专利名称：化学机械抛光液、系统和方法
技术领域：
本公开涉及用于半导体器件的化学机械抛光(CMP)的系统、方法和液(slurry)。
背景技术：
在半导体制造工业中，通常使用化学机械抛光(CMP)从半导体衬底表面上方抛光和移除金属或者其他材料，该半导体衬底上制造有半导体器件。通常，通过以下方式在半导体器件上形成导电互连图案在衬底表面上设置的绝缘材料中形成一系列诸如通孔和沟槽的开口，然后，在该衬底表面上方形成导电层，并且填充该开口。镶嵌技术包括从表面上方移除导电材料，从而使得导电材料只留在开口中，进而形成诸如各种插头(plug)和导线的用作互连图案和通孔的导电结构。CMP还广泛用于平坦化浅沟槽隔离区域。
当进行抛光以便从衬底表面上方移除金属材料时，确保没有金属残留物留在表面上方是非常重要的，这是因为，金属残留物会在本应隔离的导电部件之间造成桥接，最终导致短路。确保消除凹状扭曲研磨(dishing)同样非常重要。凹状扭曲研磨包括在导电部件的顶表面中形成凹形表面，并且会在后续处理中造成构形问题(topography problem)。一种防止诸如上述缺陷出现的方式为，在抛光期间保证金属移除速率相同和一致，并且不会随着时间的推移而降低。在抛光期间，金属移除速率取决于多个因素，包括但不限于，抛光液的化学成分、由抛光液的化学成分产生的氧化作用的总量、以及由液中的磨料产生的机械磨损的程度。目前的抛光技术共同存在的缺点包括金属移除速率不一致，并且抛光率无法随着时间的推移而保持不变。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种化学机械抛光CMP液，包括具有磨料颗粒的化学溶液，磨料颗粒的颗粒尺寸具有多峰式分布。其中，颗粒尺寸的多峰式分布包括直径为大约0. 08微米的颗粒尺寸的局部极大值和直径为大约0. 06微米的颗粒尺寸的局部极大值。其中，CMP液是金属液，并且多峰式分布包括颗粒尺寸的双峰式分布，颗粒尺寸的双峰式分布包括直径处于大约0. 075微米至0. 085微米范围内的颗粒尺寸的第一模式以及直径处于大约0. 055微米至0. 065微米范围内的颗粒尺寸的第二模式。其中，多峰式分布包括颗粒的双峰式分布，颗粒尺寸的双峰式分布包括第一颗粒的第一数量和第二颗粒的第二数量，第一数量位于颗粒尺寸的第一范围内并且是颗粒尺寸的最普遍范围，第二数量位于颗粒尺寸的第二范围内并且包括第一数量的大约60%。其中，通过双峰式分布曲线描述颗粒尺寸的多峰式分布，双峰式分布曲线包括处于第一局部极大值的第一颗粒的第一数量和处于第二局部极大值的第二颗粒的第二数量，其中，第二局部极大值的高度为第一局部极大值的高度的至少60%。其中，CMP液是金属抛光液，并且进一步包括表面活性剂、氧化剂、金属缓蚀剂以及增强剂。其中，表面活性剂包括烷基酚聚氧乙烯醚及其衍生物的至少一种，氧化剂包括过氧化氢，金属缓蚀剂包括苯并三唑及其衍生物的至少一种，增强剂包括氨基乙酸及相关氨基酸的至少一种。其中，磨料颗粒包括胶体氧化硅和气相二氧化硅的一种。其中，CMP液包括与金属发生化学反应的抛光液。此外，本发明提供了一种化学机械抛光CMP的方法，包括提供CMP装置；在01^装置中设置半导体衬底，半导体衬底包括形成在半导体衬底的衬底表面上方的材料；将抛光液引入CMP装置，并且覆盖衬底表面，抛光液包括具有磨料颗粒的化学溶液，磨料颗粒的颗粒尺寸具有多峰式分布；以及使用抛光液在CMP装置中抛光衬底表面。、
