晶粒径控制在10//m以下的方法。凭借该方法，在N1-Si类等铜合金中可使阻碍析出物生长的第二相粒子分散，但在Co-Si类铜合金中，由于第二相粒子难以变大，而且需要在高温下固溶，所以难以抑制结晶粒径的生长。在专利文献7中，记载有通过控制固溶的升温速度，来分散第二相粒子，阻碍结晶粒径的生长，将结晶粒径控制为3 20//m，标准偏差为8//m以下。但是，该发明测定试样内的结晶粒径的标准偏差，以使弯曲性良好为目的，并非抑制特性的偏差。另外，标准偏差为8//m，非常离散，若使粒径的偏差为±3σ以内，则会产生±24//m的差异，无法抑制特性的偏差。此外，难以控制固溶时的升温速度，无法完全地抑制结晶粒径的偏差。另外，可预想到制备批次间的偏差也变大。在专利文献8中，记载有在Cu-N1-Co-Si类合金中通过在固溶前进行35(T500°C的时效处理，使平均结晶粒径为15 30//m，使每0.5mm2的最大结晶粒径与最小结晶粒径之差的平均值为10// m以下。但是，弯曲粗糙度为1.5// m，作为今后的电子部件用途的铜合金可认为特性不足。另外，由于合金种类不同，所以时效处理下的析出速度不同，需要详查结晶粒径的控制方法。现有技术文献 专利文献
专利文献1:日本特开平11-222641号公报 专利文献2:日本特表2005-532477号公报 专利文献3:日本特开2008-248333号公报 专利文献4:日本特 开平9-20943号公报 专利文献5:日本特开2009-242814号公报 专利文献6:日本特开2008-266787号公报 专利文献7:日本特开2010-59543号公报 专利文献8:日本特开2009-242932号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
这样，已知添加Co有助于提高铜合金的特性，但如上述现有技术文献中所记载，在Cu-Co-Si类合金的制备工序中，需要在高温下实施固溶处理，在这样的情况下再结晶晶粒易粗大化。另外，在固溶处理工序的前段析出的结晶物或析出物等第二相粒子成为障碍物，阻碍晶粒的生长。因此，产生合金中的再结晶晶粒的不均匀性变大，合金的机械特性的偏差变大的问题。因此，本发明的一个课题在于:提供兼具高导电性、高强度和高弯曲加工性，机械强度均一的、含有高浓度Co的Cu-Co-Si类合金。另外，本发明的另一个课题在于:提供用以制备这样的Cu-Co-Si类合金的方法。解决课题的手段
本发明人深入研究减小再结晶晶粒偏差的手段，从而了解:在Cu-Co-Si类合金的制备中，作为在固溶处理工序的前段预先使微细的第二相粒子尽可能以等间隔同样地析出于铜母相中的方法，在固溶前进行时效处理的方法是适合的。得到以下见解:由于通常在固溶前进行冷轧，在产生应变的状态下进行时效处理，所以第二相粒子易生长，即使在较高温下进行固溶处理，晶粒也因第二相粒子的钉扎效应(pinning effect)而不会变得那样大，而且由于钉扎效应在整个铜母相中均等地发挥作用，所以也可使生长的再结晶晶粒的大小均一化。另外，在固溶处理前通过时效处理除去应变，可降低固溶处理时的结晶粒径的生长速度。而且，已知从而得到具有良好的弯曲性，机械特性的偏差少的Cu-Co-Si类合金。以上述见解为背景完成的本发明在一方面中为一种电子材料用铜合金，其为含有Co:0.5 3.0质量％、51:0.f 1.0质量％，余量由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，平均结晶粒径为:Γ15//Π1，每0.05mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径之差的平均值为5// m以下。本发明所涉及的铜合金在一个实施方式中进一步含有最大为0.5质量％的Cr。本发明所涉及的铜合金在另一个实施方式中进一步含有总计最大为0.5质量％的选自Mg、Mn、Ag和P的I种或2种以上。本发明所涉及的铜合金在又一个实施方式中进一步含有总计最大为2.0质量％的选自Sn和Zn的I种或2种。本发明所涉及的铜合金在又一个实施方式中进一步含有总计最大为2.0质量％的选自N1、As、Sb、Be、B、T1、Zr、Al和Fe的I种或2种以上。另外，本发明在另一方面中为一种铜合金的制备方法，所述制备方法包括依次进行以下工序:
-熔化铸造具有所期望的组成的铸锭的工序1，
-于950°C 1050°C加热I小时以上后进行热轧，将热轧结束时的温度设为850°C以上，将由850°C至400°C的平均冷却速度设为15°C /s以上进行冷却的工序2，
-加工度为70%以上的冷轧工序3， -于51(T800°C加热I分钟 24小时的时效处理工序4，
-于85(Tl050°C进行固溶处理，将材料温度由850°C降至400°C时的平均冷却速度设为15°C /s以上进行冷却的工序5，
-任选的冷轧工序6，
-时效处理工序7，
-任选的冷轧工序8。本发明在又一方面中为具备上述铜合金的锻制铜品。本发明在又一方面中为具备上述铜合金的电子设备部件。发明的效果
根据本发明，可得到具备适合作为电子材料用铜合金的机械和电特性，机械特性均一的Cu-Co-Si类合金。
[图1]应力松弛试验法的说明图。[图2]与应力松弛试验法的永久变形量有关的说明图。
具体实施例方式(Co和Si的添加量)
Co和Si通过实施适当的热处理形成金属间化合物，可不使导电率变差而实现高强度化。若Co和Si的添加量分别为Co:不足0.5质量％、S1:不足0.1质量％，则无法得到所期望的强度，反之若Co:超过3.0质量％、S1:超过1.0质量％，则虽然可实现高强度化，但导电率显著降低，进而热加工性变差。因此，Co和Si的添加量为Co:0.5 3.0质量°/c^PSi:ο.Γι.ο 质量 ％。Cu-Co-Si类与Cu-N1-Si类、Cu-N1-S1-Co类相比更期望高强度。因此，期望Co为高浓度，期望为1.0%以上、更优选1.5%以上。S卩，Co和Si的添加量优选为Co:1.(Γ2.5质量％、S1:0.3 0.8质量％，更优选为Co:1.5 2.0质量％、S1:0.4 0.6质量％。(Cr的添加量)
Cr由于在熔化铸造时的冷却过程中优先析出于结晶晶界，所以可强化晶界，使得热加工时的裂缝难以产生，可抑制成品 率降低。即，在熔化铸造时晶界析出的Cr通过固溶处理等再固溶，而在随后的时效析出时生成以Cr为主要成分的bcc结构的析出粒子或与Si的化合物。就通常的Cu-N1-Si类合金而言，在所添加的Si量中，无助于时效析出的Si直接固溶于母相，抑制导电率的上升，但通过添加作为硅化物形成元素的Cr，进一步析出硅化物，从而可降低固溶Si量，可不损害强度而升高导电率。但是，若Cr浓度超过0.5质量％，则易形成粗大的第二相粒子，所以损害产品特性。因此，本发明所涉及的Cu-Co-Si类合金中可最大添加0.5质量％的Cr。但是，若不足0.03质量％，则该效果小，所以可优选以0.03、.5质量％、更优选以0.09、.3质量％添加。(Mg、Mn、Ag 和 P 的添加量)
Mg,Mn,Ag和P可通过微量的添加来不损害导电率而改善强度、应力松弛特性等产品特性。添加的效果主要通过固溶于母相来发挥，但通过含有在第二相粒子中可发挥进一步的效果。但是，若Mg、Mn、Ag和P的浓度总计超过0.5%，则不仅特性改善效果饱和，而且损害可制备性。因此，在本发明所涉及的Cu-Co-Si类合金中可添加总计最大为0.5质量％的选自Mg、Mn、Ag和P的I种或2种以上。但是，若不足0.01质量％，则该效果小，所以可添加优选总计0.ΟΓΟ.5质量％、更优选总计0.04、.2质量％。(Sn和Zn的添加量)
