专利名称：电子部件的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子部件，尤其涉及具有含Sn的镀Sn皮膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件。
背景技术：
作为成为本发明的背景的技术，例如在国际公开第2006/134665号中公开了形成有以Sn作为主要成分的皮膜的构件、皮膜形成方法及焊料处理方法(参照专利文献I)。从近年的环境保护的观点出发，若在连接器用端子、半导体集成电路用的引线框等上通过不含Pb的以Sn作为主要成分的金属镀覆来代替以往实施的Sn-Pb镀焊而形成皮膜，则在皮膜上容易产生被称为晶须的Sn的须状晶体。若晶须产生并生长，则有时在邻接、的电极间引起电短路故障。此外，若晶须从皮膜脱离并飞散，则飞散的晶须成为在装置内外引起短路的原因。就专利文献I中公开的技术而言，其目的在于提供能够抑制这样的晶须的产生的具有皮膜的构件，特别是在以Sn作为主要成分的皮膜中，在Sn的晶界中形成Sn与Ni等第I金属的金属间化合物层。现有技术文献专利文献专利文献I :国际公开第2006/134665号
发明内容
发明所要解决的问题然而，就专利文献I中公开的皮膜而言，当进行被视为业界的标准的JEDEC规格所规定的以下所示的热冲击试验时，无法达到Class 2的判定基准。热冲击试验 试样数目(n个)3批X6个/批=I 8个 试验条件作为最低温度的_55°C (+0/-10)，作为最高温度的85°C (+10/-0)，在各温度下保持10分钟，以气相式提供1500循环的热冲击。 观察方法使用扫描型电子显微镜(SEM)以1000倍的电子显微镜照片图像进行。 判定基准适用Class 2 (通信用基础设备、汽车用设备)，晶须最大长度(直线长度)为45iim以下。因此，在具有含Sn的镀Sn皮膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件中，期望飞跃地提闻抑制晶须的能力。因此，本发明的主要目的在于提供飞跃地提高了抑制晶须的能力的电子部件。用于解决问题的手段本发明为一种电子部件，其是具有镀Sn皮膜的电子部件，其特征在于，镀Sn皮膜具有Sn多晶结构，在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成有Sn-Ni合金粒子。
在本发明所述的电子部件中，Sn-Ni合金粒子优选形成薄片状的形状。此外，在本发明所述的电子部件中，优选按照与镀Sn皮膜的内侧接触的方式形成有镀Ni皮膜。这种情况下，优选在镀Sn皮膜中的与镀Ni皮膜接触的Sn晶粒内，平均存在3个以上的Sn-Ni合金粒子。本发明所述的电子部件中，由于在电子部件的镀Sn皮膜中，在Sn晶界及Sn晶粒内形成有Sn-Ni合金粒子，所以抑制晶须的能力飞跃地提高。这是由于，认为通过制成这样的构成，从而镀Sn皮膜中的压缩应力得到缓和，产生晶须的起点被分散，用于产生晶须的
能量变小。像本发明所述的电子部件那样，为了在镀Sn皮膜中的Sn晶界及Sn晶粒内形成Sn-Ni合金粒子，例如，可以通过作为镀Sn皮膜对含Ni的其他的皮膜的表面实施镀Sn且在比较低的温度下进行长时间热处理，或者，可以通过作为镀Sn皮膜实施Sn含量比Ni的含·量多的Sn-Ni合金镀覆即富Sn的Sn-Ni合金镀覆且在比较低的温度下进行热处理。若这样实施Sn-Ni合金镀覆来代替实施镀Sn，则由于在镀覆中预先存在Ni，所以能够缩短热处理时间。另外，若镀Sn皮膜的热处理温度过于高温，则生成稳定的Ni3Sn4相，Ni的扩散停止，并且在镀Sn皮膜中仅产生Sn-Ni合金的球状晶体，所以无法期待应力缓和效果，得不到抑制晶须的效果。在本发明所述的电子部件中，为了进一步提高抑制的晶须效果，优选Sn-Ni合金粒子形成薄片状的形状，进而，特别优选按照与镀Sn皮膜的内侧接触的方式形成有镀Ni皮膜，在镀Sn皮膜中的与镀Ni皮膜接触的Sn晶粒内，平均存在3个以上的Sn-Ni合金粒子。发明的效果根据本发明，能够得到飞跃地提高了抑制晶须的能力的电子部件。本发明的上述目的、其它目的、特征及优点根据参照附图进行的以下的具体实施方式