其中，材料包括进一步填充形成在衬底表面上的开口的金属，抛光包括从衬底表面上方但是不从开口移除金属。其中，颗粒尺寸的多峰式分布包括颗粒尺寸的双峰式分布，颗粒尺寸的双峰式分布包括直径处于大约0. 08+/-0. 01微米的颗粒尺寸分布以及直径处于大约0. 06+/-0. 01微米的颗粒尺寸分布，两种颗粒尺寸分布为双峰式分布中出现最为频繁的颗粒尺寸分布。其中，通过双峰式分布曲线描述颗粒尺寸的多峰式分布，颗粒尺寸的双峰式分布曲线包括大约0. 08微米的颗粒尺寸的局部极大值以及大约0. 06微米的颗粒尺寸的局部极大值。其中，颗粒尺寸的多峰式分布包括颗粒的双峰式分布，颗粒的双峰式分布包括第一颗粒的第一数量和第二颗粒的第二数量，第一数量位于颗粒尺寸的第一范围内，第二数量位于颗粒尺寸的第二范围内，并且第二数量包括第一数量的至少大约60%。其中，抛光液是金属抛光液，并且进一步包括表面活性剂、氧化剂、金属缓蚀剂以及增强剂。其中，表面活性剂包括烷基酚聚氧乙烯醚及其衍生物的至少一种，氧化剂包括过氧化氢，金属缓蚀剂包括苯并三唑及其衍生物的至少一种，增强剂包括氨基乙酸及相关氨基酸的至少一种，并且磨料包括胶体氧化娃和气相二氧化娃的一种。此外，本发明提供了一种用于对导电材料进行化学机械抛光CMP的系统，包括CMP装置，包括抛光垫和平台，抛光垫中具有凹槽，平台用于容纳位于其上的半导体晶圆并且与抛光垫相对；以及抛光液，设置在抛光垫上，抛光液包括具有磨料颗粒的化学溶液，磨料颗粒的颗粒尺寸具有双峰式分布。其中，颗粒尺寸的双峰式分布包括在双峰式分布中的两种最普遍的颗粒的数量，包括直径处于大约0. 05微米至0. 07微米范围内的颗粒的第一数量以及直径处于大约0. 07微米到0. 09微米范围内的颗粒的第二数量。其中，抛光液与金属产生化学反应，通过双峰式分布曲线描述颗粒尺寸的多峰式分布，双峰式分布曲线包括大约0. 08微米的颗粒尺寸的第一局部极大值以及大约0. 06微米的颗粒尺寸的第二局部极大值，并且第一局部极大值表示第一颗粒的第一数量，第二局部极大值表示第二颗粒的第二数量，其中，第二数量包括第一数量的至少大约60%。其中，抛光液包括金属抛光液，并且进一步包括表面活性剂、氧化剂、金属缓蚀剂以及增强剂，并且其中，CMP装置进一步包括用于将平台向抛光垫推动的装置。
当结合附图阅读时，可以通过以下详细描述最好地理解本公开。需要强调的是，根据工业中的标准实践，附图中的各种不同部件没有按比例绘制。相反，为了使论述清晰，可以任意增加或减小各种部件的数量和尺寸。在整个说明书和附图中，相似的标号表示相似的部件。图I是示出了示例性液的磨料颗粒的示例性双峰式(bimodal)分布的曲线图；图2是示出了包括双峰式分布的磨料颗粒的示例性抛光液的部分的平面图；图3A-图3C是示出了示例性抛光操作和系统的横截面图。图3A示出了进行抛光的半导体衬底。图3B和图3C是示出了图3A的部分的展开图。图3B示出了示例性抛光操 作期间的磨料颗粒，图3C示出了当在抛光操作期间施加了压力时的磨料颗粒；以及图4用曲线图的方式示出了包括由所公开的液的示例性实施例产生的研磨速率的比较的移除速率。
具体实施例方式本公开提供了一种在半导体制造工业中，优选地用于金属材料或者其他材料的化学机械抛光的抛光液。除了铜和铝，液还可以用于抛光其他材料，比如二氧化硅、钨、或者碳纳米管。抛光液包括化学溶液和磨料。抛光液可以用于各种金属、金属合金以及其他导电和半导体材料的化学机械抛光，在一些实施例中，这些抛光液可以称为金属抛光液。抛光液与被抛光的金属或者其他材料产生化学反应，并且可以包括表面活性剂、氧化剂、金属缓蚀齐U、增强剂、以及其他用在抛光液中的适当材料。抛光液包含磨料颗粒，在一些实施例中，磨料颗粒以双峰式分布或者多峰式分布的形式出现。在组成磨料的颗粒中，可以普遍存在两种不同的颗粒尺寸，或者，在组成磨料的颗粒中，可以普遍存在两种不同的颗粒尺寸范围。研磨颗粒可以具有双峰式分布，其中，存在两种主要数量的颗粒，一个数量代表了颗粒尺寸的第一范围，另一个数量代表了颗粒尺寸的第二范围。