专利名称：薄膜晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种薄膜晶体管。
背景技术：
随着工艺技术的进步，薄膜晶体管已被大量应用在显示器之中，以适应显示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶体管一般包括栅极、漏极、源极以及沟道层等组成部分，其通过控制栅极的电压来改变沟道层的导电性，使源极和漏极之间形成导通或者截止的状态。一般地，薄膜晶体管经常使用铜或者铝等作为源极电极或漏极电极的制作材料。然而，铜或铝等材料容易在使用过程中扩散或发生电子迁移。当铜或铝等金属原子扩散至沟道层时，将会对薄膜晶体管的工作性能造成影响，严重时甚至会造成薄膜晶体管短路。因此，上述的薄膜晶体管可靠性较差。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可靠性较好的薄膜晶体管。一种薄膜晶体管，包括基板，设置在基板上的栅极，覆盖所述栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的活性层，活性层包括沟道层，源极和漏极。源极和漏极分别设置在沟道层的相对两侧并与其对应的源极电极和漏极电极电连接。沟道层的表面依次设置有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层。第二蚀刻阻挡层中部形成有凹槽以暴露第一蚀刻阻挡层。所述凹槽将第二蚀刻阻挡层分成第一区域和第二区域。所述源极电极从源极的表面延伸至覆盖第一区域，所述漏极电极从漏极的表面延伸至覆盖第二区域。在本发明提供的薄膜晶体管中，由于源极电极或漏极电极与沟道层之间具有第一蚀刻阻挡层及第二蚀刻阻挡层，该第一蚀刻阻挡层及第二蚀刻阻挡层可有效防止源极电极或漏极电极的金属原子发生扩散或电子迁移以致对沟道层的导电性能造成影响，从而提高了薄膜晶体管的可靠性。
图1是本发明第一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。图2是本发明第二实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种薄膜晶体管，包括基板，设置在基板上的栅极，覆盖所述栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的沟道层，源极和漏极分别设置在沟道层的相对两侧并与源极电极和漏极电极电连接，其特征在于，沟道层的表面依次设置有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层，第二蚀刻阻挡层中部形成有凹槽以暴露第一蚀刻阻挡层，所述凹槽将第二蚀刻阻挡层分成第一区域和第二区域，所述源极电极从源极的表面延伸至覆盖第一区域，所述漏极电极从漏极的表面延伸至覆盖第二区域。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层由氧化物制成，所述第二蚀刻阻挡层由氮化物制成。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层选自SiOx、AlOx, HfOx和YOx其中之一，所述第二蚀刻阻挡层为SiNx。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽位于栅极的上方且凹槽的宽度小于或等于栅极的宽度。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极电极和漏极电极的制作材料选自铜、铝、镍、镁、铬、钥、钨及其合金。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管进一步包括第一透明导电层及第二透明导电层，所述第一透明导电层形成在源极电极与源极之间，所述第二透明导电层形成在漏极电极与漏极之间。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层完全覆盖沟道层的表面且延伸至与栅绝缘层相接触，第二蚀刻阻挡层的第一区域形成在源极电极与第一蚀刻阻挡层之间，第二蚀刻阻挡层的第二区域形成在漏极电极与第一蚀刻阻挡层之间，一第一开孔穿过第一区域及第一蚀刻阻挡层以延伸至源极，一第二开孔穿过第二区域及第一蚀刻阻挡层以延伸至漏极，所述源极电极穿过第一开孔与源极形成电连接，所述漏极电极穿过第二开孔与漏极形成电连接。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极电极的底部设置有第一透明导电层，所述漏极电极的底部设置有第二透明导电层，所述第一透明导电层穿过所述第一开孔与源极相接触，所述第二透明导电层穿过所述第二开孔与漏极相接触。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层具有不同的介电常数。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层与第二蚀刻阻挡层具有不同的折射率。
全文摘要
一种薄膜晶体管，包括基板，设置在基板上的栅极，覆盖所述栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的活性层，活性层包括沟道层，源极和漏极。源极和漏极分别设置在沟道层的相对两侧并与其对应的源极电极和漏极电极电连接。沟道层的表面依次设置有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层。第二蚀刻阻挡层中部形成有凹槽以暴露第一蚀刻阻挡层。所述凹槽将第二蚀刻阻挡层分成第一区域和第二区域。所述源极电极从源极的表面延伸至覆盖第一区域，所述漏极电极从漏极的表面延伸至覆盖第二区域。上述结构可有效防止源极电极或漏极电极的金属原子发生扩散或电子迁移而对沟道层的导电性能造成影响，提高了其可靠性。
文档编号H01L29/786GK103187451SQ20121000009
公开日2013年7月3日 申请日期2012年1月3日 优先权日2012年1月3日
发明者曾坚信 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司