的说明变得更加清楚。
图I是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的一个例子的剖面图解图。图2是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的其它例子的剖面图解图。图3是将实施例I的层叠陶瓷电容器中作为最外层的第2镀覆皮膜中的Sn溶解剥离后的第I镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像。图4是将实施例2的层叠陶瓷电容器中作为最外层的第3镀覆皮膜中的Sn溶解剥离后的第2镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像。图5是将比较例I的层叠陶瓷电容器中作为最外层的第2镀覆皮膜中的Sn溶解剥离后的第I镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像。图6是将比较例2的层叠陶瓷电容器中作为最外层的第2镀覆皮膜中的Sn溶解剥离后的第I镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像。图7是实施例I的层叠陶瓷电容器中沿第I镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的厚度方向切断而成的截面的电子显微镜照片图像。图8是实施例2的层叠陶瓷电容器中沿第I镀覆皮膜、第2镀覆皮膜及第3镀覆皮膜的厚度方向切断而成的截面的电子显微镜照片图像。
图9是比较例I的层叠陶瓷电容器中沿第I镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的厚度方向切断而成的截面的电子显微镜照片图像。图10是比较例2的层叠陶瓷电容器中沿第I镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的厚度方向切断而成的截面的电子显微镜照片图像。
具体实施例方式图I是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的一个例子的剖面图解图。图I所示的层叠陶瓷电容器10包含长方体状的陶瓷元件12。陶瓷元件12包含例如由钛酸钡系的电介体陶瓷构成的多个陶瓷层14作为电介体。这些陶瓷层14被层叠，并在陶瓷层14间交替形成例如由Ni形成的内部电极16a及16b。这种情况下，内部电极16a的一端部延伸到陶瓷元件12的一端部而形成。此外，内部电极16b的一端部延伸到陶瓷元件12的另一端部而形成。 进而，内部电极16a及16b按照中间部及另一端部隔着陶瓷层14重叠的方式形成。因此，该陶瓷元件12具有在内部隔着陶瓷层14设置有多个内部电极16a及16b的层
叠结构。在陶瓷元件12的一端面，按照端子电极I 8a与内部电极16a连接的方式形成。同样地，在陶瓷元件12的另一端面，按照端子电极I Sb与内部电极16b连接的方式形成。端子电极18a包括例如由Cu形成的外部电极20a。外部电极20a按照与内部电极16a连接的方式形成于陶瓷元件12的一端面。同样地，端子电极I Sb例如包括由Cu形成的外部电极20b。外部电极20b按照与内部电极16b连接的方式形成于陶瓷元件12的另一端面。此外，在外部电极20a及20b的表面，作为镀Ni皮膜，为了防止焊料浸出而分别形成含Ni的第I镀覆皮膜22a及22b。