本公开还提供了一种通过使用磨料进行抛光，用于从半导体衬底表面上方移除金属或者其他导电材料或者不导电材料的方法。还提供了一种系统，包括CMP抛光工具、在其表面上方形成有金属或者其他导电材料的半导体晶圆、以及上述抛光液。所提供的抛光液用于抛光各种金属、合金或者其他导电材料、或者介电材料(比如二氧化硅)的CMP操作。根据一些实施例，在使用抛光液移除金属的CMP操作期间，将金属从半导体衬底的表面上方移除。优选地，金属可以形成在电介质或者绝缘层上方，在该电介质或者绝缘层中包含有开口。该开口可以是接触件、通孔、沟槽和其他开口的形式。根据镶嵌处理技术，抛光操作可以用于从表面上方移除金属材料，从而使得金属材料只留在开口中，进而形成诸如各种插头和导线的用作互连图案、接触件和通孔的导电结构。金属可以是任何用于半导体制造的金属，包括但不限于，铜、铝、钥、钨、钽、以及其他适当的金属材料和金属合金。抛光液包括化学溶液和磨料。抛光液可以是金属抛光液，该金属抛光液与用于移除的金属材料产生化学反应，但是该抛光液还可包括氧化剂或者其他降低金属抛光速率的组分。根据各个示例性实施例，抛光液可以包括表面活性剂(surfactants)、氧化剂、金属缓蚀剂、增强剂、以及磨料。表面活性剂可以由烷基酚乙氧基化物及其衍生物形成，氧化剂可以是过氧化物或者其他适当材料，金属缓蚀剂可以是苯并三唑或者其衍生物，增强剂可以是氨基乙酸或者相关氨基酸。应该理解，前面的实例只是示例性的，可以在其他示例性实施例中使用其他表面活性剂、氧化剂、金属缓蚀剂以及增强剂，并且，在抛光液中还可以包括其他成分。根据示例性实施例，磨料是可以由二氧化硅(包括气相二氧化硅(fumed silica)或者胶体氧化娃(colloidal silica))形成的颗粒。在诸如用于抛光/移除铜的液的其他示例性实施例中，磨料颗粒可以由Al2O3或者其他适当材料形成。本公开的一个方面是，抛光液中的磨料的特征为颗粒尺寸的双峰式分布。抛光液中的磨料的特征还可以是，普遍存在着两种不同尺寸的颗粒或者存在着颗粒尺寸的最普遍的两种不同范围。普遍存在两种颗粒尺寸或者两种颗粒尺寸范围，意味着尽管相对数量可能会变化，但是两种颗粒尺寸或者两种颗粒尺寸范围中每一种都比任何其他颗粒尺寸或者颗粒尺寸范围的数量多得多。在示例性实施例中，最普遍的颗粒尺寸或者范围中的每个的数量都可以比任何其他颗粒尺寸或者颗粒尺寸范围大了至少60 %,但是这仅仅是示例性的。在一个示例性实施例中,最普遍的颗粒尺寸或者范围中的每个的数量都可以比任何其他颗粒尺寸或者颗粒尺寸范围大了至 少40%。根据各个示例性实施例，组成磨料的颗粒尺寸的分布实际上可以是双峰的。一般而言，在金属抛光液中，存在两种数量占优势的不同磨料颗粒尺寸，或者两种不同磨料颗粒尺寸范围。图I是示出了液中的颗粒尺寸的示例性双峰式分布的曲线图。颗粒尺寸以直径给出。分布曲线I示出了点3和5处的局部极大值。局部极大点3处的颗粒尺寸在直径上可以是大约0. 063微米，局部极大点5处的颗粒尺寸在直径上可以是大约0. 08微米。这只是示例性的，在其他示例性实施例中，上述两种普遍存在的颗粒尺寸可以改变。局部极大点3、5都表示出示例性双峰式分布曲线I上的模式，从而表示出峰值颗粒尺寸和相关范围。局部极大点3可以表示大约0. 06微米的峰值颗粒尺寸，而具有直径范围处于0. 05微米至大约0. 07微米的直径的颗粒的第一数量，局部极大点5可以表示出大约0. 08微米的峰值颗粒尺寸，以及具有直径范围处于0. 05微米至大约0. 10微米的直径的颗粒的第二数量。根据各个其他示例性实施例，颗粒的双峰式分布可以包括其他位置上的局部极大值，即，双峰式分布曲线I中的拐点。根据另一示例性实施例，诸如与局部极大值相关的两种最普遍的颗粒尺寸可以是大约0. 05微米和大约0. 