Sn和Zn也可通过微量的添加来不损害导电率而改善强度、应力松弛特性、镀敷性等产品特性。添加的效果主要通过固溶于母相来发挥。但是，若Sn和Zn的总计超过2.0质量％，则不仅特性改善效果饱和，而且损害可制备性。因此，在本发明所涉及的Cu-Co-Si类合金中可添加总计最大为2.0质量％的选自Sn和Zn的I种或2种。但是，若不足0.05质量％，则该效果小，所以可添加优选总计0.05^2.0质量％、更优选总计0.5^1.0质量％。(N1、As、Sb、Be、B、T1、Zr、Al 和 Fe)
N1、As、Sb、Be、B、T1、Zr、Al和Fe也可根据所要求的产品特性，通过调整添加量来改善导电率、强度、应力松弛特性、镀敷性等产品特性。添加的效果主要通过固溶于母相来发挥，但也可通过含有于第二相粒子中或形成新的组成的第二相粒子来发挥进一步的效果。但是，若这些元素的总计超过2.0质量％，则不仅特性改善効果饱和，而且损害可制备性。因此，在本发明所涉及的Cu-Co-Si类合金中可添加总计最大为2.0质量％的选自N1、As、Sb、Be、B、T1、Zr、Al和Fe的I种或2种以上。但是，若不足0.001质量％，则该效果小，所以可添加优选总计0.0Of 2.0质量％、更优选总计0.05^1.0质量％。若上述Mg、Mn、Ag、P、Sn、Zn、N1、As、Sb、Be、B、T1、Zr、Al 和 Fe 的添加量合计超过
3.0%，则易损害可制备性，所以优选使它们的合计为2.0质量％以下，更优选为1.5质量％以下。(结晶粒径)
晶粒会对强度造成影响，强度与结晶粒径的-1/2次方成比例的所谓霍尔-佩奇法则通常成立。另外，粗大的晶粒使弯曲加工性恶化，成为弯曲加工时的表面粗糙的主要原因。因此，在铜合金中，通常晶粒微细化由于提高强度而优选。具体而言优选为15//m以下，进一步更优选为10/zm以下。另一方面，由于如本发明的Cu-Co-Si类合金为析出强化型合金，所以也需要留意第二相粒子的析出状态。在时效处理中在晶粒内析出的第二相粒子有助于强度的提高，但在结晶晶界析出的第二相粒子几乎无助于强度的提高。因此，在实现强度提高的方面，希望使第二相粒子析出于晶粒内。若结晶粒径变小，则晶界面积变大，在时效处理时第二相粒子变得易优先在晶界析出。为使第二相粒子析出于晶粒内，晶粒需要具有某种程度的大小。具体而言优选为3// m以上,进一步更优选为5// m以上。
本发明中将平均结晶粒径控制在3 15// m的范围。平均结晶粒径优选为5 10// m。通过将平均结晶粒径控制在这样的范围，从而可均衡地得到由晶粒微细化产生的强度提高效果和由析出硬化产生的强度提高效果两者。另外，若为该范围的结晶粒径，则可得到优异的弯曲加工性和应力松弛特性。在本发明中，结晶粒径指的是用显微镜观察平行于压延方向的厚度方向的截面时的、包围各个晶粒的最小圆的直径，平均结晶粒径为其平均值。在本发明中每0.05mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径之差的平均值为5//m以下，优选为3//m以下。差值的平均值为0//m是理想的，但由于在实际中难以实现，所以根据实际的最低值将下限设为1# m，典型而言最合适。在这里，所谓最大结晶粒径为在一个0.05mm2的观察视野中所观察到的最大的结晶粒径，所谓最小结晶粒径为在同一视野中所观察到的最小的结晶粒径。在本发明中分别在多个观察视野下求出最大结晶粒径与最小结晶粒径之差，将其平均值作为最大结晶粒径与最小结晶粒径之差的平均值。最大结晶粒径与最小结晶粒径之差小指结晶粒径的大小均一，减小同一材料内的每个测定位置的机械特性偏差。从而使得加工本发明所涉及的铜合金得到的锻制铜品或电子设备部件的品质稳定性提闻。(制备方法)