进而，在第I镀覆皮膜22a及22b的表面，作为成为最外层的镀Sn皮膜，为了改良软钎焊性而分别形成含Sn的第2镀覆皮膜24a及24b。这些第2镀覆皮膜24a及24b分别具有Sn多晶结构,在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成Sn-Ni合金粒子。这种情况下,Sn-Ni合金粒子形成薄片状的形状。此外，第2镀覆皮膜24a及24b分别在与含Ni的第I镀覆皮膜22a或22b接触的Sn晶粒中，在平均I个Sn晶粒内存在3个以上的薄片状的Sn-Ni合金粒子。此时，更显著地发挥本发明的效果。接着，对用于制造图I所示的层叠陶瓷电容器10的层叠陶瓷电容器的制造方法的一个例子进行说明。首先，准备陶瓷生片、内部电极用导电性糊剂及外部电极用导电性糊剂。在陶瓷生片或各种导电性糊剂中包含粘合剂及溶剂，但可以使用公知的有机粘合剂或有机溶剂。接着，在陶瓷生片上，例如通过丝网印刷等以规定的图案印刷内部电极用导电性糊剂，形成内部电极图案。然后，层叠规定片数的未印刷内部电极图案的外层用陶瓷生片，在其上依次层叠印刷有内部电极图案的陶瓷生片，在其上层叠规定片数的外层用陶瓷生片，从而制作母层叠体。
此后，通过静压压制等手段沿层叠方向对母层叠体进行压制。然后，将经压制的母层叠体切割成规定的尺寸，切出未加工的陶瓷层叠体(rawceramic laminate)。另外,此时,通过滚磨等使未加工的陶瓷层叠体的角部或棱部变得圆润。此后，对未加工陶瓷层叠体进行烧成。这种情况下，烧成温度也依赖于陶瓷层14或内部电极16a、l 6b的材料，但优选为900°C 1300°C。烧成后的陶瓷层叠体变成由层叠陶瓷电容器10的陶瓷层I 4及内部电极16a、16b构成的陶瓷元件12。然后，通过在烧成后的陶瓷层叠体的两端面涂布外部电极用导电性糊剂，并进行烧结，从而形成端子电极18a及18b的外部电极20a及20b。此后，通过对第I外部电极20a的表面及第2外部电极20b的表面分别实施例如镀Ni，从而形成第I镀覆皮膜22a及22b。 然后，通过对第I镀覆皮膜22a及22b的表面分别实施含Sn的金属镀覆且进行热处理，从而形成第2镀覆皮膜24a及24b。这种情况下，通过对第I镀覆皮膜22a及22b的表面实施例如镀Sn且在比较低的温度下进行长时间热处理，从而形成第2镀覆皮膜24a及24b。如上所述，制造图I所示的层叠陶瓷电容器10。在图I所示的层叠陶瓷电容器10中，由于作为最外层的第2镀覆皮膜24a及24b分别具有Sn多晶结构，同时不仅Sn晶界,而且在Sn晶粒内也形成Sn-Ni合金粒子,所以晶须的抑制能力飞跃地提高。因此，在该层叠陶瓷电容器10中，能够进一步防止晶须作为原因的短路故障。此外，在图I所示的层叠陶瓷电容器10中，由于作为最外层的第2镀覆皮膜24a及24b分别含Sn，所以软钎焊性良好。进而，在图I所示的层叠陶瓷电容器I 0中，由于第I镀覆皮膜22a及22b分别含Ni，所以能够防止焊料浸出。进而，在图I所示的层叠陶瓷电容器10中，由于第I镀覆皮膜22a、22b及第2镀覆皮膜24a、24b等中不使用Pb，所以从环境保护的观点来看也优异。图2是表示本发明所述的层叠陶瓷电容器的其它例子的剖面图解图。图2所示的层叠陶瓷电容器10与图I所示的层叠陶瓷电容器10相比，在含Ni的第I镀覆膜22a及22b的表面分别形成含Sn及Ni的第2镀覆膜24a及24b，作为成为中间层的镀Sn皮膜或镀Ni皮膜。进而，在第2镀覆皮膜24a及24b的表面，为了改良软钎焊性而分别形成含Sn的第3镀覆皮膜26a及26b作为成为最外层的镀Sn皮膜。图2所示的层叠陶瓷电容器10中，第2镀覆皮膜24a、24b及第3镀覆皮膜26a、26b分别具有Sn多晶结构,在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成Sn-Ni合金粒子。这种情况下，Sn-Ni合金粒子形成薄片状的形状。