075微米，根据另一示例性实施例，与局部极大值相关的两种最普遍的颗粒尺寸可以是大约0. 05微米和大约0. 10微米，根据又一示例性实施例，与局部极大值相关的两种最普遍的颗粒尺寸可以是大约0. 06微米和大约0. 08微米。在另一实施例中，与局部极大值相关的两种最普遍的颗粒尺寸可以是大约0. 075微米和大约0. I微米。在其他示例性实施例中，可以不存在颗粒尺寸的连续分布，而只存在限定数量的不连续颗粒尺寸。在一个示例性实施例中，磨料可以完全由两种颗粒尺寸组成。在另一实施例中，两种最普遍的颗粒尺寸可以占所有磨料颗粒的75 %，在又一实施例中，两种最普遍的颗粒尺寸可以占所有磨料颗粒的90%。在示例性实施例中，两种最普遍的颗粒尺寸的相对数量将产生变化。在图I中，当在不例性双峰式分布中的点3和5处具有局部极大值的两个模式存在交叠时，由局部极大点3代表的颗粒的数量可以是由局部极大点5代表的颗粒的数量的大约60%。在示出性实施例中，局部极大点3的高度为局部极大点5的高度的大约60%。应该理解，分布曲线I只是在一个示例性实施例中示出了颗粒分布的一种方式。在其他示例性实施例中，磨料颗粒的分布将通过其他曲线描述，两种最普遍的颗粒尺寸之间的比例可以是I : 1、2 I、3 : 1、4 : I或者各种其他比例。抛光液的一个方面是，除了化学溶液，磨料包括普遍存在的两种不同尺寸的磨料颗粒或者两种不同范围的磨料颗粒尺寸。在一些示例性实施例中，可以通过连续的颗粒尺寸分布曲线上的双峰式分布示出组成磨料的颗粒尺寸的分布，而在其他示例性实施例中，存在两种或者更多种不连续的颗粒尺寸。公开的磨料并不限于任何两种特定的颗粒尺寸或者任何两种颗粒尺寸的范围，并且不限于两种普遍存在的颗粒的数量之间的任何特定比例，或者颗粒尺寸的分布。另外，当两种最普遍的颗粒尺寸或者特定尺寸范围比任何其他颗粒尺寸或者颗粒尺寸的范围更普遍时,最普遍的颗粒尺寸或者颗粒尺寸范围比其他颗粒尺寸或者颗粒尺寸范围更普遍的程度还可以变化。在其他示例性实施例中，磨料颗粒的特征可以是颗粒尺寸的多峰式分布，即，可以存在三种或者更多种模式。在一些实施例中，抛光液中的磨料可以包括普遍存在的三种或、者更多种不同尺寸颗粒，或者最普遍的颗粒尺寸的三种或者更多种不同范围。图2是示出了包括磨料颗粒的抛光液的示例性实施例的平面图。抛光液11包括化学溶液和多个磨料颗粒，可以看出，抛光液包括各种尺寸的颗粒，但是普遍存在的是较大颗粒13和较小颗粒15。尽管所有较大颗粒13都可能不具有精确相同的尺寸，并且尽管所有较小颗粒15都可能不具有精确相同的尺寸，但是，每种颗粒都表示出类似尺寸的颗粒(即，颗粒尺寸的范围)的数量，比如可以处于在图2中所示出的一个示例性实施例中的双峰式分布。这里所示出的仅仅是示例性的，其他示例性实施例将包括不同的颗粒尺寸分布，另外的其他示例性实施例可以不包括颗粒尺寸的分布，而只会包括具有两种或者更多种不同尺寸的颗粒。还公开了在抛光操作中使用抛光液的方法和装置。图3A示出了包括抛光垫21和平台23的CMP装置的一部分。平台23容纳(receive)半导体衬底25。在示出性实施例中，可以确定平台23的尺寸，从而容纳一个或者多个半导体衬底，并且该衬底可以是各种尺寸的半导体衬底。系统包括提供由箭头27所示出的作用力的装置，该作用力将抛光垫21和平台23相向推动。半导体衬底25包括衬底表面29，该衬底表面接触抛光垫表面31。根据各个示例性实施例，抛光垫21包括抛光表面31，还包括凹槽33。图3B是示出了图3A的部分37的展开图。在抛光垫21和半导体衬底25之间，特别在抛光表面31和衬底表面29之间引入抛光液11。抛光液11包括磨料，特别是普遍存在的较大磨料颗粒13和较小磨料颗粒15。