在科森类铜合金的一般的制备工序中，首先使用大气熔炉，熔化电解铜、S1、Co等原料，得到所期望组成的熔融液。然后，将该熔融液铸造成铸锭。然后，进行热轧，重复冷轧和热处理，加工成具有所期望厚度和特性的条或箔。热处理包括固溶处理和时效处理。在固溶处理中，于约70(Γ约1000°C的高温进行加热，使第二相粒子固溶于Cu基质中，同时使Cu基质再结晶。有时也将热轧兼用作固溶处理。在时效处理中，在约35(Γ约600°C的温度范围内加热I小时以上，使在固溶处理中固溶的第二相粒子作为纳米级微细粒子析出。强度和导电率因该时效处理而上升。为得到更高的强度，有时在时效前和/或时效后进行冷轧。另夕卜，在时效后进行冷轧的情况下，有时在冷轧后进行去应变退火(低温退火)。在上述各工序之间适当进行用以除去表面的氧化皮的研削、研磨、喷丸酸洗等。本发明所涉及的铜合金基本上也经历上述制备工序，但为将平均结晶粒径和结晶粒径的偏差控制在本发明中规定的范围，如上所述，重要的是在固溶处理工序的前段预先使微细的第二相粒子尽可能以等间隔同样地析出于铜母相中。为得到本发明所涉及的铜合金，特别是需要在留意以下方面的同时进行制备。首先，由于在铸造时的凝固过程中不可避免地生成粗大的结晶物，在其冷却过程中不可避免地生成粗大的析出物，所以需要在此后的工序中将这些结晶物固溶于母相中。于950°C 1050°C保持I小时以上后进行热轧，若将热轧结束时的温度设为850°C以上，则即使在添加有Co甚至Cr的情况下，也可固溶于母相中。950°C以上的温度条件与其它的科森类合金的情况相比为高的温度设定。若热轧前的保持温度不足950°C，则固溶不充分，若超过1050°C，则材料有熔化的可能性。另外，若热轧结束时的温度不足850°C，则固溶的元素再次析出，从而难以得到高强度。因此，为得到高强度，优选于850°C结束热轧，迅速进行冷却。此时，若冷却速度慢，则含有Co或Cr的Si类化合物再次析出。当利用这样的组织进行以提升强度为目的的热处理(时效处理)时，由于以在冷却过程中析出的析出物为核、生长为无助于强度的粗大析出物，所以无法得到高强度。因此，需要尽可能地提高冷却速度，具体而言需要为15°C /s以上。但是，由于第二相粒子的显著析出到400°C左右为止，所以不足400°C时的冷却速度不会成为问题。因此，在本发明中将材料温度由850°C至400°C的平均冷却速度设为15°C /s以上、优选20°C /s以上进行冷却。“由850°C降至400°C时的平均冷却速度”指测量材料温度由850°C降至400°C的冷却时间，通过“ (850-400) (°C ) /冷却时间(s) ”算出的值(°C/s)。在热轧后实施冷轧。为了均匀地析出析出物而以增加作为析出位点的应变为目的实施该冷轧，冷轧优选以70%以上的压缩率实施，更优选以85%以上的压缩率实施。若不进行冷轧而在热轧后立即实施固溶处理，则析出物不会均匀析出。可适当地重复热轧和此后的冷轧的组合。在冷轧后进行第一时效处理。若在实施本工序之前残存有第二相粒子，则由于在实施本工序时这样的第二相粒子进一步生长，会与在本工序中最初析出的第二相粒子在粒径上产生差异，但在本发明中由于在前段工序中将第二相粒子基本消灭，所以可以均一的大小同样地析出微细的第二相粒子。但是，若第一时效处理的时效温度过低，则带来钉扎效应的第二相粒子的析出量变少，仅得到部分由固溶处理产生的钉扎效应，所以晶粒的大小离散。另一方面，若时效温度过高，则第二相粒子变得粗大，另外由于第二相粒子不均匀地析出，所以第二相粒子的粒径大小离散。另外，由于时效时间越长，第二相粒子越生长，所以需要设定为适度的时效时间。 通过于51(T800°C进行I分钟 24小时，优选于510°C以上且不足600°C进行12 24小时，于600°C以上且不足700°C进行f 15小时，于700°C以上且800°C以下进行I分钟小时的第一时效处理、可在母相中均等地析出微细的第二相粒子。若为这样的组织，则可同样地对在下一工序的固溶处理中产生的再结晶晶粒的生长进行钉扎，可得到结晶粒径的偏差少的整粒组织。