发光装置制造方法
【专利摘要】一种发光装置，其包括基板、接垫、发光二极管及限流结构。接垫形成于基板上。发光二极管设置于基板上并电性连接接垫。限流结构邻接接垫而形成于基板上，或形成于接垫的边缘。
【专利说明】发光装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种具有限流结构的发光装置。【背景技术】
[0002]发光二极管元件经由接合工艺(bonding)接合于一基板的接垫上。然而，在接合工艺中，常会发生接合剂溢流出接合区外的现象。更严重者，接合剂溢流至邻近接垫而污染到此邻近接垫。
【发明内容】
[0003]本发明有关于一种发光装置，可改善溢流的接合剂污染到邻近接垫的问题。
[0004]根据本发明的一实施例，提出一种发光装置。发光装置包括一基板、一第一接垫、一发光二极管及一限流结构。第一接垫形成于基板上。发光二极管设置于基板上并电性连接第一接垫。限流结构邻接第一接垫而形成于基板上，或形成于第一接垫的边缘。
[0005]为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下:
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1绘示依照本发明一实施例的发光装置的剖视图。
[0007]图2绘示图1的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。
[0008]图3绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。
[0009]图4绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。
[0010]图5绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。
[0011]图6绘示发光二极管接合至图5的第一接垫及第二接垫的剖视图。
[0012]图7绘示图6的第二接垫、接合剂及限流结构的局部立体图。
[0013]图8绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。
[0014]图9绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。
[0015]主要元件符号说明:
[0016]100:发光装置
[0017]110:基板
[0018]IlOu:上表面
[0019]IlOb:下表面
[0020]111:凹陷部
[0021]120:第一接垫
[0022]120s 1:第一侧面
[0023]120s2:第三侧面
[0024]130:第二接垫[0025]130s 1:第二侧面
[0026]130s2:第四侧面
[0027]140:发光二极管
[0028]150:第一限流结构
[0029]250:第二限流结构
[0030]160:接合剂
【具体实施方式】
[0031]请参照图1，其绘示依照本发明一实施例的发光装置的剖视图。发光装置100包括基板110、第一接垫120、第二接垫130、发光二极管140及第一限流结构150。
[0032]基板110具有相对的上表面IlOu与下表面110b。基板110例如是金属基板、陶瓷基板、单层/多层电路板或其它合适基板。
[0033]第一接垫120形成于基板110的上表面IlOu上，且具有第一侧面120sl。本实施例中，第一接垫120的横剖面形状矩形，然亦可为圆形、椭圆形或多边形，其中多边形例如是三角形、梯形或其它多边形。
[0034]第二接垫130具有第二侧面130sl，其与第一接垫120的第一侧面120sl相面对。第二接垫130的横剖面形状可相似于第一接垫120，容此不再赘述。
[0035]发光二极管140通过接合剂160设于基板110上并电性连接第一接垫120及第二接垫130。
[0036]第一限流结构150例如是凹陷结构，其邻接第一接垫120及第二接垫130而形成于基板Iio上。举例来说，第一限流结构150邻接第一接垫120及第二接垫130而形成于基板110上，并从上表面IlOu往下表面IlOb的方向延伸一距离，此距离小于基板的厚度，即第一限流结构150未贯穿基板110。
[0037]由于第一限流结构150位于第一侧面120sl与第二侧面130sl之间，故当发光二极管140通过接合剂160与基板110的第一接垫120及第二接垫130接合后，多余接合剂160会溢流至第一限流结构150内，而避免多余的接合剂160溢流至邻近的接垫而污染到邻近的接垫。此外，经由设计第一限流结构150的尺寸，可获得预期的容纳溢流接合剂160的空间。
[0038]请参照图2，其绘示图1的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。第一限流结构150仅邻接于第一接垫120的第一侧面120sl及第二接垫130的第二侧面130sl，然此非用以限制本发明实施例，以下举例说明。
[0039]请参照图3，其绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。本实施例中，第一接垫120更具有第三侧面120s2，第一侧面120sl与第三侧面120s2共同定义第一接垫120的整个边界，第一限流结构150沿第一侧面120sl及第三侧面120s2环绕第一接垫120，使第一限流结构150如同一完全封闭的环槽。另一实施例中，第一限流结构150可仅沿第一侧面120sl及部分的第三侧面120s2绕着第一接垫120，在此设计下，第一限流结构150未环绕第一接垫120的整个边界。
[0040]相似地，第二接垫130更具有第四侧面130s2，第二侧面130sl与第四侧面130s2共同定义第二接垫130的整个边界，第一限流结构150沿第二侧面130sl及第四侧面130s2环绕第二接垫130，使第一限流结构150如同一完全封闭的环槽。另一实施例中，第一限流结构150可仅沿第二侧面130sl及部分的第四侧面130s2绕着第二接垫130，在此设计下，第一限流结构150未环绕第二接垫130的整个边界。
[0041]虽然上述实施例的第一限流结构150同时环绕第一接垫120的整个边界与第二接垫130的整个边界,然亦可仅环绕第一接垫120的整个边界或第二接垫130的整个边界。
[0042]请参照图4，其绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。第一限流结构150往基板110的侧向局部地凹陷形成凹陷部111，此凹陷部111的横剖面形状呈矩形，然亦可呈圆形的至少一部分、椭圆形的至少一部分、其它多边形或其组合，其中圆形的至少一部分例如是半圆形，而椭圆形的至少一部分例如是半椭圆形。由于第一限流结构150往基板110的侧向局部地凹陷，故可增加第一限流结构150的容纳空间，以容纳更多溢流的接合剂160(未绘示)。此外，经由设计凹陷部111的横剖面形状，可获得预期的容纳溢流接合剂160的空间。