随着抛光的进行，即，抛光垫21和半导体衬底或者衬底25彼此相对旋转，可以如图3A所示施加作用力，从而最初生成图3B中所示出的布置方式。施加附加作用力，从而生成图3C中所示出的布置方式。抛光垫21可以由聚亚安酯或者其他适当变形材料形成，在图3C中所示出的抛光操作期间，磨料颗粒(即，较大颗粒13和较小颗粒15)可以变为至少临时嵌入到抛光垫21的抛光表面31中。优选地，抛光垫21可以由弹性材料形成，该弹性材料可以是弹性变形，从而不会永久变形。根据其他示例性实施例，磨料颗粒的较大颗粒13和较小颗粒15可以仅部分地变为缩进抛光垫21的抛光表面31内。
所公开的普遍存在有两种颗粒尺寸的抛光液使得进行抛光的金属或者其他材料的研磨速率基本不变。申请人发现了所公开的带有双峰式颗粒分布的抛光液的一个示例性实施例，当在CMP操作期间移除金属时，使得金属研磨速率基本不变。图4是示出了具有双峰式分布的示例性金属抛光液的移除速率与具有一种颗粒尺寸的液相比较，以及与不具有磨料颗粒的液相比较的示例性曲线图。该曲线图针对铜的抛光操作，但只是示例性的，当抛光其他材料或者使用其他颗粒尺寸组合时，通过所公开的具有磨料的双峰式颗粒尺寸分布的液，也能够得到所示出的铜的相对一致的移除速率。曲线图示出了移除量与抛光时间的函数，并且包括线51、线53、和线55，该线51使用所公开的金属抛光液示出了抛光操作，该线53代表了具有一种颗粒尺寸的液，该线55代表了不具有磨料颗粒的液。相比于线53和55，线51是相对较直的线表示具有相对一致的移除速率，而线53和55尾部向下，这说明移除速率逐渐减小。该曲线图理解为仅仅是示出性的，在其他示例性实施例中，可以根据被抛光的金属材料和增强或者抑制抛光的可以形成液的化学溶液的部分的各种组分而得到其他抛光速率。在一个方面中，提供了一种CMP (化学机械抛光)液。该液包括具有磨料颗粒的化 学溶液，磨料颗粒的特征为具有颗粒尺寸的多峰式分布。还提供了一种化学机械抛光(CMP)的方法。该方法包括提供CMP装置；在CMP装置中设置半导体衬底，半导体衬底包括形成在半导体衬底的衬底表面上方的材料。将液引A CMP装置，并且将液覆盖衬底表面，液包括具有磨料颗粒的化学溶液，磨料颗粒的特征为颗粒尺寸的多峰式分布；以及使用液在CMP装置中抛光衬底表面。还提供了一种用于对导电材料进行化学机械抛光(CMP)的系统，包括CMP装置，包括抛光垫和平台，抛光垫中具有凹槽，平台用于容纳位于平台上的半导体晶圆并且面对抛光垫；以及液，设置在研磨垫上，液包括具有磨料颗粒的化学溶液，磨料颗粒的特征为具有颗粒尺寸的双峰式分布。上述仅仅是本公开的举例说明和原理。因此，将可以理解，本领域技术人员将能够设计出各种布置方式，然而，并不在本文中详细地描述或者示出这些布置方式，这些布置方式体现了本公开的原理，并且包含在本公开的精神和范围。例如，所公开的抛光液还可以用于抛光用在半导体器件的制造中的其他材料。另外，本文所描述的所有实例和附带条件的语言仅仅主要特别意在教导目的，并且有助于理解本公开的原理和发明人为了促进本领域发展所贡献的构思，并且将被解释为没有限制为特别描述的实例和条件。而且，本文中对原理、方面、和实施例、及其特定实例的所有描述都意在包含其结构上和功能上的等效物。另外，可以预期，这些等效物包括现有已知的等效物和未来发展出的等效物，即，不管结构如何，实施相同功能的发展处的任何元件。示例性实施例的这种描述意在结合附图进行阅读，该附图被认为是整个所撰写出的描述的一部分。在该描述中，空间相对位置的术语，例如“下方”、“上方”、“水平”、“垂直”、“在...之上”、“在...之下”、“向上”、“向下”、“顶部”、“底部”等及其派生词(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)应该被解释为指的是之后所描述的或者在描述之后的附图中所示出的定向。