专利名称：一种光电耦合器引线框架及光电耦合器的制作方法
技术领域：
本发明涉及光电耦合器技术领域，涉及一种光电耦合器弓I线框架及光电耦合器。
背景技术：
光电耦合器是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管壳内的器件。当输入电信号加到输入端发光器件LED上,LED发光,光接收器件、接收光信号并转换成电信号，然后将电信号直接输出，或者将电信号放大处理成标准数字电平输出，这样就实现了“电一光一电”的转换及传输，光是传输的媒介，因而输入端与输出端在电气上是绝缘的，也称为电隔离。光耦的生产工艺现采用70年代国际通用工艺，(固晶一烧结一焊线一A芯片点硅胶一娃胶固化一A/B支架叠合一I号模封装一去I号模残胶一2号模封装一去2号模残胶—电镀一成型一高压测试一电性分BIN—打印一外观检查)。如图I和图2，现有的光电耦合器的引线框架都是由A引线框架和B引线框架叠合而成，其核心技术受控于国外，生产过程中需将A芯片(GaAs LED Chip)和B芯片(Photo Transistor chip)分别对应粘结于A引线框架和B引线框架设有的A芯片粘结部11’和B芯片粘结部12’上，且必须准确对A芯片粘结部11’和B芯片粘结部12’对准、定位，保证该A芯片和B芯片上下平行，即两芯片上下对射式地分别设于A引线框架和B引线框架上，并且固晶时必须在两台设备上完成，工艺繁锁、流转速度慢、能耗高、成本高、工艺过程控制难度大。
发明内容
为解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种一种光电耦合器引线框架及光电耦合器，该光电耦合器通过采用该单片引线框架，结构更简单，生产效率高，节省电能消耗，减少框架材料，极大地降低了生产成本，同时降低工艺过程控制难度。为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案
一种光电耦合器引线框架，包括有多个矩阵排列的引线框架单元，每个所述引线框架单元包括分别用于安装红外光发射芯片和红外光接收芯片的可折弯相对的第一芯片粘结部和第二芯片粘结部，以及第一固晶焊线部和第二固晶焊线部，且所述第一芯片粘结部和第一固晶焊线部分别与正极引脚和负极引脚连接，所述第二芯片粘结部和第二固晶焊线部分别与集电极引脚和发射极引脚连接。作为本发明一优选方案，所述引线框架由金属带材经冲制和电镀制作而成。—种光电耦合器，包括有封装一体的上述权利要求I或2所述的光电耦合器引线框架的引线框架单元、红外光发射芯片和红外光接收芯片，所述引线框架单元的第一芯片粘结部和第二芯片粘结部折弯并平行相对，所述红外光发射芯片和红外光接收芯片分别设于所述第一芯片粘结部和第二芯片粘结部上，并通过导线与所述引线框架单元第一固晶焊线部和第二固晶焊线部连接。作为本发明一优选方案，所述第一芯片粘结部和第二芯片粘结部垂直于所述引线框架单元。作为本发明一优选方案，所述红外光发射芯片和红外光接收芯片左右对射式的设于所述引线框架单元上。作为本发明一优选方案，所述所述红外光发射芯片和红外光接收芯片分别是GaAsLED芯片和光敏三极管，所述导线是金线。本发明的有益效果是
本发明通过上述技术方案，在采用本单片引线框架加工成光电耦合器过程中，固晶时可同时用一台设备完成红外光发射芯片和红外光接收芯片的粘结工作，加快产品流转速度，节省电能消耗，减少框架材料，无需像传统工艺那样对两片引线框架进行对位、定位，降低工艺过程控制难度，光电耦合器的结构更简单，生产成本大大降低。
图I是现有的光电耦合器引线框架的结构示意 图2是由图I现有的引线框架的光电耦合器剖视结构示意 图3是本发明所述的光电耦合器引线框架实施例的局部结构示意 图4是采用本发明所述的引线框架加工成光电耦合器的加工流程效果示意 图5是采用本发明所述引线框架加工而成的光电耦合器实施例的剖视结构示意图。
具体实施例方式为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。如图3至图5中所示，本发明实施例所述的一种光电耦合器引线框架，由金属带材经冲制和电镀制作而成，包括有多个矩阵排列的引线框架单元1，每个所述引线框架单元I包括可折弯相对的第一芯片粘结部11和第二芯片粘结部12，以及第一固晶焊线部13和第二固晶焊线部14，且所述第一芯片粘结部11和第一固晶焊线部13分别与正极引脚15和负极引脚16连接，所述第二芯片粘结部12和第二固晶焊线部14分别与集电极引脚17和发射极引脚18连接。采用本引线框架生产加工光电耦合器时，先将红外光发射芯片2和红外光接收芯片3经过导电银胶固晶、烧结分别固定在每一引线框架单元I的第一芯片粘结部11和第二芯片粘结部12上，并通过导线(金线)4分别与对应的第一固晶焊线部13和第二固晶焊线部14连接，并对红外光发射芯片2点胶(硅胶)固化(如图4a);接着将第一芯片粘结部11和第二芯片粘结部12折弯，使其相互平行并垂直于本引线框架(引线框架单元I)(如图4b);最后依次进行封装去残胶、电镀和成型，即可生产出光电耦合器(如图4c和图4d)。