[0043]虽然图4的数个凹陷部111沿第一接垫120的整个边缘及第二接垫130的整个边缘分布，然亦可仅沿第一接垫120的部分边缘及/或第二接垫130的部分边缘延伸。
[0044]如图4所示，第一接垫120的边缘形成有第二限流结构250，其从第一侧面120sl及第三侧面120s2往第一接垫120的内部延伸。相似地，第二接垫130的边缘形成有第二限流结构250，其从第二侧面130sl及第四侧面130s2往第二接垫130的内部延伸。
[0045]请参照图5，其绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。本实施例中，第一限流结构150邻接第一接垫120形成于基板110上，而第二限流结构250形成于第二接垫130的边缘，例如其从第二侧面130sl往第二接垫130的内部延伸而形成至少一突部。
[0046]请参照图6及7，图6绘示发光二极管接合至图5的第一接垫及第二接垫的剖视图，且图6的基板、第一接垫及第二接垫图5的基板、第一接垫及第二接垫沿方向6-6’的剖视图，而图7绘示图6的第二接垫、接合剂及限流结构的局部立体图。
[0047]发光二极管140通过接合剂160与基板110的第一接垫120及第二接垫130接合，由于第二限流结构250的设计，使第二接垫130的表面积增加也同时增加第二接垫130与接合剂160的接触面积，当在接合工艺过程中，接合剂160因受到温度与压力的影响会转变成流动的状态，当接合剂流动到第二限流结构时，会因为第二接垫130表面积变大进而增加可以附着接合剂的表面积，而使得接合剂160被局限在第二限流结构中。如此一来，接合剂160便不容易溢流至邻近的接垫。
[0048]第二限流结构250的横剖面形状例如是矩形，然亦可为圆形的至少一部分、椭圆形的至少一部分、其它多边形或其组合，其中圆形的至少一部分例如是半圆形，而椭圆形的至少一部分例如是半椭圆形。
[0049]请参照图8，其绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。第二限流结构250从第二接垫130的第二侧面130sl及第四侧面130s2往第二接垫130的内部延伸，而形成于第二接垫130的整个边界。此外，第二限流结构250亦可从第二接垫130的第二侧面130sl及部分的第四侧面130s2往第二接垫130的内部延伸。第二限流结构250的分布区域愈大，则接合剂160被保留于接垫上的量就愈多，可避免更多溢流量流向邻近接垫。[0050]请参照图9，其绘示依照本发明另一实施例的基板、第一接垫及第二接垫的俯视图。图8的第二限流结构250亦可形成于第一接垫120的边缘，且从第一接垫120的第一侧面120sl往第一接垫120的内部延伸。
[0051]虽然图未绘示，然第二限流结构250亦可从第一接垫120的第一侧面120sl及第三侧面120s2往第一接垫120的内部延伸，而形成于第一接垫120的整个边界。或者，第二限流结构250亦可从第一接垫120的第一侧面120sl及部分的第三侧面120s2往第一接垫120的内部延伸。
[0052]综合上述，限流结构可形成于基板、第一接垫及/或第二接垫上。当第一限流结构形成于基板上时，其可邻接第一接垫的第一侧面及/或邻接第二接垫的第二侧面，然亦可邻接第一接垫的第一侧面与第三侧面及/或邻接第二接垫的第二侧面与第四侧面。当第二限流结构形成于第一接垫上时，其可从第一接垫的第一侧面或往内延伸，或者从第一接垫的第一侧面及至少部分的第三侧面往内延伸。相似地，第二限流结构形成于第二接垫上的特征相似于第二限流结构形成于第一接垫上的特征，容此不再赘述。
[0053]综上所述，虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属【技术领域】中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
【权利要求】
1.一种发光装置，包括: 一基板； 一第一接垫，形成于该基板上； 一发光二极管，设置于该基板上并电性连接该第一接垫；以及 一限流结构，邻接该第一接垫而形成于该基板上，或形成于该第一接垫的边缘。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该基板具有相对的一上表面与一下表面，该第一接垫设于该上表面，且该限流结构邻接该第一接垫而形成于该基板上，并从该上表面往该下表面的方向延伸。
3.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该第一接垫具有一第一侧面，且该发光装置更包括: 一第二接垫，具有一第二侧面，该第二侧面与该第一侧面相对； 其中，该限流结构位于该第一侧面与该第二侧面之间。
4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该第一接垫更具有一第三侧面，该第一侧面与该第三侧面定义该第一接垫的整个边界，该限流结构沿该第一侧面及该第三侧面环绕该第一接垫。
5.如权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该第二接垫更具有一第四侧面，该第二侧面与该第四侧面定义该第二接垫的整个边界，该限流结构沿该第二侧面及该第四侧面环绕该第二接垫。
6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一接垫具有一第一侧面，且该限流结构从该第一侧面往该第一接垫的内部延伸。
7.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，该第一接垫更具有一第三侧面，该第一侧面与该第三侧面定义该第一接垫的整个边界，该限流结构从该第一侧面及该第三侧面往该第一接垫的内部延伸。
8.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，更包括一第二接垫，形成于该基板上且具有一第二侧面，且该限流结构从该第二侧面往该第二接垫的内部延伸。
9.如权利要求8所述的发光装置，其特征在于，该第二接垫更具有一第四侧面，该第二侧面与该第四侧面定义该第二接垫的整个边界，且该限流结构从该第二侧面及该第四侧面往该第二接垫的内部延伸。
10.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，该限流结构使该第一接垫边缘的至少一部分的横剖面形状呈半圆形、半椭圆形、多边形或其组合。
【文档编号】H01L33/62GK103682067SQ201210429634
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年11月1日 优先权日:2012年9月10日
【发明者】姜崇义, 罗伟诚, 彭永智 申请人:华新丽华股份有限公司