在第一时效处理之后进行固溶处理。在这里，在使第二相粒子固溶的同时，使微细、均匀的再结晶晶粒生长。因此，固溶温度需要设为85(T105(TC。在这里，由于再结晶晶粒先生长，然后在第一时效处理中析出的第二相粒子固溶，从而可通过钉扎效应控制再结晶晶粒的生长。但是，由于在第二相粒子固溶后钉扎效应消失，所以若持续长时间固溶处理，则再结晶晶粒变大。因此，就合适的固溶处理的时间而言，在850°C以上且不足950°C为30 300秒，优选为60 180秒；在950°C以上且1050°C以下为30 180秒，优选为60 120秒。在固溶处理后的冷却过程中，为避免第二相粒子的析出，也应使材料温度由850°C降至400°C时的平均冷却速度为15°C /s以上、优选20°C /s以上。在固溶处理后实施第二时效处理。第二时效处理的条件可为对析出物的微细化有用而惯用进行的条件，但注意设定温度和时间使析出物不粗大化。若列举时效处理的条件的一个实例，则为40(T60(TC的温度范围I 24小时，更优选为45(T550°C的温度范围5 24小时。需说明的是，时效处理后的冷却速度对析出物的大小几乎不造成影响。在第2时效之前的情况下，增加析出位点，利用析出位点促进时效硬化，实现强度上升。在第2时效之后的情况下，利用析出物促进加工硬化，实现强度上升。也可在第二时效处理之前和/或后进行冷轧。本发明的Cu-Co-Si类合金可加工成各种锻制铜品，例如板、条、管、棒和线，此外本发明的Cu-Co-Si类铜合金可用于引线架、连接器、接脚、端子、继电器、开关、二次电池用箔材等电子部件等。
实施例以下将本发明的实施例与比较例一同示出，但这些实施例是为更好地理解本发明及其优点而提供，不旨在限定本发明。使用高频熔炉于1300°C熔制表f 2 (实施例)和表3 (比较例)中记载的成分组成的铜合金，铸造成厚度为30mm的铸锭。接着，将该铸锭于1000°C加热2小时后，热轧至板厚为10mm，上升温度(热轧结束温度)设为900°C。热轧结束后将材料温度由850°C降至400°C时的平均冷却速度设为18°C /s进行水冷，然后放置于空气中进行冷却。接着，为除去表面的氧化皮而进行表面切削至厚度为9mm,然后通过冷轧制成厚度为0.15mm的板。接着，于各种时效温度下进行I分钟 15小时的第一时效处理(某些比较例未进行该时效处理)，然后以1(T15°C /s的升温速度升温至各种固溶温度(某些比较例将升温速度设为500C /s)，通过于固溶温度下保持120秒来进行固溶处理，然后立即将材料温度由850°C降至400°C时的平均冷却速度设为18°C /s进行水冷，然后放置于空气中进行冷却。接着，冷轧至0.1Omm,于550°C花费3小时在惰性气氛中进行第二时效处理,最后冷轧至0.25mm,制备试验片。针对这样得到的各试验片，如下进行各种特性评价。(I)平均结晶粒径
就结晶粒径而言， 将试样按照观察面为平行于压延方向的厚度方向的截面而任意采集的15个试样用树脂进行包埋，通过机械研磨对观察面进行镜面抛光后，在相对于100容量份的水以10容量份的浓度为36%的盐酸的比例混合而得的溶液中，溶解该溶液重量的5%重量的氯化铁。将试样在这样制成的溶液中浸溃10秒钟，呈现出金属组织。接着，用扫描电子显微镜将上述金属组织放大1000倍，拍摄成照片，使之含有0.05mm2的观察视野，求出所有包围各个晶粒的最小圆的直径，针对各观察视野算出平均值，将15处观察视野的平均值作为平均结晶粒径。(2)最大结晶粒径-最小结晶粒径之差的平均值
针对求得平均结晶粒径时测定的结晶粒径，求出每个视野的最大值与最小值之差，将15处观察视野的平均值作为 最大结晶粒径-最小结晶粒径之差的平均值。(3)强度
对于强度，进行压延平行方向的拉伸试验，测定0.2%弹性极限应力(YS:MPa)。测定部位的强度偏差为30处的最大强度-最小强度之差，平均强度为这30处的平均值。(4)导电率