为了描述方便，附图任意定向，并且不需要在特定方向上解释或者操作装置。除非另有说明，与附件、连接等等(比如“连接的”和“不连接的”)有关的条款，指的是结构直接地或者通过中间结构不直接地相互固定或者附接的关系，以及可移动或者刚性附件或者关系。尽管根据示例性实施例对本公开进行了描述，但并不限于此。相反，附加的权利要 求应该广义地进行解释，从而包括其他变形和实施例，这些变形和实施例可以通过本领域技术人员得到，而不会超出等效物的区域和范围。
权利要求
1.一种化学机械抛光CMP液，包括具有磨料颗粒的化学溶液，所述磨料颗粒的颗粒尺寸具有多峰式分布。
2.根据权利要求I所述的CMP液，其中，所述颗粒尺寸的多峰式分布包括直径为大约0. 08微米的颗粒尺寸的局部极大值和直径为大约0. 06微米的颗粒尺寸的局部极大值。
3.根据权利要求I所述的CMP液，其中，所述CMP液是金属液，并且所述多峰式分布包括颗粒尺寸的双峰式分布，所述颗粒尺寸的双峰式分布包括直径处于大约0. 075微米至0.085微米范围内的颗粒尺寸的第一模式以 及直径处于大约0. 055微米至0. 065微米范围内的颗粒尺寸的第二模式。
4.根据权利要求I所述的CMP液，其中，所述多峰式分布包括颗粒的双峰式分布，所述颗粒尺寸的双峰式分布包括第一颗粒的第一数量和第二颗粒的第二数量，所述第一数量位于颗粒尺寸的第一范围内并且是颗粒尺寸的最普遍范围，所述第二数量位于颗粒尺寸的第二范围内并且包括所述第一数量的大约60%。
5.根据权利要求I所述的CMP液，其中，通过双峰式分布曲线描述颗粒尺寸的所述多峰式分布，所述双峰式分布曲线包括处于第一局部极大值的第一颗粒的第一数量和处于第二局部极大值的第二颗粒的第二数量，其中，所述第二局部极大值的高度为所述第一局部极大值的高度的至少60%。
6.根据权利要求I所述的CMP液，其中，所述CMP液是金属抛光液，并且进一步包括表面活性剂、氧化剂、金属缓蚀剂以及增强剂。
7.根据权利要求6所述的CMP液，其中，所述表面活性剂包括烷基酚聚氧乙烯醚及其衍生物的至少一种，所述氧化剂包括过氧化氢，所述金属缓蚀剂包括苯并三唑及其衍生物的至少一种，所述增强剂包括氨基乙酸及相关氨基酸的至少一种。
8.根据权利要求I所述的CMP液，其中，所述磨料颗粒包括胶体氧化硅和气相二氧化硅的一种。
9.一种化学机械抛光CMP的方法，包括 提供CMP装置； 在所述CMP装置中设置半导体衬底，所述半导体衬底包括形成在所述半导体衬底的衬底表面上方的材料； 将抛光液引入所述CMP装置，并且覆盖所述衬底表面，所述抛光液包括具有磨料颗粒的化学溶液，所述磨料颗粒的颗粒尺寸具有多峰式分布；以及 使用所述抛光液在所述CMP装置中抛光所述衬底表面。
10.一种用于对导电材料进行化学机械抛光CMP的系统,包括 CMP装置，包括抛光垫和平台，所述抛光垫中具有凹槽，所述平台用于容纳位于其上的半导体晶圆并且与所述抛光垫相对；以及 抛光液，设置在所述抛光垫上，所述抛光液包括具有磨料颗粒的化学溶液，所述磨料颗粒的颗粒尺寸具有双峰式分布。
全文摘要
一种金属抛光液包括化学溶液和磨料，该磨料的特征为颗粒尺寸的双峰式分布或者其他多峰式分布或者普遍存在两种或者更多种颗粒尺寸或者颗粒尺寸的范围。还提供了一种用于在CMP抛光操作中使用抛光液的方法和系统。
文档编号H01L21/321GK102732157SQ20121000377
公开日2012年10月17日 申请日期2012年1月4日 优先权日2011年4月15日
发明者张世杰, 王英郎, 陈科维, 魏国修 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司