每一所述的光电耦合器(如图5)，包括有通过由内环氧树脂层5和外环氧树脂层6封装一体的引线框架单元I、红外光发射芯片2和红外光接收芯片3，所述引线框架单元I的第一芯片粘结部11和第二芯片粘结部12折弯并平行相对，垂直于所述引线框架单元，所述红外光发射芯片2和红外光接收芯片3分别是GaAs LED芯片和光敏三极管，并左右对射式地分别设于第一芯片粘结部11和第二芯片粘结部12上，且通过导线4与引线框架单元I的第一固晶焊线部13和第二固晶焊线部14连接。这样，在采用本单片引线框架加工成光电耦合器过程中，固晶时可同时用一台设备完成红外光发射芯片2和红外光接收芯片3的粘结工作，加快产品流转速度，节省电能消耗，减少框架材料，无需像传统工艺那样对两片引线框架进行对位、定位，降低工艺过程控制难度，光电稱合器的结构更简单，生产成本大大降低。例如
传统结构引线框架双片的总长为212mmX2=424mm，宽52mm，设计成品数量为10列、每列8PCS，双片引线框架叠合后成品数量为80PCS，实际用料面积为212X52X2=22048mm ；本发明引线框架的总长为207mm，宽52mm，设计成品数量为14列、每列8PCS，单片成品数量为112PCS，实际用料面积为207X52=10764mm ;
传统结构每PCS引线框架材料使用面积为22048mm+80PCS=275. 6 mm，本发明每PCS 引线框架(引线框架单元I)材料使用面积为10764mm+112PCS=96. 107mm ;本发明每PCS引线框架材料使用面积为传统结构每PCS引线框架材料使用面积的34. 87%。传统工艺每小时能耗总功耗约为91KW，每小时可生产成品22000只，按每天8小时，月生产22天计算。月用电量91X8X22=16016KW，月生产成品总量为22000 X 8 X 22=3872000 只。本发明工艺每小时能耗总功耗约为91KW ,每小时可生产成品30800只，按每天8小时，月生产22天计算。月用电量91X8X22=16016KW，月生产成品总量为30800 X 8 X 22=5420800 只。根据上述数据计算得出本发明引线框架用料上与传统结构引线框架用料对比将节省65. 13%，生产效益将提高40%，节省能源28. 6%。以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种光电耦合器引线框架，其特征在于包括有多个矩阵排列的引线框架单元(1)，每个所述弓I线框架单元(I)包括分别用于安装红外光发射芯片和红外光接收芯片的可折弯相对的第一芯片粘结部(11)和第二芯片粘结部(12)，以及第一固晶焊线部(13)和第二固晶焊线部(14)，且所述第一芯片粘结部(11)和第一固晶焊线部(13)分别与正极引脚(15)和负极引脚(16)连接，所述第二芯片粘结部(12)和第二固晶焊线部(14)分别与集电极引脚(17)和发射极引脚(18)连接。
2.根据权利要求I所述的光电耦合器引线框架，其特征在于所述引线框架由金属带材经冲制和电镀制作而成。
3.一种光电耦合器，其特征在于包括有封装一体的上述权利要求I或2所述的光电耦合器引线框架的引线框架单元(I)、红外光发射芯片(2)和红外光接收芯片(3)，所述引线框架单元(I)的第一芯片粘结部(11)和第二芯片粘结部(12)折弯并平行相对，所述红外光发射芯片(2)和红外光接收芯片(3)分别设于所述第一芯片粘结部(11)和第二芯片粘结部(12)上，并通过导线(4)与所述引线框架单元(I)的第一固晶焊线部(13)和第二固晶焊线部(14)连接。
4.根据权利要求3所述的光电耦合器，其特征在于所述第一芯片粘结部(11)和第二芯片粘结部(12)垂直于所述引线框架单元(I)。
5.根据权利要求4所述的光电稱合器,其特征在于所述红外光发射芯片(2)和红外光接收芯片(3)左右对射式的设于所述引线框架单元(I)上。
6.根据权利要求3至5中任何一项所述的光电耦合器，其特征在于所述所述红外光发射芯片(2)和红外光接收芯片(3)分别是GaAs LED芯片和光敏三极管，所述导线(4)是金线。
全文摘要
本发明涉及一种光电耦合器引线框架及光电耦合器，该引线框架包括有多个矩阵排列的引线框架单元，每个引线框架单元包括分别用于安装红外光发射芯片和红外光接收芯片的可折弯相对的第一芯片粘结部和第二芯片粘结部，以及第一固晶焊线部和第二固晶焊线部，且第一芯片粘结部和第一固晶焊线部分别与正极引脚和负极引脚连接，第二芯片粘结部和第二固晶焊线部分别与集电极引脚和发射极引脚连接。这样，在采用本单片引线框架加工成光电耦合器过程中，固晶时可同时用一台设备完成红外光发射芯片和红外光接收芯片的粘结，生产效率高，节省能耗，减少引线框架材料，无需对引线框架对位、定位，工艺难度明显降低，光电耦合器的结构更简单，生产成本更低。
文档编号H01L23/495GK102723321SQ201210226339
公开日2012年10月10日 申请日期2012年7月3日 优先权日2012年7月3日
发明者黄伟鹏 申请人:黄伟鹏