对于导电率(EC ;%IACS)，通过利用双电桥的体积电阻率的测定求得。测定部位的导电率偏差为30处的最大强度-最小强度之差，平均导电率为这30处的平均值。(5)应力松弛特性
对于应力松弛特性，如图1所示，将加工为宽IOmmX长IOOmm的厚度t = 0.25mm的各试验片，以标点距离I为25mm，且以高度yQ使负荷应力为0.2%弹性极限应力的80%的方式来决定高度，负荷弯曲应力，测定于150°C加热1000小时后的如图2所示的永久变形量(高度)y，算出应力松弛率{[l-G-yD (mnO/h-y) (mm)] X 100(%)}。需说明的是，Y1为负荷应力前的初期翘曲高度。测定部位的应力松弛率偏差为30处的最大强度-最小强度之差，平均应力松弛率为这30处的平均值。(6)弯曲加工性
对于弯曲加工性，通过弯曲部的表面粗糙度来进行评价。根据JIS H 3130，进行Badway(弯曲轴与压延方向为同一方向)的W弯曲试验，用共聚焦激光显微镜分析弯曲部的表面，求出JIS B 0601规定的Ra (//m)。测定部位的弯曲粗糙度偏差为30处的最大Ra-最小Ra之差，平均弯曲粗糙度为这30处的Ra的平均值。[表 I]
权利要求
1.电子材料用铜合金，其为含有Co:0.5 3.0质量％、Si:0.f 1.0质量％，余量由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，平均结晶粒径为:Γ15//Π1，每0.05_2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径之差的平均值为5// m以下。
2.权利要求1的电子材料用铜合金，其中，进一步含有最大为0.5质量％的Cr。
3.权利要求1或2的电子材料用铜合金，其中，进一步含有总计最大为0.5质量％的选自Mg、Mn、Ag和P的I种或2种以上。
4.权利要求广3中任一项的电子材料用铜合金，其中，进一步含有总计最大为2.0质量％的选自Sn和Zn的I种或2种。
5.权利要求广4中任一项的电子材料用铜合金，其中，进一步含有总计最大为2.0质量％的选自N1、As、Sb、Be、B、T1、Zr、Al和Fe的I种或2种以上。
6.权利要求1飞中任一项的铜合金的制备方法，所述制备方法包括依次进行以下工序: -熔化铸造具有所期望的组成的铸锭的工序1， -于950°C 1050°C加热I小时以上后进行热轧，将热轧结束时的温度设为850°C以上，将由850°C至400°C的平均冷却速度设为15°C /s以上进行冷却的工序2， -加工度为70%以上的冷轧工序3， -于51(T800°C加热I分钟 24小时的时效处理工序4， -于85(Tl050°C进行固溶处 理，将材料温度由850°C降至400°C时的平均冷却速度设为15°C /s以上进行冷却的工序5， -任选的冷轧工序6， -时效处理工序7， -任选的冷轧工序8。
7.锻制铜品，所述锻制铜品具备权利要求1飞中任一项的铜合金。
8.电子设备部件，所述电子设备部件具备权利要求1飞中任一项的铜合金。
全文摘要
本发明提供具备适合作为电子材料用铜合金的机械和电特性，机械特性均一的Cu-Co-Si类合金。电子材料用铜合金为含有Co0.5～3.0质量%、Si0.1～1.0质量%，余量由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，平均结晶粒径为3～15μm，每0.05mm2观察视野的最大结晶粒径与最小结晶粒径之差的平均值为5μm以下。
文档编号H01B1/02GK103140591SQ201180047318
公开日2013年6月5日 申请日期2011年9月6日 优先权日2010年9月29日
发明者冈藤康弘, 恩田拓磨, 桑垣宽 申请人:Jx日矿日石金属株式会社