此外，第2镀覆皮膜24a及24b分别在Sn晶粒中，在平均I个Sn晶粒内存在3个以上的薄片状的Sn-Ni合金粒子。此外，第3镀覆皮膜26a及26b分别在与含Ni的第2镀覆皮膜24a或24b接触的Sn晶粒中，在平均I个Sn晶粒内存在3个以上的薄片状的Sn-Ni合金粒子。为了制造图2所示的层叠陶瓷电容器10，首先，例如通过与制造图I所示的层叠陶瓷电容器10的上述方法相同的方法，从而形成陶瓷元件12、外部电极20a、20b及第I镀覆皮膜 22a、22b。然后，通过对第I镀覆皮膜22a及22b的表面分别实施含Sn及Ni的合金镀覆且进行热处理，从而形成第2镀覆皮膜24a及24b，通过对第2镀覆皮膜24a及24b的表面分别实施含Sn的金属镀覆且进行热处理，从而形成第3镀覆皮膜26a及26b。这种情况下，通过对第I镀覆皮膜22a及22b的表面例如实施Sn-Ni合金镀覆，对Sn-Ni合金镀覆的表面实施镀Sn，并且在比较低的温度下进行热处理，从而形成第2镀覆皮膜24a、24b及第3镀覆皮膜 26a、26b。如上所述，制造图2所示的层叠陶瓷电容器10。在图2所示的层叠陶瓷电容器10中，与图I所示的层叠陶瓷电容器10同样地，发挥晶须的抑制能力飞跃提高，软钎焊性良好，能够防止焊料浸出(solder leach)，从环境保护的观点来看也优异的效果。 进而，在图2所示的层叠陶瓷电容器10中，由于与图I所示的层叠陶瓷电容器10相比，在第I镀覆皮膜22a、22b以外的成为第2镀覆皮膜24a、24b的镀覆中预先存在Ni，所以还发挥能够缩短热处理时间的效果。(实验例)在实验例中，制造以下所示的实施例I、实施例2、比较例I及比较例2的层叠陶瓷电容器，对于这些层叠陶瓷电容器评价镀覆皮膜中的晶须。(实施例I)在实施例I中，通过制造图I所示的层叠陶瓷电容器10的上述方法，制造图I所示的层叠陶瓷电容器10。这种情况下，将层叠陶瓷电容器10的外形尺寸设定为长度2. 0mm、宽度I. 25mm、高度I. 25mm。此外，作为陶瓷层14 (电介体陶瓷)，使用钛酸钡系电介体陶瓷。进而，作为内部电极16a、16b的材料，使用Ni。进而，作为外部电极20a、20b的材料，使用Cu。此外，在实施例I中，在下面的条件下形成第I镀覆皮膜22a、22b及第2镀覆皮膜24a、24b。(I)关于镀覆浴 用于形成第I镀覆皮膜的镀覆浴使用通常称为瓦特浴的镀Ni浴。 用于形成第2镀覆皮膜的镀覆浴作为金属盐使用硫酸锡，作为络合剂使用柠檬酸，作为光泽剂使用添加有季铵盐或含有烷基甜菜碱的表面活性剂的任一者或两者的弱酸性的镀Sn浴(柠檬酸系弱酸性浴)。(2)关于电流密度及通电时间 第I镀覆皮膜按照以电流密度Dk = 2.0 [A/dm2]皮膜能够以厚度5 y m 10 y m形成的方式控制通电时间。 第2镀覆皮膜按照以电流密度Dk= 1.0 [A/dm2]皮膜能够以厚度5 y m 10 y m形成的方式控制通电时间。(3)关于镀覆工艺 用于形成第I镀覆皮膜及第2镀覆皮膜的镀覆工艺使用容积300ml的水平转筒进行。
进而，在实施例I中，在第2镀覆皮膜24a、24b中，不仅Sn晶界而且在Sn晶粒内也形成Sn-Ni合金粒子的方法如下所述。对外部电极20a、20b的表面实施镀Ni作为第I镀覆皮膜22a、22b，对镀Ni的表面实施镀Sn作为第2镀覆皮膜24a、24b，并且在40°C下进行200天的热处理。(实施例2)在实施例2中，通过制造图2所示的层叠陶瓷电容器10的上述方法，制造图2所示的层叠陶瓷电容器10。这种情况下，在实施例2中，首先，通过与实施例I相同的方法，形成陶瓷元件12、外部电极20a、20b及第I镀覆皮膜22a、22b。然后，在实施例2中，对第I镀覆皮膜22a、22b的表面实施Sn-Ni合金镀覆作为第2镀覆皮膜24a、24b，对Sn-Ni合金镀覆的表面实施镀Sn作为第3镀覆皮膜26a、26b，并且在40°C下进行96小时热处理，形成第2镀覆皮膜24a、24b及第3的镀覆皮膜26a、26b。 这里,用于实施Sn-Ni合金镀覆的Sn-Ni合金镀覆浴的组成如下所述。
NiCl2 2H20 :0. 015mol/L SnCl2 2H20 :0. 135mol/L K4P2O7 0. 45mol/L 甘氨酸0. 15mol/L该Sn-Ni合金镀覆浴按照所形成的Sn-Ni合金镀覆中的Sn/Ni浓度达到85atm%/15atm%的方式调整。对于第I镀覆皮膜22a、22b的表面，在该Sn-Ni合金镀覆浴(Sn浓度90atm%、Ni浓度10atm% )中，以电流密度Dk = 0. 5 [A/dm2]实施厚度4iim 8iim的Sn-Ni合金镀覆。此外，对Sn-Ni合金镀覆的表面在上述镀Sn浴中实施厚度2 y m 5 y m的镀Sn。(比较例I)在比较例I中，通过与实施例I同样的方法，制造与图I所示的层叠陶瓷电容器10同样的层叠陶瓷电容器。这种情况下，作为热处理，在70°C下进行8分钟热处理。(比较例2)在比较例2中，通过与实施例I同样的方法，制造与图I所示的层叠陶瓷电容器10同样的层叠陶瓷电容器。这种情况下，作为热处理，在150°C下进行3小时热处理。接着，对实施例I、实施例2、比较例I及比较例2的各层叠陶瓷电容器，依据以下所示的JEDEC标准来评价镀覆皮膜中的晶须。 试样数目(n个)3批X6个/批=I 8个 试验条件作为最低温度的_55°C (+0/-10)，作为最高温度的85°C (+10/-0)，在各温度下保持10分钟，以气相式，给予1500循环的热冲击。 观察方法使用扫描型电子显微镜(SEM)以1000倍的电子显微镜照片图像进行。 判定基准应用Class 2 (通信用基础设备、汽车用设备)，将晶须最大长度(直线长度)为45 y m以下的情况判断为良好，将为46 y m以上的情况判断为不佳。图3 图6中，示出将实施例I、实施例2、比较例I及比较例2的各层叠陶瓷电容器中作为最外层的镀覆皮膜中的Sn溶解而剥离后的镀覆皮膜的表面的电子显微镜照片图像，图7 图10中，示出实施例I、实施例2、比较例I及比较例2的各层叠陶瓷电容器中沿镀覆皮膜的厚度方向切断的截面的电子显微镜照片图像。
其结果是，实施例I中，晶须最大长度为30 u m,良好，实施例2中，晶须最大长度为20 u m,为更良好。另一方面，比较例I中，晶须最大长度为70 u m,不佳，比较例2中，晶须最大长度为100 V- m,进一步不佳。这是由于，实施例I及实施例2中，在含Sn的镀Sn皮膜中，不仅Sn晶界而且在Sn晶粒内也形成多数薄片状的Sn-Ni合金粒子，由此大幅抑制了晶须的生长。此外，在像实施例I那样对镀Ni的表面实施镀Sn且在40°C这样比较低的温度下进行200天这样的长时间热处理的情况及像实施例2那样实施Sn-Ni合金镀覆且对Sn-Ni合金镀覆的表面实施镀Sn且在40°C这样比较低的温度下进行96小时这样的短时间热处理的情况的任意情况下，能够确认到良好地抑制晶须的效果。另一方面，在比较例I中，由于虽然是比实施例I及实施例2中的40°C高的70°C但仅进行8分钟这样非常短时间的热处理，所以在作为最外层的含Sn的镀Sn皮膜中，仅在 Sn晶界中形成薄片状的Sn-Ni合金粒子，晶须抑制效果也低。此外，在比较例2中，由于在150°C这样非常高的温度下进行热处理，所以在作为最外层的含Sn的镀Sn皮膜中，仅在Sn晶界中并且仅形成Sn-Ni合金的球状晶体，抑制晶须的效果也进一步低。另外，在实施例I中，作为第2镀覆皮膜24a、24b的各自的厚度，选定晶须最容易延长的5 u m,但也确认第2镀覆皮膜24a、24b的各自的厚度在I U m 10 y m的范围内能够良好地抑制晶须。这样，在实施例I及实施例2中，各镀覆皮膜即使以其它厚度形成，也能够良好地抑制晶须。例如，在实施例2中，即使将第2镀覆皮膜24a、24b的各自的厚度设定为0. 5 y m
9.5um的范围，也能够良好地抑制晶须，即使将第3镀覆皮膜26a、26b的各自的厚度设定为
0.5 ii m 9. 5 ii m的范围，也能够良好地抑制晶须。此外，在上述的实施例I及实施例2中，分别在特定的条件下进行热处理，但即使在其它的条件下进行热处理，也能够良好地抑制晶须。例如，在实施例I中，即使在25°C 35°C这样比较低的温度下且进行240天 300天这样的长时间热处理，也能够良好地抑制晶须。此外，在实施例2中，即使在25V 35°C这样比较低的温度下且进行110小时 150小时这样的短时间热处理，也能够良好地抑制晶须。此外，在实施例I中，通过对镀Ni的表面实施镀Sn且在比较低的温度下进行长时间热处理，从而形成第2镀覆皮膜，但也可以通过实施富Sn的Sn-Ni合金镀覆来代替镀Sn且在比较低的温度下进行短时间热处理，从而形成作为成为最外层的镀Sn皮膜的第2镀覆皮膜。若这样形成第2镀覆皮膜，由于实施富Sn的Sn-Ni合金镀覆且进行热处理，所以软钎焊性虽稍微降低但良好，并且能够良好地抑制晶须。在上述的实施方式、实施例I及实施例2中，作为电介体，虽然可使用钛酸钡系的电介体陶瓷，但也可以使用例如钛酸钙系、钛酸锶系、锆酸钙系的电介体陶瓷来代替其。此夕卜，作为陶瓷层14的陶瓷材料，也可以使用例如添加有Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土类化合物等副成分的陶瓷材料。
此外，在上述的实施方式、实施例I及实施例2中，作为内部电极，虽然使用Ni，但也可以使用例如Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等来代替其。进而，在上述的实施方式、实施例I及实施例2中，作为外部电极，虽然使用Cu，也可以使用例如选自由Ag、Ag/Pd组成的组中的I种金属或含有该金属的合金来代替其。产业上的可利用性本发明所述的电子部件特别适合用于例如高密度安装的层叠陶瓷电容器等电子部件。符号的说明10层叠陶瓷电容器12陶瓷元件 14陶瓷层16a、16b内部电极18a、18b端子电极20a、20b外部电极22a、22b第I镀覆皮膜24a、24b第2镀覆皮膜26a、26b第3镀覆皮膜
权利要求
1.一种电子部件，其是具有镀Sn皮膜的电子部件，其特征在于， 所述镀Sn皮膜具有Sn多晶结构，在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成有Sn-Ni合金粒子。
2.根据权利要求I所述的电子部件，其中，所述Sn-Ni合金粒子形成薄片状的形状。
3.根据权利要求I或权利要求2所述的电子部件，其中，按照与所述镀Sn皮膜的内侧接触的方式形成有镀Ni皮膜。
4.根据权利要求3所述的电子部件，其中，在所述镀Sn皮膜中的与所述镀Ni皮膜接触的Sn晶粒内，平均存在3个以上的所述Sn-Ni合金粒子。
全文摘要
本发明提供飞跃地提高了抑制晶须的能力的电子部件。作为电子部件的层叠陶瓷电容器(10)包括例如长方体状的电子部件元件(12)。在电子部件元件(12)的一端面及另一端面形成端子电极(18a、18b)的外部电极(20a、20b)。在外部电极(20a、20b)的表面形成由镀Ni形成的第1镀覆皮膜(22a、22b)。在第1镀覆皮膜(22a、22b)的表面形成含Sn的第2镀覆皮膜(24a、24b)作为成为最外层的镀Sn皮膜。第2镀覆皮膜(24a、24b)具有多晶结构，在Sn晶界及Sn晶粒内分别形成薄片状的Sn-Ni合金粒子。
文档编号H01G4/232GK102779642SQ20121013849
公开日2012年11月14日 申请日期2012年5月7日 优先权日2011年5月11日
发明者元木章博, 增子贤仁, 小川诚, 藤原敏伸, 齐藤笃子 申请人:株式会社村田制作所